10申请公布号CN申请公布日申请号422申請日B29/B15/B28/申请人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司地址338000江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室72发明人雷琦胡动力何亮陈红荣74专利代悝机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强54发明名称一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片57摘要本发明提供了一种籽晶的铺设方法用于准单晶的铸造，包括以下步骤提供坩埚在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为100、110或111晶面族的晶向所述籽晶嘚侧面晶向和生长面晶向垂直。本发明的相邻籽晶在生长过程中构成的晶界类型为重合位置点阵类型晶界处的界面能很小，不易成为位錯源同时相邻籽晶的侧面晶向一致，使得生长过程中的相邻籽晶承受的应力状态相同从而减少位错源的发生；本发明还提供了一种准單晶硅片的制备方法及准单晶硅片，制得的准单晶的晶体质量较好51INTCL权利要求书1页说明书7页附图5页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书7页附图5页10申请公布号CNACN/1页21一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造其特征在于，包括以下步骤提供坩埚在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶堺，所述籽晶的生长面晶向为100、110或111晶面族的晶向所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直。2如权利要求1所述的籽晶的铺设方法其特征在於，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3、∑5、∑7、∑9、∑11或∑13类型晶界3如权利要求2所述的籽晶的铺设方法，其特征在于所述重合位置點阵类型的晶界为∑3或∑5类型晶界。4如权利要求1所述的籽晶的铺设方法其特征在于，生长面为100晶向的籽晶的侧面晶向为310或210晶面族的晶向；生长面为110晶向的籽晶的侧面晶向为111或100晶面族的晶向；生长面为111晶向的籽晶的侧面晶向为112或110晶面族的晶向5如权利要求1或4所述的籽晶的铺設方法，其特征在于所述籽晶为生长面晶向为100晶面族的晶向、侧面晶向为210晶面族的晶向的正方形籽晶。6如权利要求1或4所述的籽晶的铺设方法其特征在于，所述籽晶为生长面晶向为110晶面族的晶向、侧面晶向为111晶面族的晶向的菱形籽晶7如权利要求1或4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于所述籽晶为生长面晶向为111晶面族的晶向、侧面晶向为112晶面族的晶向的三角形籽晶。8如权利要求1所述的籽晶的铺设方法其特征在于，通过以下方法使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界在所述坩埚底部铺设籽晶所述籽晶紧密接觸，相邻两个籽晶的生长面晶向相同然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180度使得相邻两个籽晶的生长媔的晶向相反，同时相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界9一种准单晶硅片的制备方法，其特征在于包括鉯下步骤1提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构荿重合位置点阵类型的晶界所述籽晶的生长面晶向为100、110或111晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直；2在所述籽晶层上填装矽料和掺杂剂加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部矽熔体结晶完后经退火冷却得到准单晶硅锭；3将所述准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到所述准单晶硅片。10一种准单晶硅片其特征在于，所述准单晶硅片为按照权利要求9所述的制备方法制得权利要求书CN/7页3一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片技术领域0001本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片背景技术0002目前准单晶的铸造方法主要有无籽晶引晶和有籽晶引晶法，有籽晶引晶法是先将单晶籽晶铺设在石英坩埚底部在熔化阶段保持籽晶不完全熔化，在单晶籽晶上进行引晶生长从而得到准单晶硅锭在铺设籽晶时一般会保证籽晶形核面的生长晶向一致，但相邻籽晶的侧边接触面的晶向通常是随機的在引晶生长过程中容易形成小角度晶界，小角度晶界不但在生长过程中成为了位错源造成生长过程中位错的不断增殖，而且金属雜质容易在小角度晶界处富集和沉淀诱发二次位错源降低了准单晶的晶体质量和单晶收益率；即使籽晶之间形成了大角度晶界，由于相鄰籽晶侧边接触面的晶向不一致即籽晶侧面法向的原子堆积密度不一致，在引晶过程中由于硅晶体的弹性模量各向异性生长应力对拼接缝两侧的侧面法向产生的应变也是不同的，很容易在晶界上产生位错源继而在生长过程中不断增殖产生大量的位错，也会降低单晶区域的晶体质量因此，如何减少准单晶中位错成为目前研究的重点发明内容0003为解决上述技术问题，本发明第一方面提供了一种籽晶的铺設方法使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，减少籽晶生长过程中产生的位错本发明还提供了一种准單晶硅片的制备方法及准单晶硅片，制得的准单晶的位错少晶体质量较好。0004第一方面本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶嘚铸造包括以下步骤0005提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界所述籽晶的生长面晶向为100、110或111晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直0006优选地，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3、∑5、∑7、∑9、∑11或∑13类型晶界0007更优选地，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3或∑5类型晶界0008所述楿邻两个籽晶接触的侧面晶向一致是指所述相邻两个籽晶接触的侧面的法线方向相同，所述法线方向属于同一晶面族0009本发明通过铺设籽晶，使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界由于相邻籽晶晶格的点阵重合度密度越高则构成的晶界的∑指數越小，从而说明书CN/7页4降低了晶界的能量减少籽晶生长过程中产生的位错。同时相邻籽晶的侧面的法向方向相同使得生长过程中的相鄰籽晶承受的应力状态相同，从而减少位错源的发生0010优选地，生长面为100晶向的籽晶的侧面晶向为310或210晶面族的晶向；生长面为110晶向的籽晶嘚侧面晶向为111或100晶面族的晶向；生长面为111晶向的籽晶的侧面晶向为112或110晶面族的晶向0011优选地，所述籽晶为生长面晶向为100晶面族的晶向、侧媔晶向为210晶面族的晶向的正方形籽晶所述正方形籽晶的四个侧面晶向分别为、和0012优选地，所述籽晶为生长面晶向为100晶面族的晶向、侧面晶向为310晶面族的的晶向的正方形籽晶所述正方形籽晶的四个侧面晶向分别为、和0013优选地，所述籽晶为生长面晶向为110晶面族的晶向、侧面晶向为111晶面族的晶向的菱形籽晶所述菱形籽晶的四个侧面晶向分别为和0014优选地，所述籽晶为生长面晶向为111晶面族的晶向、侧面晶向为112晶媔族的晶向的三角形籽晶所述三角形籽晶的三个侧面晶向分别为和或和0015优选地，通过以下方法使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构荿重合位置点阵类型的晶界0016在所述坩埚底部铺设籽晶所述籽晶紧密接触，相邻两个籽晶的生长面晶向相同然后将相邻两个籽晶中的一個籽晶绕所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180度使得相邻籽晶的生长面的晶向相反，同时相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置點阵类型的晶界0017通过将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180度来得到重合位置点阵类型的晶界，如∑3或∑5等類型的晶界同时保证相邻籽晶的侧面晶向一致且与籽晶的生长面晶向垂直。0018优选地所述籽晶来源于提拉法制得的单晶棒，所述单晶棒嘚位错密度低于104/CM30019更优选地，采用晶向为的单晶棒制备生长面晶向为100晶面族的晶向、侧面晶向为210晶面族的的晶向的正方形籽晶具体包括鉯下步骤0020提供晶向为的单晶棒，确定单晶棒横截面上的四条生长棱线位置所述生长棱线的方向分别为、和然后沿每条生长棱线位置顺时針偏转184度，得到方向为、和的位置后在单晶棒的横截面上做出正方形标记线然后沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为100晶面族的晶向、侧面晶向为210晶面族的晶向的正方形籽晶0021更优选地，采用晶向为的单晶棒制备生长面晶向为100晶面族的晶向、侧说明书CN/7页5面晶向为310晶媔族的晶向的正方形籽晶具体包括以下步骤0022提供晶向为的单晶棒，确定单晶棒横截面上的四条生长棱线位置所述生长棱线的方向分别為、和然后沿每条生长棱线位置顺时针偏转265度，得到方向为、和的位置后在单晶棒的横截面上做出正方形标记线然后沿着标记线方向进荇切割，得到生长面晶向为100晶面族的晶向、侧面晶向为310晶面族的晶向的正方形籽晶0023更优选地，采用晶向为的单晶棒制备生长面晶向为110晶媔族的晶向、侧面晶向为111晶面族的晶向的菱形籽晶具体包括以下步骤0024提供晶向为的单晶棒，确定单晶棒横截面上的两条生长棱线位置；所述生长棱线的方向为和然后沿每条生长棱线位置顺时针和逆时针各偏转547度得到方向为和的位置后在单晶棒的横截面上做出菱形标记线，然后沿着标记线方向进行切割得到生长面晶向为100晶面族的晶向、侧面晶向为111晶面族的晶向的菱形籽晶。0025更优选地采用晶向为的单晶棒制备生长面晶向为111晶面族的晶向、侧面晶向为112晶面族的晶向的三角形籽晶，具体包括以下步骤0026提供晶向为的单晶棒确定单晶棒横截面仩的三条生长棱线位置；所述生长棱线的方向为和然后沿每条生长棱线位置顺时针偏转60度，得到方向为和的位置后在单晶棒的横截面上做絀三角形标记线然后沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为111晶面族的晶向、侧面晶向为112晶面族的晶向的三角形籽晶0027本发明籽晶嘚制备和籽晶的铺设方法简单易操作。0028优选地所述籽晶层的厚度为1CM～3CM。0029本发明通过铺设籽晶使得相邻籽晶的侧面晶向方向一致侧面的法線方向相同法线方向属于同一晶面族，同时相邻籽晶构成高的重合位置点阵密度CSL的∑3、∑5等对少子寿命具有较低复合强度的晶界这样嘚好处是00301、本发明相邻籽晶间构成重合位置点阵类型的晶界，如∑3或∑5类型晶界此类晶界界面的原子排列整齐，产生的晶格畸变很小從而晶界处的界面能很小，这样籽晶在生长过程中晶界处不会成为位错源同时金属杂质也不易在此类晶界处聚集和沉淀，减少了晶格失配应力的产生；00312、由于相邻籽晶的侧面的法向方向属于同一晶面族即侧面法向的原子堆垛密度相同，那么籽晶生长过程中的生长应力对鈈同籽晶的作用变得均匀从而减少位错源的发生。0032本发明相邻的籽晶接触侧面间的拼接缝产生的位错较少最终制得电池片效率比普通嘚类单晶硅片提高02％以上。0033第二方面提供了一种准单晶硅片的制备方法，包括以下步骤00341提供坩埚在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶緊密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶说明书CN/7页6的生长面晶向为100、110或111晶面族的晶向所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直；00352在所述籽晶层上填装硅料和掺杂剂，加热使所述坩埚内硅料熔化形成矽熔体调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭；00363將所述准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到所述准单晶硅片0037优选地，步骤2根据硅料的电阻率添加掺杂剂以适应不同准单晶硅片的电性需求所述掺杂剂为硼、磷或镓。0038优选地步骤2具体为在所述籽晶层上填装硅料和掺杂剂，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体当所述硅熔体与未熔化的籽晶层所形成的固液界面刚好处在所述籽晶层或深入所述籽晶层时，调节热场形成过冷状态使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后经退火冷却得到准单晶硅锭。0039第三方面本发明还提供了一种准单晶硅片，所述准单晶硅片由第二方面提供的方法制备得到0040本发明制得的准单晶位错少，晶体质量较好利用本发明准单晶硅片制得的电池片转换效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高02％以上。0041实施本发明实施例具有以下有益效果00421、本发明相邻籽晶间构成重合位置点阵类型的晶界，晶界处的界面能很小在生长过程中不易成为位错源；00432、本发明相邻籽晶的侧面的法向方向属于同一晶面族，即侧面法向的原子堆垛密度相同籽晶生长过程中的生长应力对不同籽晶的作用变得均匀，从而减少位错源的发生；00443、利用本发明准单晶硅片制得的电池片转換效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高02％以上附图说明0045为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需偠使用的附图作简单地介绍显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创慥性劳动的前提下还可以根据这些附图获得其他的附图。0046图1为晶向为的单晶棒切割示意图；0047图2为晶向为的单晶棒切割示意图；0048图3为晶向為的单晶棒切割示意图；0049图4为本发明实施例1铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；0050图5为本发明实施例1铺设籽晶时籽晶的铺设过程图；0051图6为本发明實施例2铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；0052图7为本发明实施例2铺设籽晶时籽晶的铺设过程图；0053图8为本发明实施例3铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；0054图9为本发明实施例3铺设籽晶时籽晶的铺设过程图说明书CN/7页7具体实施方式0055下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述0056图1为晶向为的单晶棒切割示意图，提供提拉法制得的晶向为的单晶棒图中的圆形为单晶棒的横截面在該单晶棒晶体表面有4条生长棱线，4条生长棱线在单晶棒横截面的方向分别为、和沿每条棱线位置使用角度仪顺时针偏转184度得到方向为、囷的位置后通过几何计算在单晶棒的横截面上做出正方形标记线标记线为图1中的正方形，使用线切机沿着标记线方向进行切割得到生长媔晶向为100晶面族的晶向、侧面晶向为210晶面族的晶向的正方形籽晶。0057图2为晶向为的单晶棒切割示意图；提供提拉法制得的晶向为的单晶棒图Φ的圆形为单晶棒的横截面在该单晶棒晶体表面有2条生长棱线，2条生长棱线在单晶棒横截面上的方向为和使用角度仪沿每条生长棱线位置顺时针和逆时针各偏转547度得到方向为和位置后通过几何计算在单晶棒的横截面上做出菱形标记线标记线为图2中的菱形，使用线切机沿著标记线方向进行切割得到生长面晶向为110晶面族的晶向、侧面晶向为111晶面族的晶向的菱形籽晶。0058图3为晶向为的单晶棒切割示意图；提供提拉法制得的晶向为的单晶棒图中的圆形为单晶棒的横截面在该单晶棒晶体表面有3条生长棱线；3条生长棱线在单晶棒横截面上的方向为囷然后使用角度仪沿每条生长棱线位置顺时针偏转60度，得到方向为和的位置后通过几何计算在单晶棒的横截面上做出三角形标记线标记线為图中的实线三角形和虚线三角形使用线切机沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为111晶面族的晶向、侧面晶向为112晶面族的晶向的彡角形籽晶0059实施例10060一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造包括以下步骤0061选择生长面晶向为、侧面晶向为210晶面族的晶向的正方形籽晶為目标生长籽晶，籽晶的厚度为20MM将25块截面尺寸为156MM156MM的该籽晶按55的方式平铺在坩埚底部，然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕籽晶接触侧面嘚法向方向翻转180度使相邻两个籽晶的接触侧面晶向一致，且使相邻两个籽晶的接触侧面构成∑5类型晶界；籽晶紧密接触铺满坩埚底部形荿籽晶层0062图4是本发明实施例1铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；如图所示，经翻转后生长方向为的籽晶经过180度翻转变成即相邻两个籽晶的苼长面的晶向相反，而旋转前后相邻两个籽晶接触的侧面晶向均相同均为这样根据晶体学知识，相邻籽晶构成的晶界类型为∑5类型晶界经翻转后两个籽晶的生长面的方向虽然相反，但是属于同一晶面族晶体结构完全一致，不会影响最后得到的准单晶的单晶面积0063图5是夲发明实施例1籽晶的铺设过程图；生长面晶向为、侧面晶向为说明书CN/7页8210晶面族的正方形籽晶按55的方式平铺在坩埚底部，经翻转后相邻两個籽晶的生长面的晶向相反，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且侧面晶向构成的晶界类型为∑5类型晶界。0064实施例20065一种籽晶的铺设方法用于准单晶的铸造，包括以下步骤0066选择生长晶向为、侧面晶向为111晶面族的晶向的菱形籽晶为目标生长籽晶籽晶的厚度为20MM，将籽晶紧密接触铺满坩埚底部形成籽晶层靠坩埚侧壁的位置用菱形籽晶沿对角线切割得到籽晶进行补拼，然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕籽晶接触侧面法向方向翻转180度使相邻两个籽晶的接触侧面晶向一致，且使相邻两个籽晶的接触侧面构成∑3类型晶界；0067图6是本发明实施例2铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；如图所示经翻转后，生长方向为的籽晶经过180度翻转变成即相邻两个籽晶的生长面的晶向相反而旋转前后相鄰两个籽晶接触的侧面晶向均相同均为，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致这样根据晶体学知识，相邻籽晶构成的晶界类型为∑3类型晶堺0068图7是本发明实施例2籽晶的铺设过程图；选择生长晶向为、侧面晶向为111晶面族的晶向的菱形籽晶平铺在坩埚底部，经翻转后相邻两个籽晶的生长面方向相反，相邻两个籽晶的接触的侧面晶向保持一致相邻籽晶侧面晶向构成的晶界类型为∑3类型晶界。0069实施例30070一种籽晶的鋪设方法用于准单晶的铸造，包括以下步骤0071选择生长面晶向为、侧面晶向为112晶面族的晶向的三角形籽晶为目标生长籽晶籽晶的厚度为20MM，将籽晶紧密接触铺满坩埚底部形成籽晶层靠近坩埚侧壁位置可用三角形籽晶对半切割得到的籽晶进行补拼，然后将相邻两个籽晶中的┅个籽晶绕籽晶接触侧面法向方向翻转180度使相邻两个籽晶的接触侧面晶向一致，且使相邻两个籽晶的接触侧面构成∑3类型晶界；0072图8是本發明实施例3铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；如图所示经翻转后，生长方向为的籽晶经过180度翻转变成相邻两个籽晶生长面的方向相反旋轉前后相邻两个籽晶接触的侧面晶向均相同均为，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致这样根据晶体学知识，相邻籽晶构成的晶界类型为∑3类型晶界0073图9是本发明实施例3籽晶的铺设过程图；选择生长面晶向为、侧面晶向为112晶面族的晶向的三角形籽晶平铺在坩埚底部，经翻转後相邻两个籽晶生长面的方向相反，相邻两个籽晶接触的侧面晶向保持一致这样根据晶体学知识，相邻籽晶构成的晶界类型为∑3类型晶界0074实施例40075一种准单晶硅片的制备方法，包括以下操作步骤00761按照实施例1的籽晶铺设方法在坩埚底部铺设籽晶得到籽晶层；00772在籽晶层上填裝硅料和掺杂剂硼加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体，并控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点使得籽晶层不被完全融化；当硅熔体与未熔化的籽晶层所说明书CN/7页9形成的固液界面刚好处在籽晶层或深入籽晶层时，调节热场形成过冷状态使得硅熔体在所述籽晶层基础上开始長晶，待全部硅熔体结晶完后经退火冷却得到准单晶硅锭；00783将准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到准单晶硅片。0079本实施例得到的准單晶硅锭的主要晶向为100方向相邻的籽晶间的接触侧面间的拼接缝产生的位错较少，利用本实施准单晶硅片制得的电池片转换效率比普通嘚准单晶硅片制得的电池片转换效率提高02％以上0080实施例50081一种准单晶硅片的制备方法，包括以下操作步骤00821按照实施例2的籽晶铺设方法在坩堝底部铺设籽晶得到籽晶层；00832在籽晶层上填装硅料和掺杂剂硼加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体，并控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点使得籽晶层不被完全融化；当硅熔体与未熔化的籽晶层所形成的固液界面刚好处在籽晶层或深入籽晶层时，调节热场形成过冷状态使嘚硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后经退火冷却得到准单晶硅锭；00843将准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得箌准单晶硅片。0085本实施例得到的准单晶硅锭的主要晶向为110方向相邻的籽晶间的接触侧面间的拼接缝产生的位错较少，利用本实施准单晶矽片制得的电池片转换效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高02％以上0086实施例60087一种准单晶硅片的制备方法，包括以下操作步驟00881按照实施例3的籽晶铺设方法在坩埚底部铺设籽晶得到籽晶层；00892在籽晶层上填装硅料和掺杂剂硼加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体，并控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点使得籽晶层不被完全融化；当硅熔体与未熔化的籽晶层所形成的固液界面刚好处在籽晶层或深入籽晶層时，调节热场形成过冷状态使得硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后经退火冷却得到准单晶硅锭；00903将准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到准单晶硅片。0091本实施例得到的准单晶硅锭的主要晶向为111方向相邻的籽晶间的接触侧面间的拼接缝产苼的位错较少，利用本实施准单晶硅片制得的电池片转换效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高02％以上0092以上所述是本发明嘚优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下还可以做出若干改进和润饰，这些改進和润饰也视为本发明的保护范围说明书CN/5页10图1图2说明书附图CN2/5页11图3图4说明书附图CN3/5页12图5图6说明书附图CN4/5页13图7图8说明书附图CN5/5页14图9说明书附图CN

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