IRF630电容击穿电压压

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2012-05-02 11:29 标签： 雪崩击穿
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晶体管极性:N漏极电流, Id 最大值:9A电压, Vds 最大:200V开态电阻, Rds(on):0.4ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:3V功耗:100W封装类型:TO-220针脚数:3功率, Pd:100W封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm时间, trr 典型值:170ns晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电容值, Ciss 典型值:540pF电流, Id 连续:9A电流, Idm 脉冲:36A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.4ohm针脚格式: 1G 2+插口 D 3S针脚配置:a阈值电压, Vgs th 典型值:3V阈值电压, Vgs th 最低:2V阈值电压, Vgs th 最高:4V
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STMICROELECTRONICS
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暂无IRF630替代型号
暂无IRF630应用领域
暂无IRF630生产厂商
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焊了个555可调宽电路，配上IRF630做输出管
UID：821324
在线时间2397小时
M币9010专家15
焊了个555可调宽电路，配上IRF630做输出管，严重发热，何解?电流串接测试，只有1A到2A，只有当电流低于0.5A时，才不发热。已配散热片。
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UID：1064051
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M币186专家0
IRF630的导通电阻大，有0.4欧，而且555驱动开关速度不够快，开关损耗大！
UID：789849
在线时间6630小时
M币9053专家11
9A 200V 400毫欧
导通内阻太大2A的时候就功耗1瓦了 必须加散热片
UID：821324
在线时间2397小时
M币9010专家15
也就是说，这个芯片发热是正常现象?如果上5A以上，是否就需要换型号了?
UID：1164225
在线时间7972小时
M币123621专家259
MOS管栅极驱动电压太低了，MOS管不能充分饱和导通。用555直接驱动电压不够，要加一级三极管电压提升才行。栅极电压在15伏以上，18伏以下，最好是18V驱动电压。或者把555的供电改为15V试试看。
UID：1164225
在线时间7972小时
M币123621专家259
回 xjy52030 的帖子
:IRF630的导通电阻大，有0.4欧，而且555驱动开关速度不够快，开关损耗大！( 09:57)嬀/color]在这里，555开关速度已经够快的了。
学习了，谢谢
UID：821324
在线时间2397小时
M币9010专家15
回 温力口 的帖子
:在这里，555开关速度已经够快的了。&#160;( 21:46)&#160;哦，刚查资料，确实，有可能上图中的NE555这种电路，只有电源电压的一半输出，很可能就是驱动IRF630的栅级电压不足，造成场管工作在非开关状态，不知道是否这样。
UID：1064051
在线时间1931小时
M币186专家0
回 zichenxz 的帖子
:哦，刚查资料，确实，有可能上图中的NE555这种电路，只有电源电压的一半输出，很可能就是驱动IRF630的栅级电压不足，造成场管工作在非开关状态，不知道是否这样。&( 22:04)&12V的话，555的输出电压有11V多的，足够驱动MOS的，我也做过上面的电路，我用的是主板MOS，充12V电池2A都不用散热片，手可以摸，MOS内阻只有10多毫欧。
不成，依然发热，现需要加限流电阻，且要超过MOS管本身内阻的5倍以上
UID：1164225
在线时间7972小时
M币123621专家259
回 zichenxz 的帖子
:哦，刚查资料，确实，有可能上图中的NE555这种电路，只有电源电压的一半输出，很可能就是驱动IRF630的栅级电压不足，造成场管工作在非开关状态，不知道是否这样。( 22:04)嬀/color]　　555时基的3脚输出的是一串方波，高电平接近供电电压，低电平接近0伏。但12V的电压有点低了，你用一块7815代换7812试试看，应该能正常工作。15V已经是555时基的极限工作电压了，不能再高了。　　还有，栅极上的3.3千欧的电阻，在15V的驱动电压下，会有差不多5mA的电流，也大了一些，这个电阻换成10-15千欧的会好一些。
电阻已修改成10K，使用了15V驱动，现电流可调整至1A
UID：821324
在线时间2397小时
M币9010专家15
不成，依然发热，现需要加限流电阻，且要超过MOS管本身内阻的5倍以上
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Gzip enabled&irf630芯片参数资料PDF
IRF630设计参数总结&&
(1) 采用n/n+外延片, 晶向(100)、衬底电阻率 0.004&O cm (掺砷)、
硅片厚450 &m、外延层电阻率为 3.4－3.8&O cm、
外延层厚19－21&m&
(磷注入工艺)。
（注：工艺过程中，衬底向外延层反扩约1.6 &m）
(2) 纵向结构参数：
I. P＋扩散结深3.3 &m , 浓度为8&&1019。
II.P－扩散结深 2.4&m, 浓度为2.830&1017。
III. N+扩散结深0.4 &m. 浓度﹥5&1020。
IV.栅氧化层厚5000A。
V. Al膜厚大于2&m。
（3）横向结构参数：
I. 方型单胞，正方形排列。单胞多晶硅尺寸为9&m，扩散窗口区尺寸为8&m，
II.单胞面积为17&m&17&m =289&m&sup2;。
III. 芯片面积为2434&m&2417&m=5.88mm&sup2;。
IV.栅压焊点面积为247&m&187&m=0.0462mm&sup2;。
V. 器件有效总单胞数为17118个。
VI.器件有效面积为&m&sup2;=4.95mm&sup2;。
VII. 划片道横向为66&m，纵向为63&m。
VIII. 总面积2.5&2.48＝6.2mm&sup2;。
（4）设计规则：套刻精度：1.5微米；最小尺寸：2微米
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