特斯拉线圈ZVS驱动电路原理
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特斯拉线圈ZVS驱动电路原理
　　本文将介绍的ZVS驱动器是-一种功率大、高效而且非常简单的振荡器。它通常被用于产生高频正弦波的场合比如冷阴极LCD灯箱驱动器或者其他用途。这里有一个简化版的ZVS。本文引用地址：
　　当电源电压作用于V+，电流开始同时通过两侧的初级并施加到MOS的漏极(D)上。电压会同时出现在MOS的门极(G)上并开始将MOS开启。因为没有任何两个元件是完全一样的，一个MOS比另一个开的快一些，更多的电流将流过这个MOS。通过导通侧初级绕组的电流将另一侧MOS的门极电压拉低并开始关断它。图中电容和初级的电感发生LC谐振并使电压按正弦规律变化。如果没有这个电容，通过MOS的电流会一直增大，直到变压器饱和+MOS发生核爆炸......
　　假设Q1首先开启。当Z点电压跟着LC谐振的半个周期上升到峰值再回掉时，Y点电压会接近0。随着Z点电压下降到0，Q1的门极(G)电压消失，Q1关闭。同时Q2开启，此时Y点电压开始上升。Q2的导通把Z点电压拉低到接近地，这可以确保Q1完全关断。Q2完成LC振荡的半周后会重复同样的过程，此振荡器继续循环工作。为了防止本电路从电源拉取巨大的峰值电流而损坏，增加了L1在变压器抽头处和V+之间作为缓冲。LC阻抗限制着实际的电流(L1只是减少峰值电流，因为电感有续流作用吧)。
　　如果你眼够尖，会发现此振荡器是一个零电压开关电路(zero-voltage switching ZVS)，这意味着MOS将在其两端电压为零时关断。这对MOS有好处，因为它允许MOS在承受应力比较低的时候进行开关动作，这意味着不再需要像硬开关变换器那样的巨大散热器，甚至当功率大到1KW时都可以这样!(我觉得悬......毕竟MOS有导通电阻......谁的ZVS能上1KW?!反正我没见过.....)
　　ZVS的振荡频率将由变压器初级的电感和跨接在初级两端的电容决定。可以用下列公式计算：
　　f = 1/2 * & * &(L * C)
　　f 频率，单位Hz
　　L 初级的电感，单位H(注意不是uH!1H=1000000uH!)
　　C 谐振雕塑的容量，单位F(注意不是uF!1F=1000000uF)
　　真实的MOS比较脆弱(汗= = 深有体会)，如果门极(G)和源极(S)之间的电压超过正负30V，MOS会损坏。为了防止这种事情发生，我们需要门极(G)的保护措施;只是简单地增加几个额外的元件。如下图。
　　 470欧电阻用来限制MOS门极(G)的电流，防止损坏。
　　 10K电阻用于确保MOS可靠关断。
　　 稳压二极管将MOS的门极(G)的电压限制在你选用的稳压二极管(12V、15V、18V)的击穿电压之内。
　　 当一侧MOS导通时，UF4007将另一侧MOS的门极(G)电压拉低
　　值得注意的是，我们改用+V为MOS供电，使它们开启，并使用LC谐振部分通过快恢复二极管关断它们。这提高了整体电路的性能。
　　下面的实物图很好理解，我希望你喜欢：
　　因为LC震荡时的电压比输入电压高，所以你需要确认你的MOS可以承受这个电压。一个比较好的选择MOS方式，MOS的耐压要为4倍输入电压以上，IRFP250和更好的IRFP260很适合ZVS(我用IRF540也很好，但是输入不要超过20V，IRFZ48、IRF3205等管耐压过低不宜使用)。你需要为MOS添加散热器，但是不用特大。记住在安装散热器时一定要加绝缘垫(TO247的IRFP250和IRFP260要加绝缘垫，TO220的IRF540除了绝缘垫还要加绝缘帽!)，因为MOS的散热器不是和引脚不是电学绝缘的(散热片和漏极是通的，我想但凡搞电子的都知道吧、)。那个谐振电容一定要用好的，MKP电容，云母电容，Mylar电容(这个不认识、、、)是很好的选择(电磁炉电容最佳~~)，千万不要用电解电容，会核爆炸的(嘿嘿 每人这么2吧)。两个初级绕组必须要同方向绕制，否则不工作。如果变压器没气息，同样不会工作。(这、、、)
　　本文将介绍的ZVS驱动器是-一种功率大、高效而且非常简单的振荡器。它通常被用于产生高频正弦波的场合比如冷阴极LCD灯箱驱动器或者其他用途。这里有一个简化版的ZVS。
　　当电源电压作用于V+，电流开始同时通过两侧的初级并施加到MOS的漏极(D)上。电压会同时出现在MOS的门极(G)上并开始将MOS开启。因为没有任何两个元件是完全一样的，一个MOS比另一个开的快一些，更多的电流将流过这个MOS。通过导通侧初级绕组的电流将另一侧MOS的门极电压拉低并开始关断它。图中电容和初级的电感发生LC谐振并使电压按正弦规律变化。如果没有这个电容，通过MOS的电流会一直增大，直到变压器饱和+MOS发生核爆炸......
　　假设Q1首先开启。当Z点电压跟着LC谐振的半个周期上升到峰值再回掉时，Y点电压会接近0。随着Z点电压下降到0，Q1的门极(G)电压消失，Q1关闭。同时Q2开启，此时Y点电压开始上升。Q2的导通把Z点电压拉低到接近地，这可以确保Q1完全关断。Q2完成LC振荡的半周后会重复同样的过程，此振荡器继续循环工作。为了防止本电路从电源拉取巨大的峰值电流而损坏，增加了L1在变压器抽头处和V+之间作为缓冲。LC阻抗限制着实际的电流(L1只是减少峰值电流，因为电感有续流作用吧)。
　　如果你眼够尖，会发现此振荡器是一个零电压开关电路(zero-voltage switching ZVS)，这意味着MOS将在其两端电压为零时关断。这对MOS有好处，因为它允许MOS在承受应力比较低的时候进行开关动作，这意味着不再需要像硬开关变换器那样的巨大散热器，甚至当功率大到1KW时都可以这样!(我觉得悬......毕竟MOS有导通电阻......谁的ZVS能上1KW?!反正我没见过.....)
　　ZVS的振荡频率将由变压器初级的电感和跨接在初级两端的电容决定。可以用下列公式计算：
　　f = 1/2 * & * &(L * C)
　　f 频率，单位Hz
　　L 初级的电感，单位H(注意不是uH!1H=1000000uH!)
　　C 谐振雕塑的容量，单位F(注意不是uF!1F=1000000uF)
　　真实的MOS比较脆弱(汗= = 深有体会)，如果门极(G)和源极(S)之间的电压超过正负30V，MOS会损坏。为了防止这种事情发生，我们需要门极(G)的保护措施;只是简单地增加几个额外的元件。如下图。
　　 470欧电阻用来限制MOS门极(G)的电流，防止损坏。
　　 10K电阻用于确保MOS可靠关断。
　　 稳压二极管将MOS的门极(G)的电压限制在你选用的稳压二极管(12V、15V、18V)的击穿电压之内。
　　 当一侧MOS导通时，UF4007将另一侧MOS的门极(G)电压拉低
　　值得注意的是，我们改用+V为MOS供电，使它们开启，并使用LC谐振部分通过快恢复二极管关断它们。这提高了整体电路的性能。
　　下面的实物图很好理解，我希望你喜欢：
　　因为LC震荡时的电压比输入电压高，所以你需要确认你的MOS可以承受这个电压。一个比较好的选择MOS方式，MOS的耐压要为4倍输入电压以上，IRFP250和更好的IRFP260很适合ZVS(我用IRF540也很好，但是输入不要超过20V，IRFZ48、IRF3205等管耐压过低不宜使用)。你需要为MOS添加散热器，但是不用特大。记住在安装散热器时一定要加绝缘垫(TO247的IRFP250和IRFP260要加绝缘垫，TO220的IRF540除了绝缘垫还要加绝缘帽!)，因为MOS的散热器不是和引脚不是电学绝缘的(散热片和漏极是通的，我想但凡搞电子的都知道吧、)。那个谐振电容一定要用好的，MKP电容，云母电容，Mylar电容(这个不认识、、、)是很好的选择(电磁炉电容最佳~~)，千万不要用电解电容，会核爆炸的(嘿嘿 每人这么2吧)。两个初级绕组必须要同方向绕制，否则不工作。如果变压器没气息，同样不会工作。(这、、、)
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本文将介绍的ZVS驱动器是-一种功率大、高效而且非常简单的振荡器。它通常被用于产生高频正弦波的场合比如冷阴极LCD灯箱驱动器或者其他用途。这里有一个简化版的ZVS。
当电源电压作用于V+，电流开始同时通过两侧的初级并施加到MOS的漏极(D)上。电压会同时出现在MOS的门极(G)上并开始将MOS开启。因为没有任何两个元件是完全一样的，一个MOS比另一个开的快一些，更多的电流将流过这个MOS。通过导通侧初级绕组的电流将另一侧MOS的门极电压拉低并开始关断它。图中电容和初级的电感发生LC谐振并使电压按正弦规律变化。如果没有这个电容，通过MOS的电流会一直增大，直到变压器饱和+MOS发生核爆炸......
假设Q1首先开启。当Z点电压跟着LC谐振的半个周期上升到峰值再回掉时，Y点电压会接近0。随着Z点电压下降到0，Q1的门极(G)电压消失，Q1关闭。同时Q2开启，此时Y点电压开始上升。Q2的导通把Z点电压拉低到接近地，这可以确保Q1完全关断。Q2完成LC振荡的半周后会重复同样的过程，此振荡器继续循环工作。为了防止本电路从电源拉取巨大的峰值电流而损坏，增加了L1在变压器抽头处和V+之间作为缓冲。LC阻抗限制着实际的电流(L1只是减少峰值电流，因为电感有续流作用吧)。
如果你眼够尖，会发现此振荡器是一个零电压开关电路(zero-voltage switching ZVS)，这意味着MOS将在其两端电压为零时关断。这对MOS有好处，因为它允许MOS在承受应力比较低的时候进行开关动作，这意味着不再需要像硬开关变换器那样的巨大散热器，甚至当功率大到1KW时都可以这样!(我觉得悬......毕竟MOS有导通电阻......谁的ZVS能上1KW?!反正我没见过.....)
ZVS的振荡频率将由变压器初级的电感和跨接在初级两端的电容决定。可以用下列公式计算：
f = 1/2 * π * √(L * C)
f 频率，单位Hz
L 初级的电感，单位H(注意不是uH!1H=1000000uH!)
C 谐振雕塑的容量，单位F(注意不是uF!1F=1000000uF)
真实的MOS比较脆弱(汗= = 深有体会)，如果门极(G)和源极(S)之间的电压超过正负30V，MOS会损坏。为了防止这种事情发生，我们需要门极(G)的保护措施;只是简单地增加几个额外的元件。如下图。
470欧电阻用来限制MOS门极(G)的电流，防止损坏。
10K电阻用于确保MOS可靠关断。
稳压二极管将MOS的门极(G)的电压限制在你选用的稳压二极管(12V、15V、18V)的击穿电压之内。
当一侧MOS导通时，UF4007将另一侧MOS的门极(G)电压拉低
值得注意的是，我们改用+V为MOS供电，使它们开启，并使用LC谐振部分通过快恢复二极管关断它们。这提高了整体电路的性能。
下面的实物图很好理解，我希望你喜欢：
因为LC震荡时的电压比输入电压高，所以你需要确认你的MOS可以承受这个电压。一个比较好的选择MOS方式，MOS的耐压要为4倍输入电压以上，IRFP250和更好的IRFP260很适合ZVS(我用IRF540也很好，但是输入不要超过20V，IRFZ48、IRF3205等管耐压过低不宜使用)。你需要为MOS添加散热器，但是不用特大。记住在安装散热器时一定要加绝缘垫(TO247的IRFP250和IRFP260要加绝缘垫，TO220的IRF540除了绝缘垫还要加绝缘帽!)，因为MOS的散热器不是和引脚不是电学绝缘的(散热片和漏极是通的，我想但凡搞电子的都知道吧、)。那个谐振电容一定要用好的，MKP电容，云母电容，Mylar电容(这个不认识、、、)是很好的选择(电磁炉电容最佳~~)，千万不要用电解电容，会核爆炸的(嘿嘿 每人这么2吧)。两个初级绕组必须要同方向绕制，否则不工作。如果变压器没气息，同样不会工作。(这、、、)
本文将介绍的ZVS驱动器是-一种功率大、高效而且非常简单的振荡器。它通常被用于产生高频正弦波的场合比如冷阴极LCD灯箱驱动器或者其他用途。这里有一个简化版的ZVS。
当电源电压作用于V+，电流开始同时通过两侧的初级并施加到MOS的漏极(D)上。电压会同时出现在MOS的门极(G)上并开始将MOS开启。因为没有任何两个元件是完全一样的，一个MOS比另一个开的快一些，更多的电流将流过这个MOS。通过导通侧初级绕组的电流将另一侧MOS的门极电压拉低并开始关断它。图中电容和初级的电感发生LC谐振并使电压按正弦规律变化。如果没有这个电容，通过MOS的电流会一直增大，直到变压器饱和+MOS发生核爆炸......
假设Q1首先开启。当Z点电压跟着LC谐振的半个周期上升到峰值再回掉时，Y点电压会接近0。随着Z点电压下降到0，Q1的门极(G)电压消失，Q1关闭。同时Q2开启，此时Y点电压开始上升。Q2的导通把Z点电压拉低到接近地，这可以确保Q1完全关断。Q2完成LC振荡的半周后会重复同样的过程，此振荡器继续循环工作。为了防止本电路从电源拉取巨大的峰值电流而损坏，增加了L1在变压器抽头处和V+之间作为缓冲。LC阻抗限制着实际的电流(L1只是减少峰值电流，因为电感有续流作用吧)。
如果你眼够尖，会发现此振荡器是一个零电压开关电路(zero-voltage switching ZVS)，这意味着MOS将在其两端电压为零时关断。这对MOS有好处，因为它允许MOS在承受应力比较低的时候进行开关动作，这意味着不再需要像硬开关变换器那样的巨大散热器，甚至当功率大到1KW时都可以这样!(我觉得悬......毕竟MOS有导通电阻......谁的ZVS能上1KW?!反正我没见过.....)
ZVS的振荡频率将由变压器初级的电感和跨接在初级两端的电容决定。可以用下列公式计算：
f = 1/2 * π * √(L * C)
f 频率，单位Hz
L 初级的电感，单位H(注意不是uH!1H=1000000uH!)
C 谐振雕塑的容量，单位F(注意不是uF!1F=1000000uF)
真实的MOS比较脆弱(汗= = 深有体会)，如果门极(G)和源极(S)之间的电压超过正负30V，MOS会损坏。为了防止这种事情发生，我们需要门极(G)的保护措施;只是简单地增加几个额外的元件。如下图。
470欧电阻用来限制MOS门极(G)的电流，防止损坏。
10K电阻用于确保MOS可靠关断。
稳压二极管将MOS的门极(G)的电压限制在你选用的稳压二极管(12V、15V、18V)的击穿电压之内。
当一侧MOS导通时，UF4007将另一侧MOS的门极(G)电压拉低
值得注意的是，我们改用+V为MOS供电，使它们开启，并使用LC谐振部分通过快恢复二极管关断它们。这提高了整体电路的性能。
下面的实物图很好理解，我希望你喜欢：
因为LC震荡时的电压比输入电压高，所以你需要确认你的MOS可以承受这个电压。一个比较好的选择MOS方式，MOS的耐压要为4倍输入电压以上，IRFP250和更好的IRFP260很适合ZVS(我用IRF540也很好，但是输入不要超过20V，IRFZ48、IRF3205等管耐压过低不宜使用)。你需要为MOS添加散热器，但是不用特大。记住在安装散热器时一定要加绝缘垫(TO247的IRFP250和IRFP260要加绝缘垫，TO220的IRF540除了绝缘垫还要加绝缘帽!)，因为MOS的散热器不是和引脚不是电学绝缘的(散热片和漏极是通的，我想但凡搞电子的都知道吧、)。那个谐振电容一定要用好的，MKP电容，云母电容，Mylar电容(这个不认识、、、)是很好的选择(电磁炉电容最佳~~)，千万不要用电解电容，会核爆炸的(嘿嘿 每人这么2吧)。两个初级绕组必须要同方向绕制，否则不工作。如果变压器没气息，同样不会工作。(这、、、)
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可以学校没有玩高压的条件
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微信公众号一　　当作用于V+，开始同时通过两侧的初级并施加到MOS的漏极（D）上。电压会同时出现在MOS的门极（G）上并开始将MOS开启。因为没有任何两个元件是完全一样的，一个MOS比另一个开的快一些，更多的电流将流过这个MOS。通过导通侧初级绕组的电流将另一侧MOS的门极电压拉低并开始关断它。图中和初级的发生LC谐振并使电压按正弦规律变化。如果没有这个，通过MOS的电流会一直增大，直到饱和+MOS发生核爆炸......　　假设Q1首先开启。当Z点电压跟着LC谐振的半个上升到峰值再回掉时，Y点电压会接近0。随着Z点电压下降到0，Q1的门极（G）电压消失，Q1关闭。同时Q2开启，此时Y点电压开始上升。Q2的导通把Z点电压拉低到接近地，这可以确保Q1完全关断。Q2完成LC振荡的半周后会重复同样的过程，此振荡器继续循环工作。为了防止本从电源拉取巨大的峰值电流而损坏，增加了L1在变压器抽头处和V+之间作为缓冲。LC限制着实际的电流（L1只是减少峰值电流，因为电感有续流作用吧）。　　如果你眼够尖，会发现此振荡器是一个零电压开关电路（zero-voltage switching ZVS），这意味着MOS将在其两端电压为零时关断。这对MOS有好处，因为它允许MOS在承受应力比较低的时候进行开关动作，这意味着不再需要像硬开关变换器那样的巨大散热器，甚至当功率大到1KW时都可以这样！（我觉得悬......毕竟MOS有导通......谁的ZVS能上1KW？！反正我没见过.....）　　ZVS的振荡将由变压器初级的电感和跨接在初级两端的电容决定。可以用下列公式计算：　　f = 1/2 * & * &(L * C)　　f 频率，单位　　L 初级的电感，单位H（注意不是uH！1H=1000000uH！）　　C 谐振雕塑的容量，单位F（注意不是uF!1F=1000000uF)　　真实的MOS比较脆弱（汗= = 深有体会），如果门极（G）和源极（S）之间的电压超过正负30V，MOS会损坏。为了防止这种事情发生，我们需要门极（G）的保护措施；只是简单地增加几个额外的元件。如下图。　　*470欧电阻用来限制MOS门极（G）的电流，防止损坏。　　*10K电阻用于确保MOS可靠关断。　　* 将MOS的门极（G）的电压限制在你选用的稳压（12V、15V、18V）的之内。　　* 当一侧MOS导通时，UF4007将另一侧MOS的门极（G）电压拉低　　值得注意的是，我们改用+V为MOS供电，使它们开启，并使用LC谐振部分通过关断它们。这提高了整体电路的性能。　　下面的实物图很好理解，我希望你喜欢：　　因为LC震荡时的电压比输入电压高，所以你需要确认你的MOS可以承受这个电压。一个比较好的选择MOS方式，MOS的耐压要为4倍输入电压以上，IR250和更好的IRFP260很适合ZVS（我用IRF540也很好，但是输入不要超过20V，IRFZ48、IRF3205等管耐压过低不宜使用）。你需要为MOS添加散热器，但是不用特大。记住在安装散热器时一定要加绝缘垫（TO247的IRFP250和IRFP260要加绝缘垫，TO220的IRF540除了绝缘垫还要加绝缘帽！），因为MOS的散热器不是和引脚不是电学绝缘的（散热片和漏极是通的，我想但凡搞电子的都知道吧、）。那个谐振电容一定要用好的，MKP电容，云母电容，Mylar电容（这个不认识、、、）是很好的选择（电磁炉电容最佳~~），千万不要用电解电容，会核爆炸的（嘿嘿 每人这么2吧）。两个初级绕组必须要同方向绕制，否则不工作。如果变压器没气息，同样不会工作。（这、、、）　　本文将介绍的ZVS驱动器是-一种功率大、高效而且非常简单的振荡器。它通常被用于产生高频正弦波的场合比如冷阴极LCD灯箱驱动器或者其他用途。这里有一个简化版的ZVS。　　当电源电压作用于V+，电流开始同时通过两侧的初级并施加到MOS的漏极（D）上。电压会同时出现在MOS的门极（G）上并开始将MOS开启。因为没有任何两个元件是完全一样的，一个MOS比另一个开的快一些，更多的电流将流过这个MOS。通过导通侧初级绕组的电流将另一侧MOS的门极电压拉低并开始关断它。图中电容和初级的电感发生LC谐振并使电压按正弦规律变化。如果没有这个电容，通过MOS的电流会一直增大，直到变压器饱和+MOS发生核爆炸......　　假设Q1首先开启。当Z点电压跟着LC谐振的半个周期上升到峰值再回掉时，Y点电压会接近0。随着Z点电压下降到0，Q1的门极（G）电压消失，Q1关闭。同时Q2开启，此时Y点电压开始上升。Q2的导通把Z点电压拉低到接近地，这可以确保Q1完全关断。Q2完成LC振荡的半周后会重复同样的过程，此振荡器继续循环工作。为了防止本电路从电源拉取巨大的峰值电流而损坏，增加了L1在变压器抽头处和V+之间作为缓冲。LC阻抗限制着实际的电流（L1只是减少峰值电流，因为电感有续流作用吧）。　　如果你眼够尖，会发现此振荡器是一个零电压开关电路（zero-voltage switching ZVS），这意味着MOS将在其两端电压为零时关断。这对MOS有好处，因为它允许MOS在承受应力比较低的时候进行开关动作，这意味着不再需要像硬开关变换器那样的巨大散热器，甚至当功率大到1KW时都可以这样！（我觉得悬......毕竟MOS有导通电阻......谁的ZVS能上1KW？！反正我没见过.....）　　ZVS的振荡频率将由变压器初级的电感和跨接在初级两端的电容决定。可以用下列公式计算：　　f = 1/2 * & * &(L * C)　　f 频率，单位Hz　　L 初级的电感，单位H（注意不是uH！1H=1000000uH！）　　C 谐振雕塑的容量，单位F（注意不是uF!1F=1000000uF)　　真实的MOS比较脆弱（汗= = 深有体会），如果门极（G）和源极（S）之间的电压超过正负30V，MOS会损坏。为了防止这种事情发生，我们需要门极（G）的保护措施；只是简单地增加几个额外的元件。如下图。
　　? 470欧电阻用来限制MOS门极（G）的电流，防止损坏。　　? 10K电阻用于确保MOS可靠关断。　　? 稳压二极管将MOS的门极（G）的电压限制在你选用的稳压二极管（12V、15V、18V）的电压之内。　　? 当一侧MOS导通时，UF4007将另一侧MOS的门极（G）电压拉低　　值得注意的是，我们改用+V为MOS供电，使它们开启，并使用LC谐振部分通过快恢复二极管关断它们。这提高了整体电路的性能。　　下面的实物图很好理解，我希望你喜欢：
因为LC震荡时的电压比输入电压高，所以你需要确认你的MOS可以承受这个电压。一个比较好的选择MOS方式，MOS的耐压要为4倍输入电压以上，IRFP250和更好的IRFP260很适合ZVS（我用IRF540也很好，但是输入不要超过20V，IRFZ48、IRF3205等管耐压过低不宜使用）。你需要为MOS添加散热器，但是不用特大。记住在安装散热器时一定要加绝缘垫（TO247的IRFP250和IRFP260要加绝缘垫，TO220的IRF540除了绝缘垫还要加绝缘帽！），因为MOS的散热器不是和引脚不是电学绝缘的（散热片和漏极是通的，我想但凡搞电子的都知道吧、）。那个谐振电容一定要用好的，MKP电容，云母电容，Mylar电容（这个不认识、、、）是很好的选择（电磁炉电容最佳~~），千万不要用电解电容，会核爆炸的（嘿嘿 每人这么2吧）。两个初级绕组必须要同方向绕制，否则不工作。如果变压器没气息，同样不会工作。（这、、、）
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　　本文将介绍的驱动器是-一种功率大、高效而且非常简单的振荡器。它通常被用于产生高频正弦波的场合比如冷阴极LCD灯箱驱动器或者其他用途。这里有一个简化版的ZVS。　　当电源电压作用于V+，电流开始同时通过两侧的初级并施加到MOS的漏极（D）上。电压会同时出现在MOS的门极（G）上并开始将MOS开启。因为没有任何两个元件是完全一样的，一个MOS比另一个开的快一些，更多的电流将流过这个MOS。通过导通侧初级绕组的电流将另一侧MOS的门极电压拉低并开始关断它。图中电容和初级的电感发生LC谐振并使电压按正弦规律变化。如果没有这个电容，通过MOS的电流会一直增大，直到变压器饱和+MOS发生核爆炸......　　假设Q1首先开启。当Z点电压跟着LC谐振的半个周期上升到峰值再回掉时，Y点电压会接近0。随着Z点电压下降到0，Q1的门极（G）电压消失，Q1关闭。同时Q2开启，此时Y点电压开始上升。Q2的导通把Z点电压拉低到接近地，这可以确保Q1完全关断。Q2完成LC振荡的半周后会重复同样的过程，此振荡器继续循环工作。为了防止本电路从电源拉取巨大的峰值电流而损坏，增加了L1在变压器抽头处和V+之间作为缓冲。LC阻抗限制着实际的电流（L1只是减少峰值电流，因为电感有续流作用吧）。　　如果你眼够尖，会发现此振荡器是一个零电压开关电路（zero-voltage switching ZVS），这意味着MOS将在其两端电压为零时关断。这对MOS有好处，因为它允许MOS在承受应力比较低的时候进行开关动作，这意味着不再需要像硬开关变换器那样的巨大散热器，甚至当功率大到1KW时都可以这样！（我觉得悬......毕竟MOS有导通电阻......谁的ZVS能上1KW？！反正我没见过.....）　　ZVS的振荡频率将由变压器初级的电感和跨接在初级两端的电容决定。可以用下列公式计算：　　f = 1/2 * π * √(L * C)　　f 频率，单位Hz　　L 初级的电感，单位H（注意不是uH！1H=1000000uH！）　　C 谐振雕塑的容量，单位F（注意不是uF!1F=1000000uF)　　真实的MOS比较脆弱（汗= = 深有体会），如果门极（G）和源极（S）之间的电压超过正负30V，MOS会损坏。为了防止这种事情发生，我们需要门极（G）的保护措施；只是简单地增加几个额外的元件。如下图。　　? 470欧电阻用来限制MOS门极（G）的电流，防止损坏。　　? 10K电阻用于确保MOS可靠关断。　　? 稳压二极管将MOS的门极（G）的电压限制在你选用的稳压二极管（12V、15V、18V）的击穿电压之内。　　? 当一侧MOS导通时，UF4007将另一侧MOS的门极（G）电压拉低　　值得注意的是，我们改用+V为MOS供电，使它们开启，并使用LC谐振部分通过快恢复二极管关断它们。这提高了整体电路的性能。　　下面的实物图很好理解，我希望你喜欢：　　因为LC震荡时的电压比输入电压高，所以你需要确认你的MOS可以承受这个电压。一个比较好的选择MOS方式，MOS的耐压要为4倍输入电压以上，IRFP250和更好的IRFP260很适合ZVS（我用IRF540也很好，但是输入不要超过20V，IRFZ48、IRF3205等管耐压过低不宜使用）。你需要为MOS添加散热器，但是不用特大。记住在安装散热器时一定要加绝缘垫（TO247的IRFP250和IRFP260要加绝缘垫，TO220的IRF540除了绝缘垫还要加绝缘帽！），因为MOS的散热器不是和引脚不是电学绝缘的（散热片和漏极是通的，我想但凡搞电子的都知道吧、）。那个谐振电容一定要用好的，MKP电容，云母电容，Mylar电容（这个不认识、、、）是很好的选择（电磁炉电容最佳~~），千万不要用电解电容，会核爆炸的（嘿嘿 每人这么2吧）。两个初级绕组必须要同方向绕制，否则不工作。如果变压器没气息，同样不会工作。（这、、、）　　本文将介绍的ZVS驱动器是-一种功率大、高效而且非常简单的振荡器。它通常被用于产生高频正弦波的场合比如冷阴极LCD灯箱驱动器或者其他用途。这里有一个简化版的ZVS。　　当电源电压作用于V+，电流开始同时通过两侧的初级并施加到MOS的漏极（D）上。电压会同时出现在MOS的门极（G）上并开始将MOS开启。因为没有任何两个元件是完全一样的，一个MOS比另一个开的快一些，更多的电流将流过这个MOS。通过导通侧初级绕组的电流将另一侧MOS的门极电压拉低并开始关断它。图中电容和初级的电感发生LC谐振并使电压按正弦规律变化。如果没有这个电容，通过MOS的电流会一直增大，直到变压器饱和+MOS发生核爆炸......　　假设Q1首先开启。当Z点电压跟着LC谐振的半个周期上升到峰值再回掉时，Y点电压会接近0。随着Z点电压下降到0，Q1的门极（G）电压消失，Q1关闭。同时Q2开启，此时Y点电压开始上升。Q2的导通把Z点电压拉低到接近地，这可以确保Q1完全关断。Q2完成LC振荡的半周后会重复同样的过程，此振荡器继续循环工作。为了防止本电路从电源拉取巨大的峰值电流而损坏，增加了L1在变压器抽头处和V+之间作为缓冲。LC阻抗限制着实际的电流（L1只是减少峰值电流，因为电感有续流作用吧）。　　如果你眼够尖，会发现此振荡器是一个零电压开关电路（zero-voltage switching ZVS），这意味着MOS将在其两端电压为零时关断。这对MOS有好处，因为它允许MOS在承受应力比较低的时候进行开关动作，这意味着不再需要像硬开关变换器那样的巨大散热器，甚至当功率大到1KW时都可以这样！（我觉得悬......毕竟MOS有导通电阻......谁的ZVS能上1KW？！反正我没见过.....）　　ZVS的振荡频率将由变压器初级的电感和跨接在初级两端的电容决定。可以用下列公式计算：　　f = 1/2 * π * √(L * C)　　f 频率，单位Hz　　L 初级的电感，单位H（注意不是uH！1H=1000000uH！）　　C 谐振雕塑的容量，单位F（注意不是uF!1F=1000000uF)　　真实的MOS比较脆弱（汗= = 深有体会），如果门极（G）和源极（S）之间的电压超过正负30V，MOS会损坏。为了防止这种事情发生，我们需要门极（G）的保护措施；只是简单地增加几个额外的元件。如下图。　　? 470欧电阻用来限制MOS门极（G）的电流，防止损坏。　　? 10K电阻用于确保MOS可靠关断。　　? 稳压二极管将MOS的门极（G）的电压限制在你选用的稳压二极管（12V、15V、18V）的击穿电压之内。　　? 当一侧MOS导通时，UF4007将另一侧MOS的门极（G）电压拉低　　值得注意的是，我们改用+V为MOS供电，使它们开启，并使用LC谐振部分通过快恢复二极管关断它们。这提高了整体电路的性能。　　下面的实物图很好理解，我希望你喜欢：&&&&&& 因为LC震荡时的电压比输入电压高，所以你需要确认你的MOS可以承受这个电压。一个比较好的选择MOS方式，MOS的耐压要为4倍输入电压以上，IRFP250和更好的IRFP260很适合ZVS（我用IRF540也很好，但是输入不要超过20V，IRFZ48、IRF3205等管耐压过低不宜使用）。你需要为MOS添加散热器，但是不用特大。记住在安装散热器时一定要加绝缘垫（TO247的IRFP250和IRFP260要加绝缘垫，TO220的IRF540除了绝缘垫还要加绝缘帽！），因为MOS的散热器不是和引脚不是电学绝缘的（散热片和漏极是通的，我想但凡搞电子的都知道吧、）。那个谐振电容一定要用好的，MKP电容，云母电容，Mylar电容（这个不认识、、、）是很好的选择（电磁炉电容最佳~~），千万不要用电解电容，会核爆炸的（嘿嘿 每人这么2吧）。两个初级绕组必须要同方向绕制，否则不工作。如果变压器没气息，同样不会工作。（这、、、）
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