PCIE3.3v稳压芯片片是什么

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-05-15 12:12 标签： 三端稳压芯片
Linear LTM4623 3A μModule稳压电源解决方案_百度文库
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Linear LTM4623 3A μModule稳压电源解决方案
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核电设备稳压器筒体内表面不锈钢堆焊技术
核电设备稳压器筒体内表面不锈钢堆焊技术
　　稳压器在核电站中是对一回路压力进行控制和超压保护的重要设备。稳压器用于调节因负荷变化引起的正波动和负波动，在正常运行时，稳压器内下部是水，上部是蒸汽，水处于饱和状态。在正波动时，由喷淋系统冷凝容器内的蒸汽，在负波动时，由水的闪蒸和加热水产生蒸汽，达到调节压力的作用。
　　稳压器是一个立式圆柱形容器，高为13 m，直径为2.5 m，内部容积为39.7 m3，净重为80 t。壳体为合金钢板16MND5，厚度为113 mm。稳压器容器壳体和反应堆冷却剂接触的内表面，用奥氏体不锈钢堆焊具有和AISI308L钢相同的防腐蚀性能。&
　　母材即壳体材料（16MND5）化学成分如表1。 表1 壳体材料（16MND5）化学成分 元素 碳 锰 磷 硫 硅 镍 含量% 0.22 1.15～1.60 0.008 0.008 0.10～0.30 0.50～0.80 元素 铬 钼 钒 铜 铝 钴 含量% 0.25 0.43～0.57 0.01 0.08 0.04 0.03
2 　不锈钢堆焊要求&
　　不锈钢一般堆焊两层，即过渡层和耐蚀层，在低合金钢上堆焊不锈钢，原则上是要保证稀释后的过渡层化学成分接近耐蚀层。为使过渡层具有良好的抗裂性和塑韧性，按RCC－M中SA3634规定不锈钢堆焊层铁素体含量应控制在5%~12%之间。在选择堆焊用焊接材料及焊接参数时，必须严格控制熔敷金属中的铁素体含量，过量的&-铁素体在一定条件下会转化成&相造成脆化，因此在带极堆焊时，除熔深外，还应特别注意相邻焊道之间的搭接量，带极堆焊的搭接量一般应控制在8~10 mm的范围内。&
3 　稳压器筒体内表面堆焊工艺&
3.1 焊接前工作
　　在稳压器壳体内表面堆焊前，待堆焊面应进行目视及着色检验，不允许有任何表面超标缺陷，筒体内表面清洁，确保表面无任何污物、油渍，并干燥，保证堆焊后堆焊层的质量。
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用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的uModule 稳压器
来源：电子发烧友网 作者：厂商供稿日 14:09
[导读] 　加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） – 2016 年 4 月 14 日 – 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出三路输出uModule （电源模块） 稳压器 LTM4632，用于为新型 QDR4 和较老式的 DDR SRAM 之所有三个电压轨供电：VDDQ、VTT、VTTR （或 VREF）。
　　加利福尼亚州米尔皮塔斯 （MILPITAS， CA） & 2016 年 4 月 14 日 & 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出三路输出&Module （电源模块） 稳压器 LTM4632，用于为新型 QDR4 和较老式的 DDR SRAM 之所有三个电压轨供电：VDDQ、VTT、VTTR （或 VREF）。LTM4632 采用一个微型、轻量和超薄的 LGA 封装 （6.25mm x 6.25mm x 1.82mm），其可焊接在 PCB 的背面，配合采用一个电阻器和三个电容器时，占板面积仅为 0.5cm2 （双面） 或 1cm2 （单面）。一个 LTM4632 能提供 3A VDDQ 和 &3A VTT （=1/2*VDDQ），所以两个并联的 LTM4632 能够为较大的存储器组提供高达每电源轨 6A。对于超过 6A 的 VDDQ，LTM4632 可配置为与 LTM4630 一起给大型 SRAM 阵列提供介于 18A 和 36A 之间的 VDDQ。如果 VDDQ 已经可用，则可配置 LTM4632 以提供一个高达 6A 的两相单路 VTT 输出。
　　LTM4632 可采用一个 3.3V 的低输入电源、以及标准的 5V 和 12V 输入 （最高 15V） 工作 。两个输出电压 （VDDQ 和 VTT） 的范围均为 0.6V 至 2.5V。第三个输出是一个用于 SRAM 之 VTTR 的低噪声 10mA 缓冲输出。应用包括 PCIe、基于云的系统、RAID、视频处理和采用这些 SRAM 的网络：DDR / DDR-II / DDR-III / DDR4 / QDR / QDR-II / QDR-II+ 和 QDR4。
　　LTM4632 包含一个三路输出 DC/DC 稳压器、电压除二电路、电源开关、电感器和支持组件，采用了紧凑和超薄的封装。LTM4632 的额定工作温度范围为 -40&C 至 125&C。E 级版本的千片批购价为每片 7.35 美元，而 I 级版本的千片批购价则为每片 8.09 美元。
　　照片说明：用于 DDR-QDR4 存储器电源的超薄&Module 稳压器
　　性能概要：LTM4632
　　& 占板面积为 1cm2 （单面 PCB） 或 0.5cm2 （双面 PCB） 的完整 DDR / QDR4 存储器电源解决方案
　　& 3A VDDQ + 3A VTT 或两相单路 6A VTT
　　& 宽输入电压范围：3.6V （VIN 连接至 INTVCC） 至 15V
　　& 0.6V 至 2.5V 输出电压范围
　　& &1.5%、&10mA 缓冲 VTTR = VDDQ/2 输出
　　& 外部频率同步
　　& 超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装
　　凌力尔特公司简介
　　凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 是 S&P 500 指数的成员，在过往的 30 多年，一直致力于为全球主要的公司设计、制造和销售门类宽泛的高性能模拟集成电路。凌力尔特的产品为我们身处的模拟世界与数字化电子建立起不可或缺的桥梁，应用范围包括通信、网络、工业、汽车、计算机、医疗、仪表、消费、以及军事和航天系统等领域。凌力尔特制造的产品包括电源管理、数据转换、信号调理、RF 和接口 IC、&Module&O 子系统、以及无线传感器网络产品。
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一款采用三端稳压集成芯片的电源供电系统电路图
一款采用三端稳压集成芯片的电源供电系统电路图
& & & &本文介绍的是一款电源供电系统电路，供电系统就是由电源系统和输配电系统组成的产生电能并供应和输送给用电设备的系统。此电路中，采用的是这两个稳压集成电路IC芯片。 & & & &lm7812是指三端稳压集成电路IC芯片元器件，适用于各种电源稳压电路，输出稳定性好、使用方便、输出过流、过热自动保护。三端分别为分别是输入端、接地端和输出端。电子产品中，常见的三端稳压集成电路有正电压输出的lm78&& 系列和负电压输出的lm79&&系列。 电源供电系统电路 & & & &在电控系统中，模拟电路电源与逻辑电路电源分离，这种做法有两个目的，一是为了去除通过电源耦合逻辑电路产生的干扰进入模拟电路，二是为了避免传感器通过电源耦合对ECU干扰。 & & & &这里采用三端稳压集成芯片，且都单独对电源进行负压差保护，这样不会因其中某一稳压电源出现故障而影响整个系统电路;使用低通滤波器亦可减少以高次谐波为主的干扰源，从而改善电源波形;在输出端采用了过压保护电路。这样的设计大大提高供电的可靠性。 & & & &D1、D2用于负压差保护，防止压差击穿稳压器的be结使器件永久失效，稳压管WY1、晶闸管Q1用于过压保护，电容E1、E2、C1、C2使输出电压波纹限制在一定范围内。
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