RF斩波放大器指标中IRL是什么指标

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电路与系统专业论文-基于RF CMOS工艺功率放大器设计
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杭州电子科技大学 硕士学位论文
基于RF CMOS工艺功率放大器设计 姓名：冯玉洁 申请学位级别：硕士 专业：电路与系统 指导教师：程知群 201112 杭州电子科技大学硕士学位论文 摘要 射频集成电路 RFIC 是无线通信领域中不可缺少的关键电路，是无线通信的主要瓶颈。
近年来，随着无线通信系统的容量和速率的提升，系统对RFIC的性能提出了更高的要求，
同时为了满足产品化后高可靠性和低成本的要求，用CMOS工艺实现单片集成的RFIC正逐
渐成为人们研究的一个热点，这篇论文主要研究了位于射频发射机末端的功率放大器，虽然 目前射频收发系统中的很多模块都可以集成为片上系统，但实现功率放大器的集成仍然是一
个难点，所以成为国际研究的一个热点。 本文介绍了一个工作于2．4GHz的功率放大器，基于SMIC 0．18pm工艺的基础上，文中
给出了相应的仿真结果及版图，电路采用了两级放大结构，该文介绍了基于SMIC0．18“m
CMOS I艺工作于2．4GHz功率放大器的设计方法，并给出了仿真结果。电路采用两级放大
的结构，驱动级采用自偏置Cascode结构，为了保证驱动级有足够的线性度，偏置电压采用
了自适应结构，使偏置电压随着输入功率的不同而变化，保证了放大器的线性度并提高了功
率附加效率，功率级采用共源结构以达到较大的输出功率。仿真结果显示，在2．4GHz频率下，
放大器功率增益为25dB，输出1dB压缩点约为22dBm，功率附加效率为37％。 其次，基于TSMC 0．18pm工艺的基础上设计了一个差分结构的功率放大器，主要是用于
ETC设备中，文中给出了仿真结果及相应的版图设计和后仿结果。
关键词：功率放大器，偏置自适应，射频集成电路，差分结构 杭州电子科技大学硕
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