我想用单片机输出5v的PWM到tps28225dr去驱动两个IRF540，tps28225dr的EN,VDD加多大的电压合适？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-06-25 05:08 标签： tps28225
单片机PWM控制大电流，使其稳定可调？？驱动电路怎么做？_百度知道
单片机PWM控制大电流，使其稳定可调？？驱动电路怎么做？
36A电源，怎么用PWM信号使车灯输入的大电流可调，稳压之类的的，没多少分现在想用单片机输出PWM信号，要不要做整流，不好意思，使用车载12V&#47，请大神帮帮忙，直接用PWM信号接NMOS管,90-100W的车灯亮度可调，会不会太简单了，感觉只连一个NMOS管不叫驱动电路吧，使额定电压12V，控制其导通时间可以吗
我有更好的答案
不同功能的驱动方法不同罢了就是怎么简单呀，就是频率问题了，灯亮么只要 看起来不闪烁就可以，驱动一个 发光二极管 直接 IO 驱动就可以了
我看到很多电路又是反馈又是调整之类的，我驱动的是大功率的车灯，电流有7-8A，一个NMOS就可以满足了吗
电流大一般 MOS管 的驱动电压要高一下，给你一个参考电路。输入接IO口输出接MOS管，频率高的用后面的电路。
很感谢您耐心的回答啊！太感谢了
那就要现在MOS管G极门阀电压低的管子&PWM来自单片机电压幅度为5V，所以G极门阀电压必需低于5V的NMOS管，不然MOS不能很好导通，是电路效率低，管子发热。使用这种管子就不需要驱动，比如2SK2844（东芝）最大工作电压30V 工作电流35A 完全满足你的 12W 100W的需要 还有一个容易买到的管子是IRF540。
我用IRF530A,直接用P1.0驱动！能用但是车灯不是太亮！
IRF530A在5V驱动下SD极间电阻太大&VGS=10V,ID=7A&时候IRF530A&RDS(on)=0.11欧姆&你的VGS=5V&&所以RDS更大&在大电流下，压降太大，这样看来IEF540也只怕有困难了 东芝这个绝对没有问题 厂家参数你看
谢谢您，太感谢了
你用弱上拉的单片机io去驱动的话，IO要上拉5V电压的。
都用10K的电阻吗
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出门在外也不愁单片机的PWM输出能否直接控制IRF540mos管？_百度知道
单片机的PWM输出能否直接控制IRF540mos管？
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IRF540驱动电压是8-20V，单片机一般只有5V供电不能。请加MOS管驱动电路
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出门在外也不愁采用同步整流升压,但是驱动电路上纹波很大,由于单片机供电最高电压只有3.6V,所以加了两个驱动,使驱动能力更强,但是在实际应用中发现Pmos管的驱动纹波很大（PWM_P）,单片机高低电平上都没有波动,哪位高手看看能不能把这个波动去掉,或者是减小!那两个抖动应该是Nmos管在打开和关闭的时候产生的电压突变引起的!但是我很纳闷的是为什么Nmos管的驱动上没有多大的纹波,Pmos管上的纹波却那么大!&原理图↑蓝色为Pmos管去打动波形，黄色为Nmos管驱动波形！
在输出端加两个续流二极管试,IN4148或IN4001都行.
什么原理呢？能简单的说一下吗？
假如你PWM-OUT输出端接的是感性负载,当你先给导通,在给截止时会产生一个反向电压,就可以通过这个二极管进行释放,可以起到保护三极管,也加快了三极管的开关速度.
两个二极管中间与PWM_P_out那里有节点吗？
刚才加了两个4148，还是没改善
你是要把3.3V升到5V吗
是锂电池升压到5V
加不了,是公司的网络.
你的样子,是要做移动电源吗,不知道你要多大的功率;为什么不用专用的芯片,感觉你这个芯片还要加驱动电路,很是麻烦,你可以在评论里回复一起讨论!
是移动电源，因为我们要推我们的芯片，而且提高升压效率，所以用我们单片机来做升压、充电。而一般的同步整流升压IC价格也不便宜、功率也不大。我们现在能做到15.6W，3.7V的时候1A效率94%3A效率87%。所以很有优势，但是现在纹波有点大，研究了好几天了都没找到好的办法。马上过年了，明天就回家了，打算明年继续研究。
你输出纹波比较大吗,用π型滤波试试.我这里有个5V3A移动电源电路,你参考下
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16:39[/color][/url][/size]
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米勒平台的形成原理 [color=#3e3e3e]一般而言，在 MOSFET 关闭的状态下，CGS比 CGD要大很多。以大家熟知的 IRF540 为例，[/color]
在MOS管的G极和S极所加的电压大于芯片所规定的最大值，MOS管会出现什么现象、？
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IRF540/IRF4905的datasheet的参数如下图片所示、谢谢！！！
请教大家一个关于MOS管的Vgs问题。谢谢！ :time:
给器件加载超过手册所允许的最大电压，纯粹是找死行为嘛...
控制，每段都独立，占用16个IO口，使用IRF540驱动，为了进一步减小内阻，Vgs使用12V，以降低发热量。初步设计不使用散热片，由于PCB板还没到手，具体情况还有待实测。
细想一下，由于是静态驱动，用16路继电器模块更方便，开发成本更低。
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dontium 发表于
1MHz以下，即告诉你不需要作特殊的高端补偿。10HZ，只需要耦合电容大一些就行。
10倍放大量，单级很容易 ...
可我仿真怎么也做不到1MHZ。。用的是irf540。。加了电容波形就失真很严重了。。。
这是你用的管子的参数：
你考虑这些了没有？
dontium 发表于
这是你用的...
绝缘，负极开关，FET要注意G-S耐压。
（一般地，同性能的N沟道管要比P沟道管便宜些。）
按楼上的说的
如用NMOS，可以考虑IRF540 ，IRF530，英飞凌的IPD15N06S3L
用PMOS，IRF9530N
qwqwqw2088 发表于
按楼上的说的
如用NMOS，可以考虑IRF540 ，IRF530，英飞凌的IPD15N06S3L...
pcb中的to-220ab封装的irf540的 ① ② ③ 分别是 MOS管的 D G S 极，但为什么上网查说irf540的to-220ab封装从正面看从左到右分别是 G D S。现在瞬间凌乱了，到底哪个是对的？
关于to-220ab封装irf540的问题 那就是你的PCB封装做错了
你QQ多少呢
elvike 发表于
那就是你的PCB封装做错了
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