如何给WinCE选择合适的FLASH存储器?
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　作者: IT168 潘少红　编辑:
【Windows嵌入式有奖征文系列】& 【IT168 专稿】随着嵌入式系统产品的迅速发展,对大容量低功耗存储器需求也正日益增强。存储器件不但是嵌入式系统必不可少的一部分，而且嵌入式系统的存储设备的性能也是决定整体系统性能的核心环节之一。在我负责的一个WinCE平台的智能移动设备开发项目中，由于我只是片面的想当然地考虑速度或大容量，使我在选择合适的Flash存储器上吃尽苦头。& 实际上，选择一款合适的Flash存储器是Windows CE开发中最具有挑战性的内容之一，因为它不但要求开发人员要具备硬件接口知识，清晰了解Windows CE 下驱动程序的架构，还要具备驱动程序开发的相关知识。本文通过分析WinCE平台下两种Flash的速度、接口、可靠性和寻址方式的比较，然后给出我在WinCE系统下选择合适的闪存方案的经验和建议。& 1.NOR和NAND Flash综合比较& 闪速存储器(Flash Memory)是一种在不加电的情况下能长期保持存储的设备。由于Flash存储器具有存储容量大、掉电数据不丢失以及可多次擦写等许多优点，正逐步取代其他半导体存储器件而广泛应用于嵌入式便携电子产品中。其中NOR Flash和 NAND Flash是目前两种主要的非易失闪存技术，这两种闪存在WinCE平台下如何选择也正困惑着许多初入门的开发人员。（1）NOR和NAND Flash的速度比较& NOR Flash存储器的特点是容量较小、写入速度较慢，但它的随机读取速度却很快，而且具有嵌入式应用经常需要的一个功能XIP(eXecute In Place)特性。因此，在WinCE系统中常用于小容量的程序代码的存储。与NOR相比，NAND闪存的优点是容量大，目前最大容量己经达到8G，因此NAND较适合于存储文件，而且NAND的真正好处是写速度快、擦除时间短。& 例如，在写数据和擦除数据时，NAND由于支持整块擦写操作，速度比NOR要快近千倍，NAND支持速率超过5Mbps的持续写操作，其区块擦除时间短至2ms，而NOR是750ms。& 但NAND的缺点是其读取速度较慢，主要是因为它的I/O端口只有8或16个,要完成地址和数据的传输就必须让这些信号轮流传送。例如，在读取时NAND要先向芯片发送地址信息进行寻址才能开始读写数据，而它的地址信息包括块号、块内页号和页内字节号等部分，要按顺序才能定位到要操作的字节，这样每进行一次数据访问就需要三次寻址，至少要三个时钟周期，然后才是读取数据的操作过程。而NOR Flash的操作则是以字或字节为单位进行直接读取数据。所以，在读取数据时，NOR有明显优势。& 简单的说，NAND的优点在于写和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写操作的能力。NAND的缺点是随机存取的速率慢，NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的制约。显然，NAND在某些方面具有绝对优势。然而，它不太适合于直接随机存取。
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一夜过去突然频繁重启，开机后不超过5分钟，双清和刷机都显示成功但实际无效
无论是线刷还是用刷机精灵，完美刷机都是同样的。
线刷RECOVERY也是现实成功但是实际无效
请教大家是什么情况？
NEXUS 7 2012 WIFI , ANDROID 4.4.4
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通过adb 删除文件或者增加文件提示正常，但是重启后发现实际没有成功。
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用蘑菇云刷机大师试试，感觉很好，要不就刷回原厂镜像
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TA的每日心情开心 20:43签到天数: 8 天[LV.3]偶尔看看II
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下载官方原版的ROM，最好是4.3的单一文件那个。解压两次，让后用fastboot刷入。论坛置顶帖有详细介绍。
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strany 发表于
下载官方原版的ROM，最好是4.3的单一文件那个。解压两次，让后用fastboot刷入。论坛置顶帖有详细介绍。 ...
4.4，4.3 都用fastboot刷入，但是重启后又回到原来的版本，数据也没有变化。 结果还是不停的自动重启。
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finevo 发表于
4.4，4.3 都用fastboot刷入，但是重启后又回到原来的版本，数据也没有变化。 结果还是不停的自动重启。
解锁了没？开机时屏幕下方有小锁吗？
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strany 发表于
解锁了没？开机时屏幕下方有小锁吗？
原来就已经解锁，而且也ROOT的， 4.4.4 版本。
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现在每次自动重启或者关机后 都自动回到出故障那天的状态， 无法删除或者写入任何文件/程序。
是不是这个16G内存被写保护了？
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本帖最后由 finevo 于
21:06 编辑
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EMMC字库的手机为什么会成“硬砖”？安卓时代如此高的风险所以有必要给兄弟们一些建议 [打印本页]
作者: 国事无双& & 时间:
19:07& &&&标题: EMMC字库的手机为什么会成“硬砖”？安卓时代如此高的风险所以有必要给兄弟们一些建议
劝 兄弟们再勿 低价刷机，否则 兄弟们的收益和风险实在 就太不成比例了。因为赚10元赔3000的可能性 时时都有可能发生。智能机铺天盖地而来，升级、降级、解锁做WIPE、破解root权限、刷recovery、死机修复，已经成了兄弟们的家常便饭。但其中的利害关系兄弟们必须了然于胸，才能立于不败之地。
目前，凡是EMMC字库的手机，（EMMC字库的手机就是采用大容量存储器作为手机的字库的手机，现在市面上流行的高端智能机基本全是EMMC字库、常见机型有：谷歌G10、G11、G12、G14、G17、G18、G21、三星的i9300、i9100、I9220、N7000、E160S、E110S、E120S、I9103、I9108、I9228、中兴的V889D、华为的U8860、小米M1&&等等太多的EMMC字库手机了实在无法一一枚举（只要JTAG读出的字库容量超过1G的都是EMMC字库）。如果客户的手机版本是安卓4.0或者以上版本的手机让你刷机的、抑或是让你把低版本 刷成安卓4.0以上版本的 包括安卓4.0或者以上版本手机让解锁做WIPE、破解ROOT权限、刷recovery、在做所有 这些操作 之前，请务告知顾客风险，刷死不承担责任。否则！一旦出了问题，赔台机器都够你“喝一壶”了。
刷机 把字库刷坏，这在NOR和NAND字库时代，基本是不可能的事情。但 现在到了EMMC字库时代（为什么那么多厂家蜂拥采用EMMC作为手机字库呢？eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。），这种问题将是非常常见的事情。
近来不少兄弟说：手机明明是客户刷4.0刷死的或者说我就做了一下WIPE或者是我就破解了一下ROOT权限，等等、、。为什么修复不行呢？全字库也写了，BOOT文件也写了，就是不能进入刷机模式 或者可以进入刷机模式 ，刷机无效呢？
近期三星官方已经公开说自己的安卓4.0版本内核里几个擦除指令，可能会导致EMMC字库永久性损坏的BUG（其他各大厂家不公布 不代表没有，照样无数个手机字库被刷坏）,这些BUG非常严重。
轻则！ 导致一些分区不可用，部分 分区不可用个别机型 可以通过减少字库容量的方案来弥补，但仅限三星几款可以这么做，也就是有相关教程。
重则！ 直接导致EMMC字库成“硬砖”，一旦发生损坏,就算用JTAG也 是无法修复的，这些损坏的字库 就是拆下来用编程器也是无法修复和重新读写编程的，就是字库彻底报废了，已经不存在修复的可能了。唯一的办法就是买个带资料的新字库装上（记住，EMMC字库的手机，是不能把空字库装上后 用JTAG直接修复全字库搞定的，因为字库的分区表信息JTAG是无法写入的。而且不同机器用的EMMC字库分区表 都是不一样的。所以空字库无法使用，如果要修复这个手机，就需要买带资料的字库才行）。
好像我的机器就是出了这个问题。 正好使用了2年。
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ThinkPHP 2.0 { Fast & Simple OOP PHP Framework } -- [ WE CAN DO IT JUST THINK IT ]智能电表设计中如何应用相变存储器PCM_存储器_中国百科网
智能电表设计中如何应用相变存储器PCM
    5月初，美光斥资12亿美元收购恒忆，完成收购后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。对于这么大的收购举动，有传言，是英特尔在后面起到的推动作用，因为三星的快速崛起，不想一家独大的局面在存储市场出现。当然，也有传言，美光收购恒忆的动机是为了满足诺基亚(Nokia)等客户的一站式购足需求。无论如何，着眼技术创新方面，记者本人认为这种收购的出现，是能够起到推进作用的。在收购后不久，我们有幸在第十五届IIC CHINA上邀请了，美光亚洲区嵌入式业务部的刘群先生，就相变存储技术未来发展的状况，做精彩的演讲。美光亚洲区嵌入式业务部的刘群先生随着世界各国尤其是中美两国在智能电网上的实质性启动，智能电表市场也在起步腾飞。智能电表担负着存储客户使用信息和网络信息的作用，同时在不远的将来更多的功能也将被加入进来，如绿色能源的双向接入，终端的用户也可以把自家屋顶太阳能产生的电力传输到电网上。由于上述需求的推动，对智能电表的存储系统就提出了更高容量，成本降低控制和可靠性提高的要求。
相变存储器即是英文Phase Change Memory-- PCM 的缩写。就是一种利用六族与第四、五族的化合物作为存储材料的存储器。 该种化合物是一种相态可逆变的物质。可以在有序结构(晶态-低阻)和无序结构(非晶态-高阻) 之间变化。通过图片可以看出，电流电压曲线图是从一个ＰＣＭ的存储单元获得。读取操作是工作在电压５００毫伏且电流小于１００微安以下的区间内，所以没有对ＧＳｔ产生加热的效应。晶态和非晶态的存储状态也就没有变化。当电压大于５００毫伏且电流大于５００微安时，电阻加热器就会融化ＧＳＴ材料。此时晶态和非晶体的状态就会发生变化。基于相变技术的存储器具有三个特性，包括位修改（直接写入），高写入次数，工艺和成本的可延续性。下面图片是对现在流行的存储器之间的比较。
对产品带来这么多特性的PCM相变存储器，那么具体的应用又如何？刘群先生表示，现在目前智能能电表的存储系统采用NVRAM，EEPROM等方案，但是这些解决方案都存在有成本高、容量小、设计复杂等缺点，而运用PCM相变存储器设计的智能电表可以很好地规避这些缺点。由于PCM具有位改写，成本和工艺的可持续性，高擦写次数，从而可以很好的整合原有的存储系统。只使用一颗PCM相变存储器就可以整合NOR flash, EEPROM, NVRAM, 从而提供更低的成本，更加环保，更加可靠，以及更大的容量。针对采用相变存储器的智能电表设计，刘群也谈到，作为存储器的重要生产厂商，为满足客户的需求，美光也推出了两款代号为‘omneo’的相变存储器。分别是：P8P &高速并行接口，128Mb 容量， 100万次的写入次数。P5Q- 高速SPI 接口，支持1、2，4位输入输出，也是128Mb 容量, 高达66Mhz。 100万次的写入次数。 Omneo 给嵌入式提供了一种更快写入速度，更高的写入次数的存储器。从而拓展了客户对存储系统的设计。 并且在本次西安站IIC CHINA展览会现场，观众可以参观样品展示。同期，在西安站技术研讨会上，除了美光公司带来的精彩演讲外，还有ADI公司资深应用工程师薛睿带来的关于使用性能观测器来测量和改善嵌入式系统的性能、TriQuint公司关于讨论最新技术和TriQuint中国区总经理熊挺提供的集成式方案、以及有国际电子商情主分析师陈路带来的关于2011年中国汽车电子市场商机的精彩演讲。
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