文章摘要信息
液晶与显示
液晶与显示&2010,&25(1)&29-33&&ISSN:&&CN:&
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器件制备技术及器件物理
TFT-LCD阵列腐蚀性缺陷分析
李 丽;秦 纬;薛建设;彭志龙
北京京东方光电科技有限公司,北京 100176,E-mail:
在TFT-LCD 的生产过程中,阵列金属被腐蚀是造成TFT-LCD 产品缺陷(亮线、薄亮线等)的常见原因。文章对实际生产过程中阵列基板的一种典型腐蚀性缺陷,应用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)和能谱仪(EDS)等工具,并且结合BO (Business Objects)、CIM(Computer Integrated Manufacturing)等数据统计软件进行了分析。确定了造成缺陷的原因是栅金属暴露在含氯元素的酸性气体中被腐蚀,还确定了酸性气体的泄露源,并且推断出其形成机理:腐蚀发生在栅金属刻蚀(Gate Etch)工艺和多层膜沉积(Multi-Deposition)工艺之间,随后的多层膜沉积工艺的抽真空过程促进了缺陷的进一步形成。另外,针对发生此种缺陷时的应急措施进行了探讨。
Analysis of TFT Array Erosion Defect
LI Li;QIN WXUE Jian-PENG Zhi-long
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co. Ltd., Beijing 100176, China, E-mail:
There are hundreds of defects happening during TFT-LCD process, especially during array process. Eroded array metal line is one of defects that can cause bright line or thin bright line defect. In this paper, this typical defect was analyzed by SEM, FIB, EDS and statistical software such as BO (Business Objects) and CIM (Computer Integrated Manufacturing). The results show that the defect occurred mainly when the metal layer was eroded by hydrochloric acid gas between Gate Etch process and Multi-Deposition process, and the leakage source of acid gas was identified. The hump in defect position was formed when vacuumizing during Multi-Deposition process. In addition,the emergency measures for this defect were also discussed.
收稿日期&&修回日期&&网络版发布日期&&
作者Email:
参考文献：
[1] 谷至华. 薄膜晶体管(TFT)阵列制造技术 [M].上海：复旦大学出版社，[2] Liu Jianghong, Ma Kai.The defects analysis of the gate line and the array of TFT [J]．Chin. J.
Liquid Crystals and Displays, ):50-54.?[3] Zhang Guonghua, Yan Jiwen.Study of surface defects on the A-Si∶H FILMS [J].?Acta Energiae Solaris Sinica?,)：284-289.[4] Zhang Yu, Zhang Jian.Machine vision system for visual defect inspection of TFT-LCD[J]．J. Harbin Institute of Technology，)：773-778.
本刊中的类似文章
by 液晶与显示OLED ALTERNATING-CURRENT DRIVE CIRCUIT, DRIVE METHOD AND DISPLAY DEVICE
WIPO Patent Application WO/
Disclosed are an OLED alternating-current drive circuit, drive method and display device in the technical field of display.The present invention comprises a light-emitting control unit, a charging unit, a drive unit, a first storage unit, a second storage unit, a first light-emitting unit, a second light-emitting unit, a first voltage control unit and a second voltage control unit.In the present invention, both the first light-emitting unit and the second light-emitting unit which are reversely connected are used, to enable the first light-emitting unit and the second light-emitting unit to alternately emit light within two adjacent frame time periods, only one light-emitting unit to emit light for display and the other light-emitting unit to be in reverse bias within the same frame time period, and when the next frame arrives, alternating-current drive of the light-emitting units is realized, and the utilization efficiency ofthe incentive causing the light-emitting units to age is thoroughly eliminated, the life of the light-emitting units is greatly prolonged, the influence of line internal resistance on the light-emitting current is eliminated, and the picture display quality is improved.
Inventors:
QING, Haigang (No.9 Dize Rd, BDA, Beijing 6, 100176, CN)
QI, Xiaojing (No.9 Dize Rd, BDA, Beijing 6, 100176, CN)
Application Number:
Publication Date:
01/29/2015
Filing Date:
11/01/2013
Export Citation:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. (No.10 Jiuxianqiao Rd, Chaoyang District, Beijing 5, 100015, CN)
CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (No.1188, Hezuo Rd. , Hi-tech Development Zon, Chengdu Sichuan 1, 611731, CN)
International Classes:
View Patent Images:
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Foreign References:
CNACNACNACNA
Attorney, Agent or Firm:
LIU, SHEN & ASSOCIATES (A0601, Huibin Building No.8 Beichen Dong Street,Chaoyang District, Beijing 1, 100101, CN)
权 利 要 求 书
1、 一种 OLED交流驱动电路， 包括： 发光控制单元、 充电单元、 驱动单 元、 第一存储单元、 第二存储单元、 第一发光单元、 第二发光单元、 第一电 压控制单元和第二电压控制单元；
所述发光控制单元分别与所述驱动单元、 第二存储单元和第一电压控制 单元连接； 用于在发光控制信号的控制下控制所述第一发光单元或第二发光 单元发光；
所述充电单元分别与所述驱动单元、 第一存储单元、 第二存储单元、 第 一发光单元、 第二发光单元和第二电压控制单元连接； 用于在扫描信号和数 据信号的控制下对所述第一存储单元或第二存储单元进行充电；
所述驱动单元分别与所述第一存储单元、 第二存储单元、 第一发光单元 和第二发光单元连接， 用于驱动所述第一发光单元或第二发光单元发光； 所述第一存储单元分别与所述第一发光单元、 第二发光单元、 驱动单元 和充电单元连接； 用于存储数据信号或导通所述驱动单元；
所述第二存储单元分别与所述第一电压控制单元和驱动单元连接； 用于 存储数据信号或导通所述驱动单元；
所述第一发光单元与所述第二电压控制单元连接， 用于在所述第一电压 控制单元、 第二电压控制单元、 充电单元和驱动单元的控制下发光；
所述第二发光单元与所述第二电压控制单元连接， 用于在所述第一电压 控制单元、 第二电压控制单元、 充电单元和驱动单元的控制下发光；
所述第一电压控制单元分别与所述发光控制单元和第二存储单元连接， 用于对所述第二存储单元和第一发光单元提供电能；
所述第二电压控制单元分别与所述充电单元、 第一发光单元和第二发光 单元连接， 用于对所述第一存储单元和第二发光单元提供电能。
2、 如权利要求 1所述的 OLED交流驱动电路， 其中， 所述发光控制单元 包括：
第一晶体管， 所述第一晶体管的栅极连接发光控制信号； 所述第一晶体 管的源极与所述第一电压控制单元连接； 所述第一晶体管的漏极与所述驱动 单元连接。
3、 如权利要求 2所述的 OLED交流驱动电路， 其中， 所述驱动单元包 括：
驱动晶体管， 所述驱动晶体管的栅极与所述第一存储单元的第一端和所 述第二存储单元的第一端连接， 所述驱动晶体管的源极和漏极分别与所述发 光控制单元和所述第一存储单元的第二端连接。
4、 如权利要求 3所述的 OLED交流驱动电路， 其中， 所述充电单元包 括：
第二晶体管， 所述第二晶体管的栅极连接扫描信号； 所述第二晶体管的 源极和所述驱动晶体管的漏极连接； 所述第二晶体管的漏极和所述第二电压 控制单元连接；
第三晶体管， 所述第三晶体管的栅极连接扫描信号； 所述第三晶体管的 源极连接数据信号； 所述第三晶体管的漏极和所述驱动晶体管的栅极连接。
5、 如权利要求 4所述的 OLED交流驱动电路， 其中， 所述第一存储单元 包括：
第一电容， 所述第一电容的两端分别与所述第二晶体管的源极和所述第 三晶体管的漏极连接。
6、 如权利要求 5所述的 OLED交流驱动电路， 其中， 所述第二存储单元 包括：
第二电容， 所述第二电容的两端分别与所述发光控制单元和所述驱动晶 体管的栅极连接。
7、 如权利要求 6所述的 OLED交流驱动电路， 其中， 所述第一发光单元 包括：
第一发光器件， 所述第一发光器件的阳极与所述驱动晶体管的漏极连 接； 所述第一发光器件的阴极与所述第二电压控制单元连接。
8、 如权利要求 7所述的 OLED交流驱动电路， 其中， 所述第二发光单元 包括：
第二发光器件， 所述第二发光器件的阴极与所述驱动晶体管的漏极连 接； 所述第二发光器件的阳极与所述第二电压控制单元连接。
9、 如权利要求 8所述的 OLED交流驱动电路， 其中， 所述发光控制单 元、 充电单元和驱动晶体管为 N型晶体管或 P型晶体管。
10、 一种显示装置， 包括权利要求 1-9任一所述的 OLED交流驱动电路。 11、 一种 OLED交流驱动电路的驱动方法， 包括： 对所述第一存储单元充电；
控制所述第一发光单元发光；
对所述第二存储单元充电；
控制所述第二发光单元发光。
12、 如权利要求 11所述的方法， 其中，
所述对所述第一存储单元充电包括：
控制所述扫描信号为高电位， 使所述充电单元导通； 控制所述发光控制 信号为低电位， 使所述发光控制单元关断；
控制所述第一电压控制单元的输出电压由低电位变为高电位； 控制所述 第二电压控制单元的输出的电压由高电位变为低电位， 从而实现对所述第一 存储单元充电；
所述控制所述第一发光单元发光包括：
控制所述扫描信号为低电位， 使所述充电单元关断； 控制所述发光控制 信号为高电位， 使所述发光控制单元导通；
控制所述第一电压控制单元的输出电压为高电位； 控制所述第二电压控 制单元的输出电压为低电位， 从而使得所述第一发光单元发光；
所述对所述第二存储单元充电包括：
控制所述扫描信号为高电位， 使所述充电单元导通； 控制所述发光控制 信号为低电位， 使所述发光控制单元关断；
控制所述第一电压控制单元的输出电压由高电位变为低电位； 控制所述 第二电压控制单元的输出电压由低电位变为高电位， 从而实现对所述第二存 储单元充电；
所述控制所述第二发光单元发光包括：
控制所述扫描信号为低电位， 使所述充电单元关断； 控制所述发光控制 信号为高电位， 使所述发光控制单元导通；
控制所述第一电压控制单元的输出电压为低电位； 控制所述第二电压控 制单元的输出电压为高电位， 从而使得所述第二发光单元发光。
替换页 （细则第 26条)
Description:
OLED交流驱动电路、 驱动方法及显示装置 技术领域
本发明涉及显示技术领域， 特别涉及一种有机发光二极管 （OLED ) 交 流驱动电路、 驱动方法及显示装置。 背景技术
OLED由驱动晶体管在饱和状态时产生的电流来驱动发光。 目前， OLED面临着很多问题， 其中最主要存在以下问题。
一、 作为有机发光二极管 （OLED )驱动电路的主流制备技术的低温多 晶硅（LTPS )工艺， 其在制程上晶体管阈值电压 的均匀性非常差， 导致输 入相同的灰阶电压时， 不同的晶体管阈值电压^会产生不同的驱动电流， 造成驱动电流的不一致性。 除了在驱动电路中针对低温多晶硅（LTPS )工艺 上晶体管阈值电压^的差异进行补偿外， 改善工艺也是一种解决办法， 如 氧化物薄膜晶体管作为非常有潜力的面板驱动器件， 其在制程上能达到的均 匀性就非常好， 能 4艮好解决阈值的不均匀性问题； 影响亮度均匀性的另一个 因素是内阻， 由于线路存在内阻， 而 OLED是电流驱动的发光器件， 一旦有 电流通过， 线路上必然产生压降， 因此会直接导致不同位置的电源电压达不 到要求的电压。
二、 有机发光二极管（OLED )的老化问题， 这是所有 OLED发光显示都 必须面对的共性问题， 由于现有技术大多使用直流驱动， 空穴和电子的传输 方向是固定不变的， 它们分别从正极和负极注入到发光层， 在发光层中形成 激子以辐射发光。 其中未参与复合的多余空穴 (或电子)可能积累在空穴传输 层 /发光层 (或发光层 /电子传输层)界面， 或者可能越过势垒流入电极。 随着 OLED使用时间的延长， 在发光层的内部界面积累的很多未复合的载流子（包 括空穴和电子）使得 OLED内部形成内建电场， 导致发光二极管的阈值电压 ^―。 led不断升高， 其发光亮度也会不断降低， 能量利用效率也逐步降低。 发明内容
(一）要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是： 如何提供一种 OLED交流驱动电路、 驱动 方法及显示装置， 以解决 OLED发光引起的显示不均匀和 OLED的老化问 题。
(二）技术方案
为解决上述技术问题， 根据本发明一方面， 提供了一种 OLED交流驱动 电路， 所述电路包括： 发光控制单元、 充电单元、 驱动单元、 第一存储单 元、 第二存储单元、 第一发光单元、 第二发光单元、 第一电压控制单元和第 二电压控制单元；
所述发光控制单元分别与所述驱动单元、 第二存储单元和第一电压控制 单元连接； 用于在发光控制信号的控制下控制所述第一发光单元或第二发光 单元发光；
所述充电单元分别与所述驱动单元、 第一存储单元、 第二存储单元、 第 一发光单元、 第二发光单元和第二电压控制单元连接； 用于在扫描信号和数 据信号的控制下对所述第一存储单元或第二存储单元进行充电；
所述驱动单元分别与所述第一存储单元、 第二存储单元、 第一发光单元 和第二发光单元连接， 用于驱动所述第一发光单元或第二发光单元发光； 所述第一存储单元分别与所述第一发光单元、 第二发光单元、 驱动单元 和充电单元连接； 用于存储数据信号或导通所述驱动单元；
所述第二存储单元分别与所述第一电压控制单元和驱动单元连接； 用于 存储数据信号或导通所述驱动单元；
所述第一发光单元与第二电压控制单元连接， 用于在所述第一电压控制 单元、 第二电压控制单元、 充电单元和驱动单元的控制下发光；
所述第二发光单元与第二电压控制单元连接， 用于在所述第一电压控制 单元、 第二电压控制单元、 充电单元和驱动单元的控制下发光；
所述第一电压控制单元分别与所述发光控制单元和第二存储单元连接， 用于对所述第二存储单元和第一发光单元提供电能；
所述第二电压控制单元分别与所述充电单元、 第一发光单元和第二发光 单元连接， 用于对所述第一存储单元和第二发光单元提供电能。
进一步地， 所述发光控制单元包括：
第一晶体管， 所述第一晶体管的栅极连接发光控制信号； 所述第一晶体 管的源极与所述第一电压控制单元连接； 所述第一晶体管的漏极与所述驱动 单元连接。 进一步地， 所述驱动单元包括：
驱动晶体管， 所述驱动晶体管的栅极与所述第一存储单元的第一端和所 述第二存储单元的第一端连接， 所述驱动晶体管的源极和漏极分别与所述发 光控制单元和所述第一存储单元的第二端连接。
进一步地， 所述充电单元包括：
第二晶体管， 所述第二晶体管的栅极连接扫描信号； 所述第二晶体管的 源极和所述驱动晶体管的漏极连接； 所述第二晶体管的漏极和所述第二电压 控制单元连接；
第三晶体管， 所述第三晶体管的栅极连接扫描信号； 所述第三晶体管的 源极连接数据信号； 所述第三晶体管的漏极和所述驱动晶体管的栅极连接。
进一步地， 所述第一存储单元包括：
第一电容， 所述第一电容的两端分别与所述第二晶体管的源极和所述第 三晶体管的漏极连接。
进一步地， 所述第二存储单元包括：
第二电容， 所述第二电容的两端分别与所述发光控制单元和所述驱动晶 体管的栅极连接。
进一步地， 所述第一发光单元包括：
第一发光器件， 所述第一发光器件的阳极与所述驱动晶体管的漏极连 接； 所述第一发光器件的阴极与所述第二电压控制单元连接。
进一步地， 所述第二发光单元包括：
第二发光器件， 所述第二发光器件的阴极与所述驱动晶体管的漏极连 接； 所述第二发光器件的阳极与所述第二电压控制单元连接。
进一步地，所述发光控制单元、 充电单元和驱动晶体管为 N型晶体管或 P 型晶体管。
根据本发明另一方面， 提供了一种显示装置， 包括上述的 OLED交流驱 动电路。
根据本发明又一方面， 提供了一种 OLED交流驱动电路的驱动方法， 该 方法包括：
对所述第一存储单元充电；
控制所述第一发光单元发光；
对所述第二存储单元充电； 控制所述第二发光单元发光。
进一步地， 在所述驱动方法中，
所述对所述第一存储单元充电包括：
控制所述扫描信号为高电位， 使所述充电单元导通； 控制所述发光控制 信号为低电位， 使所述发光控制单元关断；
控制所述第一电压控制单元的输出电压由低电位变为高电位； 控制所述 第二电压控制单元的输出的电压由高电位变为低电位， 从而实现对所述第一 存储单元充电；
所述控制所述第一发光单元发光包括：
控制所述扫描信号为低电位， 使所述充电单元关断； 控制所述发光控制 信号为高电位， 使所述发光控制单元导通；
控制所述第一电压控制单元的输出电压为高电位； 控制所述第二电压控 制单元的输出电压为低电位， 从而使得所述第一发光单元发光；
所述对所述第二存储单元充电包括：
控制所述扫描信号为高电位， 使所述充电单元导通； 控制所述发光控制 信号为低电位， 使所述发光控制单元关断；
控制所述第一电压控制单元的输出电压由高电位变为低电位； 控制所述 第二电压控制单元的输出电压由低电位变为高电位， 从而实现对所述第二存 储单元充电；
所述控制所述第二发光单元发光包括：
控制所述扫描信号为低电位， 使所述充电单元关断； 控制所述发光控制 信号为高电位， 使所述发光控制单元导通；
控制所述第一电压控制单元的输出电压为低电位； 控制所述第二电压控 制单元的输出电压为高电位， 从而使得所述第二发光单元发光。
(三）有益效果
1.本发明控制第二晶体管和第三晶体管导通， 第一晶体管和驱动晶体管 不导通， 并对第一电压控制单元和第二电压控制单元的电位进行调整， 使得 数据信号对第一电容或第二电容充电， 而第一电容或第二电容所保存的电压 即为驱动管的栅源电压， 并且发光过程中电容与数据线连接的一端处于悬空 状态， 这样使得电容两端的电压始终保持恒定而不受线路内阻影响， 因而发 光的过程中消除了由线路内阻引起的 OLED发光显示不均匀问题，改善了画面 显 T 品质;
2.本发明通过第一电压控制单元和第二电压控制单元电位的交替变换， 削弱了 OLED中多余的载流子在 OLED内部的内建电场， 增强了载流子注入和 复合，提高了 OLED内部载流子和空穴的复合效率，延长了 OLED的使用寿命； 3. 本发明电路结构筒单， 适用于非晶硅、 多晶硅、 氧化物等工艺的薄 膜晶体管， 电路操作筒便， 易于大规模生产和应用。 附图说明
图 1是本发明实施例的 OLED交流驱动电路的电路图；
图 2是本发明实施例的 OLED交流驱动电路的实际电路图示例；
图 3是本发明的一个实际电路图对应的时序图；
图 4是本发明对第一电容充电的等效电路图；
图 5是本发明控制第一发光器件发光的等效电路图；
图 6是本发明对第二电容充电的等效电路图；
图 7是本发明控制第二发光器件发光的等效电路图；
图 8是本发明电路的另一种结构图；
图 9是本发明电路的另一种结构的时序图。 具体实施方式
下面结合附图和实施例， 对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。 以下实施例用于说明本发明， 但不用来限制本发明的范围。
为了解决 OLED发光引起的显示不均匀和 OLED的老化问题， 本发明提 供了一种 OLED交流驱动电路、 驱动方法及显示装置。
本发明实施例的 OLED交流驱动电路如图 1所示， 包括： 发光控制单元、 充电单元、 驱动单元、 第一存储单元、 第二存储单元、 第一发光单元、 第二 发光单元、 第一电压控制单元和第二电压控制单元。
所述发光控制单元分别与所述驱动单元、 第二存储单元和第一电压控制 单元连接； 用于在发光控制信号的控制下控制所述第一发光单元或第二发光 单元发光。
作为示例， 所述发光控制单元可以包括第一晶体管， 所述第一晶体管的 栅极连接发光控制信号； 所述第一晶体管的源极与所述第一电压控制单元连 接； 所述第一晶体管的漏极与所述驱动单元连接。
所述驱动单元分别与所述第一存储单元、 第二存储单元、 第一发光单元 和第二发光单元连接， 用于驱动所述第一发光单元或第二发光单元发光。
作为示例， 所述驱动单元可以包括驱动晶体管， 所述驱动晶体管的栅极 与所述第一存储单元的第一端和所述第二存储单元的第一端连接， 所述驱动 晶体管的源极和漏极分别与所述发光控制单元和所述第一存储单元的第二端 连接。 具体地， 所述驱动晶体管的源极经由所述发光控制单元与所述第二存 储单元的第二端连接。 如前所述， 所述驱动晶体管的源极和漏极可以互换。
所述充电单元分别与所述驱动单元、 第一存储单元、 第二存储单元、 第 一发光单元、 第二发光单元和第二电压控制单元连接； 用于在扫描信号和数 据信号的控制下对所述第一存储单元或第二存储单元进行充电。
作为示例， 所述充电单元可以包括第二晶体管和第三晶体管。
所述第二晶体管的栅极连接扫描信号； 所述第二晶体管的源极和所述驱 动晶体管的漏极连接；所述第二晶体管的漏极和所述第二电压控制单元连接。
所述第三晶体管的栅极连接扫描信号； 所述第三晶体管的源极连接数据 信号； 所述第三晶体管的漏极和所述驱动晶体管的栅极连接。
所述第一存储单元分别与所述第一发光单元、 第二发光单元、 驱动单元 和充电单元连接； 用于存储数据信号或导通所述驱动单元。 具体地， 所述第 一存储单元在充电时经由所述充电单元与所述第二电压控制单元连接， 用于 存储数据信号； 在导通所述驱动单元时经由所述第一发光单元或第二发光单 元与所述第二电压控制单元连接。
作为示例， 所述第一存储单元可以包括第一电容， 所述第一电容的两端 分别与所述第二晶体管的源极和所述第三晶体管的漏极连接。
所述第二存储单元分别与所述第一电压控制单元和驱动单元连接， 用于 存储数据信号或导通所述驱动单元。
作为示例， 所述第二存储单元可以包括第二电容， 所述第二电容的两端 分别与所述发光控制单元和所述驱动晶体管的栅极连接。
所述第一发光单元与所述第二电压控制单元连接， 用于在所述第一电压 控制单元、 第二电压控制单元、 充电单元和驱动单元的控制下发光。
作为示例， 所述第一发光单元可以包括第一发光器件， 所述第一发光器 件的阳极与所述驱动晶体管的漏极连接； 所述第一发光器件的阴极与所述第 二电压控制单元连接。
所述第二发光单元与所述第二电压控制单元连接， 用于在所述第一电压 控制单元、 第二电压控制单元、 充电单元和驱动单元的控制下发光。
作为示例， 所述第二发光单元可以包括第二发光器件， 所述第二发光器 件的阴极与所述驱动晶体管的漏极连接； 所述第二发光器件的阳极与所述第 二电压控制单元连接。
所述第一电压控制单元分别与所述发光控制单元和第二存储单元连接， 用于对所述第二存储单元和第一发光单元提供电能。
所述第二电压控制单元分别与所述充电单元、 第一发光单元和第二发光 单元连接， 用于对所述第一存储单元和第二发光单元提供电能。
所述第一发光器件和第二发光器件为有机发光二极管。
所述发光控制单元的第一晶体管、 所述充电单元的第二晶体管和第三晶 体管、 和所述驱动晶体管为 N型晶体管或 P型晶体管。
本发明的一个实际电路图如图 2所示， 本实施例中，发光控制单元、 充电 单元和驱动单元都用晶体管实现， 对应为第一晶体管、 第二晶体管、 第三晶 体管和驱动晶体管。 第一晶体管为发光控制单元； 第二晶体管和第三晶体管 组成充电单元； 驱动晶体管为驱动单元， 且以发光控制单元、 充电单元和驱 动晶体管为 N型晶体管为例进行说明。
如图 2所示，该 OLED交流驱动电路包括第一晶体管 Tl、 第二晶体管 Τ2、 第三晶体管 Τ3、 驱动晶体管 DTFT、 第一电容 Cl、 第二电容 C2、 第一发光器 件 OLEDl、 第二发光器件 OLED2、 第一电压控制单元和第二电压控制单元。
所述第一晶体管 T1的栅极连接发光控制信号； 第一晶体管 T1的源极和 第一电压控制单元连接； 第一晶体管 T1的漏极和驱动晶体管 DTFT的源极连 接。
所述驱动晶体管 DTFT的栅极和第三晶体管 T3的漏极连接； 驱动晶体管 DTFT的漏极分别与第二晶体管 T2的源极、 第一发光器件 OLED1的阳极和第 二发光器件 OLED2的阴极连接。
所述第二晶体管 T2的漏极、 第一发光器件 OLED1的阴极和第二发光器 件 OLED2的阳极分别与第二电压控制单元连接； 所述第三晶体管 T3的源极 连接数据信号； 所述第二晶体管 T2的栅极和第三晶体管 T3的栅极分别连接 扫描信号。
所述第一电容 C1的两端分别与驱动晶体管 DTFT的栅极和驱动晶体管 DTFT的漏极连接； 所述第二电容 C2的两端分别与第一晶体管 T1的源极和驱 动晶体管 DTFT的栅极连接。
所述第一发光器件 OLED1和第二发光器件 OLED2为有机发光二极管。 所述第一晶体管 Tl、 第二晶体管 Τ2、 第三晶体管 Τ3和驱动晶体管 DTFT 为 N型晶体管。
所述扫描信号用于导通第三晶体管 T3 , 使得数据信号加载到第一电容 C1或第二电容 C2上。
所述发光控制信号用于导通第一晶体管 T1 , 控制第一发光器件 OLED1 或第二发光器件 OLED2发光。
本发明实施例还提供了一种显示装置， 所述显示装置包括上述实施例 1 所述的 OLED交流驱动电路。
一种 OLED交流驱动电路的驱动方法， 以下以实施例 1所述的驱动电路 结构为例对本驱动方法进行说明。
该方法通过本发明的实际电路图对应的时序图（图 3 )进行说明。 图 3中， POWER1为第一电压控制单元的电压输出波形； POWER2为第二电压控制单 元的电压输出波形； Vdata为数据信号的波形； G为扫描信号的波形； EM为发 光控制信号的波形； n为第 n帧。
对应的操作可以分为以下个阶段。
1.第一存储单元充电阶段， 其中对所述第一存储单元（第一电容 C1 )充 电。
所述扫描信号为高电位， 所述充电单元导通； 所述发光控制信号为低电 位， 所述发光控制单元关断； 所述第一电压控制单元的输出电压由低电位变 为高电位； 所述第二电压控制单元的输出的电压由高电位变为低电位， 实现 对所述第一存储单元（第一电容 C1 )充电。
参考图 2和图 3 , 扫描信号为高电位， 所述第二晶体管 T2和第三晶体管 T3 导通； 发光控制信号为低电位， 所述第一晶体管 T1截止； 所述第一电压控制 单元的输出电压由低电位变为高电位； 所述第二电压控制单元的输出电压由 高电位变为低电位， 数据信号为数据电压， 实现对所述第一电容 C1充电。 本 阶段的第一电容 C1充电的等效电路图如图 4所示。
由于第二晶体管 T2开启， 第一发光器件 OLED1和第二发光器件 OLED2 被短路， s点电位为低电位 Vss。 由于第一晶体管 T1截止， 因此驱动晶体管 DTFT没有电流流过， 因此 s点上没有由于电流产生的压降， s点为电源设计 电压值， 因此， 充电后第一电容 C1两端的压差也不受内阻的影响。 因此， 充 电后第一电容 C1两端的电压 VC1为：
V v CI =V v data - V v SS
其中， 为数据信号的数据电压。
2.第一发光单元发光阶段， 其中控制所述第一发光单元（第一发光器件 OLED1 )发光。
所述扫描信号为低电位， 所述充电单元关断； 所述发光控制信号为高电 位， 所述发光控制单元导通； 所述第一电压控制单元的输出电压为高电位； 所述第二电压控制单元的输出电压为低电位， 使得所述第一发光单元（第一 发光器件 OLED1 )发光。
参考图 2和图 3 , 扫描信号为低电位， 第二晶体管 Τ2和第三晶体管 Τ3截 止； 发光控制信号为高电位， 第一晶体管 T1导通； 第一电压控制单元的输出 电压为高电位， 第二电压控制单元的输出电压为低电位， 使得第一发光器件 OLED1发光。 本阶段控制第一发光器件发光的等效电路图如图 5所示。
第一电压控制单元和第二电压控制单元的电位保持不变。 该阶段， 第一 发光器件 OLED1从此时开始转入交流驱动的正半周期， 并且将在该第一发光 单元发光阶段内处于交流驱动的正半周期即工作状态。 由于驱动晶体管 DTFT的栅极处于悬空状态， 因此， 驱动晶体管 DTFT的栅源电压（如前所述， 由于驱动晶体管 DTFT的源极和漏极可以互换， 此时图 2中所示的驱动晶体管 DTFT与 s点连接的电极被用作源极， 而与 T1连接的电极被用作漏极） 即为第 一电容 C1两端的电压。 因此：
V v gs = V v CI = V v data - V v SS
其中， gs为 g点和 s点之间的电压。
通过驱动晶体管 DTFT的驱动电流， 即第一发光器件 OLED1的发光电流 Ioledl为： 为与工艺和驱动设计有关的常数； Vthd为驱动晶体管 DTFT的阈值电 压。 驱动电流受数据信号的数据电压 ν??Ω和驱动管阈值电压 ν?ω影响， 对于 电学均匀性差的 LTPS工艺来说是一个问题， 然而对于氧化物薄膜场效应晶 体管 TFT来说， TFT的阈值电压均匀， 对所有点的 TFT来说， 氧化物 TFT的阈 值相差不大， 不再是一个主要的问题。
另外， 对于第二发光器件 OLED2来说， 从该阶段开始， 第二发光器件 OLED2处于反向偏置， 即第二发光器件 OLED2转入交流驱动的负半周期， 而且第二发光器件 OLED2将在该第一发光单元发光阶段内都处于负半周期。 当负半周电压来到时， 这些多余空穴和电子则改变运动方向， 朝着相反的方 向运动， 相对地消耗了这些多余的电子和空穴， 从而削弱了由正半周的多余 载流子在第二发光器件 OLED2内部形成的内建电场， 进一步增强了下一个正 半周的载流子注入及复合， 最终有利提高复合效率。 另外， 负半周的反向偏 压处理可以"烧断 (Burn out)"某些局部导通的微观小通道 "细丝 (Filaments)" , 这种细丝实际上是由某种"针孔"引起的， 针孔的消除对于延长器件的使用寿 命是相当重要的。 因此， 第二发光器件 OLED2在该第一发光单元发光阶段中 处于恢复期。
3.第二存储单元充电阶段， 其中对所述第二存储单元（第二电容 C2 )充 电。
所述扫描信号为高电位， 所述充电单元导通； 所述发光控制信号为低电 位， 所述发光控制单元关断； 所述第一电压控制单元的输出电压由高电位变 为低电位； 所述第二电压控制单元的输出电压由低电位变为高电位， 实现对 所述第二存储单元（第二电容 C2 ) 充电。
参考图 2和图 3 , 扫描信号为高电位， 第二晶体管 T2和第三晶体管 T3导 通； 发光控制信号为低电位， 第一晶体管 T1截止并且驱动晶体管 DTFT也截 止； 第一电压控制单元的输出电压由高电位变为低电位； 第二电压控制单元 的输出电压由低电位变为高电位， 数据信号为数据电压， 实现对第二电容 C2 充电。 本阶段对第二电容充电的等效电路图如图 6所示。
第一电压控制单元的输出电压从高电位跳变为低电位， 第二电压控制单 元的输出电压从低电位跳变为高电位。 由于第二晶体管 T2导通， 第一发光器 件 OLED1和第二发光器件 OLED2被短路， s点电位为高电位。 由于第一晶体 管 T1截止， 因此驱动晶体管 DTFT没有电流流过， 因此第一电压控制单元所 提供的电压值为电源的设计电压值， 因此， 充电后第二电容 C2两端的压差也 不受内阻的影响。 第二电容 C2两端的电压 Ve2为：
V Y C2 =V v data - V Y SS
4.第二发光单元发光阶段， 其中控制所述第二发光单元（第二发光器件 OLED2 )发光。
所述扫描信号为低电位， 所述充电单元关断； 所述发光控制信号为高电 位， 所述发光控制单元导通； 所述第一电压控制单元的输出电压为低电位； 所述第二电压控制单元的输出电压为高电位， 使得所述第二发光单元（第二 发光器件 OLED2 )发光。
参考图 2和图 3 , 扫描信号为低电位， 第二晶体管 T2和第三晶体管 T3截 止； 发光控制信号为高电位， 第一晶体管 T1导通； 第一电压控制单元的输出 电压为低电位， 第二电压控制单元的输出电压为高电位， 使得第二发光器件 OLED2发光。 本阶段控制第二发光器件发光的等效电路图如图 7所示。
第一电压控制单元和第二电压控制单元的电位保持不变。 该阶段， 第二 发光器件 OLED2从此时开始转入交流驱动的正半周期， 并且将在该第二发光 单元发光阶段内处于正半周期即工作状态。 由于驱动晶体管 DTFT的栅极处 于悬空状态， 因此， 驱动晶体管 DTFT的栅源电压（如前所述， 由于驱动晶体 管 DTFT的源极和漏极可以互换， 此时图 2中所示的驱动晶体管 DTFT与 s点连 接的电极被用作漏极， 而与 T1连接的电极被用作源极）即为第二电容 C2两端 的电压。 因此：
V Y gs =V Y C2 =V γ data - V γ SS
通过驱动晶体管 DTFT的驱动电流， 即第二发光器件 OLED2的发光电流 I 1 oled2为- ·
I oled2 ~ Vgs ^thd ~ Vdata ^SS ^ thd
为与工艺和驱动设计有关的常数； ViM为驱动晶体管 DTFT的阈值电 压。 驱动电流受数据电压和驱动管阈值电压影响， 对于电学均匀性差的 LTPS工艺这是一个问题， 然而对于氧化物薄膜场效应晶体管 TFT来说， TFT 的阈值电压均匀， 对所有点的 TFT来说， 氧化物 TFT的阈值相差不大， 不再 是一个主要的问题。
另外， 对于第一发光器件 OLED1来说， 从该阶段开始， 第一发光器件 OLED1处于反向偏置， 即第一发光器件 OLED1转向交流驱动的负半周期， 而且第一发光器件 OLED1将在该第二发光单元发光阶段内都处于负半周期， 即第一发光器件 OLED1在该第二发光单元发光阶段中处于恢复期。
本发明的交流驱动方式较直流驱动方式有着许多无可比拟的优势。 本发 明利用包含两颗反向连接的 OLED发光二极管的电路， 使得相邻的两帧时间 内两颗 OLED交替发光， 在同一帧时间里只有一颗发光二极管发光显示， 而 另一颗处于反向偏置， 当下一帧到来时， 两者交换。 对于每颗 OLED而言，正 半周的发光机制与正向直流驱动时完全一样， 而且交流驱动的负半周却起着 十分重要的作用。 即在正半周电压过后， OLED的空穴传输层 /发光层 (或发 光层 /电子传输层)界面处积累了未复合的多余空穴 (或电子） ， 当负半周电压 来到时， 这些多余空穴和电子则改变运动方向， 朝着相反的方向运动， 相对 地消耗了这些多余的电子和空穴。 由于对任何一颗 OLED正向偏置和反向偏 置的时间相等， 因此彻底实现了 OLED的交流驱动， 从而削弱了由正半周的 多余载流子在 OLED内部形成的内建电场， 进一步增强了下一个正半周的载 流子注入及复合， 提高了能量的利用效率。 最终有利提高复合效率。 另外， 负半周的反向偏压处理可以 "烧断 (Burn out)"某些局部导通的微观小通道 "细 丝 (Filaments)", 这种细丝实际上是由某种"针孔"引起的， 针孔的消除对于延 长器件的使用寿命是相当重要的。 同时该电路利用在数据写入阶段， 调整电 源电平， 使驱动电路中没有电流流过， 使得对存储电容充电的电源电平达到 设计值， 消除了线路内阻对发光电流的影响， 改善了画面显示的品质。
本发明还提供了另一个可选的方案如图 8所示， 与上述本发明的方案相 比， 该可选方案将第二晶体管 T2、 第三晶体管 Τ3换成了 Ρ型晶体管， 省去了 用于产生发光控制信号的发光控制器， 同时该电路只需要一个扫描信号。 图 9 为对应图 8的时序图。 电路的操作同主要的方案完全一样。
当然该电路可以经过筒化、 替代、 组合轻易改成 P-MOS或 CMOS电路， 但只要不违背本发明的实质都属于本发明范畴。
本发明所述的显示装置可以为 OLED显示面板、 OLED电视、 OLED显示 器、 手机、 pad或电子书等。
以上实施方式仅用于说明本发明， 而并非对本发明的限制， 有关技术领 域的普通技术人员， 在不脱离本发明的精神和范围的情况下， 还可以做出各 种变化和变型， 因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴， 本发明的专 利保护范围应由权利要求限定。
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