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3D NAND闪存技术 英睿达MX300固态硬盘评测
天极网硬件频道
作者：shadow
责编：毛少欣
13D NAND闪存技术 英睿达MX300固态硬盘评测
　　【天极网DIY硬件频道】在3D NAND方面，美光可以说是涉及的比较晚的，这不，在今年年中，全新一代面向主流的MX系列―英睿达MX300，就采用了自产的3D NAND TLC颗粒。3D NAND闪存技术客服了传统平面NAND架构的密度性能和耐久性局限。
　　作为全新一代主流产品，英睿达MX300在性能上也一点都不含糊。英睿达 MX300 对所有文件类型的读取速度高达 530 MB/s，写入速度高达 510 MB/s，从而让用户几乎能够瞬时启动、轻松加载程序和加速要求苛刻的应用。
　　这款还采用 Micron 3D NAND 技术，通过利用更大容量的NAND 单元实现高达 220TB 总写入字节的耐用性等级，从而提供一流的性能，并延长使用寿命。那么这一款产品到底表现如何呢？我们马上进入今天的评测，接下来请看我们详细报告。
2英睿达MX300 750GB固态硬盘详细介绍
　　英睿达MX300 750GB详细介绍：
　　英睿达MX300系列固态7mm厚度、2.5英寸设计，为铝制外壳，延续了一贯英睿达MXSSD系列的特点，深色贴纸银色字条，背面贴着铭牌，它采用SATA3.0接口，配件里有一个9.5mm的转换支架。
　　英睿达MX300采用Marvell 88SS1074主控芯片，顺序读取/写入速度可达到530/510MB/S，随机读取/写入速度可达到92K/83K，不但维持稳定高速传输，还能让您体验到快速效能。
　　同时英睿达 MX300还提供全面的、业界领先的功能，其中包括：基于硬件的 AES 256 位加密，确保个人和机密数据安全，AIN 技术，通过将数据存储在硬盘上的多个位置中来提升可靠性，“专用数据防护”，防止文件受损，“自适应热保护”，保持系统散热。
　　此外，英睿达 MX300 的能效比普通硬盘提升 90 多倍。硬盘自带的 Extreme Energy Efficiency 技术可减少有效功耗，此外，较之功率高达6.8W 的普通硬盘，该硬盘功率仅为 0.075W，可延长的寿命。
3英睿达MX300 750GB固态硬盘测试平台介绍
　　英睿达MX300 750GB平台介绍：
　　对于本次测试，我们就不用说了，肯定是我们的重头戏，技嘉Z170X-Designare主板，具有超高的品质和可玩性。而处理器方面我们选择目前性能最强劲的酷睿i7-6700k处理器，在数据处理方面拥有最优秀的表现。
　　我们这次测试采用高端测试平台，酷睿i7-6700k处理器+技嘉Z170X-Designare主板平台，不仅要保证充分发挥的性能，也要更大程度的提升SSD的运行速度.
　　测试系统，我们将使用简体中文版Windows 8.1 64bit版本的，下面是具体平台介绍：
4英睿达MX300 750GB固态硬盘测试：ATTO Disk Benchmark测试
　　英睿达MX300 750GB：ATTO Disk Benchmark测试
　　ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件，可以用来检测、、及其它可移动磁盘的读取及写入速率。 该软件使用了不同大小的数据测试包， 数据包按0.5K， 1.0K， 2.0K直到8192.0KB分别进行读写测试，测试完成后数据用柱状图的形式表达出来。能够很好的说明文件大小比例不同时对磁盘读取、写入速度的影响。
　　在ATTO Disk Benchmark测试中，英睿达MX300 750GB固态硬盘的读取速度表现可以说是非常突出的，最大读取可达到530MB/s，最大写入速度为495MB/s.这也归功于 独一无二的动态写入加速技术，还为用户提供更为安全、快速、稳定、耐用的产品使用体验。
5英睿达MX300 750GB固态硬盘测试：CrystalDiskMark测试
　　英睿达MX300 750GB：CrystalDiskMark测试
　　CrystalDiskMark是一个测试检测工具,简单易于操作的界面让你随时可以测试你的存储设备,测试存储设备大小和测试数字都可以选择,还可测试可读和可写的速度。 接下来我们利用CrystalDiskMark软件进行读写方面的数据测试。
　从CrystalDiskMark测试看，英睿达MX300 750GB固态硬盘的读取速度达到463.9MB/s，而写入速度也达到495.1MB/s。其中4K QD32队列深度测试中的读取速度达到353.5MB/s，写入速度达到323.2MB/s。由此可见，英睿达MX300 750GB固态硬盘的持续读写速度是非常不错的。
6英睿达MX300 750GB固态硬盘测试：AS SSD Benchmark测试
　　英睿达MX300 750GB：AS Benchmark测试
　　AS SSD Benchmark是一款专门的固态基准性能测试，它的测试内容很全面，包括了4个方面的测试(顺序读写、4K随机读写、64线程4K读写、寻道时间)。在测试中，测试文件的大小为1G Byte。通过AS SSD Benchmark的测试，可以很全面的了解一款SSD的性能。
　　在这次AS SSD Benchmark测试中，英睿达MX300 750GB固态硬盘随机最大读取速度为469.94MB/s，最大写入速度为477.23MB/s。4K读取速度为26.16MB/s，写入速度为96.96MB/s。以上成绩，可以表示英睿达MX300 750GB固态硬盘在此次测试中性能表现还是不错的。
7英睿达MX300 750GB固态硬盘测试：Fastcopy测试
　　英睿达MX300 750GB：Fastcopy测试
　　Fastcopy是一款速度非常快的文件拷贝软件，其功能强大，性能优越，能充分挖掘文件系统和驱动器的能力，并且支持计数和计时。我们要利用这个软件进行测试，我们选择一个容量为10GB的文件进行复制，以下是测试数据。
　　复制操作是用户平时用得最多的写入操作之一，从测试结果上来看，英睿达MX300 750GB固态硬盘传输以10GB文件仅用了72.70秒，测试成绩优秀，这也充分体现了英睿达MX300 750GB固态硬盘超强的传输性能。
8英睿达MX300 750GB固态硬盘测试：PCMArk8
　　英睿达MX300 750GB：PCMArk8
　　PCMark8内置了多个测试项目，其中Storage测试项目针对性能做出评定，包括两款游戏以及各种办公应用测试。分别为《》和《》的游戏载入测试，Photoshop，Adobe InDesign，Adobe After Effects，Adobe lllustrator，微软Office Word、Office Excel以及Office PowerPoint等十项测试。
　　这些应用和软件能够很好的模拟用户实际的使用情况，从而综合分析出此款固态硬盘的最终成绩。
　　PCMark8实测成绩，能够比较客观评价固态硬盘产品在实际中的表现，根据上图一些小项的测试以及总分，我4968的总分足以和部分品牌的旗舰机相抗衡，可见该固态硬盘在实际表现中依旧强悍。
9英睿达MX300 750GB固态硬盘全文测试总结
　　英睿达MX300 750GB全文总结：
　　英睿达MX30就性能而言，该固态凭借强悍的读写性能，大幅缩短了启动应用程序的时间，大大提高了的使用效率，远不止于此，MX300 提供全面的、业界领先的功能，比如，掉电保护、自适应热保护，AES-256硬件加密等，为用户提供高效稳定且耐用的使用体验，绝对是主流用户首选。
　　更令人惊喜的是，它的售价才是最吸引人的， 750GB的大容量价格仅售1959元。那么在英睿达MX300的出色的性能表现上我们还有什么理由不去选购呢。（作者：shadow责任编辑：毛少欣）
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软件数码办公IT新闻闪存_百度百科
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的，数据删除不是以单个的为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的（基本程序）、（）、数码相机中保存等。
闪存是一种非易失性，即断电数据也不会丢失。因
运用闪存的数码产品
为闪存不像（）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代。
（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储的存储器，一般应用在，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（）、Compact Flash（）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（）、Memory Stick（）、XD-Picture Card（XD卡）和（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
闪存技术特点
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像
单片机闪存
，有独立的和，但价格比较贵，比较小；而NAND型更像，地址线和数据线是共用的I/O线，类似的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储，我们常用的闪存产品，如、数码存储卡都是用NAND型闪存。这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速，无噪音，散热小。用户空间容量需求量小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的（如500G），就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的。
闪存按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡
闪存按品牌分
矽统（SIS）、、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、、爱国者、、、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士
【NAND型闪存】内存和NOR型闪存的基本存储单元是，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512的倍数。所谓的有效容量是指用于的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存的技术资
料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块（sector）为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页（page），容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。
时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输信息包，每包传送8位地址信息。由于容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
而比我们平常用的U盘存储量更大，速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了，它采用低功耗，高性能的闪存存储芯片，以提高应用程序性能。由于它们直接插到服务器中，数据位置接近服务器的处理器，相比其它通过基于磁盘的存储网络路径来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集
型工作负载，比如事务处理应用。在PCIe闪存卡方面，LSI公司新的Nytro产品，扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业。LSI推出了三款产品，到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存适配器卡市场。LSI Nytro产品战略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用闪存存储、LSI的SAS集成控制器和来自公司收购的闪存控制器制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用加速卡容量从200GB到3.2TB不等。Nytro XD应用加速存储解决方案的软件和硬件的组合。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能高速缓存软件，以提高在存储区域网络(SAN)和直接附加存储(DAS)实现中的I/O速度。最后，还有Nytro MegaRAID应用加速卡，它结合了MegaRAID控制器与板载闪存和缓存软件，LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端，针对串行连接SCSI(SAS)DAS环境的性能增强解决方案。
微软的SQL Server产品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的闪存产品在微软服务器环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长，
“闪存存储技术，如LSI的Nytro应用加速产品组合，可以用来加速关键业务应用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强，这些技术的重要性将继续增长。”
闪存存储原理
要讲解闪存的存储原理，还是要从和说起。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
闪存应用前景
“”是闪存走进日常生活的最明显写照，其实早在U盘之前，闪存已经出现在许多电子产品之中。传统的存储数据方式是采用RAM的易失存储，没电了数据就会丢
失。采用闪存的产品，克服了这一毛病，使得数据存储更为可靠。除了闪存盘，闪存还被应用在中的BIOS、PDA、数码相机、、手机、数字电视、游戏机等电子产品中。
追溯到1998年，进入市场。接口由USB1.0发展到2.0再到最新的USB3.0，速度逐渐提高。的盛行还间接促进了的推广。为什么U盘这么受到人们欢迎呢？
闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到64GB可选，突破了1.44MB的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用接口，读写速度比高许多。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。且采用支持的USB接口，使用非常方便。
闪存正朝大容量、低、低成本的方向发展。与传统硬盘相比，闪存的读写速度高、功耗较低，市场上已经出现了闪存硬盘，也就是SSD硬盘，该硬盘的性价比进一步提升。随着制造工艺的提高、成本的降低，闪存将更多地出现在日常生活之中。
闪存决定因素
闪存页数量
前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512Mb、1Gb的需要4个周期，而2、4Gb的需要5个周期。
闪存页容量
每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存（4Gb）提高了页的容量，从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读（稳定）时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。
闪存读取性能
NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面（随机读稳定时间）→数据传出（每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次）。
K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M实际读：512字节÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量约提高读性能20%。
闪存写入性能
NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。
闪存块容量
块是擦除操作的，由于每个块的擦除时间几乎相同（擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计），块的容量将直接决定擦除性能。大容量NAND型闪存的页容量提高，而每个块的页数量也有所提高，一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB，1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。可以看出，在相同时间之内，前者的擦速度为后者8倍！
闪存I/O位宽
以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品
开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为（1K+32）×16bit。
模仿上面的计算，我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。
的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率可达33MHz。
闪存制造工艺
可以影响的密度，也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。
综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。
1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K）Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。
A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。
闪存发展过程
闪存发展历史
在1984年，的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性（也就是所存储的数据在掉电后不会丢失），其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM（可擦除）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为。它由于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。
闪存市场分析
闪存市场仍属于群雄争霸的未成熟时期。、、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。
由于战略上的一些错误，Intel在第一次让出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。
AMD闪存业务部门Spansion同时生产NAND和NOR闪存。它上半年的NOR闪存产量几乎与Intel持平，成为NOR闪存的最大制造商。该公司在上半年赢利为13亿美元，几乎是它整个公司利润额（25亿美元）的一半以上。
总体而言，Intel和AMD在上半年成绩喜人，但三星和日立却遭受挫折。
据市场调研公司iSuppli所做的估计，全球的闪存收益将达到166亿美元，比2003年（116.4亿美元）上涨46%。消息者对数码相机、USB sticks和压缩式内存的需求将极大推动闪存的销售。据预测，2005年闪存的销售额将达到175亿美元。不过，iSuppli估计，2005年至2008年闪存的利润增涨将有所回落，最高将达224亿美元。
闪存替代品
与许多寿命短小的相比，闪存以其16年的发展历程，充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初，闪存才初入市场；至2000年，利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任，曾说：“就闪存的生命周期而言，我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信，闪存的销售仍具有上升空间，并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌宣布，其位于的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米制造工艺，每月制造超过10,000片晶圆。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
此外，Intel技术与制造集团副总载Stefan Lai认为，在2008年之前，闪存将不可替代。2006年，Intel将首先采用65纳米技术；到2008年，正在研发的新一代45技术将有望投放市场。Stefan Lai觉得，预测仍然比较浅显，或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但Stefan Lai也承认，2008年至2010年，新的技术可能会取而代之。
尽管对闪存替代品的讨论越来越激励，闪存仍然受到市场的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器，而且在速度和写周期上略胜一筹。此外，生产成本也应该相对低廉。由于制造技术还不成熟，新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。下面就让我们来认识一下几种能的：
闪存与硬盘比
如果单从储存上来说 ，闪存比硬盘好。这是指的速度还有抗震度来说（闪存不存在抗震）。
1．闪存的体积小。并不是说闪存的集成度就一定会高。微硬盘做的这么大一块主要原因就是微硬盘不能做的小过闪存，并不代表微硬盘的集成度就不高。
2．相对于硬盘来说闪存结构不怕震，更抗摔。硬盘最怕的就是强烈震动。虽然我们使用的时候可以很小心，但老虎也有打盹的时候，不怕一万就怕万一。
3．闪存可以提供更快的数据读取，硬盘则受到转速的限制。
4．闪存存储数据更加安全，原因包括：
1.其非机械结构，因此移动并不会对它的读写产生影响；
2.广泛应用的机械型硬盘的使用寿命与读写次数和读写速度关系非常大，而闪存受影响不大；
3.硬盘的写入是靠磁性来写入，闪存则采用电压，数据不会因为时间而消除。
5．质量更轻。
1、材料贵，所以单位容量更贵。
2、读写速度相对较慢。
闪存问题解决
1.什么是usb2.0
usb 2.0是usb技术的新版本。传输速率高达480mbps，是usb1.1的40倍。适合新型高速。它继承了usb 1.1的易用性，、免安装驱动，完全兼容usb1.1标准，您已经购买的usb1.1 设备和连接线仍然可以继续使用。
2.关于USB要知道：
USB1.1的闪存盘读速一般为630KB，写速一般为520KB；USB2.0的读速一般为1.5MB，写速一般为1.0MB
usb2.0设备接在usb1.1接口上，但受usb1.1的速度限制 发挥不了USB2.0效果。
同时使用usb2.0和usb1.1设备，在os 9.x系统中使用usb2.0设备可以，但必须安装驱动程序；但是这些并不支持usb2.0，该设备在这些系统中只能工作在usb1.1模式
6.读写盘时，是否可以运行其它？
7.闪存盘可擦写多少次？闪存盘里的数据能保存多久？
闪存盘可擦写1000000次，闪存盘里数据可保存10年
8.一台电脑可同时接几个闪存盘？
理论上一台电脑可同时接127个闪存盘，但由于驱动器英文字母的排序原因 以及现有的驱动器需占用几个英文字母，故闪存盘最多只可以接23个（除开 A、B、C) 且需要USB HUB的协助。
9.闪存盘在DOS状态下能否使用
闪存盘支持WINDOWS虚拟DOS方式（启动Windows后在附件中进入）。
10.闪存盘支持WINDOWS 95吗
闪存盘不支持WINDOWS 95操作系统，建议用户升级操作系统至WINDOWS98或以上版本。
11.WINDOWS NT4.0下闪存盘如何使用
12.闪存盘可以在什么驱动程序下使用？
A9 Windows98、Windows ME、Windows 2000、Windows XP、Windows7、Windows8、Windows8.1、MAC OS、Linux。
13.闪存盘是否需要驱动程序？
在Mac OS 、Windows 2000以上版本上不需要，在Win 98上需要驱动程序
14.闪存盘可以在Windows 98 / Windows 2000 / Mac OS下被格式化吗
15.闪存盘的内容能否加密？
16.闪存盘在里是否可以共享？
17.闪存盘可以存储哪些类型的数据？
所有电脑数据都可以存储，包括文件、、图象、音乐、多媒体等。
18.安装闪存盘时是否需要关闭电脑？
不需要，闪存盘是即插即用型产品，可以进行插拔。
19.闪存盘可以防水吗？
闪存盘是电子类产品，掉入水中后可能会造成闪存盘内部短路而损坏。
20.插拔闪存盘时，有哪些注意事项
当闪存盘指示灯快闪时，即电脑在读写闪存盘状态下，不要拔下闪存盘；当插入闪存盘后，最好不要立即拔出。特别是不要反复快速插拔，因为操作系统需要一定的反应时间，中间的最好在5秒以上。
21.闪存盘是否会感染病毒？
闪存盘像所有硬盘一样可能感染病毒
22.闪存盘用于电脑时，并且USB接口在电脑的后面时，有什么办法使之更方便？
通过一条USB转接电缆（具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle）与电脑连接
23.存盘的LED灯显示表示什么含义？
当LED灯亮的时候，它表示闪存盘连接成功暂时没有数据传输。当LED闪烁的时候，它表示闪存盘正在数据传输过程中。
24.当闪存盘的LED还在闪时，是否可以拔出闪存盘？
不可以。会使闪存盘的数据丢失或使FAT表破坏且出现蓝屏。当操作系统读闪存盘时它会使电脑出现蓝屏。
25.闪存盘上的文件出现或文件打不开
使用闪存盘专用工具做格式化
26.双击闪存盘盘符时，电脑提示闪存盘需格式化
当闪存盘分区表遭到破坏或是闪存盘性能不稳定时，会出现上述现象。出现这种问题，一般可以使用闪存盘专用工具做格式化
27.闪存盘写保护不起作用，在写保护状态，数据也能够顺利写入。
28.切换闪存写保护开关，需要在断开与电脑的联接的状态下进行。如果是在与电脑联接状态下切换了写保护开关，需要重新插拔一次闪存，才能切实使切换起作用。
磁荷随机存储器
两家公司都认为，MRAM不仅将是闪存的理想替代品，也是DRAM与SRAM的强有力竞争者。今年六月，英飞凌已将自己的第一款产品投放市场。与此同时，Freescale也正在加紧研发，力争推出4M bit芯片。
但是，一些评论者担心MRAM是否能达到闪存存储单元的尺寸。根据英飞凌的报告，闪存存储单元的尺寸为0.1&m&sup2；，而16M bit MRAM芯片仅达到1.42 &m&sup2；。另外，MRAM的生产成本也是个不小的问题。
OUM(Ovonic Unified Memory Ovonyx标准化内存）
OUM是由Intel研发的，利用Ge、Sb与Te等化合物为材料制成的薄膜。OUM。OUM的写、删除和读的功能与CD-RW与DVD-RW相似。但CD/DVD使用激光来加热和改变称为硫系化合物（chalcogenides）的材料；而OUM则通过电晶体控制，使其产生相变方式来储存资料。
OUM的擦写为10的12次方，100次数据访问时间平均为200纳秒。OUM的速度比闪存要快。尽管OUM比MRAM的数据访问时间要慢，但是低廉的成本却是OUM的致胜法宝。
与MRAM不同，OUM的发展仍处于初期。尽管已制成测试芯片，它们仅仅能用来确认概念而不是说明该技术的可行性。Intel在过去四年一直致力于OUM的研发，并正在努力扩大该市场。
除了上文提到的MRAM和OUM，其它可替代的产品还有MRAM (FeRAM）、 Polymer memory (PFRAM）、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM (CBRAM）、 Organic RAM (ORAM）以及最近的Nanotube RAM (NRAM）。替代闪存的产品有许多，但是哪条路能够成功，以及何时成功仍然值得怀疑。
对大多数公司而言，闪存仍是一个理想的投资。不少公司已决定加大对闪存的投资额。此外，据估计，到2004年，闪存总产值将与DRAM并驾齐驱，到2006年将超越DRAM产品。
．比特网．[引用日期]
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