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1内存的标压和低压大不同&&&&&购买电脑或者笔记本时，都是一个重要的参数，很多硬件小白即使对于电脑什么都不懂也知道要看内存有多大，频率是多少。从这点就能够反映出内存对于普通用户的重要性了，的确内存对于电脑的运算有着很重要的影响。而选购内存的时你是否忽略了它是低压还是高压呢？对于小白而言买个内存条回去想提升自己电脑性能，结果却发现不支持。这才是真悲剧。那么到底低压内存和高压内存有什么区别呢？它们之间哪个好呢？今天笔者就对此做了一番调查。希望能够帮助到有选购内存的用户们。内存的标压和低压傻傻分不清低压内存&&&&很多人在使用笔记本过程中，经常都会关注自己的CPU性能，我们会看到笔记本CPU型号后面有通常“U”，“M”等字样，而“U”是低压的意思，“M”是标压的意思。内存也同样有低压高压分别，选购时一定要注意&2低压内存是什么低压是什么&&&&目前DDR4尚未大规模的普及开来，所以笔者就拿市场主流的作为讲解的对象。　　和DDR3L很多小白用户也许会问为什么后面多了一个L，其实这个L就代表着低压内存。首先我们要说的是，低压内存这个概念主要是针对笔记本而言的，在Haswell之前的上一代lvyBridge平台上，英特尔就加入了对DDR3L内存的支持，包括联想Yoga在内的很多lvyBridge平台超极本就已经武装上这种低压内存了。可惜，lvyBridge时代的DDR3L内存还属于“稀缺资源”，在2013年初市面上能买到的DDR3L内存也就仅有镁光(&Crucial)和三星黑武士等几款而已。但从Haswell开始，“DDR3L”这种低压版内存走进了我们的视野。标准电压版光威4GB低电压版光威4GB笔记本内存&&&&笔记本内存的标签上都合有一组“PC3-XXXXX”或“PC3L-XXXXX”的参数，其中PC3就代表该内存为标准版的DDR3，工作电压为1.5V；而PC3L则意味着该内存为低压版的DDR3L，工作电压为1.35V（还有1.28V之说）。&&&&DDR3L全称“DDR3&Low&Voltage”(低电压版DDR3)，DDR3和DDR3L也就是在电压规格上不一样，DDR3是标准电压1.5V，而DDR3L是低电压1.35V，DDR3L是JEDEC固态技术协会向社会免费公开了低电压版内存标准规范“JEDEC&DDR3L”，将运行电压从标准版DDR3的1.5V进一步降低到了1.35V，并保持功能上的全面兼容，在同等性能和负载下相比标准版DDR3功耗可降低15％或者更多，而相比于1.8V&DDR2更是可以节能40％，举个例子，也就是说一根4G&DDR3L&1600笔记本内存要比DDR3节省2W功耗，如果组成双通道就节省4W。3笔记本用户只能选低压内存笔记本用户只能选低压&&&&更持久的使用时间一直是笔记本不断追求的核心卖点，CPU通过不断降低的TDP来延长续航时间，而内存条则借助不断降低的电压来减小电池的消耗。从最早的SD内存(3.3V)、DDR1(&2.6V)、DDR2(&1.8V)、(&1.5V)再到DDR3L(1.35V/1.28V)以及DDR3U(&1.25V)，内存的“升级史”其实也是电压的“降级史”，其目的就是减小耗电量和降低发热量（性能不受影响）。笔记本选低压内存&&&&所以笔记本用户在升级本条时要看清说明，有的笔记本只支持低压内存，换句话来说低压内存也就是为笔记本等这样对于体积和续航有一定要求的设备设计的，所以购买内存时千万要注意，不要不小心购买了PC的标压内存，回头笔记本却不能用，造成了经济上的损失。　　相反台式机用户就不需要选择低压内存了，虽然说低电压的内存在性能上并不比标准电压的内存差多少，但目前市面上卖的大多还是标准电压DDR3，毕竟我们不缺那点电费和钱，别出现机器上装一条1.5V的DDR3，然后又搭配一条1.35V的DDR3L。4低压内存DDR3L在什么平台下适用低压DDR3L在什么平台下适用&&&&我们知道低压内存是从Haswell平台开始大量进入消费者视线，那么低压版的DDR3L能否工作在Haswell平台以外的笔记本上？”&Skylake-S支持DDR3L低压内存&&&&这个答案是肯定的，&DDR3L内存可以工作在非Haswell平台。理论上Sandy&Bridge（2011年发布，下文简称SNB，属于二代智能酷睿处理器）和更老的Calpella（2010年发布，第一代智能酷睿处理器）平台笔记本的1&.5V内存插槽也能识别这种低压版的内存。而且DDR3L与标准的互相兼容，可以混搭使用并正常工作在双通道模式下。但需要注意的，DDR3L内存普遍从单条4GB容量起步，甚至还有单条8GB的版本。但是，包括Calpella平台在内的老款笔记本（芯片组为HM55、GM45/PM45或更老），也就是2011年之前的机器最高仅支持单条。还有就是最新发布的Skylake-S仅支持DDR4以及DDR3L两种内存，不支持内存了。消费者在购买时需要了解自己的电脑平台之后在进行选择购买。
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三星（SAMSUNG）4G/8G DDR4 2133 笔记本内存条 PC4-2133P 笔记本原厂幻影金条(4G)
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三星（SAMSUNG）4G/8G DDR4 2133 笔记本内存条 PC4-2133P 笔记本原厂幻影金条(4G)
商品名称：三星（SAMSUNG）4G/8G DDR4 2133 笔记本内存条 PC4-2133P 笔记本原厂幻影金条(4G)
店铺名称：拾宝商城电脑专营店
品牌：三星（SAMSUNG）
型号：4G DDR4 2133P
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三星（SAMSUNG）
4G DDR4 2133P
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1DDR4内存新特性解析&&&&如果搭配Haswell-E处理器的X99平台是DDR4的首秀，那么Skylake为首的Intel&100系列芯片组则正式将DDR4内存推向大众，现如今DDR4内存的价格不断走低，已经有全面取代DDR3之势，相比DDR3内存，DDR4内存频率起跳就是2133MHz，一些高频内存都达到了3200MHz，围绕着DDR4内存的规格及应用下面将以系列篇章形式全面解析DDR4。&&&&DDR4内存新特性&&&&1.外观&一直以来，内存的金手指都是直线型的，而DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了。其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。DDR4内存新特性&&&&2.带宽和频率&DDR4内存显著提高了频率和带宽，在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank&Group的设计。每个Bank&Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank&Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank&Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank&Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank&Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank&Group，则变相的预取值提高到了32n。3DS（3-Dimensional&Stack，三维堆叠）技术&&&&3.容量&DDR4内存使用了3DS（3-Dimensional&Stack，三维堆叠）技术，用来增大单颗芯片的容量，单条内存容量被提升至128GB，而即使是消费桌面版也有16GB，四条就可以组建64GB容量。3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。&&&&4.电压和功耗&DDR4内存电压降至1.2V，另外DDR4内存还采用了TCSE&(&Temperature&Compensated&Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature&Compensated&Auto&Refresh，温度补偿自动刷新，和T&CSE类似）、DBI（Data&Bus&Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术，降低内存运行功耗。&&&&进入到DDR4内存时代，内存制造商数量又出现了不少新鲜面孔，但内存颗粒（DRAM）上游生厂商就剩下三星、SK&Hynix和美光，在DDR3时代风躁一时的尔必达并没有拿出相应的产品。内存的性能（频率和时序）影响因素最重要莫过于内存颗粒本身，内存颗粒的特性决定了内存可以达到的内存频率和时序，高的频率和低的时序组合就是更出色的内存读写性能。下面就来介绍三星、SK&Hynix和美光各自DDR4内存颗粒。2DDR4内存颗粒--三星篇&&&&三星桌面PC&DDR4内存颗粒共包含K4A4G045WD、K4A4G085WD、K4A8G045WB、K4A8G085WB四款产品，均已量产，其中K4A4G045WD、K4A4G085WD两款单颗容量为4Gb，K4A8G045WB、K4A8G085WB两款则为8Gb，其中4Gb颗粒适用于组建4Gbx8=4GB单面单条内存，而8Gb颗粒既可以组建8Gbx8=8GB单面单条内存，也可以8Gbx16=16GB双面单条内存。三星DDR4内存颗粒规格参数&&&&三星桌面DDR4内存颗粒均采用了2xnm工艺，工作电压为1.2V，封装接口为78FBGA。DDR3时代广受好评的“黑条”&超频性能也出众&&&&从DDR3时代起三星内存的超频性能就非常优秀，DDR4颗粒超频能力得到了继承，不少产品风冷超频就可以实现4000MHz，而SK&Hynix和美光鲜有产品能够与之匹敌。采用三星DDR4内存颗粒的宇瞻刀锋战士Blade&DDR4&3000内存&&&&三星的DDR4内存颗粒供应商主要包括芝奇（F4-GTZ）、宇瞻（刀锋战士Blade&DDR4&3000）、海盗船（复仇者DDR4&2666MHz）等，另外三星自家的内存也会使用这些内存颗粒。3DDR4内存颗粒--SK Hynix篇&&&&在2015年早期SK&Hynix主打DDR4内存颗粒为H5AN8G8NMFR（8Gb）和H5AN4G8NMFR（4Gb），这些产品的默认频率较低，一般以普条DDR4&2133MHz较多，同时超频能力也比较一般，即使加电压超频也没有帮助。SK&Hynix&DDR4内存颗粒规格参数&&&&进入到2015年下半年，SK&Hynix开始推出了H5AN8G8NMFR（8Gb）和H5AN4G8NMFR（4Gb）的更新版本--H5AN8G6NAFR（8Gb）、H5AN8G8NAFR（8Gb）、H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb）四款产品，其最大的特性是可以加压超频，同时频率也得到了显著提升。采用SK&Hynix&MFR内存颗粒的金士顿DDR4内存&&&&虽然AFR取代MFR非常成功，但是AFR和竞争对手三星相比，在高频上依然有所不足，所以那些DDR4内存超频榜单基本被三星所占据。不过从官方数据表中我们可以看出，2016年Q4&SK&Hynix还将会推出以BFR后缀的内存颗粒产品，规格容量和目前AFR保持一致，也提供单颗4Gb和8Gb版本，可以提供单条4GB、8GB、16GB的内存解决方案。&&&&SK&Hynix内存颗粒的下游供应商较多，最典型的就是金士顿（HyperX&Predator系列、HyperX&Fury系列）、宇帷Avexir、威刚（XPG系列）等。4DDR4内存颗粒--美光篇&&&&美光目前已经量产的DDR4内存颗粒主要包括三款MT40A1G8PM-083E、MT40A2G4PM-083E、MT40A512M16HA-083E，其余产品均处于流片阶段或者交付阶段，单颗容量均为8Gb，三者的内存位宽分别为x8、x4、x16，三款产品均只需双面16颗就可以组成16GB单条。美光DDR4内存颗粒规格参数&&&&在DDR3时代，美光引以为傲的D9颗粒除了优秀的超频性能，还拥有所以内存颗粒最出色的时序参数，DDR3&-9这样的参数成为DDR3时代的绝唱。进入到DDR4内存时代，美光颗粒并没有带来期待已久的D9传奇，同第一代SK&Hynix&MFR内存颗粒一样，内存频率平平，同时超频不吃电压，基本处于超不动的状态。采用美光DDR4内存颗粒的海盗船复仇者LPX&DDR4&2400内存&&&&美光MT40A1G8PM-083E、MT40A2G4PM-083E、MT40A512M16HA-083E三款内存颗粒官方定义的频率均为DDR4&2400MHz，CL时序也均为16，所以市面上采用美光颗粒的内存频率基本都是DDR3&2400，例如海盗船复仇者LPX&DDR4&2400（CMK8GX4M1A2400C14），不过内存时序被优化到14，但频率基本超不动。&&&&不过在美光的官方产品列表中我们看到了大量的DDR4内存颗粒处于流片或交付阶段，不知道这些新的产品是否会回归D9时代的超频传奇，带来更高的频率和更优秀的时序。
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