高端光刻机生产商asml是生产CPU的么

我国能生产光刻机吗?答案绝对会出乎你的意料我国能生产光刻机吗?答案绝对会出乎你的意料大华聊娱乐百家号我们国家可以生产,最高可以生产大概是60纳米左右的,对32纳米来说,不知道要等几年;实验室可以流片多少纳米未知,全球来说,ASML是欧洲跟美洲几十个国家企业一起出资供养的,原来日本可以生产,后来投入太大,被终止了,现在能适应市场的就只有ASML生产的光刻机,其它公司生产出来也没什么用的;在2018年今年7纳米光刻机就有了,2020年就是4纳米,2022年就有2纳米,这些都是生产线的计划,光刻机的进度是在生产线之前;最大的问题是ASML的研发速度这么快,是大量资金跟资源堆出来的;我国向追上去,很难,除非有其它特别的突破,不然先进制程永远无法民用。本文仅代表作者观点,不代表百度立场。系作者授权百家号发表,未经许可不得转载。大华聊娱乐百家号最近更新:简介:大华聊娱乐,每日视频精彩推荐作者最新文章相关文章查看: 584|回复: 6
芯片制造的核心-光刻机
  指甲盖大小的芯片,密布千万电线,纹丝不乱,需要极端精准的照相机——光刻机。光刻机精度,决定了芯片的上限。高精度光刻机产自ASML、尼康和佳能三家;顶级光刻机由ASML垄断。
  “十二五”科技成就展览上,上海微电子装备公司(SMEE)生产的中国最好的光刻机,与中国的大飞机、登月车并列。它的加工精度是90纳米,相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准。国外已经做到了十几纳米。
  祖传的磨镜手艺
  光刻机跟照相机差不多,它的底片,是涂满光敏胶的硅片。电路图案经光刻机,缩微投射到底片,蚀刻掉一部分胶,露出硅面做化学处理。制造芯片,要重复几十遍这个过程。
  位于光刻机中心的镜头,由20多块锅底大的镜片串联组成。镜片得高纯度透光材料+高质量抛光。SMEE光刻机使用的镜片,得数万美元一块。
  ASML的镜片是蔡司技术打底。镜片材质做到均匀,需几十年到上百年技术积淀。
  “同样一个镜片,不同工人去磨,光洁度相差十倍。”SMEE总经理贺荣明说,他在德国看到,抛光镜片的工人,祖孙三代在同一家公司的同一个职位。
  另外,光刻机需要体积小,但功率高而稳定的光源。ASML的顶尖光刻机,使用波长短的极紫外光,光学系统极复杂。
  3万个机械件都要可靠
  有顶级的镜头和光源,没极致的机械精度,也是白搭。光刻机里有两个同步运动的工件台,一个载底片,一个载胶片。两者需始终同步,误差在2纳米以下。两个工作台由静到动,加速度跟导弹发射差不多。
  贺荣明说:“相当于两架大飞机从起飞到降落,始终齐头并进。一架飞机上伸出一把刀,在另一架飞机的米粒上刻字,不能刻坏了。”
  而且,温湿度和空气压力变化会影响对焦。“机器内部温度的变化要控制在千分之五度,得有合适的冷却方法,精准的测温传感器。”贺荣明说。
  SMEE最好的光刻机,包含13个分系统,3万个机械件,200多个传感器,每一个都要稳定。像欧洲冠军杯决赛,任何一个人发挥失常就要输球。
  图纸不是关键
  2002年SMEE成立,是中国政府为了填补光刻机空白而立项。贺荣明去德国考察时,有工程师告诉他:“给你们全套图纸,也做不出来。”贺荣明几年后理解了这句话。
  并不是说图纸不重要,贺荣明说,如何将系统的误差分配到子系统,设计有高下之分。但顶级光刻机也需要细节上的技术洁癖。“一根光纤,一行软件编码,一个小动作,如果不兢兢业业做好,整个系统就不优秀。”贺荣明说。
  “发展光刻机,需要高素质的人群。所以我们做来做去,做最多的是培养人,改变人。”贺荣明说,这需要他们用五十年一百年的长远眼光去做事情,而不是期望几个月解决问题。
  如今SMEE每年增加数百项专利,活得很好,以中低端市场支持高端研发。而国际巨头仍在前进,发展浸没式光刻机(光在水中波长更短)、磁悬浮驱动(减少工作面震动)、反射镜代替透镜技术、真空腔体的极紫外光学系统……          
所以像光刻机,蒸镀机,还有多轴机床这些机器才是根本。很多人只看到苹果三星产品销量大,却不知道背后的故事,只有德国和日本才有的技术
光刻机中国造不出来 一开始就落后的东西 造出来也落后20年 追到同等水平40年持平
最有可能的追赶路径是:在耐心追击中沉淀人才和技术积累,守望技术革命契机弯道超车
不要一个中兴事件就把国际合作抛弃了。下一代光刻机。日本两家企业也不搞了。不但中国搞不出来。美国也搞不出来。
好的就荷兰那家吧,年产量也很少,华为也不过是有生产能力还是台积电代工的,何况新的7nm的技术
光刻机主要是荷兰和日本制造,现在最先进的当属荷兰的
嘎里个兄弟们!进来望啊子啥~
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法律顾问:北京市邦盛(泰州)律师事务所吴桂宽律师 电话:挥刀进军10nm!台积电将引进EUV光刻机
日 10:28&&&转载:&& 作者:上方文Q&&
  泡泡网CPU频道11月27日&光刻系统供应商荷兰ASML近日宣布,台积电已经订购了两台量产型的NXE:3350B EUV极紫外光刻机,将在2015年交付使用。   具体报价没有公布,但据称应该接近1亿美元级别——同样是ASML EUV光刻机客户的(还有IBM、)认为合理价格应在2000万美元左右。   另外,台积电此前已经购买的两台NXE:3300B也将在ASML的协助下,升级到与NXE:3350B相同的水平。   据了解,台积电购买的EUV极紫外光刻机初期将用于300毫米晶圆、10nm工艺,未来还会考虑导入到450毫米晶圆上(目前只有做出来了)。   今年第三季度,台积电在EUV技术上的晶圆曝光速度已经达到每天600块,如果顺利的话2016年可达1500块每天。   台积电的10nm工艺虽然还在理论研究阶段,但已经有10多家客户基于它进行了产品设计,涉及基带、GPU、服务器芯片、游戏机、FPGA等等,预计2015年下半年就会有客户完成流片,2015年底试产,2016年底或者2017年量产。   按照台积电董事长张忠谋的说法,10nm可以比16nm FinFET工艺带来25%的性能提升、45%的功耗下降、120%的栅极密度增加。■
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