mocvd 磁流阀 液压电磁阀故障排除 怎么办

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-05-25 13:24 标签： 科鲁兹碳罐电磁阀故障
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&&&MOCVD设备反应室的设计与分析
MOCVD设备反应室的设计与分析
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value="金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)自20世纪60年代首次提出以来，经过70年代至80年代的发展，90年代已经成为砷化镓、磷化铟等半导体材料外延生长制备的核心技术。到目前为止，从材料和器件性能及生产成本综合来看还没有其它方法能与之相比。　　
因为MOCVD在制备GaN蓝光LED等方面具有广泛的应用前景和显著的市场需求。在产业化规模加大的同时，也导致国际性相互之间严重的技术保密和封锁，严重阻碍了研究的进展速度。从III族氮化物半导体研究的现状和发展趋势看，这种情况短时期内不会有大的改变。由于进口设备价格和维护费用非常昂贵，我国必须要进行该领域研究，必须要有自己的核心工艺和核心设备，尤其是MOCVD设备，必须尽快实现技术突破和产业化。　　
我国现阶段MOCVD设备研制尚处于起步阶段，很多核心技术都不成熟。尚未解决的问题很多，比如自主知识产权，成本控制，计算机模拟仿真等，都与国际水平相差甚远。大多数研究机构由于种种原因，甚至于完全没有能力自主制造MOCVD设备。　　
本文即在此背景下对MOCVD设备的结构，尤其是反应室设计与改进等内容进行了较深入的研究。主要研究结果如下：　　
1.成功地参与了GaN晶体生长用MOCVD系统研制。本人所在课题组在西电第一代MOCVD设备研制的基础上经过深入研究，提出第二代MOCVD系统设计方案。并着重在第一代反应室设计的基础上进行完善与优化，设计一个可满足3片2英寸基片生长的反应室。解决的关键技术问题有：石墨基座转动机构的设计、三个石墨基座的同步加热、生长的准确测量与控制、反应室气流分布和石墨基座温度分布的设计。　　
2.共同合作将MOCVD设备反应室优化设计后的温度场和气体流场进行了模拟分析。通过ANSYS有限元建模分析的方法，模拟得到MOCVD反应室和石墨基座内的电磁场分布、感应焦耳热分布及反应室内气体流场压力图和流速图。从理论上证明了本设备设计具有明显的优点。"/>
金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)自20世纪60年代首次提出以来，经过70年代至80年代的发展，90年代已经成为砷化镓、磷化铟等半导体材料外延生长制备的核心技术。到目前为止，从材料和器件性能及生产成本综合来看还没有其它方法能与之相比。　　
因为MOCVD在制备GaN蓝光LED等方面具有广泛的应用前景和显著的市场需求。在产业化规模加大的同时，也导致国际性相互之间严重的技术保密和封锁，严重阻碍了研究的进展速度。从III族氮化物半导体研究的现状和发展趋势看，这种情况短时期内不会有大的改变。由于进口设备价格和维护费用非常昂贵，我国必须要进行该领域研究，必须要有自己的核心工艺和核心设备，尤其是MOCVD设备，必须尽快实现技术突破和产业化。　　
我国现阶段MOCVD设备研制尚处于起步阶段，很多核心技术都不成熟。尚未解决的问题很多，比如自主知识产权，成本控制，计算机模拟仿真等，都与国际水平相差甚远。大多数研究机构由于种种原因，甚至于完全没有能力自主制造MOCVD设备。　　
本文即在此背景下对MOCVD设备的结构，尤其是反应室设计与改进等内容进行了较深入的研究。主要研究结果如下：　　
1.成功地参与了GaN晶体生长用MOCVD系统研制。本人所在课题组在西电第一代MOCVD设备研制的基础上经过深入研究，提出第二代MOCVD系统设计方案。并着重在第一代反应室设计的基础上进行完善与优化，设计一个可满足3片2英寸基片生长的反应室。解决的关键技术问题有：石墨基座转动机构的设计、三个石墨基座的同步加热、生长的准确测量与控制、反应室气流分布和石墨基座温度分布的设计。　　
2.共同合作将MOCVD设备反应室优化设计后的温度场和气体流场进行了模拟分析。通过ANSYS有限元建模分析的方法，模拟得到MOCVD反应室和石墨基座内的电磁场分布、感应焦耳热分布及反应室内气体流场压力图和流速图。从理论上证明了本设备设计具有明显的优点。
摘要： 金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)自20世纪60年代首次提出以来，经过70年代至80年代的发展，90年代已经成为砷化镓、磷化铟等半导体材料外延生长制备的核心技术。到目前为止，从材料和器件性能及生产成本综合来看还没有其它方法能与之相比。　　
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导入中央配送系统　MOCVD成LED主流制程
为缩短LED磊晶生产周期，制造商无不致力改善有机金属前导物的配送品质；而使用大容量供给罐的中央配送系统，可较当前业界常用的机载系统，提供更好的配送精度，有助提高MOCVD制程的参数稳定性，因而已日益受到市场重视。
　　为缩短磊晶生产周期，制造商无不致力改善有机金属前导物的配送品质；而使用大容量供给罐的中央配送系统，可较当前业界常用的机载系统，提供更好的配送精度，有助提高MOCVD制程的参数稳定性，因而已日益受到市场重视。　　自20年前蓝色发光二极体(LED)制程完善以来，LED的发光效率已显著增长。相较于白炽灯而言，LED耗电量更少，寿命更长，不含汞且兼具持久性效能，在在有助减缓与全球暖化相关的二氧化碳排放量，因而在照明光源领域的商用潜力十足。目前LED发光效率已接近100流明/瓦(lm/W)，与白炽灯相当，但要达到最大发光效率，就须控制好生产LED材料所需的磊晶制程，以确保LED发光品质。　　操作简易/控制严密　MOCVD成LED主流制程　　在LED材料方面，红色和黄色LED系采用AlInGaP(As)材料制成，该材料用于LED制造已有50年历史，近来许多用来制造这种材料和膜层的新兴化学制程也陆续问世，其中一种制程被称为有机金属化学气相沉积(MOCVD)，具有沉积膜材质优异、严密的制程控制和易于操作等特性，使其成为目前大规模生产LED的专用制程。现阶段，MOCVD亦可用来生产蓝、绿LED的基础材料GaInAlN。　　至于三五族(III-V)半导体的MOCVD制程，主要则藉由五族的氢化物与三族的烷基发生反应，进一步生成成分符合要求的半导体。　　事实上，LED发光颜色取决于膜系中晶体的成分和各层厚度，所以须精确调控厚度和成分才能创造出想要的LED，由于人眼对色相的敏感度一般在5奈米(nm)左右，所以光输出的波长须控制在小于5奈米或1%的变动范围内，而如此精密的规格，势必对MOCVD制程带来严格要求。有鉴于波长对矽晶片温度和化学物添加速度这两个参数的变动最为敏感，业界正在开发新的仪器和方法，让MOCVD设备对此两项参数进行精密控制。　　虽然MOCVD是目前最直接且最具成本效率的LED磊晶层制造方法，且相关制作流程已非常成熟，但是，LED业者在制程上仍不乏新的挑战。一方面是LED制程发展极快，另一方面则是业界欲以规模经济降低LED制造成本，这一点从LED的价格历史可获得印证，在LED性能大幅提升的同时，价格通常保持不变。　　在给定电流条件下，优质LED发射的光波长、光谱和强度均能保持极佳水准，而发光规格不在此严格范围之内，但也有良好性能的LED则有较宽松的应用领域，例如玩具和童鞋，这些应用的LED定价将远低于汽车大灯所用的优质价格。
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