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电子电路基础知识
1.电路基础知识1.1 Vss, VDD, VEE, Vcc 的区别说法一： VCC、VDD、VEE、VSS 是指芯片、分解电路的电源集结点，具体接电源的极性需视器件材料 而定。 VCC 一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管 C 极， VEE 是指连接到集成或 分解电路内部三极管的 E 极。 同样，VDD、VSS 就是指连接到集成内部、分解电路的场效应 管的 D 和 S 极。 例如是采用 P 沟 E/DMOS 工艺制成的集成，那么它的 VDD 就应接电源的负， 而 VSS 应接正电源。 它们是这样得名的： VCC 表示连接到三极管集电极（C）的电源。 VEE 表示连接到三极管发射极（E）的电源。 VDD 表示连接到场效应管的漏极（D）的电源。 VSS 表示连接到场效应管的源极（S）的电源。 通常 VCC 和 VDD 为电源正，而 VEE 和 VSS 为电源负或者地。 说法二： VDD,VCC,VSS,VEE,VPP 区别 VDD:电源电压（单极器件）；电源电压（4000 系列数字电 路）；漏极电压（场效应管） VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74 系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier) VSS:地或电源负极 VEE：负电压供电；场效应管的源极（S） VPP：编程/擦除电压。 详解： 在电子电路中，VCC 是电路的供电电压, VDD 是芯片的工作电压： VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D=device 表示器件的意思, 即器件 内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般 Vcc&Vdd ! VSS：S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。 有些 IC 同时有 VCC 和 VDD， 这种器件带有电压转换功能。 在“场效应”即 COMS 元件中，VDD 乃 CMOS 的漏极引脚，VSS 乃 CMOS 的源极引脚， 这 是元件引脚符号，它没有“VCC”的名称，你的问题包含 3 个符号，VCC / VDD /VSS， 这显 然是电路符号。1.2 TTL 电平与 CMOS 电平的区别1，TTL 电平：输出高电平&2.4V,输出低电平&0.4V。在室温下，一般输出高电平是 3.5V，输出低电平 是 0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平&=2.0V，输入低电平&=0.8V，噪声容限是 0.4V。 2，CMOS 电平： 1 逻辑电平电压接近于电源电压，0 逻辑电平接近于 0V。而且具有很宽的噪声容限。 3，电平转换电路： 因为 TTL 和 COMS 的高低电平的值不一样（ttl 5v&＝＝&cmos 3.3v），所以互相连接 时需 要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈 4，OC 门，即集电极开路门电路，OD 门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源 才能 将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱 动门电路。 5，TTL 和 COMS 电路比较： 1）TTL 电路是电流控制器件，而 coms 电路是电压控制器件。 2）TTL 电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS 电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS 电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正 常 现象。 3）COMS 电路的锁定效应： COMS 电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增 大 。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS 的内部电流能达到 40mA 以上，很 容易 烧毁芯片。 防御措施： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。 2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止 VDD 端出现瞬间的高压。 3）在 VDD 和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。 4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启 COMS 电路得 电 源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭 COMS 电路的电源。 6，COMS 电路的使用注意事项 1）COMS 电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所 以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。 2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的 电流限制在 1mA 之内。 3）当接长信号传输线时，在 COMS 电路端接匹配电阻。 4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为 R=V0/1mA.V0 是 外界电容上的电压。 5）COMS 的输入电流超过 1mA，就有可能烧坏 COMS。 7，TTL 门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）： 1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2）在门电路输入端串联 10K 电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低 电 平。因为由 TTL 门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于 910 欧时， 它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电 平。这个一定要注意。COMS 门电路就不用考虑这些了。 8，TTL 电路有集电极开路 OC 门，MOS 管也有和集电极对应的漏极开路的 OD 门，它的 输出就叫 做开漏输出。 OC 门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管 截 止的时候，它的基极电流约等于 0，但是并不是真正的为 0，经过三极管的集电极的电流也 就不是真正的 0，而是约 0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC 门的输出就是开漏输出； OD 门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了 能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD 门一般作为输出缓冲/ 驱 动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。 9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？ TTL 集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做 OC 门。因 为 TTL 就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式 输出，高电平 400UA，低电平 8MA1.3 LSB 的定义当选择模数转换器(ADC)时，最低有效位(LSB)这一参数的含义是什么？有位工程师 告诉我某某生产商的某款 12 位转换器只有 7 个可用位。也就是说，所谓 12 位的转 换器实际上只有 7 位。他的结论是根据器件的失调误差和增益误差参数得出的，这两 个参数的最大值如下： 失调误差 =±3LSB， 增益误差 =±5LSB， 乍一看，觉得他似乎是对的。从上面列出的参数可知最差的技术参数是增益误差 (±5 LSB)。进行简单的数学运算，12 位减去 5 位分辨率等于 7 位，对吗？果真如此 的话，ADC 生产商为何还要推出这样的器件呢？增益误差参数似乎表明只要购买成 本更低的 8 位转换器就可以了，但看起来这又有点不对劲了。正如您所判断的，上面 的说法是错误的。 让我们重新来看一下 LSB 的定义。考虑一个 12 位串行转换器，它会输出由 1 或 0 组成的 12 位数串。通常，转换器首先送出的是最高有效位(MSB)(即 LSB + 11)。 有些转换器也会先送出 LSB。在下面的讨论中，我们假设先送出的是 MSB(如图 1 所 示)，然后依次送出 MSB-1 (即 LSB + 10)和 MSB -2(即 LSB + 9)并依次类推。转 换器最终送出 MSB -11(即 LSB)作为位串的末位。 LSB 这一术语有着特定的含义，它表示的是数字流中的最后一位，也表示组成满 量程输入范围的最小单位。对于 12 位转换器来说，LSB 的值相当于模拟信号满量程 输入范围除以 212 或 4,096 的商。如果用真实的数字来表示的话，对于满量程输入 范围为 4.096V 的情况，一个 12 位转换器对应的 LSB 大小为 1mV。但是，将 LSB 定义为 4096 个可能编码中的一个编码对于我们的理解是有好处的。 让我们回到开头的技术指标，并将其转换到满量程输入范围为 4.096V 的 12 位 转换器中： 失调误差 = ±3LSB =±3mV， 增益误差 =±5LSB = ±5mV， 这些技术参数表明转换器转换过程引入的误差最大仅为 8mV(或 8 个编码)。这 绝不是说误差发生在转换器输出位流的 LSB、 LSB-1、 LSB-2、 LSB-3、 LSB-4、 LSB-5、 LSB-6 和 LSB-7 八个位上，而是表示误差最大是一个 LSB 的八倍(或 8mV)。准确地 说，转换器的传递函数可能造成在 4,096 个编码中丢失最多 8 个编码。丢失的只可能 是最低端或最高端的编码。例如，误差为+8LSB ((+3LSB 失调误差) + (+5LSB 增益 误差)) 的一个 12 位转换器可能输出的编码范围为 0 至 4,088。丢失的编码为 4088 至 4095 。 相 对 于 满 量 程 这 一 误 差 很 小 仅 为 其 0.2% 。 与 此 相 对 ， 一 个 误 差 为 -3LSB((-3LSB 失调误差)(-5LSB 增益误差))的 12 位转换器输出的编码范围为 3 至 4,095。此时增益误差会造成精度下降，但不会使编码丢失。丢失的编码为 0、1 和 2。 这两个例子给出的都是最坏情况。在实际的转换器中，失调误差和增益误差很少会如 此接近最大值。1.4 场效应管及三级管型号大全晶体管型号 IRFU020 IRFPG42 IRFPF40 IRFP9240 IRFP9140 IRFP460 IRFP450 IRFP440 IRFP353 IRFP350 IRFP340 IRFP250 IRFP240 IRFP150 反压 Vbe0 50V V 200V 100V 500V 500V 500V 350V 400V 400V 200V 200V 100V 电流 Icm 15A 4A 4.7A 12A 19A 20A 14A 8A 14A 16A 10A 33A 19A 40A 功率 Pcm 42W 150W 150W 150W 150W 250W 180W 150W 180W 180W 150W 180W 150W 180W 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * 管子类型 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 PMOS 场效 应 PMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 管子类型 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效晶体管型号 IRFP140 IRFP054 IRFI744反压 Vbe0 100V 60V 400V电流 Icm 30A 65A 4A功率 Pcm 150W 180W 32W放大系数 * * *特征频率 * * *应 IRFI730 IRFD9120 IRFD123 IRFD120 IRFD113 IRFBE30 IRFBC40 IRFBC30 IRFBC20 IRFS9630 IRF9630 IRF0V 80V 100V 60V 800V 600V 600V 600V 200V 200V 200V 4A 1A 1.1A 1.3A 0.8A 2.8A 6.2A 3.6A 2.5A 6.5A 6.5A 1A 32W 1W 1W 1W 1W 75W 125W 74W 50W 75W 75W 20W * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 PMOS 场效 应 PMOS 场效 应 PMOS 场效 应 管子类型 PMOS 场效 应 PMOS 场效 应 PMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效晶体管型号 IRF9541 IRF9531 IRF9530 IRF840 IRF830 IRF740 IRF730反压 Vbe0 60V 60V 100V 500V 500V 400V 400V电流 Icm 19A 12A 12A 8A 4.5A 10A 5.5A功率 Pcm 125W 75W 75W 125W 75W 125W 75W放大系数 * * * * * * *特征频率 * * * * * * *应 IRF720 IRF640 IRF630 IRF610 IRF541 IRF540 IRF530 IRF440 400V 200V 200V 200V 80V 100V 100V 500V 3.3A 18A 9A 3.3A 28A 28A 14A 8A 50W 125W 75W 43W 150W 150W 79W 125W * * * * * * * * * * * * * * * * NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 管子类型 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NMOS 场效 应 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN晶体管型号 IRF230 IRF130 BUZ20 BUZ11A BS170 2SC17 2SC97 2SC42 2SC19 2SC06反压 Vbe0 200V 100V 100V 50V 60V 600V 550V V V 800V V 500V电流 Icm 9A 14A 12A 25A 0.3A 15A 3A 8A 12A 12A 7A 2A 15A 10A 7A功率 Pcm 79W 79W 75W 75W 0.63W 75W 30W 60W 75W 200W 40W 30W 250W 250W 50W放大系数 * * * * * * * * * * * * * * *特征频率 * * * * * * * * * * * * * * 20MHZ晶体管型号 2SC38 2SC98 2SC87 2SC07 2SC86 2SC66 2SC07 2SC3783 晶体管型号 2SC80 2SC95 2SC05 2SC57 2SC55 2SC10 2SC55 2SC1507 晶体管型号反压 Vbe0 600V 50V 100V V 50V 120V 180V V 500V 900V 200V 30V 900V 反压 Vbe0 V 900V 30V 500V 900V V 20V 20V 500V 500V 100V 20V 300V电流 Icm 15A 0.1A 10A 25A 15A 3A 0.2A 12A 8A 8A 12A 3A 17A 2A 5A 电流 Icm 10A 7A 5A 0.5A 15A 6A 6A 3A 0.15A 0.15A 15A 5A 15A 0.02A 0.2A功率 Pcm 130W 0.3W 35W 250W 250W 20W 1.3W 130W 50W 50W 75W 40W 200W 1.2W 100W 功率 Pcm 200W 120W 100W 1.2W 100W 80W 100W 50W * * 80W 40W 100W 0.25W 15W 功率 Pcm放大系数 * * * * * 1000 * * * * * * * * * 放大系数 * * * 90 13 12 12 12 * * * 20 * * * 放大系数特征频率 * 180MHZ * * * * 400MHZ 30MHZ 8MHZ 8MHZ 30MHZ * 20MHZ 260MHZ * 特征频率 * * * * * * * * 7000MHZ 6500MHZ * * * 550MHZ * 特征频率管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN( 达 林 顿) NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型反压 Vbe0 电流 Icm2SC22 2SC08 2SC900 2SC828 2SC815 2SC380 2SC106 2SB29 2SB75 2SB17 晶体管型号 2SB43 2SB38 2SB79 2SB4 2SB817 2SB772 2SB744 2SB734 2SB688 2SB675 2SB66936V 60V 35V 80V 30V 45V 60V 35V 60V 120V 180V 120V 60V 80V 180V 反压 Vbe0 100V 40V 40V 80V 60V 100V 100V 60V 160V 40V 70V 60V 120V 60V 70V6A 0.1A 1.5A 0.7A 0.03A 0.05A 0.2A 0.03A 1.5A 25A 15A 6A 3A 4A 15A 电流 Icm 2A 3A 2A 0.7A 3A 20A 7A 3A 12A 3A 3A 1A 8A 7A 4A40W 0.25W 10W 0.8W 0.25W 0.25W 0.25W 0.25W 15W 120W 150W 25W 2W 30W 150W 功率 Pcm 10W 1W 1W 1W 25W 100W 40W 30W 100W 10W 10W 1W 80W 40W 40W* * * * * * * * * * *175MHZ 100MHZ * 50MHZ 100MHZ * * * * * *NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP( 达 林 顿） PNP PNP( 达 林 顿） PNP PNP PNP 管子类型 PNP( 达 林 顿） PNP PNP PNP PNP PNP( 达 林 顿） PNP( 达 林 顿） PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP( 达 林 顿） PNP( 达 林 * * * * 放大系数 15000 * * * *
* * * * * * * * * * * 特征频率 * 70MHZ 100MHZ 100MHZ 75MHZ * * * * * * * * * *顿） 晶体管型号 2SB649 2SB647 2SB449 2SA85 2SA16 2SA44 2SA02 2SA95 2SA16 晶体管型号 2SA23 2SA09 2N5 2N1 2N3 2N5 2N9 2N2222 晶体管型号 反压 Vbe0 180V 120V 50V 230V 400V 200V 180V 200V 100V 120V 200V 200V 230V 140V 180V 反压 Vbe0 50V 150V 50V 350V 650V 60V 180V 160V 160V 160V 450V 100V 60V 40V 60V 反压 Vbe0 电流 Icm 1.5A 1A 3.5A 15A 1A 2A 12A 17A 1.5A 1A 15A 10A 17A 10A 17A 电流 Icm 0.15A 0.05A 2A 2A 15A 50A 50A 0.6A 0.6A 16A 1A 15A 0.6A 0.5A 0.8A 电流 Icm 功率 Pcm 1W 0.9W 22W 150W 1W 25W 130W 200W 2W 10W 150W 100W 200W 30W 200W 功率 Pcm 0.15W 0.75W 0.9W 15W 175W 300W 300W 0.6W 0.6W 150W 1W 115W 0.4W 0.3W 0.5W 功率 Pcm 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * 200 * 45 放大系数 特征频率 * 140MHZ * * 140MHZ 20MHZ 25MHZ 20MHZ 80MHZ 120MHZ * * * * * 特征频率 * * * * * * * 100MHZ 100MHZ * * * * 800MHZ * 特征频率 管子类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP 管子类型 PNP PNP PNP PNP NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型14 11 TIP147 TIP142 TIP127 TIP122 TIP102 TIP42C TIP41C TIP36C TIP35C30V 50V 50V 50V 50V 50V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 反压 Vbe00.05A 0.1A 0.1A 0.5A 0.5A 0.03A 10A 10A 8A 8A 8A 6A 6A 25A 25A 电流 Icm 3A 3A 2.5A 4A 1.5A 10A 0.5A 0.5A 16A 16A 20A 50A 50A 20A 50A 电流 Icm 15A 10A 15A0.4W 0.4W 0.4W 0.6W 0.6W 0.4W 125W 125W 65W 65W 2W 65W 65W 125W 125W 功率 Pcm 40W 40W 60W 60W 14W 75W 20W 20W 250W 250W 175W 300W 300W 250W 200W 功率 Pcm 175W 80W 150W* * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * *1G 150MHZ 150MHZ * * 150MHZ * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * *NPN PNP NPN NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN NPN PNP NPN PNP NPN 管子类型 PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPNTIP32C TIP31C MJE13007 MJE13005 MJE13003 MJE2955T MJE350 MJE340 MJ15025 MJ15024 MJ13333 MJ11033 MJ11032 MJ10025 MJ10016 晶体管型号 BUS13A BUH515 BU2532100V 100V V 400V 60V 300V 300V 400V 400V 400V 120V 120V 850V 500V 反压 Vbe0 V 1500VBU2527 BU2525 BU2522 BU2520 BU2508 BU2506 BU932R BU806 BU406 BU323 BF458 BD682 晶体管型号 MJ10015 MJ10012 MJ4502 MJ3055 MJ2955 MN650 BUX98A BUX84 BUW13A BUV48A BUV28A BUV26 BUT12A BUT11A BUS14A 晶体管型号 BD681 BD244 BD243 BD238V V 700V V 400V 400V 450V 250V 100V 反压 Vbe0 400V 400V 90V 60V 60V V 800V V 225V 90V 450V V 反压 Vbe0 100V 45V 45V 100V15A 12A 11A 10A 8A 7A 15A 8A 7A 10A 0.1A 4A 电流 Icm 50A 10A 30A 15A 15A 6A 30A 2A 15A 15A 10A 14A 10A 5A 30A 电流 Icm 4A 6A 6A 2A150W 150W 150W 150W 125W 50W 150W 60W 60W 125W 10W 40W 功率 Pcm 200W 175W 200W 115W 115W 80W 210W 40W 150W 150W 65W 65W 125W 100W 250W 功率 Pcm 40W 65W 65W 25W* * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * ** * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * *NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN( 达 林 顿) NPN PNP 管子类型 NPN NPN( 达 林 顿) PNP NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN PNP NPN PNPBD237 BD138 BD137 BD136 BD135 BC547 BC546 BC338 BC337 BC327 BC307 晶体管型号 2SDK55 2SD88 2SD34 2SD55 2SD12 2SD97 2SD93 2SD78100V 60V 60V 45V 45V 50V 80V 50V 50V 50V 50V 反压 Vbe0 400V 00V V 180V 60V 60V 80V 40V 60V 50V 100V 120V2A 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A 0.2A 0.2A 0.8A 0.8A 0.8 0.2AA 电流 Icm 4A 12.5A 3A 7A 5A 25A 15A 1A 3A 1A 3A 1A 0.1A 2A 1.5A25W 12.5W 12.5W 12.5W 12.5W 0.5W 0.5W 0.6W 0.6W 0.6W 0.3W 功率 Pcm 60W 120W 1.2W 100W 80W 125W 150W 1.2W 2W 1.5W 1.5W 1W 0.4W 10W 1W* * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * ** * * * * 300MHZ * * * * * 特征频率 * * * * *NPN PNP NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN PNP PNP 管子类型 NPN NPN NPN( 达 林 顿) NPN NPN NPN( 达 林 顿) NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN( 达 林 顿) NPN( 达 林 顿) 管子类型 NPN NPN( 达 林 顿) NPN(低噪) * * * * * * * * * * * * 100MHZ * * * 30000 *晶体管型号 2SD30 2SD1847反压 Vbe0 电流 Icm 180V 100V 50V 15A 2A 1A功率 Pcm 150W 1.2W 1W放大系数 * 1000 *特征频率 * * *2SD18 2SD90 2SD15 2SD02 2SD63A 2SD37 晶体管型号 2SD9 2SD774 2SD669 2SD667 2SD560 2SD547 2SD438 2SD415 2SD385 2SD325 2SD40C 2SC51 2SC525060V 180V 120V 150V 100V 80V 80V 25V 80V 350V 160V 150V 反压 Vbe0 200V 100V 100V 180V 120V 150V 600V 500V 120V 100V 50V 40V V 1000V3A 15A 2A 8A 20A 7A 7A 0.5A 3A 7A 12A 30A 电流 Icm 8A 1A 1A 1.5A 1A 5A 50A 1A 0.8A 7A 3A 0.5A 15A 12A 7A25W 3.2W 1.2W 25W 20W 40W 40W 0.5W 40W 40W 100W 180W 功率 Pcm 50W 0.9W 1W 1W 0.9W 30W 400W 0.75W 5W 30W 25W 40W 100W 50W 100W* *90MHZ 20MHZNPN NPN NPN( 达 林 顿) NPN( 达 林 顿) NPN( 达 林 顿) NPN( 达 林 顿) NPN( 达 林 顿) NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN( 达 林 顿) NPN NPN NPN NPN( 达 林 顿 ) NPN( 达 林 顿 ) NPN NPN NPN NPN( 达 林 顿 ) NPN NPN( 达 林 顿 ) NPN NPN NPN *
* * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 200MHZ 50MHZ 60MHZ * * 特征频率 * * * 140MHZ 140MHZ * * 100MHZ * * * * * * *晶体管型号 2SC43 2SC00 2sc88 2sc68 2sc53 2sc27 2sc13 2sc4769反压 Vbe0 V V V V V V 800V V电流 Icm 15A 15A 10A 15A 16A 10A 10A 10A 7A 2A 6A 8A 10A 0.2A 7A功率 Pcm 200W 200W 50W 150W 50W 50W 50W 50W 100W 25W 65W 50W 70W 35W 60W放大系数 * * * * * * * * * * * * * * *特征频率 * * * * * * * * * * * * * * *管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN( 带 阻 尼 ) 管子类型 NPN NPN NPN( 带 阻 尼 ) NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型晶体管型号 2sc45 2sc06 2SD86 2SD84 2SD82 2SD80 2SD78 2SD1876 晶体管型号反压 Vbe0 V V V V V V V 1500V 反压 Vbe0电流 Icm 10A 6A 6A 14A 10A 8A 6A 5A 4A 3A 10A 8A 6A 5A 3A 电流 Icm功率 Pcm 50W 50W 50W 130W 70W 70W 60W 60W 50W 50W 70W 70W 60W 60W 50W 功率 Pcm放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数特征频率 * * * 6MH * * * * * * * * * * * 特征频率2SD38 2SD32 2SD30 2SD11 2SD56 2SD54 2SD52 2SD1651 晶体管型号 2SD35 2SD77 2SD48 2SD46 2SD56 2SD54 2SD31 2SD1426 晶体管型号 2SD99 2SD1344V V V V V V V 1500V 反压 Vbe0 V V V V V V V 1500V 反压 Vbe0 V 1500V6A 5A 3.5A 7A 6A 5A 3.5A 7A 6A 6A 5A 3.5A 2.5A 6A 5A 电流 Icm 3.5A 5A 4A 5A 3.5A 10A 7A 6A 5A 6A 5A 4A 5A 5A 3.5A 电流 Icm 5A 6A 6A100W 100W 60W 120W 100W 100W 60W 100W 100W 60W 60W 50W 50W 60W 60W 功率 Pcm 50W 100W 70W 80W 40W 50W 50W 50W 50W 50W 50W 50W 80W 80W 80W 功率 Pcm 120W 60W 50W* * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * ** * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * *NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN2SD42 2SD11 2SD19 2SD75 2SD73 2SD43 晶体管型号 2SD16 2SD995 2SD994 2SD957A 2SD954 2SD952 2SD904 2SD903 2SD871 2SD870 2SD869 2SD838 2SD822 2SD821 晶体管型号 2SD348 2SC92 2SC99A 2SC3883V V V V V V 反压 Vbe0 V V V V V V V 1500V 反压 Vbe0 V V V6A 5A 6A 5A 5A 3A 3A 5A 5A 5A 5A 5A 电流 Icm 3.5A 7A 3A 8A 6A 5A 3A 7A 7A 6A 5A 3.5A 3A 7A 6A 电流 Icm 7A 6A 6A 5A 10A 5A50W 50W 50W 50W 50W 65W 50W 100W 85W 70W 65W 65W 功率 Pcm 50W 50W 50W 50W 50W 95W 70W 60W 50W 50W 50W 50W 50W 50W 50W 功率 Pcm 50W 80W 100W 100W 100W 50W* * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * ** * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * *NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN2SC88 2SC86 2SC86 2SC84 2SC3482 晶体管型号 2SC80 2SC27 BUY71 BU508A BU500 BU308 BU209A BU208D BU208A BU108 2SD3 2SC2785 晶体管型号 2SC403 2SD70A 2SC14 2SD400 2SC21 2SC2568V V V V 1500V 反压 Vbe0 V V V V V V 60V 20V 60V 反压 Vbe0 50V 30V 25V 30V 60V 25V 40V 300V 300V5A 10A 8A 7A 6A 6A 5A 3.5A 6A 电流 Icm 5A 3.5A 5A 5A 2A 7.5A 6A 5A 5A 5A 5A 5A 3A 2A 0.1A 电流 Icm 0.1A 2A 0.07A 0.015A 0.15A 1A 0.02A 0.2A 0.2A50W 150W 150W 120W 120W 120W 120W 80W 120W 功率 Pcm 120W 80W 50W 50W 40W 75W 75W 12.5W 12.5W 12.5W 12.5W 12.5W 15W 1W 0.3W 功率 Pcm 0.1W 0.75W 0.6W 0.15W 0.2W 0.75W 0.1W 10W 10W* * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * ** * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * *NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN2SC74 2SC536F 2SA608F 2SD33 晶体管型号 2SC60 2SA74A 2SC6Y 2SD3Y RN05Y 2SC59 2SC83Y 2SA1299 晶体管型号 2SB564A 2SD1877 BU508A BUT11 2SD6 2SD905 2SC97 2SD53 2SD140350V 30V 40V 30V 130V 70V 反压 Vbe0 120V 50V 150V 150V 300V 30V 80V 70V 50V 50V 50V 30V 300V 160V 50V 反压 Vbe0 45V 800V V 900V V V V 1500V0.05A 0.02A 0.1A 0.1A 7A 4A 电流 Icm 0.05A 0.05A 1.5A 5A 0.1A 1.5A 0.7A 7A 0.1A 3A 0.3A 0.4A 0.15A 1A 0.5A 电流 Icm 0.05 4A 8A 5A 6A 8A 8A 3A 3.5A 2.5A 6A 6A0.3W 0.1W 0.25W 0.25W 40W 40W 功率 Pcm 0.3W 0.5W 25W 40W 10W 0.9W 10W 40W 0.3W 30W 0.4W 0.5W 1.5W 0.9W 0.3W 功率 Pcm 0.25W 50W 125W 80W 50W 50W 50W 100W 50W 50W 100W 50W* * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * ** * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * *NPN NPN NPN PNP NPN NPN 管子类型 NPN NPN PNP NPN NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP 管子类型 PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN2SD57 2SD2027 晶体管型号 2SD953 2SD951 2SD950 2SD852 2SD850 2SD900B 2SD899A 2SD898B 2SD871 2SD870 2SD869 2SD32 2SD0 晶体管型号 2SD819 2SD98 2SD28 2SD68 2SC5Y 2SC388A 2SB686 2SA940 2SC55 2SD8806V 1500V 反压 Vbe0 V V V V V V V 1500V 反压 Vbe0 V V V 70V 80V 70V 20V 100V 150V 30V 1500V 60V3.5A 5A 5A 电流 Icm 7A 3A 3.5A 5A 3A 5A 4A 3A 6A 5A 3.5A 7A 6A 5A 5A 电流 Icm 3.5A 6A 5A 5A 6A 3.5A 0.2A 0.3A 0.8A 0.02A 6A 1.5A 0.8A 5A 3A80W 100W 50W 功率 Pcm 95W 65W 80W 70W 25W 50W 50W 50W 50W 50W 50W 80W 80W 80W 50W 功率 Pcm 50W 50W 50W 80W 80W 80W 0.62W 0.6W 5W 0.2W 60W 1.5W 0.6W 50W 30W* * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * ** * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * *NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP PNP NPN NPN NPN晶体管型号 2SC00 2SC304CD 2SC28 2SC8Y 2SC68 2SC55Y 2SC66Y 2SD880 2SC1906 晶体管型号 2SC945 2SC29 2SC3 2SA950Y BC548B 2SC55 2SC7 2SC8AK DTC114ES 2SC3413C 晶体管型号 2SC2611反压 Vbe0 300V 20V 60V 160V 80V 450V 160V 50V 200V 60V 60V 80V 50V 60V 30V 反压 Vbe0 50V 30V 200V 30V 20V 150V 30V 50V 0V 50V 180V 50V 40V 反压 Vbe0 300V电流 Icm 0.1A 2A 0.5A 1.5A 2A 5A 1.5A 0.1A 2A 0.15A 2A 4A 0.15A 3A 0.05A 电流 Icm 0.1A 2A 0.05A 1.5A 0.05A 0.8A 0.2A 0.1A 5A 3A 0.1A 0.5A 0.05A 0.1A 0.1A 电流 Icm 0.1A功率 Pcm 10W 0.7W 0.8W 25W 0.9W 100W 25W 0.3W 30W 0.4W 0.9W 30W 0.4W 30W 0.3W 功率 Pcm 0.25W 0.75W 0.8W 0.9W 0.2W 0.6W 0.5W 0.3W 50W 30W 0.75W 0.4W 0.2W 0.25W 0.5W 功率 Pcm 1.25W放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 *特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 *管子类型 NPN PNP NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN 管子类型 NPN2SC1514 DTC124ES 2SD90 2SD788 2SD882 2SD787 2SD401AK 2SC71N 2SC14C 2SC458D 2SA673 晶体管型号 2SD99 2SD10 2SD966 2SD601AR 2SC63 2SC17-R 2SB26 2SC0 2SA720-Q 晶体管型号 2SD88 2SK301-R300V 50V 50V 35V 20V 40V 20V 200V 300V 300V 50V 50V 30V 50V 反压 Vbe0 V 200V 50V 60V 60V 30V 300V 40V 30V 30V 60V 30V 200V 50V 反压 Vbe0 1500V 45V *0.1A 0.1A 2A 0.5A 2A 3A 2A 2A 0.1A 0.1A 0.3A 0.5A 0.1A 0.5A 电流 Icm 6A 5A 2A 0.05A 5A 0.1A 0.8A 0.1A 5A 0.5A 0.5A 3A 0.05A 2A 0.5A 电流 Icm 5A 0.05A 0.14A1.25W 0.25W 20W 0.3W 0.9W 10W 0.9W 25W 0.8W 0.75W 0.3W 0.6W 0.2W 0.4W 功率 Pcm 50W 40W 30W 0.3W 1W 0.2W 0.2W 1.2W 10W 0.4W 0.3W 35W 0.4W 30W 0.4W 功率 Pcm 80W 0.6W 0.25W* * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * * * * * 放大系数 * * ** * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * * * * * 特征频率 * * *NPN PNP NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP 管子类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN PNP PNP 管子类型 NPN NPN N 沟场效应 管2SD75 2SD973 2SC53H 2SC85Q 2SC2-R 2SA18 2SA564A 晶体管型号 2SA44 2SD802 2SC82 2SC15Y 2SB774T 2SA4 2SA562T 晶体管型号 2SK301-Q 2SD85 2SC09A UN4213 UN4211 UN4212 UN411160V 0V 250V 30V 30V 250V 60V 25V 150V 25V 反压 Vbe0 25V V 35V 150V 150V 60V 30V 50V 90V 30V 反压 Vbe0 * 0V 25V 50V 50V 50V 50V3A 5A 1A 0.2A 0.2A 0.15A 0.1A 0.07A 0.2A 0.1A 0.07A 0.1A 电流 Icm 0.1A 3.5A 6A 0.8A 0.1A 1.5A 0.15A 0.01A 0.15A 0.05A 0.4A 电流 Icm 0.14A 3A 0.1A 0.07A 0.1A 0.1A 0.1A 0.1A 0.1A35W 100W 1W 15W 15W 0.2W 0.25W 0.6W 0.4W 0.3W 0.75W 0.25W 功率 Pcm 0.3W 40W 50W 7.5W 0.9W 25W 0.4W 0.25W 0.4W 0.2W 0.3W 功率 Pcm 0.25W 50W 0.25W 0.6W 0.3W 0.25W 0.25W 0.25W 0.25W* * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * * * * 放大系数 * * * * * * * * ** * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * * * * 特征频率 * * * * * * * * *NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP PNP PNP PNP 管子类型 PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP PNP PNP PNP 管子类型 N 沟场效应 管 NPN NPN NPN PNP NPN NPN NPN PNP2SD5 2SC58 2SC73AV 250V 45V 250V3A 5A 0.1A 0.1A 1A 0.07A50W 0.75W 0.1W 1W 1.2W 0.6W* * * * ** * * * *NPN NPN NPN NPN NPN1.5 场效应晶体管与三极管基础知识根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有 3 个极性，栅极，漏极，源极，它的特点 是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导 电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击 穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以 容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗 变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电 极。将万用表置于 R×1k 档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个 管脚间的正、反向电阻相等，均为数 KΩ 时，则这两个管脚为漏极 D 和源极 S（可互换）， 余下的一个管脚即为栅极 G。对于有 4 个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用 中接地）。2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻 值都很小，说明均是正向电阻，该管属于 N 沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常 工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间 的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将 管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力 将万用表拨到 R×100 档，红表笔接源极 S，黑表笔接 漏极 D，相当于给场效应管加上 1.5V 的电源电压。这时表针指示出的是 D-S 极间电阻值。 然后用手指捏栅极 G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用， UDS 和 ID 都将发生变化，也相当于 D-S 极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的 摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已 经损坏。 由于人体感应的 50Hz 交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能 不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子 RDS 减小，使 表针向右摆动，多数管子的 RDS 增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能 有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测 MOS 管。为了保护 MOS 场 效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到 栅极上，将管子损坏。 MOS 管每次测量完毕，G-S 结电容上会充有少量电荷，建立起电压 UGS，再接着测时 表针可能不动，此时将 G-S 极间短路一下即可。 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也 有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管,而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型;P 沟耗尽型和增强型四大类. 3.场效应管的主要参数 : Idss ― 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压 UGS=0 时的漏源电 流. Up ― 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut ― 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM ― 跨导.是表示栅源电压 UGS ― 对漏极电流 ID 的控制能力,即漏极电流 ID 变化量与 栅源电压 UGS 变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS ― 漏源击穿电压.是指栅源电压 UGS 一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏 源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 BVDS. PDSM ― 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源 耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量. IDSM ― 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的 最大电流.场效应管的工作电流不应超过 IDSM 4.结型场效应管的管脚识别: 判定栅极 G:将万用表拨至 R×1k 档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触 其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电 极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为 N 沟道;若两次测得的阻值 都很小,则为 P 沟道. 判定源极 S、漏极 D: 在源-漏之间有一个 PN 结,因此根据 PN 结正、反向电阻存在差异,可识别 S 极与 D 极.用交 换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时 黑表笔的是 S 极,红表笔接 D 极. 5.常效应管与晶体三极管的比较 场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况 下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体 管. 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利 用少数载流子导电,被称之为双极型器件. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好. 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场 效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用. 一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有 N 沟道 和 P 沟道两种导电沟道。 1、结型场效应管（JFET） （1）结构原理 它的结构及符号见图 1。在 N 型硅棒两端引出漏极 D 和源极 S 两个电极， 又在硅棒的两侧各做一个 P 区，形成两个 PN 结。在 P 区引出电极并连接起来，称为栅极Go 这样就构成了 N 型沟道的场效应管 。由于 PN 结中的载流子已经耗尽，故 PN 基本上 是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压 ED 一定时，如果栅极电压越负，PN 结 交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流 ID 就愈小；反 之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID 变大，所以用栅极电压 EG 可以控制漏极 电流 ID 的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。 2、绝缘栅场效应管 它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称 MOS 场效应管。 （1）结构原理 它的结构、电极及符号见图 3 所示，以一块 P 型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂 质的 N 型区，作为源极 S 和漏极 D。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个 电极 G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。在制造管子时，通 过工艺使绝缘层中出现大量正离子， 故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷， 这些负电 荷把高渗杂质的 N 区接通，形成了导电沟道，即使在 VGS=0 时也有较大的漏极电流 ID。 当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极 电流 ID 随着栅极电压的变化而变化。 场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏 极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。 各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性） 二、场效应管 的主要参数 1、夹断电压 VP 当 VDS 为某一固定数值，使 IDS 等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压 VGS 就是夹断 电压 VP。 2、饱和漏电流 IDSS 在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于 VP 时的漏极电流称为 IDSS。 3、击穿电压 BVDS 表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的 VDS。 4、直流输入电阻 RGS 在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型 场效应管的 RGS 可达
欧而绝缘栅场效应管的 RGS 可超过 00 欧。 5、低频跨导 gm漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即 gm= △ID/△VGS 它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参 数，此参灵敏常以栅源电压变化 1 伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V） 来表示 。1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量 较小，不必使用电解电容器。 2、 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。 常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 现在越来越多的电子电路都在使用场效应管, 特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流 控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器 件所以噪声小,其结构简图如图 C-a. 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个 P-N 结,在 零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏 压)在反向电场作用下 P-N 变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图 C1-b),反向 偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道&夹断&,此时,场效应管进入截止状态如图 C-c,此时的反 向偏压我们称之为夹断电压,用 Vpo 表示,它与栅极电压 Vgs 和漏源电压 Vds 之间可近以表 示为 Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是 Vgs 的绝对值. 在制造场效应管时,如果在栅极材料 加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增 加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应 管为绝缘栅型场效应管,又称 MOS 场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场 效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在 反向偏置状态.绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的 为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当 Vgs=0 时 Id(漏极电流)=0,只有当 Vgs 增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始 出现漏极电流时的栅源电压 Vgs 为开启电压.耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅 源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻). 结型栅场效应管 应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型 栅 场效应管代1.6 霍尔传感器应用电路图 1 霍尔传感器 N，S 极判断电路图 2 霍耳传感器的放大电路图图 3 霍耳传感器的输出用于 AC 电压的放大电路图 4 测定变压器的漏磁通电路图 5 测定变压器的漏磁通电路图 6 霍尔元件非接触型电流传感器测量电路1.7 常用封装收集1．SOP 封装 SOP：一种元件封装形式sop 封装示意图由 1980 年代以前的通孔插装(PTH)型态，主流产品为 DIP(Dual In-Line Package)，进展 至 1980 年代以 SMT(Surface Mount Technology)技术衍生出的 SOP(Small Out-Line Package)、 SOJ(Small Out-Line J-Lead)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Package)封装 方式，在 IC 功能及 I/O 脚数逐渐增加后，1997 年 Intel 率先由 QFP 封装方式更新为 BGA(Ball Grid Array， 球脚数组矩阵)封装方式， 除此之外， 近期主流的封装方式有 CSP(Chip Scale Package 芯片级封装)及 Flip Chip(覆晶)。 SOP 封装的应用范围很广，而且以后逐渐派生出 SOJ（J 型引脚小外形封装） 、TSOP（薄小 外形封装） 、VSOP（甚小外形封装） 、SSOP（缩小型 SOP） 、TSSOP（薄的缩小型 SOP）及 SOT（小外形晶体管） 、SOIC（小外形集成电路）等在集成电路中都起到了举足轻重的作用。 像主板的频率发生器就是采用的 SOP 封装。 SOJ(Small Out-Line J-Lead)J 型引脚小外形封装2．SSOP 芯片封装 SSOP(Shrink Small Outline Package) 窄间距小外型塑封ssop 封装示意图 年菲为浦公司就开发出小外形封装（SOP） 。以后逐渐派生出 SOJ（J 型引脚小 外形封装） 、TSOP（薄小外形封装） 、VSOP（甚小外形封装） 、SSOP（缩小型 SOP） 、TSSOP （薄的缩小型 SOP）及 SOT（小外形晶体管） 、SOIC（小外形集成电路）等。 TSOP到了上个世纪 80 年代，内存第二代的 封装技术TSOP出现，得到了业界广泛的认可， 时至今日仍旧是 内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思 是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术） 直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出 电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成 品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。 TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触 面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过 150MHz 后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。3．BGA 封装BGA 封装图示例BGA 封装内存 BGA 封装(Ball Grid Array Package)的 I/O 端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装 下面，BGA 技术的优点是 I/O 引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从 而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但 BGA 能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改 善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟 小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。 BGA封装技术可详分为五大类： 1.PBGA（Plasric BGA）基板：一般为 2-4 层有机材料构成的 多层板。Intel系列CPU中， Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。 2.CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯 片（FlipChip，简称 FC）的安装方式。Intel 系列 CPU 中，Pentium I、II、Pentium Pro 处理 器均采用过这种封装形式。 3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。 4.TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的 1-2 层 PCB电路板。 5.CDPBGA （Carity Down PBGA） 基板： 指封装中央有方型低陷的芯片区 （又称空腔区） 。 说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny ，属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于 Ball Grid Array（小型 球栅阵列封装） 1998 年 8 月开发成功的， 其芯片面积与封装面积之比不小于 1:1.14， 可以使内存在体积不变 的情况下内存容量提高 2～3 倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性 能和电性能。4．FBGA 封装FBGA 封装 Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列 FBGA （通常称作 CSP)是一种在底部有焊球的面阵引脚结构， 使封装所需的安装面积接 近于芯片尺寸。 BGA 是英文 Ball Grid Array Package 的缩写，即球栅阵列封装。 采用 BGA 技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍， BGA 与 TSOP 相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA 封装技术使每平方 英寸的存储量有了很大提升， 采用 BGA 封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有 TSOP 封装的三分之一；另外，与传统 TSOP 封装方式相比，BGA 封装方式有更加快速和有效的 散热途径。 BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色，金士顿、勤茂科技等领先内存 制造商已经推出了采用CSP封装技术的内存产品。CSP，全称为Chip Scale Package，即芯片 尺寸封装的意思。作为新一代的芯片封装技术，在BGA、TSOP的基础上，CSP的性能又有 了革命性的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过 1：1.14，已经相当接近 1：1 的理想情况，绝对尺寸也仅有 32 平方毫米，约为普通的BGA的 1/3，仅仅相当于TSOP内 存芯 片面积的 1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。 也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍，图 4 展示了三 种封装技术内存芯片的比较， 从中我们可以清楚的看到内存芯片封装技术正向着更小的体积 方向发展。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径 仅有 0.2mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速 度也随之得到大幅度的提高。CSP封装的电气性能和可靠性也相比 BGA、TOSP有相当大的 提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多 （TSOP最多 304 根，BGA以 600 根为限，CSP原则上可以制造 1000 根） ，这样它可支持I/O 端口的数目就增加了很多。此外，CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传 导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存 取时间比BGA改善 15%－20%。在CSP的封装方式中，内 存颗粒是通过一个个锡球焊接在 PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很 容易地传导到PCB板上并散发出 去；而传统的TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚 焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。CSP 封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为 35℃/W，而TSOP热阻 40℃/W。测试 结果显示，运用CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达 88.4%， 而TSOP内存中传导 到PCB板上的热量能为 71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去 了很多不必要的电功率消耗， 致使芯片耗电量和工作温度相对降低。 目前内存颗粒厂在制造 DDR333 和DDR400 内存的时候均采用 0.175 微米制造工艺， 良品率比较低。 而如 果将制造 工艺提升到 0.15 甚至 0.13 微米的话， 良品率将大大提高。 而要达到这种工艺水平， 采用CSP 封装方式则是不可避免的。因此CSP封装的高性能内存是大势所趋. 这种高密度、小巧、扁薄的封装技术非常适宜用于设计小巧的手持式消费类电子装置， 如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机5．DIP 封装DIP封装（Dual In-line Package） ，也叫双列直插式 封装技术，双入线封装，DRAM的一种 元 件封装形式。 指采用双列直插形式封装的集成电路芯片， 绝大多数中小规模集成电路均采用 这种封装形式，其引脚数一般不超过 100。DIP封装的CPU芯片有两排引 脚，需要插入到具 有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行 焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。DIP封装结构形 式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封 接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。6．QFP 封装，该技术实现 这种技术的中文含义叫方型扁平式 封装技术（Plastic Quad Flat Pockage） 的CPU芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形 式，其引脚数一般都在 100 以上。该技术封装CPU时操作方便，可靠性高；而且其封装外形 尺寸较小，寄生参数减小，适合高频应用；该技术主要适合用SMT表面安装技术在PCB上安 装布线。 QFP（Quad Flat Pockage）为四侧引脚扁平封装，是表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面 引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。 当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料 QFP。塑料 QFP 是最普及的多引脚 LSI 封装。 不仅用于微处理器，门陈列等数字逻辑 LSI 电路，而且 也用于 VTR 信号处理、音响信号 处理等模拟 LSI 电路。引脚中心距有 1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等 多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为 304。7．LQFP 封装LQFP 也就是薄型 QFP（Low-profile Quad Flat Package）指封装本体厚度为 1.4mm 的 QFP， 是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP 外形规格所用的名称。 下面介绍下 QFP 封装： 这种技术的中文含义叫方型扁平式封装技术 （Plastic Quad Flat Package） 该技术实现的 ， CPU 芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形 式，其引脚数一般都在 100 以上。该技术封装 CPU 时操作方便，可靠性高；而且其封装外 形尺寸较小，寄生参数减小，适合高频应用；该技术主要适合用 SMT 表面安装技术在 PCB 上安装布线。8．PQFP 封装PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装)一种 芯片封装形式。 单列直插式封装（SIP）单列直插式封装（SIP）引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。通常，它们是通孔式 的，管脚插入印刷电路板的金属孔内。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。这种形式的一 种变化是锯齿型单列式封装(ZIP)，它的管脚仍是从封装体的一边伸出，但排列成锯齿型。 这样，在一个给定的长度范围内，提高了管脚密度。引脚中心距通常为 2.54mm，引脚数从 2 至 23，多数为定制产品。封装的形状各异。也有 的把形状与 ZIP 相同的封装称为 SIP。 SIP封装并 无一定型态，就芯片的排列方式而言，SIP可为多芯片模块(Multi-chipModule； MCM)的平面式 2D封装，也可再利用 3D封装的结构，以有效缩减封装面积；而其内部接合 技术可以是单纯的打线接合(WireBonding)，亦可使用覆晶接合(FlipChip)，但也可二者混用。 除了 2D 与 3D的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入SIP的涵盖 范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中，亦可视为是SIP的概 念，达到功能整 合的目的。9．PGA 封装 PGA： （Pin-Grid Array，引脚网格阵列）一种 芯片封装形式，缺点是耗电量大。 陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷 PGA，用于高速大规模逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为 2.54mm，引脚数从 64 到 447 左右。 了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有 64～256 引脚的塑料 PGA。 另外，还有一种引脚中心距为 1.27mm 的短引脚表面贴装型 PGA(碰焊 PGA)。10．PLCC 封装PLCC为特殊引脚 芯片封装，它是贴片封装的一种，这种封装的引脚在芯片底部向内弯 曲，因此在芯片的俯视图中是看不见芯片引脚的。这种芯片的焊接采用回流焊工艺，需要专 用的焊接设备，在调试是要取下芯片也很麻烦，现在已经很少用了。 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier),带引线的塑料芯片载体.表面贴装型封装之一,外形呈 正方形,32 脚封装,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,是塑料制品,外形尺寸比 DIP封装小 得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、 可靠性高的优 点.11．protel 元件封装介绍电阻 AXIAL0.3 0.4 三极管 TO-92A B 电容 单排针 双排针 RAD0.1 0.2 SIP+脚数 DIP+脚数 .2 。。。。。。。} 发光二极管 DZODE0.1电解电容 RB.1 电阻 AXIAL 无极性电容 RAD 电解电容 RB电位器 VR 二极管 DIODE 三极管 TO电源稳压块 78 和 79 系列 TO－126H 和 TO-126V场效应管 和三极管一样 整流桥 D－44 D－37 D－46 单排多针插座 CON SIP 双列直插元件 DIP 晶振 XTAL1 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为 axial 系列 无极性电容：封装属性为 RAD-0.1 到 rad-0.4 电解电容：封装属性为 rb.2/.4 到 rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为 vr-1 到 vr-5 二极管：封装属性为 diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率） 三极管：常见的封装属性为 to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林 顿管） 电源稳压块有 78 和 79 系列；78 系列如 ，7820 等 79 系列有 ，7920 等 常见的封装属性有 to126h 和 to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为 D 系列（D-44，D-37，D-46） 电阻： AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中 0.4-0.7 指电阻的长度，一般用 AXIAL0.4 其中 0.1-0.3 指电容大小，一般用 RAD0.1 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8 指电容大小。一般&100uF 用 RB.1/.2,100uF-470uF 用 RB.2/.4,&470uF 用 RB.3/.6 二极管： 集成块： 贴片电阻 0603 表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系 但封装尺寸与功率有关 通常来说 W W W W W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: x0.5 x0.8 x1.2 x1.6 x2.5 x3.2 x6.5 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此 不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插 式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉 或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这 种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把 SMD 元件放上，即可焊接在电路板 DIODE0.4-DIODE0.7 其中 0.4-0.7 指二极管长短，一般用 DIODE0.4 DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是 DIP8 发光二极管：RB.1/.2上了。 关于零件封装我们在前面说过，除了 DEVICE。LIB 库中的元件外，其它库的元件都已经有了 固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下： 晶体管是我们常用的的元件之一，在 DEVICE。LIB 库中，简简单单的只有 NPN 与 PNP 之分，但 实际上，如果它是 NPN 的 2N3055 那它有可能是铁壳子的 TO―3，如果它是 NPN 的 2N3054，则有 可能是铁壳的 TO-66 或 TO-5，而学用的 CS9013，有 TO-92A，TO-92B，还有 TO-5，TO-46，TO5 2 等等，千变万化。 还有一个就是电阻，在 DEVICE 库中，它也是简单地把它们称为 RES1 和 RES2，不管它是 100Ω 还是 470KΩ 都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决 定的我们选用的 1/4W 和甚至 1/2W 的电阻，都可以用 AXIAL0.3 元件封装，而功率数大一点的话 ，可用 AXIAL0.4,AXIAL0.5 等等。现将常用的元件封装整理如下： 电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 无极性电容 RAD0.1-RAD0.4 有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0 二极管 DIODE0.4 及 DIODE0.7 石英晶体振荡器 XTAL1 晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5 当然，我们也可以打开 C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib 库来查找所用零件的对应封 装。 这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分 来记如电阻 AXIAL0.3 可拆成 AXIAL 和 0.3，AXIAL 翻译成中文就是轴状的，0.3 则是该电阻在印 刷电路板上的焊盘间的距离也就是 300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样 的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4 也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为 R B.2/.4，RB.3/.6 等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。 对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用 TO―3，中功率的晶体管 ，如果是扁平的，就用 TO-220，如果是金属壳的，就用 TO-66，小功率的晶体管，就用 TO-5 ，TO-46，TO-92A 等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。 对于常用的集成 IC 电路，有 DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8 就是双排，每排有 4 个引 脚，两排间距离是 300mil,焊盘间的距离是 100mil。SIPxx 就是单排的封装。等等。 值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚 可不一定一样。例如，对于 TO-92B 之类的包装，通常是 1 脚为 E（发射极），而 2 脚有可能是 B 极（基极），也可能是 C（集电极）；同样的，3 脚有可能是 C，也有可能是 B，具体是那个 ，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的 ，场效应管，MOS 管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。 Q1-B，在 PCB 里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。 在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为 1、W、及 2， 所产生的网络表，就是 1、2 和 W，在 PCB 电路板中，焊盘就是 1，2，3。当电路中有这两种元 件时，就要修改 PCB 与 SCH 之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶 体管管脚改为 1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的 1，2，3 即可。2.电路分析目前已调试成功的电路有 （1） 电源电路： 24V――VCC 15V――VCC -15V――VEE 5V――VDD 3.3V――VDD （2） I/V 电路 （3） V/I 电路 （4） JTAG 仿真调试电路 （5） 复位电路 （6） 晶振电路 （7） D/A 转换电路（AD421 数模转换器+4-20mA 输出） 未完成电路： （1） 阀位反馈电路 （2） A/D 转换电路（MAX197） （3） 液晶显示电路（OK） （4） 按键电路（OK） （5） 压电阀功率驱动电路 电路方案选择2.1 A/D 转换电路本课题智能定位器的设计对的 A/D 的要求采样周期是 T&20ms。 由于压电阀片的响应时 间为 2ms，所以定位器的 PWM 输出周期 T 的 1%的时间必须大于压电片的响应时间，否则 压电片响应不过来，即 PWM 周期 T 应大于 200ms。而程序设计中为每采样 10 个数据，进 行一次滤波处理，输出相应的 PWM 占空比。即采样周期的应小于 20ms。在选择 A/D 转换 器时，应考虑 A/D 转换器的转换时间必须小于采样周期。 （本课题定位器对 ADC 转换时间 的要求） 。 国内外的智能阀门定位器的精度要求大致为 0.5%以上，所以 10 位的 A/D 转换器不能 满足课题设计的需求， 因此本课题采用外扩的 12 位逐次逼近式 A/D 转换器。本课题对 ADC （ 精度的要求） 。 本课题中有两路模拟信号输入，一路为阀位设定信号 SV，一路为实际的阀位反馈信号 PV。在 AD 公司官方网站选择 AD 转换器的过程中，我们可以发现不同的转换速度价位有 些差距，ADC 的精度不同价位也不同。下图为 AD 公司 12 位 ADC 产品列表。图中的第四 列 100KSPS 表示：ADC 每秒采样 100K 次。即采样周期为：10ms 满足本课题要求（本课题 要求 ADC 的采样周期应小于 20ms） 。
2.2 压电阀功率驱动电路本课题采用的压电阀型号为：HOERBIGER-ORIGA 压电开关阀 P20（图 3）由先导 压电阀片 P9、开关功率放大器、微型减压阀和 30μm 的过滤器组成 2 位 3 通阀。 （1）压电阀的技术参数 工作电压：24VDC 工作电流：&10μA 维持电流：0μA 压电片响应时间：&2mS 压电阀响应时间：&20mS (达到 10%或 90%的压力) 电 容：&100nF 工作气压：1.2-8.0Bar 流 量：130 L/Min (From 6 to 5 Bar) 工作温度：-30～+60 度图 3 P20 工作原理示意图 不通电时压缩空气输入孔 1 封闭，输出孔 2 和大气孔 3 相通，输出气压为 0；通电时上层 晶体收缩，下层晶体伸长，产生杠杆效应，使机械变形可扩大到几十微米，大气孔 3 封闭，压缩空气由孔 1 流向孔 2， 产生输出气压信号， 压电片弯曲的程度随输入电压的大小变化而 变化，所以先导压电阀 P9 可作为开关或比例阀使用。电压压力输出曲线见图 2，先导压电 阀响应时间小于 2mS。 （2）I/P 控制电路设计 控制系统采用德国 HOERBIGER-ORIGA 公司先进的压电阀和气动放大器作为气压驱动 装置,压电阀片的响应时间小于 2ms,压电气动放大器响应时间小于 20ms,由此可见,阀门可以 达到很高的调节精度和较快的响应时间,阀门一旦定位完成,其耗气量可以忽略不计。压电阀 工作电压是 24V。 方案 1： 采用 MAX629DC-DC 升压芯片将 3.3V 转 24V 电压。 这里选择低功耗升压芯片 MAX629,MAX629 是美国 MAX-IN 公司生产的,其组成的升压 DC-DC 转换器输入电压很低,输出电压可达±28V,仅有 80μA 的静态电流,特别适合为低功 耗、高电压设备供电,升压电路如图 4 所示。图：3.3V 转 24V DC-DC MAX629 工作电压：2.7―5.5V 输入电压最小值为：2.4V（小于此电压芯片不工作）方案 2：压电阀电路仿真： （1）（R1：R1 扫描(R1 为 Q1 管的栅极电阻，用以构成栅、源极间的直流通路，R1 不能太 小，否则影响放大电路的输入电阻，其阻值约为 200kΩ-10MΩ（参：秦曾煌 电工学 高等教育出版社）) （2）R2 扫描（R2 为 Q1 管的漏极电阻，它使放大电路具有电压放大功能，其阻值一般为 几千欧到几十千欧（参：秦曾煌 电工学 高等教育出版社）两电路图效果一致输出信号与输入信号相位相反。加了一个非门之后，可得到：输出信号与输入信号相位相同。ARM7 的 GPIO 口输出电压为： 标号 V3 VI VIH VIL VO VOH VOL 6N137 光电隔离器 标号 VIH VIL 参数 高电平输入电压 低电平输入电压 最小值 2.0V 0.8V 典型值 最大值 参数 电源电压 输入电压 高电平输入电压 低电平输入电压 输出电压 高电平输出电压 0 V3-0.4V 0.4V 最小值 3V 0 2.0V 0.8V V3 典型值 3.3V 最大值 3.6V 5.5VTLP521 用法：1、1－2 脚之间并联电阻是分流作用，防止发光二极管暗亮产生误动作。 2、以 TLP521－1 为例，输出端为 NPN 型光电三极管结构，3 脚为发射极，4 脚为集电极，受光点为基极， 接线方式有两种：（1）3 脚下拉电阻接地，4 脚接＋5V，3 脚为 I/O 输出端，这种接法导通输出为 1，截 止输出为 0。（2）4 脚上拉电阻接＋5V，3 脚接地，4 脚为 I/O 输出端，这种接法导通输出为 0，截止输出 为 1。两种接法效果一样，使用前者较多，供参考。（3）压电阀功率驱动小结 1．采用 TLP521，既可以起到隔离效果，同时也使输出电压与 PWM 电压同向。2．当两个 mos 管都采用 BS170 时，响应曲线效果更佳，上升时间较快，输出电压最大值 23.575V3．当两个 mos 管都采用 2N6659 时，响应曲线效果较差，上升时间较慢 557.852us，输出电 压最大值 18.791V（4）江铜现有阀门定位器压电阀驱动电路测试2.3 阀位反馈电路本课题采用的阀位传感器为 CP-2FB 电位器。 CP-2FB 电位器电气规格：该电位器的额定电力为 0.5W，可推算出电位器的额定电压为 U=50w，I=10mA。一般使电 位器的电流控制在 1-2mA 之间，这样电位器不会发热过大，工作的线性度较好。 阀位反馈电路仿真分析： （1）10V 基准电压源 方案 1：AD587K，芯片精度为 10V+5mV，可通过调整R1 大小，提高输出精度。R1 用来微 调输出电压，使其输出值更接近 10V，当R1 的精度为 0.1%时，可得到精确的 10.000V电压。 。 也可采用（REF5010、REF102 为 10V电压源基准+0.0025V）仿真结果：方案 2：可采用 XTR110 内部的 10V 参考电压。 由于 XTR110 具有 10V 的基准源，且输出电流大于 2mA，故可将该基准源用于阀位采样电 路中作为 10V 的电压基准源。 （2）信号滤波 低通滤波器应当尽可能靠近系统的前端。 从理论上讲， 滤波器可以放在线性系统中的任 何一级，但是整个系统并不是线性的。如果任何噪声出现在非线性级之前，则它对后面的环 节影响很大。简单滤波方式可采用云母、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、具碳酸酯等小电容，或大 电容胆电容进行滤波。 截止频率选择 截止频率计算：f = 1/2π RC KHz。1F=106uF=109nF=1012pF。 下图为天津大学优秀硕士论文中阀位反馈模块， 其截止频率为 f = 1/2π RC KHz=33.86Hz。仿真分析 1． RC 无源滤波 R=10K，C=470nF 时，10V 的直流源信号中叠加 10mV、频率为 100Hz 的交流信号干扰。当 有干扰存在时，经滤波电路 RC 处理后还有 5mV 的信号波动存在。当 10V 的直流源信号中叠加 10mV，频率为 50Hz 的交流信号干扰。当有干扰存在时，经滤 波电路 RC 处理后还有 4mV 的信号波动存在。当 10V 的直流源信号中叠加 2mV，频率为 100Hz 的交流信号干扰。当有干扰存在时，经滤 波电路 RC 处理后还有 1mV 的信号波动存在。当 10V 的直流源信号中叠加 2mV，频率为 100Hz 的交流信号干扰。当有干扰存在时，经滤 波电路 RC 处理后还有 2mV 的信号波动存在。加入分压电阻 R1 后误差减小，当 10V 的直流源信号中叠加 10mV，频率为 100Hz 的交 流信号干扰。当有干扰存在时，经滤波电路 RC 处理后还有 1mV 的信号波动存在。2． 一阶有源滤波电路 当采用 OP07 与 RC 组成有源滤波电路时，滤波效果如下：滤波后还有 1mV 的信号波动存 在，同时幅频响应特性效果不佳。3． 二阶有源滤波电路经滤波电路分析，本课题采用 RC 无源滤波。 （3）信号放大 AD620 为低成本高精度仪表放大器，放大倍数为 1-1000 倍，有 1、8 引脚之间的电阻 RG 决 定，增益：G = 1 + (49.4 k/RG)。下图在 1-8 脚之间设置了 16K 欧至 49.4K 欧的电阻，使其放 大增益在 1-4 倍之间。可调电阻的精度影响该模块的整体精度。本课题拟采用 0.01%的高精 度电位器进行量程调节。仿真效果如下： （1） 当放大倍数调整至 2 倍时，将阀位反馈电位器从 0-100%调整，可得数据。 阀位反馈电位器阻值百分比 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 阀位反馈电位器阻值为 50%时： 调理后理想电压值 0 1.000V 2.000V 3.000V 4.000V 5.000V 6.000V 7.000V 8.000V 9.000V 10.000V 调理后实际电压值 229.879uV 1.000V 2.000V 3.000V 4.000V 5.000V 6.000V 7.000V 8.000V 9.000V 10.000V 误差 -229.879uV 0V 0V 0V 0V 0V 0V 0V 0V 0V 0V阀位反馈电位器阻值为 80%时：阀位反馈电位器阻值为 100%时：（2） 阀位传感器在实际使用当中，可能只使用了中间的一段，假设当阀位反馈传感器实 际使用了从（25%―75%） ，这时须将仪表放大器的放大倍数调至为放大 4 倍。 阀位反馈电位器阻值百分比 25% 调理后理想电压值 0 调理后实际电压值 297.426uV 误差 -229.879uV30% 35% 40% 45% 50% 55% 60% 65% 70% 75%1.000V 2.000V 3.000V 4.000V 5.000V 6.000V 7.000V 8.000V 9.000V 10.000V1.000V 2.000V 3.000V 4.000V 4.999V 5.999V 6.999V 7.999V 8.999V 9.999V0V 0V 0V 0V 1mV 1mV 1mV 1mV 1mV 1mV当阀位反馈电位器阻值为 30%时，输出电压为 1.000V当阀位反馈电位器阻值为 35%时，输出电压为 2.000V当阀位反馈电位器阻值为 40%时，输出电压为 3.000V当阀位反馈电位器阻值为 45%时，输出电压为 4.000V当阀位反馈电位器阻值为 50%时，输出电压为 4.999V（4）阀位反馈电路小结 经分析，阀位反馈电路模块为（该模块需要两个精度为 0.1%的 10k、50k 的电位器） 。2.4 I/V 电路修改 原电路：4-20mA 信号经 RCV420 处理后可得到 0-5V， （有 0.1%的误差） ，在采用 OP07 构 成二阶有源滤波、放大倍数为 2 倍。出来 0-10V 电压信号。仿真效果如下：当加入 5mV、 100Hz 的干扰信号时，有 9mV 的误差。滤波效果不是很好。R1 与 R4 的精度影响该电路的整体精度。 所以可将 R4 分为 9.1K 的电阻+1K 的电位器调节， 可通过调节电位器提高该电路精度。滤波改为一阶滤波。该电路当加入 5mV、100Hz 的干 扰信号时，有 3mV 的误差。滤波效果较好。当增大 C2 时，该电路当加入 5mV、100Hz 的干扰信号时，有 1mV 的误差。滤波效果更好。 电路的截止频率 22Hz 左右。参考资料： （1）http://www.docin.com/p-.html（豆丁网） （2）http://diagram.weeqoo.com/160.html 维库网下图为 10V 基准源电路：为实现单片机采集传感器差分输出的调理电路设计 具有桥式结构的传感器很多，如利用应变原理、磁电阻原理和其他变电阻原理的传感器，可 以实现对压力、 位移、 加速度、 磁场等物理量的测试。 这种结构的差分输出可以增加灵敏度， 也有一定抵消外加干扰的能力。而且有的虽不是差分输出，比如电阻分压式的输出，可以认 为是“半桥”，我们还可以人为的加上另一半，即加上一对精密电阻和一个电位器组成另一个 分压电路，形成差分输出。每次调节电位器使差分输出为 0，抵消零磁电压。 传感器的差分输出都很微弱， 可以用示波器或采集工具观察输出是否正确。 但要与后续驱动 电路相连或与单片机等 MCU 相连，就需要进行放大。一般使用仪表放大器放大，有 2 运放 和 3 运放的典型电路。 OP27 这样的运放搭建， 用 电路复杂且经过众多环节后精度难以保证， 所以一般使用集成的仪表放大器芯片实现放大功能。 下面就介绍一下我做过的为使传感器差 分输出能够适于被 51 单片机采集而设计的调理电路。 传感器差分输出的峰峰值为 0.3V 左右，采用精密仪器放大器 AD623 放大，它本身还带有一 个用以补偿电桥平衡电压的参考端。AD623 只用单电源供电，可以简单的通过一个精密电阻 RG 实现放大， 这对简化电路设计和降低功耗都有好处。 依据式 1 选取电阻设定放大倍数。其中，输出电压为 Gain，调增益电阻为 RG。 数据采集采用 C，该单片机自带 16 位 AD。AD 管脚的有效输入范围为 0~2.5V， 为适应更多的数据采集情况设计了两级调理电路， 使得单片机的采集部分能够接受±5V 的输 入范围，必具备通用性。第一级根据式 2使得有效输入为±5/6V，第二级加入放大环节变化到输入允许为±5V。 考虑到传感器输出幅值为 0.3V，可以直接调理到第一级的±5/6V，省去了 2 级调理的部分简 化电路。 综合考虑以上条件，选择放大倍数和增益电阻值。整个装置的精度由电阻值决定，所以必须 选用高精度电阻。我们选择了准许偏差为±0.01%的 RX70 型精密绕线电阻器，温度特性为 ±10ppm/℃。相比较调理电路的精度，仪表放大器部分结构简单、精度更有保证，所以保证 单片机对输入信号的调理精度更为重要。为提高采集精度，使用标准信号源测试，将采集到 数据结果在单片机中进行线性补偿。为的是减少各部分调理电路带来的误差。3．电路原理图3.1 protel DXP 学习http://blog.sina.com.cn/s/blog_4dfeb1670100cmo8.html （1）protel DXPprotel dxp 的元件封装一、 Protel DXP 中的基本 PCB 库： 原理图元件库的扩展名是.SchLib，PCB板封装库的扩展名.PcbLib，它们是在软件安装 路径的“\Library\...”目录下面的一些封装库中。 根据元件的不同封装我们将其封装分为二大类：一类是分立元件的封装，一类是集成 电路元件的封装 1、分立元件类： 电容分普通电容和贴片电容： 普通电容在Miscellaneous Devices.IntLib库中找到， 电容： 它的种类比较多，总的可以分为二类，一类是电解电容，一类是无极性电容，电解电容由于容量和耐压不同其封装也不一样，电解电容的名称是“RB.*/.*”，其中.*/.*表示的是焊盘间距 /外形直径，其单位是英寸。无极性电容的名称是“RAD-***”，其中***表示的是焊盘间距， 其单位是英寸。 贴片电容在 \Library\PCB\Chip Capacitor-2 Contacts.PcbLib中，它的封装比较多，可根 据不同的元件选择不同的封装， 这些封装可根据厂家提供的封装外形尺寸选择， 它的命名方 法一般是CC****-****， 其中“-”后面的“****”分成二部分， 前面二个**是表示焊盘间的距离， 后面二个**表示焊盘的宽度，它们的单位都是 10mil，“-”前面的“****”是对应的公制尺寸。 电阻： 电阻分普通电阻和贴片电阻： 普通电阻在Miscellaneous Devices.IntLib库中找到， 比较简单，它的名称是“AXIAL -***”，其中***表示的是焊盘间距，其单位是英寸。 贴片电阻在Miscellaneous Devices.IntLib库中只有一个，它的名称是“R”，其 含义和贴片电容的含义基本相同。其余的可用贴片电容的封装套用。 二极管： 二极管分普通二极管和贴片二极管： 普通 二极管在Miscellaneous Devices.IntLib 库中找到，它的名称是“DIODE -***”，其中***表示一个数据，其单位是英寸。贴片二极管 可用贴片电容的封装套用。 三极管：普通三极管在Miscellaneous Devices.IntLib库中找到，它的名称与Protel99 SE的 名称“TO-***”不同，在Protel DXP中，三极管的名称是“BCY-W3”目录中，以后就可以十分 方便地调用了。其实对Protel 99、Protel2.5 等以前的版本的封装元件库也可以用导入的方法 将封装元件库导入Protel DXP中。 三、 在 Protel DXP 中创建新的封装元件：创建新的封装元件在Protel DXP中有二种方法，一是手工创建，二是用向导创建 1、 用手工绘制封装元件： 用绘图工具箱 2、用向导创建封装元件： 用向导创建封装元件根据封装元件的不同其步骤也有所不同，但是基本的方法大致是相同 的，下面我们对最基本的方法简单介绍一下： ①、 单击*.PcbLib(在那个元件库创建就单击那个元件库)， 将*.PcbLib作为当前被编辑的文件； ②、单击【Tools】/【New Component】,在对话框中选择准备创建元件的封装类型，下面的表格是各封装类型对照表： 序号 名 称 说 明 1 Ball Grid Arrays(BGA) BGA类型 2 Capacitors CAP无极性电容类型 3 Diodes 二极管类型 4 Dual in-line Package(DIP) DIP类型 5 Edge Connectors EC边沿连接类型 6 Leadless Chip Carier(LCC) LCC类型 7 Pin Grid Arrays(PGA) OGA类型 8 Quad Packs(QUAD) GUAD类型 9 Resistors 二脚元件类型 10 Small Outline Package(SOP) SOP类型 11 Staggered Ball Gird Arrayd (SBG) SBG类型 12 Staggered Pin Gird Arrayd (SPGA) SPGA类型 假定我们选择Dual in-line Package(DIP)的封装类型，并选择单位制为“Imperial”(英制，一般 均选择英制)，然后单击“Next”； ③、在这个对话框中是设置焊盘的大小，我们如果是创建一个DIP封装的元件，可以采用默 认值，当然如果创建的不是典型的DIP封装元件，要根据焊盘流过的电流大小设置，对于电 流较大的元件焊盘要设置的稍大一点，设置好后单击“Next”； ④、在这个对话框中是设置焊盘之间的X方向和Y方向间距的，如果我们是创建一个DIP封 装的元件，可以采用默认值，当然如果创建的不是典型的DIP封装元件，要根据焊盘流过的 电流大小设置，对于电流较大的元件焊盘的间距要设置的稍大一点，设置好后单击“Next”； ⑤、 在这个对话框中是设置丝印层中丝印线条的宽度的， 为了使丝印比较清晰最好印线条的 宽度的设置为 2-5mil，比较流行的设置是 5 mil，设置好后单击“Next”； ⑥、在这个对话框中是设置焊盘的数目，我们如果是创建一个DIP封装的元件，根据封装设 置；如果创建的不是DIP封装的元件，要根据焊盘的多少设置，当然由于是DIP封装设置一 般要采用双数，如果设置和具体的封装有区别，在后面我们还可以修改，设置好后单击 “Next”； ⑦、在这个对话框中是设置封装元件的名称的，在文本输入框输入即可，输入好后单击 “Next”；⑧、进入向导完成对话框，单击“Finish”结束向导。如果我们创建的是DIP元件，基本已经完 成，但是我们创建的不是DIP元件，可能和元件封装有一定的差别，我们可以进行手工修改； ⑨、用手工绘制的方法进行修改，修改的内容包括增加或减少焊盘、对某个焊盘进行大小和 名称的重新设置、对某个焊盘进行移动、重新绘制元件封装的轮廓线等等。全部设置和修改 完成并经过反复检查认为没有问题后，点击【Edit】/【Set Reference】/【*】设置参考点。 点击【Report】/【Component Rule Check】执行元件设计规则检查，如果在输出报表没有错 误，则设计是成功的。点击主工具条的存盘键进行存盘。四、 在 Protel DXP 中封装元件在封装元件库间的复制：有的时候我们需要将一个封装元件库中的某个封装元件复制到另一个封装元件库中，复 制的方法比较多，我们在这里介绍二种比较常用和比较简单的方法供参考： 方法一、单击*.PcbLib(被复制的封装元件所在的元件库)，将*.PcbLib 作为当前被编辑的 文件，用鼠标右键点击被复制的封装元件，在下拉菜单单击“Copy”；单击*1.PcbLib(被复制 的封装元件要复制到的元件库)，将*1.PcbLib 作为当前被编辑的文件，用鼠标右键点封装元 件列表最上面的空白处，在下拉菜单单击“Paste”,然后保存即可； 方法二、单击*.PcbLib(被复制的封装元件所在的元件库)，将*.PcbLib 作为当前被编辑的 文件，用鼠标左键点击被复制的封装元件，使被复制的封装元件到编辑区，点击【Edit】/ 【Select】 All】 【 / 选择编辑区的全部内容， 再点击 【Edit】 Coyp】 【 / 进行复制； 单击*1.PcbLib(被 复制的封装元件要复制到的元件库)，将*1.PcbLib 作为当前被编辑的文件，用鼠标左键点击 【Tools】/【New Component】新建一个元件，关闭向导对话框,继续点击【Edit】/【Paste】 将封装元件复制到编辑区，点击【Tools】/【Rename Component】对元件重命名，然后保存 即可。上述方法同样适合原理图元件库中元件的复制。五、 在 Protel DXP 中创建自己的封装元件库：我们在制作PCB板时不是需要在 Protel DXP中的所有的元件库，而是仅仅需要其中的部 分元件库和封装库， 或者是某个库中的部分元件或封装元件， 如果我们将这些元件或封装元 件创建自己的元件库和封装元件库，给我们带来很大的方便，在查找过程中也特别容易了。在某个磁盘分区，新建一个目录如“PDXP LIB”，在这个目录下再新建二个目录“SCH”和 “PCB”，在“SCH”目录中可以创建自己的电路原理图的元件库，由于本文主要讨论PCB封装 元件库， 这里我们不再讨论， 在“PCB”中我们创建PCB封装元件库。 在Protel DXP的单击 【File】 /【New】/【PCB Library】新建一个空的PCB元件库，并用另外的名称如“分立元件.PcbLib” 存盘到“X:/PDXP LIB/PCB/”中，其中“X:”是上面目录的所在盘符。在这个库中用运上面新建 封装元件的方法和封装元件在封装元件库间的复制方法将分立元件的封装全部放置在这个 库中。用同样的方法，创建“DIP.PcbLib”、“贴片电容.PcbLib”、“接插件.PcbLib”、 “PLCC.PcbLib”、“SOP.PcbLib”等等等等封装元件库，在这些库中用运上面新建封装元件的 方法和封装元件在封装元件库间的复制方法将相应元件的封装全部放置在这个库中。 在分类 过程中，最好分的比较细一点，虽然看起来库比较多，但是一则管理比较方便，维护、修改、 添加等都十分容易，二则在调用元件时一目了然，作者就是这样管理和用运的，比在原来的 库中用运方便的多。六、 创建和修改封装元件时注意的一些问题：1、我们建议自己创建的元件库保存在另外的磁盘分区，这样的好处是如果在 Protel DXP 软件出现问题或操作系统出现问题时， 自己创建的元件库不可能因为重新安装软件或系统而 丢失，另外对元件库的管理也比较方便和容易。 2、对于自己用手工绘制元件时必须注意元件的焊接面在底层还是在顶层，一般来讲，贴 片元件的焊接面是在顶层，而其他元件的焊接面是在底层（实际是在 MultiLayer 层）。对 贴片元件的焊盘用绘图工具中的焊盘工具放置焊盘， 然后双击焊盘， 在对话框将 Saple(形状) 中的下拉单修改为 Rectangle（方形）焊盘，同时调整焊盘大小 X-Size 和 Y-Size 为合适的尺 寸， Layer(层)修改到“Toplayer” 顶层）将 Hole Size(内经大小)修改为 0mil,再将 Designator 将 （ ， 中的焊盘名修改为需要的焊盘名，再点击 OK 就可以了。有的初学者在做贴片元件时用填充 来做焊盘，这是不可以的，一则本身不是焊盘，在用网络表自动放置元件时肯定出错，二则 如果生产 PCB 板，阻焊层将这个焊盘覆盖，无法焊接，请初学者们特别注意。 3、在用手工绘制封装元件和用向导绘制封装元件时，首先要知道元件的外形尺寸和引脚 间尺寸以及外形和引脚间的尺寸， 这些尺寸在元件供应商的网站或供应商提供的资料中可以 查到，如果没有这些资料，那只有用千分尺一个尺寸一个尺寸地测量了。测量后的尺寸是公制， 最好换算成以 mil 为单位的尺寸(1cm==394mil 1mm==39.4mil),如果要 求不是很高，可以取 1cm=400mil,1mm=40mil。 4、如果目前已经编辑了一个 PCB 电路板，那么单击【Design】/【Make PCB Library】可 以将 PCB 电路板上的所有元件新建成一个封装元件库，放置在 PCB 文件所在的工程中。这 个方法十分有用， 我们在编辑 PCB 文件时如果仅仅对这个文件中的某个封装元件修改的话， 那么只修改这个封装元件库中的相关元件就可以了，而其他封装元件库中的元件不会被修 改。protel dxp 快捷键大全enter――选取或启动