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固态硬盘闪存芯片SLC和MLC哪个好？SLC固态硬盘和MLC固态硬盘哪个好？
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首先说下对于SLC和MLC个人感觉没有可比性,一切从需求角度出发.买固态硬盘为了什么?速度,还是赶潮流.很多人就问说当然是要速度,赶潮流那是富二代去干的事情.既然是为了速度才买固态硬盘的,那还需要选择么?当然是选SLC啦,否则,还不如买两块机械盘组个RAID 0速度丝毫不减.至于RAID 0和固态硬盘的速度差异究竟有多大请查看:当然,根据固态硬盘的另外一种需求,低功耗和防震考虑放到笔记本上使用可以选用MLC的,这样可以花较少的钱买到更大的固态硬盘.SD的主要构造就是闪存，影响SSD速度的相当原因，也在于闪存的种类，闪存分为SLC和MLC两种，以下我们来看看这两种闪存的详细介绍。 SLC全称是单层式储存(Single Level Cell)，是指一个Block(块，Flash的基本存储单元，也可称为Cell)只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低。 SLC因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此出现坏块的几率较小，因为存储结构非常简单，一组电压即可驱动，所以其速度表现更好。不过这种一个块只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，所以SLC的闪存容量相对来说都比较小，只能在工艺制程方面努力进步，才能满足用户在容量方面不断的要求。 MLC的全称是多层式储存(Multi Leveled Cell)，同上面说的SLC不同，MLC充分利用块的技术，它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息(00、01、11、10)，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍，这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的NAND Flash而言，是非常好的消息。不过MLC相比SLC除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外，也存在一些先天的弊端，比如说电压区间更小，Flash就需要更多的CRC校验空间，这会大概占据块中10%的空间，因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍。而因为MLC Flash电压变化更频繁，所以基于MLC技术的Flash在寿命方面相较SLC要差一些，官方给出的可擦写次数仅为1万次，也就是说一张512MB的USB闪存盘，你写入512MB的数据1万次(理论值)，它就报废了，这也是当前MLC技术最致命的缺点。此外MLC技术还有一个缺点，就是它的读写速度不如SLC，一个块存储两组位数据，自然需要更长的时间，这里面还有电压控制、CRC写入方式等因素需要考虑。 上图为采用SLC闪存的intel X25-E，虽然容量仅有32GB，但是要比采用MLC闪存的80GB容量X25-M要贵不少，不过随之带来的性能提升也是非常之大。 MLC技术是今后NAND Flash的发展趋势，就像CPU单核心、双核心、四核心一样，MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实 现容量上的成倍跨越，直至更先进的架构问世。而SLC短期内仍然会是市场的佼佼者，但随着MLC技术的不断发展和完善，SLC必将退出历史的舞台更多最新硬件资讯请访问:更多的最新硬盘产品信息请访问:更多的最新硬盘产品信息请访问:更多硬盘工具软件请访问:希望以上信息对你的问题有所帮助。
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NAND FLASH 的MLC和SLC架构对比
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目前业内最具争议的话题莫过于NAND闪存的两大架构MLC和SLC了，这两种架构最大的区别是存取技术不同，由此也带来了制造成本、工艺要求、辅助电
路、存取次数上的迥异。从短期发展来看，SLC架构在使用上优势较为明显，也因此成为了部分厂商炫耀产品的资本。然而MLC架构具有成本低廉、单片容量较
SLC成倍增大等优势，长远来看势必会成为NAND闪存的下一代主流架构。现在购买随身数码影音产品也许我们还在为闪存芯片采用了哪种架构而顾虑，但在不
久的将来这种顾虑会完全消失，为什么呢？且听笔者慢慢分析。
　　NAND闪存可分为三大架构，分别是单层式储存（Single
Level Cell），即SLC；多层式储存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存储（Multi Bit
Cell），即MBC。MLC是英特尔（INTEL）在1997年9月最先研发成功的，其原理是将两个位的信息存入一个浮动栅（Floating
Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。讲白话点就是一个Cell存放多个bit，现在
常见的MLC架构闪存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架构芯片的2倍，目前三星、东芝、海力士（Hynix）、IMFT(英特尔与美光合资公
司)、瑞萨（Renesas）都是此技术的使用者，而且这个队伍还在不断壮大，其发展速度远快于曾经的SLC架构。
　　SLC技术与
EEPROM原理类似，只是在浮置闸极（Floating gate）与源极（Source
gate）之中的氧化薄膜更薄，其数据的写入是透过对浮置闸极的电荷加电压，然后可以透过源极，即可将所储存的电荷消除，采用这样的方式便可储存每1个信
息位，这种技术的单一位方式能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于低硅效率的问题，必须由较先进的流程强化技术才能向上提升SLC制程技术，单片
容量目前已经很难再有大的突破，似乎已经发展到了尽头。
　　MBC是英飞凌（Infineon）与赛芬半导体（Saifun
Semiconductors）合资利用NROM技术共同开发的NAND架构，技术上的问题目前还没有得到广泛应用。网上相关资料也非常有限，加之主题和
篇幅关系，就不做深入探讨了。
　　对MLC和SLC两大架构现在网上存在一个普遍的认识误区，那就是大家都认为MLC架构的NAND闪
存是劣品，只有SLC架构的NAND闪存才能在质量上有保障。殊不知采用MLC架构的NAND闪存产品在2003年就已经投入市场使用，至今也没有见哪位
用户说自己曾经购买的大容量CF、SD卡有质量问题。可能你会说这是暂时的，日后肯定出问题，那么我们就先来回忆一下MLC的发展历程以及SLC目前的发
展状况再来给这个假设做定论吧。
　　MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND
Flash开始，当时作为NAND
Flash的主导企业三星电子对此架构很是不屑，依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit
和8Gbit NAND
Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。三星电子长期以来一直倡导SLC架构，声称SLC优于MLC，但该公司于2004和
2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任何营销材料，但此时却已经开发
出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。该产品的裸片面积是156mm2，比东芝的90nm工艺MLC
NAND闪存大了18mm2。两家主流NAND闪存厂商在MLC架构上的竞争就从这时开始正式打响了。除了这三星和东芝这两家外，现在拥有了英特尔MLC
技术的IM科技公司更是在工艺和MLC上都希望超越竞争对手，大有后来者居上的冲劲。MLC技术的竞争就这样如火如荼地进行着。
一方面我们再来看看SLC技术，存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，即每Cell只能存取1bit数据，有点儿类似于开关电路，虽然简单但却非常稳
定。如同电脑的CPU部件一样，要想在一定体积里容纳更多的晶体管数，就必须提高生产工艺水平，减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问题，要
想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术，这就意味着厂商必须更换现有的生产设备，投入大不说而且还是个无底洞。而MLC架构可以一次储存4
个以上的充电值，因此拥有比较好的存储密度，再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量，厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证，自然比
SLC架构更受欢迎。
　　既然MLC架构技术上更加先进，同时又具备成本和良率等优势，那为什么迟迟得不到用户的认同呢。除了认识上的
误区外，MLC架构NAND
Flash确实存在着让使用者难以容忍的缺点，但这都只是暂时的。为了让大家能更直观清楚地认识这两种架构的优缺点，我们来做一下技术参数上的对比。
　首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这其中也存在一个误区，网上很多媒体
都有写MLC和SLC知识普及的文章，笔者一一拜读过，可以说内容不够严谨，多数都是你抄我我抄你，相互抄来抄去，连错误之处也都完全相同，对网友很不负
责。就拿存取次数来说吧，这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重，
这个寿命值正随着MLC技术的不断发展和完善而改变着。MLC技术并非一家厂商垄断，像东芝（Toshiba）已生产了好几代MLC架构NAND闪存，包
括前不久宣布和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进56nm工艺的16Gb（2gigabyte）和8Gb（1gigabyte）MLC
NAND闪存，16Gb是单芯片的业内最大容量。
　　东芝在MLC闪存设计方面拥有经验与技术，去年东芝利用90nm工艺与三星的
73nm产品竞争。东芝90nm MLC闪存的位密度达29 Mbits/ mm2，超过了三星的73nm闪存（位密度为25.8
Mbits/mm2）。对于给定的存储密度，东芝闪存的裸片面积也比三星的要小。例如东芝的4-Gbit 90nm NAND裸片面积是138
mm2，而三星的4-Gbit 73nm NAND裸片面积是156
mm2，这使东芝在成本方面更具竞争力。三星方面现在正奋起直追，与东芝之间的竞争异常激烈。再加上IMFT、海力士等厂商的参与，MLC技术发展势头迅
猛，今天MLC NAND Flash写寿命还只有1万次，明天也许就会是2万次、3万次甚至达到与SLC同等级别的10万次，这是完全有可能的。
NAND Flash的写寿命我们一起来算笔帐，假如近期笔者购买了一款2GB容量MP3播放器，闪存是东芝产的MLC架构NAND
Flash，理论上只能承受约1万次数据写入。笔者是个疯狂的音乐爱好者，每天都要更新一遍闪存里的歌曲文件，这样下来一年要执行365次数据写入，1万
次可够折腾至少27年的，去除7年零头作为数据读取对闪存寿命的损耗，这款MP3播放器如果其它部件不出问题笔者就可以正常使用至少20年。20年对于一
款电子产品有着怎样的意义？就算笔者恋旧，也不可能20年就用一款MP3播放器吧。况且就算是SLC架构，闪存里的数据保存期限最多也只有10年，1万次
的数据写入寿命其实一点儿也不少。
　　其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控
制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。可能你会拿现成的例子来辩驳，为什么在同样的控制芯片、同样的外围
电路下SLC速度比MLC快。首先就MLC架构目前与之搭配的控制技术来讲这点笔者并不否认，但如果认清其中的原因你就不会再说SLC在速度方面存在优势
了。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟，笔者评测过的SLC产品数据写入速度最快能达到
9664KB/s（
），读取速度最快能达到13138KB/s（
），而同样在高速USB2.0接口协议下写入速度最慢的还不足
1500KB/s，读取速度最慢的也没有超过2000KB/s。都是SLC闪存芯片，都是高速USB2.0接口协议，为什么差别会如此大。笔者请教了一位
业内资深设计师，得到的答案是闪存控制芯片效能低，且与闪存之间的兼容性不好，这类产品不仅速度慢而且在数据操作时出错的概率也大。这个问题在MLC闪存
刚投入市场时同样也困扰着MLC技术的发展，好在去年12月我们终于看到了曙光。这就是擎泰科技（Skymedi
Corporation）为我们带来的新一代高速USB2.0控制芯片SK6281及SD 2.0/MMC
4.2的combo快闪记忆卡控制芯片SK6621，在MLC
NAND闪存的支持与速度效能上皆有良好表现。其所支持的MLC芯片已经达到了Class4的传输速度。
　　MLC NAND
Flash自身技术的原因，只有控制芯片效能够强时才能支持和弥补其速度上的缺点，支持MLC制程的控制芯片需要较严格的标准，以充分发挥NAND闪存芯
片的性能。擎泰科技所推出的系列控制芯片经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对较正，已能支持目前市场主流的MLC闪存，如英特尔
JS29F16G08CAMB1、JS29F08G08AAMB1，三星K9G4G08U0A、K9G8G08U0M、K9LAG08U0M、
K9HBG08U1M，东芝TC58NVG2D4CTG00、TC58NVG3D4CTG00、TH58NVG4D4CTG00，美光（Micron）、
海力士（Hynix）等等。此外，藉由良好的韧体设计，可大幅提升性能，达到最高的存取速度，例如：SK6621支持MLC可到Class4水准，其所支
持SLC皆可支持到Class6的传输速度。SK6281还达到了Vista ReadyBoost速度的需求（Enhanced for
ReadyBoost），且支持单颗MLC时可达22MB/s的读取速度及6MB/s的写入速度，综合下来并不比SLC慢多少。你手上的MP3播放器
USB传输速度慢并不全是因为闪存芯片采用了MLC架构，它与控制芯片的关系要更加密切一些。
　　第三是功耗。SLC架构由于每
Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为
4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。最近传来好消息，英特尔新推出的65纳米MLC写入速度较以前产品提升了二倍，而工作电
压仅为1.8V，并且凭借低功耗和深层关机模式，其电池使用时间也得到了延长。
　　第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状
态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样，只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损
坏，对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例），这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充
电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路，而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较
大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。目前一些MP3主控制芯片已经采用了硬件
4bit ECC校验，这样就可以使MLC的出错率和对机器性能的影响减小到最低。
　　第五是制造成本。为什么硬盘容量在成倍增大的同
时生产成本却能保持不变，简单点说就是在同样面积的盘片上存储更多的数据，也就是所谓的存储密度增大了。MLC技术与之非常类似，原来每Cell仅存放
1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC NAND
Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。
　　综上所述，MLC技术是今后NAND
Flash的发展趋势，就像CPU单核心、双核心、四核心一样，MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实现容量上的成倍跨越，直至更先进的架构问
世。而SLC短期内仍然会是市场的佼佼者，但随着MLC技术的不断发展和完善，SLC必将退出历史的舞台。
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NAND闪存战争 TLC能否战胜MLC成主流？
关键字：NAND
　　随着市场的快速发展，固态硬盘所使用的闪存也备受关注。目前市场上主流的闪存有两种，一种是MLC，一种是TLC。而TLC从诞生开始就被广大消费者认为是性能差、可靠性低、寿命短，因此并不受消费者待见。TLC闪存就真的比不上MLC闪存吗？现在游画面逐渐精美，软件功也更加强大，随之而来的的也是容量的提升市场对闪存容量的要求越来越高，我们先不论性能方面，至少对NAND厂商来说，TLC闪存大容量、低成本的诱惑无法抵挡。
　　NAND闪存战争 TLC能否战胜MLC成主流？
　　首先从了解闪存颗粒有哪些开始。闪存市面上常见的有SLC、MLC、TLC。下面我们来看一下三种架构的区别。
　　TLC芯片架构
　　SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快寿命长，价格超贵(约MLC 3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命。其在级上比较常见，例如经典的 X25-E系列，此外在一些高端的U盘上也有使用。
　　MLC =-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电至，因此要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。如今大多数的消费机SSD都是使用的MLC。
　　TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，也有Flash厂家叫8LC，最大特点就是速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。，通常用在U盘或者卡这类移动存储设备上。
　　第2页：激战 TLC能否胜MLC成主流？
　　激战 TLC能否胜MLC成主流？
　　TLC闪存(准确地说是3bit MLC)在我们的生活中很常见，例如我们所使用的U盘，特别是价格很实惠的那些，差不多都是TLC闪存了，其他外置NAND存储设备也是TLC闪存的大客户。但厂商对TLC的偏爱并不止这些，以往TLC闪存都是用在偏重成本的领域，但现在TLC闪存开始侵入到SSD、eMMC/eCMP等主流市场了。
　　大部分U盘使用TLC闪存
　　TLC产品
　　那么TLC性能差、可靠性低、寿命短这些问题又是否属实呢？其实相比较MLC而言，TLC闪存的成本通常只有MLC闪存的80-85%，这也就不能解释为什么厂商喜爱TLC。实际上现在的TLC闪存也逐渐解决了以往的问题，性能可以靠加大缓存、改进主控等方式解决，P/E寿命虽然没得改，但可靠性可以借助增加ECC校验、优化主控读写等方式改善，而且对NAND闪存来说，容量就是寿命，更大的容量就有了更高的数据写入寿命。目前固态硬盘逐渐往大容量方向走去。所以TLC拥有更大的优势是毋庸置疑的。
　　四大NAND厂商中，对TLC闪存最为热心，他们2年前就开始在消费级SSD市场上推TLC闪存硬盘了，现在已经出了840、840 Evo及850 Evo三代了
　　今年底TLC闪存将占据45%的市场份额
　　而根据dramexchange的统计，去年A4季度TLC闪存已经占据了37%的市场份额了，今年TLC闪存份额还会继续上涨，上半年因为季节因素变化不大，但Q4季度预计TLC闪存就会占据45%的市场份额，接近一半的市场份额了。
　　3D NAND技术的TLC闪存
　　平面TLC闪存时代主要是三星在推，目前三星已经转向3D闪存了，/闪迪、Intel/美光、SK Hynix等厂商也各自开发了3D NAND技术很快也会跟三星一样推出3D NAND技术的TLC闪存。
　　全文总结：
　　NAND闪存战争中，TLC闪存已经是大势所趋，它的性能及可靠性问题可以借助其他技术改善，由于市场对大容量、低价格的闪存有庞大的需求，TLC更大范围内的在固态硬盘中使用已成趋势。但笔者认为最重要的是固态硬盘厂商解决消费者在意的问题，让消费者有更好的体验，消除后顾之忧，这才是我们更为关系的事。
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