网货虽然提共手机号码姓名和出生年月日配对,这样货款可以提交成功吗?

带来广阔前景的同时也使得测試日益复杂化。必须开发新的技术来测试5G设备需要成本更低的空口测试技术。

自蜂窝通信出现开始以来测试工程师一直在使用一组公認的测量和技术,对从RF半导体到基站和移动手机等技术进行大量测试但是对于5G,这些无线设备采用的技术将更加复杂用于测试前几代設备且已经过高度优化的测试技术必须重新考量。为验证5G技术的性能需要使用空口(over-the-r,OTA)方法而不是当前使用的线缆直连的方法来测试5G組件和设备作为工程领导者,我们需要新的测试方法来确保5G产品和解决方案在许多行业和应用中的商业化可行性

5G标准的主要目标之一昰大幅提高数据容量,这是因为用户数据需求在持续不断地增长但为了实现每用户10 Gbps的目标峰值速率,需要引入新技术首先,5G规范包括哆用户MIMO(MU-MIMO)技术该技术允许用户通过波束成形技术同时共享相同的频带,为每个用户建立唯一的集中无线连接其次,5G标准增加了更多嘚无线频谱扩展到了厘米和毫米波(mmWave)频率。

MU-MIMO和mmWave技术的物理实现需要使用比前几代蜂窝标准更多的天线元件根据物理学定律,mmWave频率的信号在通过自由空间时将比当前蜂窝频率的信号衰减得更快因此,在发射功率电平近似的情况下mmWave蜂窝频率的范围将比当前蜂窝频带小嘚多。为了克服这种路径损耗5G发射器和接收器将利用并行工作的天线阵列,并使用波束成形技术来提升信号功率而不是像目前的设备那样每个频带使用一个天线。这些天线阵列和波束成形技术不仅对于增加信号功率很重要对于实现MU-MIMO技术也同样至关重要。

那如何将所有這些天线安装到未来的手机中幸运的是,mmWave频率的天线将比用于当前标准的蜂窝天线小得多新的封装技术,如集成天线封装(annnain packageAiP,即天線阵列位于芯片的封装内)将使得这些天线更容易集成到现代智能手机的小空间内,但天线阵列可能完全封闭没有任何可直接接触的測试点。

对于测试工程师而言增加的频率范围、新的封装技术和更多的天线数量使其很难在维持高质量的同时,尽可能避免资本成本(測试设备的成本)和运营成本(测试每个设备的时间)的增加新的OTA技术可以帮助解决这些问题,但同时也带来了挑战首先,测量精度昰一大挑战与有线测试不同,在进行OTA测量时测试工程师需要处理天线校准和精度、连接件公差和信号反射等引起的额外测量不确定性。其次设备测试计划必须纳入全新的测量方法,以进行消声室集成、波束特性分析、最佳码本计算和天线参数特性分析第三,随着RF带寬不断增加在RF带宽上进行校准和测量所需的处理量也会增加,进而导致测试时间增加最后,测试经理必须考虑额外的业务因素以在確保产品质量的同时,最大限度地减少对上市时间、资本成本、运营成本和占地面积(以适应OTA测试暗室的面积)的影响在接下来的几年裏,测试和测量行业将通过许多创新技术来快速应对这些挑战因此,测试团队应考虑高度灵活的软件定义测试策略和平台以确保其当湔的资本支出能够跟上这一快速创新周期。

虽然OTA提出了诸多挑战但同时也带来了许多好处。首先OTA是AiP技术的唯一选择,因为天线阵列集荿在封装内无法通过导线直接连接阵列元件。即使测试工程师可以使用传导测试方法连接各个天线元件他们也面临着选择并行测试(購买更多仪器带来的资本支出)还是连续测试(测试时间和吞吐量增加带来的运营成本)的困难。虽然许多技术问题仍有待解决但OTA测试提供了将阵列作为一个系统而不是一组独立元件进行测试的可能性,这有望提供系统级测试的高效率过去,测试设备供应商和测试工程師已经遇到了在测试日益增加的性能和复杂性的同时最大限度缩短产品上市时间和测试成本的挑战,而对于5G他们仍面临着相同的挑战。尽管当今的5G测试挑战看起来很复杂但世界各地的工程师们已经在开发新的测试仪器和方法,如OTA这些都是5G成功进行商业部署所必需的。

原文标题:5G迎来新的无线测试时代

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TRF7960A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据成器器件适用于13.56MHz RFID读/写器系统,支持ISO /IEC 14443 A和BSony FeliCa以及ISO /IEC 15693.该器件具有内置的编程选項,因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此读取器进行配置。到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调 TRF7960A器件针对所有符合板载ISO协议的成和同步任务,支持高达848kbps的数据速率此器件还支持NFC论坛标簽类型1,2,3,4和5的读/写器模式。为了支持NFC论坛标签类型2,3,4和5该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现。直接模式0可让用户完全控制AFE并且还可以访问原始子载波数据或者未成而但已经是ISO格式的數据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构可最大程度实现通信稳定。这些接收器还包括多种自动和手动增益控制选项在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信号强度 可使用SPI或并行接口进行MC...

在使用单电源的信号调理应鼡中,需要一个等于电源电压一半的参考电压来终止所有模拟信号接地 TI提供精密虚拟接地,其输出电压始终等于TLE2426分压器输入电压的一半 高性能微功率运算放大器和精密调节分压器的独特组合单个硅芯片导致精确的V O /V I 比为0.5,同时下沉和输出电流 TLE2426提供具有20 mA灌电流和源极功能??的低阻抗输出,同时在4 V至40 V的整个输入范围内提供低于280μA的电源电流设计人员无需为电路板空间付出代价传统的信号接地,包括电阻电容,运算放大器和电压基准为提高性能,8引脚封装提供降噪引脚通过增加一个外部电容(C NR ),可以降低峰峰值噪声同时改善线蕗纹波抑制。 单个5-的初始输出容差在整个40 V输入范围内V或12 V系统优于1%。纹波抑制超过12位精度无论应用是用于数据采集前端,模拟信号终端还是简单的精密电压基准TLE2426都消除了系统误差的主要来源。 特性 受控基线 一个装配/测试现场一个制造现场 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强嘚减少制造资源(DMS)支持 增强产品更改通知 资格认证谱系(1) 模拟系统的半个V I 虚拟接地 微功率运行。 。 170μ...

TVP5150AM1器件是超低功耗NTSC /PAL /SECAM视频解码器 TVP5150AM1解码器采用节省空间的32端TQFP封装,可将NTSCPAL和SECAM视频信号转换为8位ITU-R BT.656格式。也可以使用离散同步 TVP5150AM1解码器的优化架构可实现超低功耗。该解码器在典型操作中功耗为115 mW在省电模式下功耗不到1 mW,大大延长了便携式应用的电池寿命解码器仅使用一个晶体来支持所有标准。可以使用I 2 C串行接口对TVP5150AM1解码器进行编程解码器的模拟和数字电源采用1.8 V电源,I /O采用3.3 V电源 TVP5150AM1解码器将基带模拟视频转换为数字YCbCr 4:2:2分量视频。支持复合和S-video输叺 TVP5150AM1解码器包括一个带2倍采样的9位模数转换器(ADC)。采样是ITU-R BT.601(27.0 MHz由14.31818-MHz晶振或振荡器输入产生)并且是线路锁定的。输出格式可以是8位4:2:2或帶有嵌入式同步的8位ITU-R BT.656 TVP5150AM1解码器利用德州仪器专利技术锁定弱电,噪声或信号不稳定生成同步锁相/实时控制(RTC)输出,用于同步下游视频編码器 可以为亮度和色度数据路径...

UC1637是一款脉冲宽度调制器电路,旨在用于需要单向或双向驱动的各种PWM电机驱动和放大器应用电路当用於替换传统驱动器时,该电路可以提高效率并降低许多应用的元件成本包括所有必要的电路,以产生模拟误差信号并与误差信号的幅喥和极性成比例地调制两个双向脉冲序列输出。 该单片器件包含一个锯齿波振荡器误差放大器和两个PWM比较器具有±100 mA输出级作为标准功能。保护电路包括欠压锁定逐脉冲电流限制和具有2.5 V温度补偿阈值的关断端口。 UC1637的特点是在整个空间温度范围内工作 - 55°C至125°C 特性 QML-V合格,SMD 耐輻射:30 kRad(Si)TID ( 1) TID剂量率= 10 mRad /sec 单电源或双电源操作 ±2.5- V至±20V输入电源范围 ±5%初始振荡器精度; ±10%过温 逐脉冲电流限制 欠压锁定 具有温度补偿2.5 V阈值嘚关断输入 用于设计灵活性的未提交PWM比较器 双100 mA源/灌电流输出驱动器 (1)辐射公差是基于初始设备认证的典型值可提供辐射批次验收测试 - 囿关详细信息,请联系工厂 参数 与其它产品相比 电机驱动器   Peak Output Current (A)

DRV8842-EP可用于打印机,扫描仪以及其它自动化设备应用提供集成电机驱动器解决方案此器件具有一个H桥驱动器,用于驱动一个直流电机一个步进电机线圈或其它负载。输出驱动器块包括配置为一个H桥的N通道功率MOSFET.DRV8842-EP可提供最高5A的峰值电流或3.5A的RMS输出电流(在24 V /25°C且散热正常的条件下) 提供可单独控制H桥每一半的独立输入。 提供用于过流保护短路保护,欠壓锁定和过热保护的内部关断功能 DRV8842-EP采用带有PowerPAD的28引脚HTSSOP封装(环保型:符合RoHS标准且不含铅/溴)。要了解所有可用封装请见数据表末尾的可訂购产品附录。 特性 单路H桥电流控制电机驱动器 驱动一个直流电机一个步进电机线圈或其它传动器 5位绕组电流控制支持高达32个电流级 低MOSFET導通电阻 24V /25°C下最大驱动电流为5A 内置3.3V基准输出 工业标准的PWM控制接口 8.2V至45V宽工作电源电压范围 散热增强型表面贴装封装 支持国防,航天和医疗应鼡 受控基线 同一组装和测试场所 同一制造场所 支持军用(-55°C至125°C)温度范围 延长的产品生命周期 延长的产品变...

THS8200是一款完整的视频后端D /A解决方案适用于DVD播放器,个人视频录像机和机顶盒或任何需要转换的系统数字分量视频信号进入模拟域。 THS8200可接受4:4:4和4:2:2格式的各种数芓输入格式3×10位,2 ×10位或1×10位接口该设备通过专用的Hsync /Vsync输入或通过从视频流内的嵌入式同步(SAV /EAV)代码中提取同步信息来同步输入的视频數据。或者当配置为生成PC图形输出时,THS8200还提供主时序模式在该模式下,它从外部(存储器)源请求视频数据 THS8200包含一个完全可编程的顯示时序发生器标准和非标准视频格式,最大支持像素时钟为205 MSPS因此,该设备支持所有分量视频和PC图形(VESA)格式包含完全可编程的3×3矩陣运算,用于色彩空间转换所有视频格式,高达HDTV 1080I和720P格式也可以在内部进行2倍过采样。过采样放宽了对DAC背后尖锐外部模拟重建滤波器的需求并改善了视频特性。 输出兼容范围可通过外部调节电阻设置可选择两种设置,以便无需硬件更改即可适应分量视频/PC图形(700 mV)和复匼视频(1.3 V)输出视频数据上的内部可编程限幅/移位/乘法功能可确保符合标准的...

UC1625电机控制器在一个封装内集成了高性能无刷dc电机控制所需嘚大多数功能。当与外部功率场效应管( MOSFET)或者达灵顿功率管(达林顿)耦合的时候此器件在电压或者电流模式下件执行固定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控制和具有智能噪音抑制功能的刹车,安全方向反转和交叉传导保护。 虽然额定工作电压范围是10 V至18VUC1625可借助于外部电平位移组件来控制具有更高电源电压的器件.UC1625含有用于低侧功率器件的快速,高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或者电平位移电蕗的50 V开路集电极输出 UC1625额定军用工作温度范围是-55°C至125°C 。 特性 经QML-V标准认证SMD 耐辐射:40 kRad(Si)TID辐射容 直接驱动功率场效应管(MOSFET)的限制基于初始器件鉴定(放射量率= 10 mrad /sec)的典型值。可提供辐射批量接受测试 - 详情请与厂家联系或者达灵顿功率管(Darlington) 50-V开路集电极高层驱动器 锁存软启動 装有理想二极管的高速电流感应放大器 逐脉冲和平均电流感应 过压及欠压保护 用于安全方向反转的方向闩 转速计 修整参考源30 mA 可编程交叉傳导保护

DRV8332是一款具有先进保护系统的高性能,集成三相电机驱动器 由于功率MOSFET的低R DS(导通)和智能栅极驱动器设计,这个电机驱动器的效率可高达97%可实现更小电源和散热片的使用,是高能效应用的理想选择 DRV8332需要两个电源,一个为12V用于GVDD和VDD,另外一个可高达50V用于PVDD.DRV8332在高達500kHz PWM开关频率运行时仍可保持高精度和高效率。它还具有一个创新保护系统此系统可在很宽故障条件下保护器件不受损伤。这些保护是短蕗保护过流保护,欠压保护和两级过热保护.DRV8332有一个限流电路此电路可在诸如电机启动等负载瞬态期间防止器件过流关断。一个可编程過流检测器可实现可调电流限值和保护级别以满足不同的电机需要 DRV8332具有用于每个半桥的独特独立电源和接地引脚,这样可通过外部检测電阻来提供电流测量并且支持具有不同电源电压需求的半桥驱动器。 特性 具有低R DS(导通)金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)(T J = 25°C时為80mΩ)的高效功率驱动器(高达97%) 运行电源电压高达50V (绝对最大值70V) 高达5A持续相电流(峰值7A...

德州仪器(TI)23mm低频(LF)玻璃应答器提供出色性能并可在134.2kHz的共振频率上运行此产品兼容ISO /IEC 全球开放式标准。德州仪器(TI)LF玻璃应答器使用TI获专利的调谐制造工艺生产以提供持续的读取性能送货前,将对此应答器进行全面的功能和参数测试为用户提供他们所期望从TI获得的高质量产品。 特性 由获专利的半双工(HDX)技术提供的同类产品中最佳性能

德州仪器(TI)动态近场通信(NFC)/射频识别(RFID)接口应答器RF430CL331H是一款NFC标签类型4器件可结合一个非接触式NFC /RFID接口和一個有线I 2 C接口将器件连接到主机.NDEF消息可通过集成的I 2 C串行通信接口读写,也可通过支持高达848kbps速率的集成ISO /IEC 14443标准类型B RF接口进行非接触式访问或更新 该器件按主机控制器的需求请求响应NFC类型4命令,每次仅在其缓存中存储部分NDEF消息这使得NDEF消息的大小仅受主机控制器的存储器容量以及規范的限制。 该器件支持读缓存预取和写自动确认功能,可提高数据吞吐量 该器件可利用简单而直观的NFC连接切换来替代载波方式,只需一次点击操作即可完成诸如低功耗(BLE)或Wi- Fi的配对过程或认证过程。 作为一个常见N. FC接口RF430CL331H使得终端设备能够与启用NFC的智能手机,平板电腦和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I 2 C接口允许对内部静态随机存取存儲器(SRAM)进行读写操作 预取,缓存和自动应答特性提高数据吞吐量 支持数据流 <...>

2017年半导体销售额超过,这是Inl自1993姩来首次失去半导体霸主宝座IC Insights预测,2018年三星与Intel的销售额差距将从2017年的约7%扩大到近19%这意味着今年三星将连续第二年超越Intel继续称霸半导体市场。

不过随着内存芯片市场的动荡,明年三星可能会跌下第一的宝座

三星或跌下半导体第一宝座

根据IC Insights公布的对全球前15大半导体公司2018姩的销售预测,三星的销售额将达到833亿美元年增26%,Intel 2018年的半导体收入为702亿美元年增14%。

这意味着三星将连续第二年成为半导体销售额最高嘚公司并且三星与Intel销售额的差距将从2017年的约7%扩大到近19%。

IC Insights同时指出三星的销售额增长主要来自内存,内存销售额预计将年增31%达到700亿美え。

由于存储芯片价格在第三季度同比上涨14%三星预计第三季度营业利润将创下历史新高,收入同比增长 IEEE 802.15.4 MAC嵌入ROM中,并在ARM ? Cortex ? -M0处理器上單独运行此架构可改善整体系统...

TRF7960A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据成器器件,适用于13.56MHz RFID读/写器系统支持ISO /IEC 14443 A和B,Sony FeliCa以及ISO /IEC 15693.该器件具有内置嘚编程选项因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用。 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此读取器进行配置到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调。 TRF7960A器件针对所有符合板载ISO协议的成和同步任务支持高达848kbps的数据速率。此器件还支歭NFC论坛标签类型1,2,3,4和5的读/写器模式为了支持NFC论坛标签类型2,3,4和5,该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现直接模式0可让用户完全控制AFE,并且还可以访问原始子载波数据或者未成而但已经昰ISO格式的数据和相关(提取的)时钟信号 接收器系统具有双输入接收器架构,可最大程度实现通信稳定这些接收器还包括多种自动和掱动增益控制选项。在RSSI寄存器中可获取从应答器周围信号源或者内部电平接收到的信号强度。 可使用SPI或并行接口进行MC...

在使用单电源的信號调理应用中需要一个等于电源电压一半的参考电压来终止所有模拟信号接地。 TI提供精密虚拟接地其输出电压始终等于TLE2426分压器输入电壓的一半。 高性能微功率运算放大器和精密调节分压器的独特组合单个硅芯片导致精确的V O /V I 比为0.5同时下沉和输出电流。 TLE2426提供具有20 mA灌电流和源极功能??的低阻抗输出同时在4 V至40 V的整个输入范围内提供低于280μA的电源电流。设计人员无需为电路板空间付出代价传统的信号接地包括电阻,电容运算放大器和电压基准。为提高性能8引脚封装提供降噪引脚。通过增加一个外部电容(C NR )可以降低峰峰值噪声,同時改善线路纹波抑制 单个5-的初始输出容差在整个40 V输入范围内,V或12 V系统优于1%纹波抑制超过12位精度。无论应用是用于数据采集前端模擬信号终端还是简单的精密电压基准,TLE2426都消除了系统误差的主要来源 特性 受控基线 一个装配/测试现场,一个制造现场 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造资源(DMS)支持 增强产品更改通知 资格认证谱系(1) 模拟系统的半个V I 虚拟接地 微功率运行 。 170μ...

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DRV8842-EP可用于打印机扫描仪以及其它自动化设备应用提供集成电机驱动器解决方案。此器件具有一个H桥驱动器用于驱动一个直流电机,一个步进电机线圈或其它负载输出驱动器块包括配置为一个H桥的N通道功率MOSFET.DRV8842-EP可提供最高5A的峰值电流或3.5A的RMS输出电流(在24 V /25°C且散热正常的条件下)。 提供可单独控制H桥每一半的独立输入 提供用于过流保护,短路保护欠压锁定和过热保护的内部关断功能。 DRV8842-EP采用带有PowerPAD的28引脚HTSSOP封装(环保型:符合RoHS标准且不含铅/溴)要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录 特性 单路H桥电流控制电机驱动器 驱动一个直流电机,一个步进电机线圈或其它传动器 5位绕组电流控制支持高达32个電流级 低MOSFET导通电阻 24V /25°C下最大驱动电流为5A 内置3.3V基准输出 工业标准的PWM控制接口 8.2V至45V宽工作电源电压范围 散热增强型表面贴装封装 支持国防航天囷医疗应用 受控基线 同一组装和测试场所 同一制造场所 支持军用(-55°C至125°C)温度范围 延长的产品生命周期 延长的产品变...

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DRV8332是一款具有先进保护系统的高性能集成三相电机驱动器。 由于功率MOSFET的低R DS(导通)和智能栅极驱动器设计这个电机驱動器的效率可高达97%,可实现更小电源和散热片的使用是高能效应用的理想选择。 DRV8332需要两个电源一个为12V,用于GVDD和VDD另外一个可高达50V,鼡于PVDD.DRV8332在高达500kHz PWM开关频率运行时仍可保持高精度和高效率它还具有一个创新保护系统,此系统可在很宽故障条件下保护器件不受损伤这些保护是短路保护,过流保护欠压保护和两级过热保护.DRV8332有一个限流电路,此电路可在诸如电机启动等负载瞬态期间防止器件过流关断一個可编程过流检测器可实现可调电流限值和保护级别以满足不同的电机需要。 DRV8332具有用于每个半桥的独特独立电源和接地引脚这样可通过外部检测电阻来提供电流测量,并且支持具有不同电源电压需求的半桥驱动器 特性 具有低R DS(导通)金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)(T J = 25°C时为80mΩ)的高效功率驱动器(高达97%) 运行电源电压高达50V (绝对最大值70V) 高达5A持续相电流(峰值7A...

德州仪器(TI)23mm低频(LF)玻璃应答器提供出色性能并可在134.2kHz的共振频率上运行。此产品兼容ISO /IEC 全球开放式标准德州仪器(TI)LF玻璃应答器使用TI获专利的调谐制造工艺生产以提供持續的读取性能。送货前将对此应答器进行全面的功能和参数测试,为用户提供他们所期望从TI获得的高质量产品 特性 由获专利的半双工(HDX)技术提供的同类产品中最佳性能

德州仪器(TI)动态近场通信(NFC)/射频识别(RFID)接口应答器RF430CL331H是一款NFC标签类型4器件,可结合一个非接触式NFC /RFID接口和一个有线I 2 C接口将器件连接到主机.NDEF消息可通过集成的I 2 C串行通信接口读写也可通过支持高达848kbps速率的集成ISO /IEC 14443标准类型B RF接口进行非接触式访問或更新。 该器件按主机控制器的需求请求响应NFC类型4命令每次仅在其缓存中存储部分NDEF消息。这使得NDEF消息的大小仅受主机控制器的存储器嫆量以及规范的限制 该器件支持读缓存,预取和写自动确认功能可提高数据吞吐量。 该器件可利用简单而直观的NFC连接切换来替代载波方式只需一次点击操作即可完成诸如,低功耗(BLE)或Wi- Fi的配对过程或认证过程 作为一个常见N. FC接口,RF430CL331H使得终端设备能够与启用NFC的智能手机平板电脑和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信。 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I 2 C接口允许对内部静态随機存取存储器(SRAM)进行读写操作 预取缓存和自动应答特性提高数据吞吐量 支持数据流 <...>

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