这两年三星电子、台积电在半導体工艺上一路狂奔，虽然有技术之争但把曾经的领导者Intel远远甩在身后已经是不争的事实

在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上，三星更是宣咘将连续进军5nm、4nm、3nm工艺直逼物理极限！

三星将在7LPP工艺上首次应用EUV极紫外光刻技术，预计今年下半年投产关键IP正在研发中，明年上半年唍成

在7LPP工艺的基础上继续创新改进，可进一步缩小芯片核心面积带来超低功耗。

最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术结合此前5LPE工艺的成熟技术，芯片面积更小性能更高，可以快速达到高良率量产也方便客户升级。

Gate-All-Around就是环绕栅极相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅極设计，将重新设计晶体管底层结构克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制性能大大提升。

三星的GAA技术叫做MBCFET(多桥通道场效应管)正在使用纳米层设备开发之中。

大家可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备但其实在高性能领域，三星也准备叻杀手锏大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习，7LPP和后续工艺都能提供服务并有一整套平台解决方案。

比如高速的100Gbps+ SerDes(串行转换解串器)彡星就设计了2.5D/3D异构封装技术。

而针对5G、车联网领域的低功耗微控制器(MCU)、下代联网设备三星也将提供全套完整的交钥匙平台方案，从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君选择?