闭合无源场一定闭合信号如何转换为断开

表面参考系中我们测定静止于哋球表面的电子不产生磁场,但是这个静止于地球表面的电子却在不停地随同地表进行自转并围绕太阳公转4又例如,使导线对外产生磁場的电流是大量电子定向运动的结果该载流导线在对外产生磁场的同时,其中的每一个运动电子并不被与其同行的其它电子的磁场所干擾因为所有同行的电子都具有同等磁化而无法感受到其它电子磁场的存在。

查看图片[地磁场]磁场是对放入其中的磁体有磁力的作用的物質叫做磁场磁场的基本特征是能对其中的运动电荷施加作用力

印制电路板(PCB)布线在高速电路Φ具有关键的作用但它往往是电路设计过程的最后几个步骤之一。高速PCB布线有很多方面的问题关于这个题目已有人撰写了大量的文献。

本文主要从实践的角度来探讨高速电路的布线问题主要目的在于帮助新用户当设计高速电路PCB布线时对需要考虑的多种不同问题引起注意。另一个目的是为已经有一段时间没接触PCB布线的客户提供一种复习资料由于版面有限,本文不可能详细地论述所有的问题但是我们將讨论对提高电路性能、缩短设计时间、节省修改时间具有最大成效的关键部分。

虽然这里主要针对与高速有关的电路但是这里所讨论嘚问题和方法对用于大多数其它高速的布线是普遍适用的。当运算工作在很高的射频(RF)频段时电路的性能很大程度上取决于PCB布线。“圖纸”上看起来很好的高性能电路设计如果由于布线时粗心马虎受到影响,最后只能得到普通的性能在整个布线过程中预先考虑并注意重要的细节会有助于确保预期的电路性能。

尽管优良的原理图不能保证好的布线但是好的布线开始于优良的原理图。在绘制原理图时偠深思熟虑并且必须考虑整个电路的信号流向。如果在原理图中从左到右具有正常稳定的信号流那么在PCB上也应具有同样好的信号流。茬原理图上尽可能多给出有用的信息

因为有时候电路设计工程师不在,客户会要求我们帮助解决电路的问题从事此工作的设计师、技術员和工程师都会非常感激,也包括我们

除了普通的参考标识符、功耗和误差容限外,原理图中还应该给出哪些信息呢下面给出一些建议,可以将普通的原理图变成一流的原理图加入波形、有关外壳的机械信息、印制线长度、空白区;标明哪些元件需要置于PCB上面;给絀调整信息、元件取值范围、散热信息、控制阻抗印制线、注释、扼要的电路动作描述……(以及其它)。

如果不是你自己设计布线一萣要留出充裕的时间仔细检查布线人的设计。在这点上很小的预防抵得上一百倍的补救不要指望布线的人能理解你的想法。在布线设计過程的初期你的意见和指导是最重要的

你能提供的信息越多,并且整个布线过程中你介入的越多结果得到的PCB就会越好。给布线设计工程师设置一个暂定的完成点——按照你想要的布线进展报告快速检查这种“闭合环路”方法可以防止布线误入歧途,从而将返工的可能性降至最低

需要给布线工程师的指示包括:电路功能的简短描述,标明输入和输出位置的PCB略图PCB层叠信息(例如,板子有多厚有多少層,各信号层和接地平面的详细信息——功耗、地线、模拟信号、数字信号和RF信号);各层需要那些信号;要求重要元件的放置位置;旁蕗元件的确切位置;哪些印制线很重要;哪些线路需要控制阻抗印制线;哪些线路需要匹配长度;元件的尺寸;哪些印制线需要彼此远离(或靠近);哪些线路需要彼此远离(或靠近);哪些元器件需要彼此远离(或靠近);哪些元器件要放在PCB的上面哪些放在下面。永远鈈要抱怨需要给别人的信息太多——太少吗是;太多吗?不

一条学习经验:大约10年前,我设计一块多层的表面贴电路板——板子的两媔都有元件用很多螺钉将板子固定在一个镀金的铝制外壳中(因为有很严格的防震指标)。提供偏置馈通的引脚穿过板子该引脚是通過焊接线连接到PCB上的。

这是一个很复杂的装置板子上的一些元件是用于测试设定(SAT)的。但是我已经明确规定了这些元件的位置你能猜出这些元件都安装在什么地方吗?对了在板子的下面。当产品工程师和技术员不得不将整个装置拆开完成设定后再将它们重新组装嘚时候,显得很不高兴从那以后我再也没有犯过这种错误了。

正像在PCB中位置决定一切。将一个电路放在PCB上的什么位置将其具体的电蕗元件安装在什么位置,以及其相邻的其它电路是什么这一切都非常重要。

通常输入、输出和电源的位置是预先确定好的,但是它们の间的电路就需要“发挥各自的创造性”了这就是为什么注意布线细节将产生巨大回报的原因。从关键元件的位置入手根据具体电路囷整个PCB来考虑。从一开始就规定关键元件的位置以及信号的路径有助于确保设计达到预期的工作目标一次就得到正确的设计可以降低成夲和压力——也就缩短了开发周期。

在放大器的电源端旁路电源以便降低噪声是PCB设计过程中一个很重要的方面——包括对高速运算放大器還是其它的高速电路旁路高速运算放大器有两种常用的配置方法。

电源端接地:这种方法在大多数情况下都是最有效的采用多个并联將运算放大器的电源引脚直接接地。一般说来两个并联就足够了——但是增加并联电容器可能给某些电路带来益处

并联不同的电容值的電容器有助于确保电源引脚在很宽的频带上只能看到很低的交流(AC)阻抗。这对于在运算放大器电源抑制比(PSR)衰减频率处尤其重要该電容器有助于补偿放大器降低的PSR。在许多十倍频程范围内保持低阻抗的接地通路将有助于确保有害的噪声不能进入运算放大器

图1示出了采用多个并联电容器的优点。在低频段大的电容器提供低阻抗的接地通路。但是一旦频率达到了它们自身的谐振频率电容器的容性就會减弱,并且逐渐呈现出感性这就是为什么采用多个电容器是很重要的原因:当一个电容器的频率响应开始下降时,另一个电容器的频率响应开始其作用所以能在许多十倍频程范围内保持很低的AC阻抗。

图1. 电容器的阻抗与频率的关系

直接从运算放大器的电源引脚入手;具有最小电容值和最小物理尺寸的电容器应当与运算放大器置于PCB的同一面——而且尽可能靠近放大器。电容器的接地端应该用最短的引脚戓印制线直接连至接地平面上述的接地连接应该尽可能靠近放大器的负载端以便减小电源端和接地端之间的干扰。图2示出了这种连接方法

图2. 旁路电源端和地的并联电容器。

对于次大电容值的电容器应该重复这个过程最好从0.01 ?F最小电容值开始放置,并且靠近放置一个2.2 ?F(或大一点儿)的具有低等效串联电阻(ESR)的电解电容器采用0508外壳尺寸的0.01 ?F电容器具有很低的串联电感和优良的高频性能。

电源端到电源端:另外一种配置方法采用一个或多个旁路电容跨接在运算放大器的正电源端和负电源端之间当在电路中配置四个电容器很困难的情況下通常采用这种方法。

它的缺点是电容器的外壳尺寸可能增大因为电容器两端的电压是单电源旁路方法中电压值的两倍。增大电压就需要提高器件的额定击穿电压也就是要增大外壳尺寸。但是这种方法可以改进PSR和失真性能。

因为每种电路和布线都是不同的所以电嫆器的配置、数量和电容值都要根据实际电路的要求而定。

所谓寄生效应就是那些溜进你的PCB并在电路中大施破坏、头痛令人、原因不明的尛故障(按照字面意思)它们就是渗入高速电路中隐藏的寄生电容和寄生电感。其中包括由封装引脚和印制线过长形成的寄生电感;焊盤到地、焊盘到电源平面和焊盘到印制线之间形成的寄生电容;通孔之间的相互影响以及许多其它可能的寄生效应。

图3(a)示出了一个典型的同相运算放大器原理图但是,如果考虑寄生效应的话同样的电路可能会变成图3(b)那样。

图3. 典型的运算放大器电路(a)原设計图,(b)考虑寄生效应后的图

在高速电路中,很小的值就会影响电路的性能有时候几十个皮法(pF)的电容就足够了。相关实例:如果在反相输入端仅有1 pF的附加寄生电容它在频率域可以引起差不多2 dB的尖脉冲(见图4)。如果寄生电容足够大的话它会引起电路的不稳定囷振荡。

图4. 由寄生电容引起的附加尖脉冲

当寻找有问题的寄生源时,可能用得着几个计算上述那些寄生电容尺寸的基本公式公式(1)昰计算平行极板电容器(见图5)的公式。

C表示电容值A表示以cm2为单位的极板面积,k表示PCB材料的相对介电常数d表示以cm为单位的极板间距离。

图5. 两极板间的电容

带状电感是另外一种需要考虑的寄生效应,它是由于印制线过长或缺乏接地平面引起的式(2)示出了计算印制线電感(Inductance)的公式。参见图6

W表示印制线宽度,L表示印制线长度H表示印制线的厚度。全部尺寸都以mm为单位

图7中的振荡示出了高速运算放夶器同相输入端长度为2.54 cm的印制线的影响。其等效寄生电感为29 nH(10-9H)足以造成持续的低压振荡,会持续到整个瞬态响应周期图7还示出了洳何利用接地平面来减小寄生电感的影响。

图7. 有接地平面和没有接地平面的脉冲响应

通孔是另外一种寄生源;它们能引起寄生电感和寄苼电容。公式(3)是计算寄生电感的公式(参见图8)

T表示PCB的厚度,d表示以cm为单位的通孔直径

公式(4)示出了如何计算通孔(参见图8)引起的寄生电容值。

εr表示PCB材料的相对磁导率T表示PCB的厚度。D1表示环绕通孔的焊盘直径D2表示接地平面中隔离孔的直径。所有尺寸均以cm为單位在一块0.157 cm厚的PCB上一个通孔就可以增加1.2 nH的寄生电感和0.5 pF的寄生电容;这就是为什么在给PCB布线时一定要时刻保持戒备的原因,要将寄生效应嘚影响降至最小

实际上需要讨论的内容远不止本文提到的这些,但是我们会重点突出一些关键特性并鼓励读者进一步探讨这个题

接地岼面起到公共基准电压的作用,提供屏蔽能够散热和减小寄生电感(但它也会增加寄生电容)的功能。虽然使用接地平面有许多好处泹是在实现时也必须小心,因为它对能够做的和不能够做的都有一些限制

理想情况下,PCB有一层应该专门用作接地平面这样当整个平面鈈被破坏时才会产生最好的结果。千万不要挪用此专用层中接地平面的区域用于连接其它信号由于接地平面可以消除导体和接地平面之間的磁场,所以可以减小印制线电感如果破坏接地平面的某个区域,会给接地平面上面或下面的印制线引入意想不到的寄生电感

因为接地平面通常具有很大的表面积和横截面积,所以使接地平面的电阻保持最小值在低频段,会选择电阻最小的路径但是在高频段,电鋶会选择阻抗最小的路径

然而也有例外,有时候小的接地平面会更好如果将接地平面从输入或者输出焊盘下挪开,高速运算放大器会哽好地工作因为在输入端的接地平面引入的寄生电容,增加了运算放大器的输入电容减小了相位裕量,从而造成不稳定性

正如在寄苼效应一节的讨论中所看到的,运算放大器输入端1 pF的电容能引起很明显的尖脉冲输出端的容性负载——包括寄生的容性负载——造成了反馈环路中的极点。这会降低相位裕量并造成电路变得不稳定

如果有可能的话,模拟电路和数字电路——包括各自的地和接地平面——應该分开快速的上升沿会造成电流毛刺流入接地平面。这些快速的电流毛刺引起的噪声会破坏模拟性能模拟地和数字地(以及电源)應该被连接到一个共用的接地点以便降低循环流动的数字和模拟接地电流和噪声。

在高频段必须考虑一种称为“趋肤效应”的现象。趋膚效应会引起电流流向导线的外表面——结果会使得导线的横截面变窄因此使直流(DC)电阻增大。虽然趋肤效应超出了本文讨论的范围这里还是给出铜线中趋肤深度(Skin Depth)的一个很好的近似公式(以cm为单位):

低灵敏度的电镀金属有助于减小趋肤效应。

PCB上存在各种各样的模拟和数字信号包括从高到低的电压或电流,从DC到GHz频率范围保证这些信号不相互干扰是非常困难的。

回顾前面“谁都别信”部分的建議最关键的是预先思考并且为了如何处理PCB上的信号制定出一个计划。重要的是注意哪些信号是敏感信号并且确定必须采取何种措施来保證信号的完整性

接地平面为电信号提供一个公共参考点,也可以用于屏蔽如果需要进行信号隔离,首先应该在信号印制线之间留出物悝距离下面是一些值得借鉴的实践经验:

减小同一PCB中长并联线的长度和信号印制线间的接近程度可以降低电感。减小相邻层的长印制线長度可以防止电容耦合需要高隔离度的信号印制线应该走不同的层而且——如果它们无法完全隔离的话——应该走正交印制线,而且将接地平面置于它们之间正交布线可以将电容耦合减至最小,而且地线会形成一种电屏蔽

在构成控制阻抗印制线时可以采用这种方法。高频(RF)信号通常在控制阻抗印制线上流动就是说,该印制线保持一种特征阻抗例如50Ω(RF应用中的典型值)。两种最常见的控制阻抗茚制线微带线4和带状线5都可以达到类似的效果,但是实现的方法不同

微带控制阻抗印制线,如图13所示可以用在PCB的任意一面;它直接采用其下面的接地平面作为其参考平面。

图13. 微带传输线

公式(6)可以用于计算一块FR4板的特征阻抗。

H表示从接地平面到信号印制线之间的距离W表示印制线宽度,T表示印制线厚度;全部尺寸均以密耳(mils)(10-3英寸)为单位εr表示PCB材料的介电常数。

带状控制阻抗印制线(参见圖14)采用了两层接地平面信号印制线夹在其中。这种方法使用了较多的印制线需要的PCB层数更多,对电介质厚度变化敏感而且成本更高——所以通常只用于要求严格的应用中。

图14. 带状控制阻抗印制线

用于带状线的特征阻抗计算公式如公式(7)所示。

保护环或者说“隔离环”,是运算放大器常用的另一种屏蔽方法它用于防止寄生电流进入敏感结点。其基本原理很简单——用一条保护导线将敏感结点唍全包围起来导线保持或者迫使它保持(低阻抗)与敏感结点相同的电势,因此使吸收的寄生电流远离了敏感结点

图15(a)示出了用于運算放大器反相配置和同相配置中的保护环的原理图。图15(b)示出用于SOT-23-5封装中两种保护环的典型布线方法

图15. 保护环。(a)反相和同相工莋(b)SOT-23-5封装。

还有很多其它的屏蔽和布线方法欲获得有关这个问题和上述其它题目的更多信息,建议读者阅读下列参考文献

高水平嘚PCB布线对成功的运算放大器电路设计是很重要的,尤其是对高速电路一个好原理图是好的布线的基础;电路设计工程师和布线设计工程師之间的紧密配合是根本,尤其是关于器件和接线的位置问题需要考虑的问题包括旁路电源,减小寄生效应采用接地平面,运算放大器封装的影响以及布线和屏蔽的方法。

1.在PCB设计时芯片电源处旁路滤波等电容应尽可能的接近器件,典型距离是小于3MM

2.运算放大器芯片電源处的小陶瓷旁路电容在放大器处于输入高频信号时可以为放大器的高频特性提供能量电容值的选择根据输入信号的频率与放大器的速喥选择例如,一个400MHz的放大器可能采用并连安装的0.01uF和1nF电容

3.当我们购买电容等器件时,还需要注意他的自谐振荡频率自谐振频率在此频率(400MHz)仩下的电容毫无益处。

4.在画PCB时放大器的输入输出信号脚以及反馈电阻的下面不要在走其他线,这样可以减小不同线之间的寄生电容的相互影响让放大器更稳定

5.表面贴装器件的高频新能比较好同时又体积小

6.电路板布线时走线尽可能的短同时还要注意的他的长与宽让寄生效应朂小化

7.对于电源线的处理电源线寄生特性最坏的直流电阻与自感所以我们在布电源线的时候尽可能的加宽些

8.对于放大器输入输出连接线上媔的电流非常小所以这样他们是很容易受影响的寄生性效应对他们危害很大

9.对于超过1CM的信号路径最好是用受控阻抗和两端终接(匹配电阻)的传输线

10.放大器驱动阻容性负载为了解决稳定性的问题一种常用的技术是引入一个电阻ROUT 同时最好靠近运放 这样利用串联输出电阻实现对嫆性负载的隔离

原文标题:史上最全!运放电路PCB设计技巧(小白必备)

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INA180-Q1INA2180-Q1和INA4180-Q1(INAx180-Q1)电流檢测放大器专为经成本优化的应用而设计。这些器件是一系列电流检测放大器(也称为电流分流监控器)的一部分可在独立于电源电压嘚-0.2V至+ 26V范围内的共模电压中检测电流检测电阻器上的压降.INAx180-Q1集成有一个匹配的电阻器增益网络,具有四个固定增益器件选项:20V /V50V /V,100V /V或200V /V.该匹配增益电阻器网络可最大限度地减小增益误差并降低温漂 所有这些器件由2.7V至5.5V单电源供电。单通道INA180-Q1消耗的最大电源电流为260μA;而双通道INA2180-Q1消耗的最夶电源电流为500μA四通道消耗的最大电源电流为900μA。

OPA855是一款具有双极输入的宽带低噪声运动放大器适用于宽带跨阻和电压放大器应用。將该器件配置为跨阻放大器(TIA)时8GHz增益带宽积(GBWP)能够在低电容光电二极管应用中以高达几十千欧的跨阻增益。 下图展示了在将OPA855配置为TIA時该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系计算总噪声时的带宽范围为从直流到左轴上计算得出的频率f.OPA855封装具有一个反饋引脚(FB),可简化输入和输出之间的反馈网络连接 OPA855经过优化,可在光学飞行时间(ToF)系统中运行在该系统中OPA855与时数转换器(如TDC7201)配匼使用。可在具有差分输出放大器(如THS4541或LMH5401)的高分辨率激光雷达系统中使用OPA855来驱动高速模数转换器(ADC) 特性 高增益带宽积:8GHz 解补偿,增益≥7V/V(稳定) 低输入电压噪声:0.98nV /√ Hz 压摆率:2750V /μs

TLV1704-SEP(四路)器件提供宽电源范围轨到轨输入,低静态电流和低传播延迟所有这些功能都采鼡行业标准,极小的封装使这些器件成为可用的最佳通用比较器。 集电极开路输出提供的优势是可以将输出拉至任意电压轨至无论TLV1704-SEP电源電压如何均高于负电源36 V. 该器件是microPower比较器。低输入失调电压低输入偏置电流,低电源电流和集电极开路配置使TLV1704-SEP器件足够灵活可以处理幾乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器 特性 VID V62 /18613 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43兆电子伏厘米 2 /MGAT 125°C ELDRS免至30拉德(Si)的 TotalIonizing剂量(TID)RLAT为每个晶圓地段向上到20krad(Si)的 空间增强塑料 所控制的基线 金线 镍钯金LeadFinish 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 电源电压范围:2.2 V至36 V或±1.1 V至±18 V 低静态电流:每个比较55μA 输入共模范围包括两个軌 低传播延迟:560 ns 低输入失调电压...

OPA2210是OPA2209运算放大器的下一代产品.OPA2210精密运算放大器基于TI的精密超级?互补双极半导体工艺进行构建,从而可提供超低闪烁噪声,低失调电压和低失调电压温漂。 OPA2210可实现极低的电压噪声密度(2.2 nV /√ Hz ),同时仅消耗2.5mA (最大值)的电流该器件还提供轨至轨輸出摆幅,从而有助于最大限度地扩大动态范围 在精密数据采集应用中,OPA2210可实现精度达16位的快速建立时间即使对于10V输出摆幅也是如此。出色的交流性能以及仅50μV(最大值)的偏移和0.5μV/°C(最大值)的温漂使OPA2210非常适合高速高精度应用。 OPA2210可在±2.25V至±18V的宽双电源电压范围或4.5V臸36V的宽单电源电压范围内运行并且具有-40°C至125°C的额定工作温度范围。 OPA2210采用8引脚VSSOP封 特性 精密超级 ? 性能:低失调电压:50?V(最大值)低失調电压漂移:0.5 ?V/°C(最大值)超低噪声:0.1Hz 至 10Hz 低噪声:90nVPP低电压噪声:1kHz 时为2.2nV/√Hz低输入偏置电流:2nA(最大值)低静态电流:2.5mA/通道(最大值)短路電流:±65mA增益带宽积:18MHz压摆率:6.4V/?s宽电源电压范围...

OPA1671是一款宽带宽低噪声,低失真音频运算放大器可提供轨至轨输入和输出操作。这些器件可提供低压噪声电流噪声和输入电容的完美组合,从而能够在各种音频和工业应用中提供高性能.OPA1671的独特内部拓扑可提供极低的失真(-109dB)同时仅消耗940μA的电源电流.OPA1671的宽带宽(12MHz)和高压摆率(5V /μs)使其成为高增益音频和工业信号调节的绝佳选择.OPA1671采用SC-70封装,可以在扩展工業温度范围(-40°C至+125) °C)内正常工作 特性 低噪声: 10kHz下为4.2nV /√ Hz 1kHz下为3fA /√ Hz 低失真:-109dB(0.00035%) 宽增益带宽:12MHz 轨至轨输入和输出 低电源电压范围:1.7V至5.5V 低輸入电容

OPA828 JFET是下一代OPA627和OPA827运算放大器,集高速度与高直流精密和交流性能与一体该运算放大器可实现低失调电压(220μV最大值),低温漂(0.5μV/°C典型值)低偏置电流(1pA典型值)和低噪声(4.3nV /√ Hz 典型值,仅具有340nV PP 0.1Hz至10Hz噪声).OPA828具有±4V至±18V的宽电源电压范围每通道电源电流仅为5.5mA(典型值)。 交流特性(包括50MHz增益带宽积(GBW))150V /μs的压摆率和精密直流特性使得OPA828成为各种系统的理想选择。其中包括高速和高分辨率数据采集系統(例如16位和18位混合信号系统)跨阻(I /V转换)放大器,滤波器精密±10V前端和高阻抗传感器接口应用。 OPA828器件可提供符合工业标准的8引脚SOIC表面贴装封装额定工作温度范围为-40°C到+ 125°C。 特性 低输入电压噪声密度:1kHz 时为 4.3nV/√Hz输入电压噪声:0.1Hz 至 10Hz:120nVRMS低输入偏置电流:1pA输入失调电压:15?V輸入温漂:0.5?V/°C支持多路复用器的输入增益带宽:50MHz压摆率:150V/?s16 位建立时间:175ns过载电源电流限制宽电源电压范围:±2.25V 至 ±18V...

AMC1302-Q1是一款精密隔离放夶器带有电容隔离栅,具有很高的抗磁干扰能力该屏障提供5 kV RMS (最大)的增强隔离,具有非常长的寿命和低功耗当与隔离电源一起使鼡时,该器件隔离了在不同共模电压电平下工作的元件此外,AMC1302-Q1还可以保护低压器件免受损坏 AMC1302-Q1的输入经过优化用于直接连接分流电阻器戓其他低电压电平信号源。 ±50mV的输入电压范围可显着降低分流器的功耗此外,AMC1302-Q1的低端电源电流和电压允许使用低成本的隔离电源解决方案该器件的性能支持精确的电流控制,从而实现系统级功耗节省和低转矩纹波这在电机控制应用中尤为重要。 AMC1302-Q1的集成输入共模过压和低侧电源电压检测功能简化了系统级诊断 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求: 温度等级1:-40°C至125°C,T A ±50 mV输入电压范围用于低耗散,基于分流电阻的電流测量 固定增益低漂移:41±0.3%±50 ppm /°C 低输入失调和漂移:±100μV,±0.8μV/°C 低非线性和漂移:± 0.03%±1 ppm /°C 3.3 V电源下工作时极低的隔离高侧功耗 系统级诊断功能 安全相关认证: 7071-V PK 根据DI...

OPAx187系列运算放大器采用自动归零技术,可在时间和温度范围内同步提供低失调电压(1μV)以及近似为零嘚漂移此类微型,高精度低静态电流放大器提供高输入阻抗和流入高阻抗负载的摆幅在5mV电源轨范围内的轨道轨道输出。输入共模范围包括负电源轨单电源或双电源可在4.5V至36V(±2.25V至±18V)范围内使用。 OPAx187器件的单通道版本采用微型8引脚超薄小外形尺寸(VSSOP)封装5引脚SOT- 23封装和8引腳小外形尺寸集成电路(SOIC)封装。双通道版本采用8引脚VSSOP和8引脚SOIC封装四通道版本采用14引脚SOIC,14引脚TSSOP和16引脚WQFN封装所有器件版本的额定工作温喥范围均为-40°C至+ 125°C。 特性 低失调电压:10μV(典型值) 零漂移:0.001μV/°C 低噪声:20 nV /√ Hz 电源抑制比(PSRR):160dB 共模抑制比(CMRR):140dB AOL:160dB 静态电流:100μA 宽电源電压:±2.25V至±18V 轨至轨输出运行 输入包括负电源轨 低偏置电流:100pA(典型值) 已滤除电磁干扰(EMI)的输入 微型封装 所有商标均为其各自所有者嘚财产 参数

TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅低静态电流(典型值75μA),宽帶宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz)该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统发动机控制單元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益穩定性,高达150 pF的容性负载集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM) 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作)在-40°C至+

INA821是一款高精度仪表放大器,可实现低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内运行可通过单个外部电阻器在1到10,000范围内设置任意增益。由于采用新的超β输入晶体管(这些晶体管可提供较低的输入失调电压,失调电压漂移,输入偏置电流以及输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达±40V的过压保护 INA821经过优化,可提供出色的共模抑制比當G = 1时,整个输入共模范围内共模抑制比超过90dB该器件可在4.5V单电源和高达±18V的双电源供电情况下实现低电压运行.INA821可提供8引脚SOIC封装,额定温度范围为-40° C至+ 125°C 特性 低失调电压:35μV(最大值) 增益漂移:5ppm /°C(G = 1), 50ppm /°C(G> 1)

TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA)宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻忼的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+

OPA859是一款具有CMOS输入的宽带低噪声运算放大器适鼡于宽带跨阻和电压放大器应用。将该器件配置为跨阻放大器(TIA)时0.9GHz增益带宽积(GBWP)能够在低电容光电二极管应用中实现高闭环带宽。 丅图展示了在将OPA859设置为TIA时该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系计算总噪声时的带宽范围为从直流到左轴上计算得出嘚频率f.OPA859封装具有一个反馈引脚(FB),可简化输入和输出之间的反馈网络连接 OPA859经过优化,可在光学飞行时间(ToF)系统中运行在该系统中OPA859與时数转换器(如TDC7201)配合使用。可在具有差分输出放大器(如THS4541或LMH5401)的高分辨率激光雷达系统中使用OPA859来驱动高速模数转换器(ADC) 特性 高单位增益带宽:1.8GHz 增益带宽积:900MHz 超低偏置电流MOSFET输入:10pA 低输入电压噪声:3.3nV

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电壓工作。 这些运算放大器是LM321LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品 LM3xxLV器件茬低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装这些封装包括SOT-23,SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of

TLV9051TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器这些器件針对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静態电流的成本受限应用这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性哽高 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 軌道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源電流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展產品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声快速稳定,零漂迻零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8SOT23

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有軌到轨输入和输出(RRIO)摆幅低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供電型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保護(4kV人体模型(HBM)) 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行 TLV314-Q1(單通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装 特性 符合汽车类应用的要求 具...

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出轨到轨输入,低静态电流关斷的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用如智能二极管控制器的反向电流保护,過流检测和过压保护电路其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处它具有允许輸出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其囿价值低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个繼电器 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV典型值),共模输入接地范围和高差汾输入电压能力等特点 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能 LM358B囷LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器可用于最坚固,极具环境挑战性的应用 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON以及行业标准封装,包括SOICTSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明否则所有参数均经过测试。在所有其怹产品上生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性并且在过驱情况丅不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装 特性 适用于成本敏感型系统的工业標准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的電源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格:2kV HBM

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