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随着集成度不断提高,集成电路将進入小于100nm制造技术水平,材料、器件工艺制造技术将面临许多新的挑战传统的厚度为1-2nmSiO2超薄栅介质将主要面临三方面的限制:高栅漏电流、栅氧化物击穿下降和沟道迁移率降低等可靠性问题。因此,寻找替代的新型高K栅介电材料是解决目前集成电路所遇到的纳米尺度物理

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