集成电路的工艺制造工艺中使用到超净工作室,那么“100”级的超净室,其设计标准如何。

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这是集成电路制造工艺ppt包括了教材与参考书、考核,绪论引言,集成电路的工藝历史何为集成电路,微电子工艺特点与基本工艺流程等内容欢迎点击下载。

教材:王蔚 《微电子制造技术----原理与工艺》(修订版)電子工业出版社   2013
参考书:关旭东 《硅集成电路工艺基础》北京大学出版  2003
清华大学《集成电路工艺》多媒体教学课件  2001
Stephen A. C.《微电子制造科学原理與工程技术》电子工业出版社2003
考核方式:考勤20+作业10+考试(闭卷)70
4. 微电子工艺特点与基本工艺流程
 1833年,英国科学家电子学之父法拉第最先發现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是隨着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现
 1874年,电报机、电话和无线电相继发明等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──電子业的诞生
超净 环境、操作者、工艺三方面的超净,如超净室ULSI在100级超净室制作,超净台达10级
超纯 指所用材料方面,如衬底材料、功能性电子材料、水、气等;
高技术含量 设备先进技术先进。
高精度 光刻图形的最小线条尺寸在深亚微米量级制备的介质薄膜厚度也茬纳米量级,而精度更在上述尺度之上
大批量,低成本  图形转移技术使之得以实现
MOSFET的工艺流程简介
(1)硅片清洗和打标记
(2)氧化硅苼长(保护硅片和掩膜层)
淀积多晶硅,用多晶硅栅极版图刻蚀多晶硅
以多晶硅栅极图形为掩膜板刻蚀氧化膜
完整的简单MOS晶体管结构

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