硅材料因具有4200mAh/g的超高比容量而成為研究热点,但严重的体积效应导致其循环稳定性能并不理想改善其体积变化的手段之一是设计多孔结构的硅材料,空隙可以作为体积变化嘚缓冲空间从而减缓嵌/脱锂过程中硅的结构破坏。本文主要内容是探索金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅的具体步骤,并采用乙炔气相沉积法對多孔硅进行碳包覆来改善多孔硅的导电性采用SEM、EDS、TG等...