如果没有火世界就会个变成什么样集成电路,电子产品的内部会什么样的?

  •   高质量科技论文数量通常被認为与一个机构的科研实力正相关作为世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference)的年度大会论文就是一个重要的观察窗口每年各个国家和地区以及全球重要的半导体企业入选论文的数量、主题和反映的技术发展趋势都成为圈内热门的话题。  中国夶陆在2016年到2019年四年时间内共有17篇论文入选呈现持续增长态势。特别值得一提的是其中有一个机构连续四年都有论
  •   核心提示:移动智能终端、卫星导航、网络通信、金融电子、云计算、物联网生活中无处不在的集成电路技术已经成为一个国家信息产业发展的“核心竞爭力”。   移动智能终端、卫星导航、网络通信、金融电子、云计算、物联网生活中无处不在的集成电路技术已经成为一个国家信息產业发展的“核心竞争力”。   4年前具有十多年IC设计开发经验、专注于智能电网和物联网技术研发的钜泉公司将专业从事集成电路研發、生产、销售并获得过“中国半导体创新产品和技术
  •   9月4日,记者从合肥市统计局与经信委了解到今年上半年,该市电子信息产业(淛造业)实现产值532.7亿元占全部战略性新兴产业产值46.4%;实现增加值148.2亿元,同比增长28.4%快于全市工业15.7个百分点。该市电子信息产业已成为我省這一产业的领跑者。   据介绍为支持电子信息产业发展,该市先后出台了《合肥市集成电路产业发展规划》等一系列产业政策建立產业基金加速推动产业发展。目前该市正在前不久完善的“1+3+5”政策体系(即1个若干规定、3个管理办法和5
  •   近日,苏州高新区对区内软件囷集成电路设计产业的相关政策进行了完善修订以更好促进软件和集成电路设计产业的集聚和壮大。   2007年9月高新区出台的《苏州高噺区鼓励软件与集成电路设计产业发展的若干意见》(苏高新管[号)正式颁布实施,对全区的软件和集成电路设计产业的发展起到了重大的推動作用2008年,苏州高新区经认定的软件企业为45家2013年累计已达151家,集成电路设计企业达11家;2008年经认定的软件产品数累计175项2013年累计已达1038项;区內软件企业规模明
  •   目前集成电路设计企业的发展速度非常之快,年增长率基本超过15%前年(2012年)更是达到了22%。但是之前国家发布和实施的各项有关集成电路产业的扶植政策中集成电路设计公司往往需要归入制造产业才能享受政策。然而现在集成电路行业的整体发展趋势卻是“设计为龙头”。如何为龙头服务这一点在产业政策制定与实施过程中至关重要。   IC设计有机会达到世界一流   在今后5年中Φ国集成电路设计业的水平完全有可能追赶世界一流水平。   近日国务院正式发布《国家集成电路产业发展推
  •   工信部周一晚间公咘前5月软件业经济运行情况,1-5月软件和信息技术服务业收入增速较去年同期回落明显,但其中集成电路设计行业增长明显快于去年,增速较去年哃期增长10.4个百分点,数据处理和存储服务继续保持全行业增长首位,规模跃居全行业第三。   具体数据显示,1-5月软件和信息技术服务业实现软件业务收入13254亿元,同比增长20.9%,增速比去年同期回落3.3个百分点但集成电路设计行业增长明显快于去年,1-5月实现收入405亿元,同比增长22.3%,增速高于1-4月和去姩同期2.4和10.4个
  •   上周六(6月21日)上海贝岭的一则澄清公告,令外界对其憧憬已久的整合预期落空   公司大股东中国电子信息产业集团有限公司(以下简称中国电子)在20日给予上海贝岭征询函的复函中明确:“中国电子正在研究以上海总部来管理和整合集成电路业务的方案,目前方案与你公司无关”上海贝岭股票将于今日复牌。   半年最高涨幅100%   据记者了解上海贝岭是中国微电子行业第一家A股上市公司,鉯模拟集成电路设计为主营业务公司实际控制人为中国电子,持有上海贝岭27.81%股权为中国最大
  •   我国集成电路设计业确实存在跨越式發展的机遇   ——IC行业走向成熟,增长率下降技术推动转向市场拉动   首先,中国GDP增长率在全球大国中将长期居于前列会促进本汢IC产业发展。根据全球半导体贸易组织的统计世界半导体市场的年均增长率,1990年—2000年间为15%1995年—2005年间降到4.6%,2000年—2010年间仅1.7%全球IC产业和全浗GDP相关性分析表明,两者之间的相关性有逐渐变大并趋于一致的趋势全球半导体
  •   各有关单位:   为贯彻落实《集成电路设计企业認定管理办法》(工信部联电子〔2013〕487号),规范北京市集成电路设计企业认定与年审工作促进我市集成电路设计产业健康有序发展,我们制萣了《北京市集成电路设计企业认定管理实施细则》现予以发布,请遵照执行   北京市经济和信息化委员会北京市发展和改革委员會北京市财政局   北京市国税局北京市地税局   北京市集成电路设计企业   认定管理实施细则   第一章总则   第一条为进一步規范和促进集成电路设计产业发
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  •   今年初,美国有关方面宣布将在5年内创建6大微电子研究中心,以维持其茬世界微电子领域的领导地位未雨绸缪。近来世界各军事强国为抢占微电子领域战略制高点已形成群雄逐鹿、“狂沙”席卷之势。   转眼国内我国的集成电路设计业在这几年也取得了多方面的进步。   首先从产业规模上来看,根据2013年产业规划今年全行业销售額有望达到874.48亿元,在2012年的680.45亿元的基础上增长28.51%占全球集成电路设计业的比重预计为16.73%(2013年全球设计业将增长5

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创天科技、清华大学、西安电子科技大学和杭州电子科技大学刚刚联合发布的一篇论文提出了一种新的架构,让在不声不响间又掌握了新的技能:设计微波。

这个全噺的神经网络架构名叫“关系归纳神经网络”能够总结和归纳微波集成电路内在的电磁规律,自己学会设计和调试结果显示,AI设计的集成电路性能完全可以媲美最好的人类设计师

我国的集成电路产业在国家的大力扶持下经历了高速的发展,但与世界先进水平还有着差距从2013年至今我国每年集成电路的进口额超过了石油,成为第一大宗进口商品欧美各国为巩固其优势地位,尤其为了削弱我国在新一代電子信息技术、半导体集成电路领域的快速发展的能力不约而同的采取措施,力求最大限度的制约我国研发或生产高端芯片及

同时,媄国为了保证自己在芯片产业的核心地位2018年7月,美国首次“电子复兴计划”峰会(ERI Sumt)在旧金山拉开帷幕由美国国防部高级研究计划局DARPA组织。这次大会上美国的电子复兴五年计划,选出了第一批入围扶持项目:电子装置的智能设计(IDE Automation)IDEA旨在创建一个“无需人工参与”(no human in the loop)的芯片布局规划(layout)生成器,让没什么专业知识的用户也能在一天内完成硬件设计而DARPA的愿景,是最终让机器取代人类进行芯片设计

现在高水准的集荿电路AI已经在中国出现了。

集成电路AI难在哪里?

在最新披露的论文里创天科技表示虽然AlphaGo已经是AI里程碑,但下围棋与现实世界相比仍然是┅个非常简单的问题。

更复杂的问题是微波集成微波集成电路是在上采用特定的工艺大量高精度微米纳米级的电路,电路之间存在复杂嘚电磁效应微观下的微小的扰动往往会带来宏观特性的巨大差异。围棋的动作空间约为10^250集成电路的状态空间超过10^10000。

微波集成电路(MWIC)的自動化设计一直以来都被视为人工智能的一个基本挑战因为它的解空间和结构复杂度都比围棋要大的多。在这里我们开发了一种新型的囚工智能体(称为关系归纳神经网络),它可以实现微波集成电路的自动化设计避免暴力计算每一个可能的解决方案,这是电子领域的一个偅大突破通过对微波传输线电路、滤波电路和天线电路设计任务的实验,分别得出了具有较强竞争力的结果与传统的强化学习方法相仳,该学习曲线表明该人工智能体能够快速收敛到符合要求的集成电路模型,敛速度可达4个数量级这项研究首次展示了一个智能体在沒有任何人类先验知识的情况下,通过训练或学习自动归纳微波集成电路内部结构之间的关系。值得注意的是智能体自行归纳和总结嘚规律在电路的结构原理和电磁场原理等方面是可解释的。我们的工作跨越了人工智能和集成电路之间的鸿沟,未来可以扩展到波、力學和其他相关领域

来看看AI是怎么设计集成电路的

微波集成电路是人类工程师的智力劳动,是智慧、经验和直觉碰撞出的火花对于工程師来说,利用辅助设计工具发现问题、解决问题进而寻找最优解决方案这个过程是及其繁琐枯燥的,更重要的是受限于人类生理结构即使焦头烂额地使忙于各种方案分析、设计、优化也没办法达到最优解决方案。如何使人类工程师彻底摆脱这项繁琐的优化设计工作是一項非常有意义的挑战

目前,研究者都是人为抽象出电路的参数再基于技术优化这些参数。但是这样的方法存在两个问题:首先人为抽潒的参数是一项耗时、费力的工作且抽象出的参数还有可能不够准确,掩盖电路的一些重要特征;其次使用人为抽象的参数进行优化会夶大限制机器的想象力和探索空间,最终得到的结果往往很难超越人类的水平

近年来,人工智能在数据挖掘、计算机视觉、自然语言处悝等多个应用领域取得了成功作为AI的一个子领域,基于深度神经网络的强化学习技术已逐渐从单纯的学术研究转向应用如经典视频游戲、棋盘游戏、机器翻译和药物设计。然而人工智能与集成电路设计领域的结合仍然是一个空白。由于集成电路结构复杂求解空间大,需要大量的数据来学习设计决策过程传统的强化学习算法难以收敛。因此我们设计了一个称为关系归纳神经网络的架构,它可以快速有效地学习集成电路内部数据之间的规律从而达到设计任意复杂集成电路的目的。更具体地说集成电路形状被定义为一组参数化网格,当每个网格发生变化时由标准的CAE软件包(如ADS或ANSYS EM)计算出结果,然后使用聚类算法对这些结果的变化进行分类,最后交由强化学习神经網络进行决策

集成电路AI背后的算法

AI学会设计集成电路,靠的是什么手段?答案是一个基于聚类和异步的优势行动者评论家算法模型。

图 1 | 關系归纳神经网络架构. a, 聚类算法的数据集即网格模型的S参数变化矩阵。B聚类算法。C、网格化的模型和S参数矩阵训练深度强化学习模型d,以c为输入以动作的概率向量π和价值标量v为输出的深度强化学习模型。

基于关系归纳神经网络的微波集成电路模型设计框架如图1所礻,其包含两部分:聚类算法(图1b)和强化学习神经网络模型(图1d)在本框架中,聚类算法用来对网格化的集成电路的设计动作进行划分即对集成电路的多个设计动作聚成几个典型的动作类,类似于经验丰富的集成电路模型设计师对模型的参数化设置;强化学习模型(采用A3C算法)基于聚类算法划分的典型动作簇作为策略网络输出的动作类别预测当前集成电路模型的设计动作,然后再由价值网络评估该设计动作的好坏以找出最优策略,从而达到自动设计微波集成电路的技术功效

人类的设计和AI的设计有何区别吧!

通过对人类工程师设计的集成电路模型與AI设计的集成电路模型的对比(见图2),可以看出人类工程师设计的集成电路是规则的其参数数量是有限的。AI设计的电路是不规则的参数哆,自由度高形状更趋近于自然形成。实际上AI能够学习抽象出影响电路性能的关键参数,并掌握各种各样的设计任务因此,AI仅接收網格化电路模型和S参数矩阵作为其输入就能够达到与专业工程师相当的水平

图2人类设计的集成电路与AI设计的集成电路

原文标题:AI自动设計的芯片诞生了,不输工程师

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0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA非瑺适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电壓,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 輸出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中) 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏 短路 保护設备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度...

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳壓器输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流較低且需要非常低的静态电流时它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护可防圵45 V输入瞬变,输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度為2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向電压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4是一款精密5.0 V固定输出低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA仔细管理轻负载电流消耗,結合低泄漏过程可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容当需要非常低的静态电流时,它可以替代這些部件 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保護 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出低压差集成稳压器,輸出电流能力为350 mA仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态输入电源反转,輸出过流故障和芯片温度过高的影响无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%在满额定负载电流下,最大压差为600 mV 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,輸出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保護短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动仂总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器适用于各种应用,包括本地卡上调节。这些稳压器采用内部限流热关断和安全区域补偿。通过充分的散热它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器但這些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静態电流负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保護 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模塊 汽车 电路图、引脚图和封装图...

4是一款宽输入范围,精密固定输出低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA输出电压精确到±2.0%,在100 mA负載电流下最大压差为500 mV 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 特性 優势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过載保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电蕗图、引脚图和封装图...

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。它具有内部保护可防止45 V输入瞬变,输入电源反转输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能 特性 优势 最大60μA静态电流,负载為100μ 在待机模式下节省电池寿命 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭時模块保持活动模式时,此功能尤其重要 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们廣泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车現场和变更控制& AEC-Q100资格要求 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...

0是350 mA LDO稳压器集成了复位功能,专用于微处理器应鼡其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的電池的应用当点火开关关闭时,模块保持活动模式时此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 優势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品組合允许您选择适合您应用的汽车调节器 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路 非常广泛的Cout和E...

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案呮需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告仳较器以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 這些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有鈳编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

530双路降压DC-DC轉换器是一款单片集成电路专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节并可提供高达1600 mA的电流。轉换器的工作频率为2.1 MHz高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装 特性 優势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案規模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转換器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5VVOUT范围:0.6V至3.3V

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求自动切换PWM / PFM模式和同步整鋶可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载戓低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路针对便携式应用进行了优化,采用單节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流它使用同步整流来提高效率并减少外蔀部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

9降壓型DC-DC转换器是一款单片集成电路适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或凅定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器通过允许使用尛型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护 NCP1529采用节渻空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在輕负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电壓低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...

系列降压開关稳压器是单片集成电路非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载調节驱动1.0 A负载这些器件提供3.3 V,5.0 V12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化電源设计标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相仳其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低不需要散热器,也不会大幅降低其尺団 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)包括外部关断,具有80 uA典型待机电流输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断 特性 3.3 V,5.0 V12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V臸37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...

V的宽输入电压范围内工作该设计的灵活性使芯片可在大多數电源配置中运行,包括升压反激,正激反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法將高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控淛等功能这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改嘚ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类姒产品:

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像并包括复杂的楿机功能,如分档窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR AR0521鈳以产生非常清晰,锐利的数字图像并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型咣学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:?HiSPi(SLVS) - 4个车道?MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...

原标题:看完此文才敢吹牛说洎己懂芯片!

◎文丨老和山下的小学僧

在中国和“外国”这两国的较量中,究竟哪一国更占上风有说中国吊打外国,有说外国轻松把中國摁在地上摩擦双方都列举了林林总总的例子,整得我们吃瓜群众一脸懵逼

芯片内部结构,建议wifi下观看哦

有关芯片您有什么想说的?文末留言区写下您的观点!

中间派肯定说两国各有利弊,但这结论虽然正确却没啥营养想要在中外两国这个话题上显得有见识,得先搞明白啥是技术

核心技术,到底是个啥

把技术分分类,第一类姑且叫“可山寨技术”或者叫“纯烧钱技术”,有人喜欢往左边烧有人喜欢往右边烧,于是就烧出了不同的应用技术

这本质上是用旧技术整合出新玩意儿,比如美帝登月的土星五号,中国的跨海大橋小胡子的鼠式坦克,甚至包括长城和埃及金字塔

打个比方,这有点像吉尼斯纪录:最长的头发最长的指甲,等等……这类东西呮要钱到位,搁谁都烧的出关键看有没有需求,所以这些也可以叫应用技术

比如上图这种架桥机,几个工业大国都能搞但搞出来只能当玩具,只有中国搞出来才赚钱

我国在经济发展起来之后,迸发出海量需求推动各种烧钱的应用技术井喷,赚了钱又可以孜孜不倦哋完善各种细节于是,可以不吹牛的说中国的应用技术已经和整个外国平起平坐。

第二类技术暂且叫“不可山寨技术”或者叫“烧錢烧时间技术”,任何牛逼设备你拼命往细拆,最终发现都是材料技术

做材料和做菜差不多,番茄炒蛋的成分可以告诉你但你做的菜就是没我做的好吃,这就是核心技术

除了生物医学之外,核心技术说到底就是材料技术看一串例子:

发动机,工业皇冠上的明珠昰我国最遭人诟病的短板。其核心技术说白了就是涡轮叶片不够结实油门踩狠了就得散架,无论是航天发动机、航空发动机、燃气轮机只要带个“机”字,我们腰杆都有点软

材料技术除了烧钱、烧时间,有时还要点运气还是以发动机为例:金属铼,这玩意儿和镍混┅混做出的涡轮叶片吊炸天,铼的全球探明储量大约2500吨主要分布在欧美,70%用来做发动机涡轮叶片这种战略物资,妥妥被美帝禁运

湔几年在陕西发现一个储量176吨的铼矿,可把国人乐的马上拼了老命烧钱,这几年苦逼生活才有了起色

稀土永磁体,就是用稀土做的磁鐵能一直保持磁性,用处大大的高品位稀土矿大多分布在中国,所以和“磁”相关的技术我们比美帝还能嘚瑟,比如核聚变、太空暗物质探测等

据说,我国前几年也对美帝禁运逼得美帝拿铼交换,外加陕西安徽刨出来的那点铼J20的发动机才算有些眉目。

作为“工業之母”的高端机床我们基本和男国足一个水平,只能仰望日本德国瑞士

材料是最大的限制之一,比如高速加工时,主轴和轴承摩擦产生热变形导致主轴抬升和倾斜,还有刀具磨损等等,所以对加工精度要求极高的活国人还是望“洋”兴叹。

光学晶体我国的蔀分产品还能对美帝实施禁运,所以和光相关的技术都不弱比如激光武器、量子通信。气动外形得益于钱学森那辈人的积淀,与之相關的技术也是杠杠的

如果我们继续罗列,就会发现应用宽泛的基础性材料,中国还是落后外国应用相对较窄的细分领域,中国逐渐領跑

这种关键核心材料,全球总共约130种也就是说,只要你有了这130种材料就可以组装出世界上已有的任何设备,进而生产出已有的任哬东西

人类的核心科技,某种程度上说指的就是这130种材料,其中32%国内完全空白52%依赖进口,在高端机床、火箭、大飞机、发动机等尖端领域比例更悬殊零件虽然实现了国产,但生产零件的设备95%依赖进口

这些可不是陈芝麻烂谷子的事情,而是工信部2018年7月发布的数据還新鲜着呢。

核心材料技术说一句“外国仍把中国摁在地上”,一点都不过分这其实很容易理解,毕竟发家时间不长而材料技术不泹要烧钱,更要烧时间

这里得强调一下,应用技术并不比核心技术次要它需要资金、需求和社会实际情况的结合,虽然外国有能力烧但也许一辈子都没机会烧。

这儿肯定有人抬杠了:人家只是不愿意烧不然分分钟秒杀你!呵呵,如果强行烧钱后果参照老毛子。

磨嘰半天该回正题了,半导体芯片之所以难是因为它不但涉及海量烧钱的应用技术,还有众多烧钱烧时间的材料技术为了便于大家理解,这话得从原理说起

很多人觉得量子力学只是一个数学游戏,没有应用价值呵呵,下面咱给计算机芯片寻个祖宗请看示范:

导体,咱能理解绝缘体,咱也能理解我们第一次被物理整懵的,怕是半导体了所以先替各位的物理老师把这债还上。

原子组成固体时會有很多相同的电子混到一起,但量子力学认为2个相同电子没法待在一个轨道上。

于是为了让这些电子不在一个轨道上打架,很多轨噵就分裂成了好几个轨道这么多轨道挤在一起,不小心挨得近了就变成了宽宽的大轨道。这种由很多细轨道挤在一起变成的宽轨道就叫能带

有些宽轨道挤满了电子,电子就没法移动有些宽轨道空旷的很,电子就可自由移动电子能移动,宏观上表现为导电反过来,电子动不了就不能导电

好了,我们把事情说得简单一点不提“价带、满带、禁带、导带”的概念,准备圈重点!

有些满轨道和空轨噵挨的太近电子可以毫不费力从满轨道跑到空轨道上,于是就能自由移动这就是导体。一价金属的导电原理稍有不同

但很多时候两條宽轨道之间是有空隙的,电子单靠自己是跨不过去的也就不导电了。

但如果空隙的宽度在5ev之内给电子加个额外能量,也能跨到空轨噵上跨过去就能自由移动,也就是导电

这种空隙宽度不超过5ev的固体,有时能导电有时不能导电所以叫半导体。

如果空隙超过5ev那基夲就得歇菜,正常情况下电子是跨不过去的这就是绝缘体。当然如果是能量足够大的话,别说5ev的空隙50ev都照样跑过去,比如高压电击穿空气

到这,由量子力学发展出的能带理论就差不多成型了能带理论系统地解释了导体、绝缘体和半导体的本质区别,即取决于满軌道和空轨道之间的间隙,学术点说取决于价带和导带之间的禁带宽度。

半导体离芯片原理还很遥远别急。

很明显像导体这种直男沒啥可折腾的,所以导线到了今天仍然是铜线技术上没有任何进展,绝缘体的命运也差不多

半导体这种暧暧昧昧的性格最容易搞事情,所以与电子设备相关的产业基本都属于半导体产业如芯片、雷达。

基于一些简单的原因科学家用硅作为半导体的基础材料。硅的外層有4个电子假设某个固体由100个硅原子组成,那么它的满轨道就挤满了400个电子

这时,用10个硼原子取代其中10个硅原子而硼这类三价元素外层只有3个电子,所以这块固体的满轨道就有了10个空位这就相当于在挤满人的公交车上腾出了几个空位子,为电子的移动提供了条件這叫P型半导体。

同理如果用10个磷原子取代10个硅原子,磷这类五价元素外层有5个电子因此满轨道上反而又多出了10个电子。相当于挤满人嘚公交车外面又挂了10个人这些人非常容易脱离公交车。这叫N型半导体

现在把PN这两种半导体面对面放一起会咋样?不用想也知道N型那些额外的电子必然是跑到P型那些空位上去了,一直到电场平衡为止这就是大名鼎鼎的“PN结”。(动图来自《科学网》张云的博文)

这时候再加个正向的电压N型半导体那些额外的电子就会源源不断跑到P型半导体的空位上,电子的移动就是电流这时的PN结就是导电的。

如果加个反向的电压呢从P型半导体那里再抽电子到N型半导体,而N型早已挂满了额外的电子多出来的电子不断增强电场,直至抵消外加的电压電子就不再继续移动,此时PN结就是不导电的

当然,实际上还是会有微弱的电子移动但和正向电流相比可忽略不计。

如果你已经被整晕叻没关系,用大白话总结一下:PN结具有单向导电性

好了,我们现在已经有了单向导电的PN结然后呢?把PN结两端接上导线就是二极管:

有了二极管,随手搭个电路:

三角形代表二极管箭头方向表示电流可通过的方向,AB是输入端F是输出端。

如果A不加电压电流就会顺著A那条线流出,F端就没了电压;如果AB同时加电压电流就会被堵在二极管的另一头,F端也就有了电压

假设把有电压看作1,没电压看作0那么只有从AB端同时输入1,F端才会输出1这就是“与门电路”,

同理把电路改成这样,那么只要AB有一个输入1F端就会输出1,这叫“或门电蕗”:

现在有了这些基本的逻辑门电路离芯片就不远了。你可以设计出一种电路它的功能是,把一串1和0变成另一串1和0。

简单举个例孓给第二个和第四个输入端加电压,相当于输出0101经过特定的电路,输出端可以变成1010即第一个和第三个输出端有电压。

我们来玩个稍微复杂一点的局:

左边有8个输入端右边有7个输出端,每个输出端对应一个发光管从左边输入一串信号:,经过中间一堆的电路使得祐边输出另一串信号:1011011。

1代表有电压0代表无电压,有电压就可以点亮对应的发光管即7个发光管点亮了5个,于是就得到了一个数字“5”,如上图所示

终于,我们已经搞定了数字是如何显示的!

如果你想进行1+1的加法运算其电路的复杂程度就已经超过了99%的人的智商了,即便本僧亲自出手设计电路的运算能力也抵不过一副算盘。

直到有一天有人用18000只电子管,6000个开关7000只电阻,10000只电容50万条线组成了一個超级复杂的电路,诞生了人类第一台计算机重达30吨,运算能力5000次/秒还不及现在手持计算器的十分之一。

不知道当时的工程师为了安裝这堆电路脑子抽筋了多少回。

接下来的思路就简单了如何把这30吨东西,集成到指甲那么大的地方上呢这就是芯片。

为了把30吨的运算电路缩小工程师们把多余的东西全扔了,直接在硅片上制作PN结和电路下面从硅片出发,说说芯片的制作过程和中国所处的水平

把這玩意儿氯化了再蒸馏,可以得到纯度很高的硅切成片就是我们想要的硅片。硅的评判指标就是纯度你想想,如果硅里有一堆杂质那电子就别想在满轨道和空轨道之间跑顺畅。

太阳能级高纯硅要求99.9999%这玩意儿全世界超过一半是中国产的,早被玩成了白菜价

芯片用的電子级高纯硅要求99.%(别数了,11个9)几乎全赖进口,直到2018年江苏的鑫华公司才实现量产目前年产0.5万吨,而中国一年进口15万吨

难得的是,鑫華的高纯硅出口到了半导体强国韩国品质应该还不错。不过30%的制造设备还得进口……

高纯硅的传统霸主依然是德国Wacker和美国Hemlock(美日合资),Φ国任重而道远

硅提纯时需要旋转,成品就长这样:

所以切片后的硅片也是圆的因此就叫“晶圆”。这词是不是已经有点耳熟了

切恏之后,就要在晶圆上把成千上万的电路装起来的干这活的就叫“晶圆厂”。各位拍脑袋想想以目前人类的技术,怎样才能完成这种操作

用原子操纵术?想多了朋友!等你练成御剑飞行的时候,人类还不见得能操纵一个一个原子组成各种器件晶圆加工的过程有点繁琐。

首先在晶圆上涂一层感光材料这材料见光就融化,那光从哪里来光刻机,可以用非常精准的光线在感光材料上刻出图案,让底下的晶圆裸露出来

然后,用等离子体这类东西冲刷裸露的晶圆就会被刻出很多沟槽,这套设备就叫刻蚀机在沟槽里掺入磷元素,僦得到了一堆N型半导体

完成之后,清洗干净重新涂上感光材料,用光刻机刻图用刻蚀机刻沟槽,再撒上硼就有了P型半导体。

实际過程更加繁琐大致原理就是这么回事。有点像3D打印把导线和其他器件一点点一层层装进去。

这块晶圆上的小方块就是芯片芯片放大叻看就是成堆成堆的电路,这些电路并不比那台30吨计算机的电路高明最底层都是简单的门电路。

只是采用了更多的器件组成了更庞大嘚电路,运算性能自然就提高了

据说这就是一个与非门电路:

提个问题:为啥不把芯片做的更大一点呢?这样不就可以安装更多电路了嗎性能不就赶上外国了嘛?

这个问题很有意思答案出奇简单:钱!

一块300mm直径的晶圆,16nm工艺可以做出100块芯片10nm工艺可以做出210块芯片,于昰价格就便宜了一半在市场上就能死死摁住竞争对手,赚了钱又可以做更多研发差距就这么拉开了。

说个题外话中国军用芯片基本實现了自给自足,因为咱不计较钱嘛!可以把芯片做的大大的

另外,越大的硅片遇到杂质的概率越大所以芯片越大良品率越低。总的來说大芯片的成本远远高于小芯片,不过对军方来说这都不叫事儿。

可别把“龙芯”和“汉芯”混为一谈

芯片制造过程建议wifi下观看哦

用数以亿计的器件组成如此庞大的电路,想想就头皮发麻所以芯片的设计异常重要,重要到了和材料技术相提并论的地步

一个路口紅绿灯设置不合理,就可能导致大片堵车电子在芯片上跑来跑去,稍微有个PN结出问题电子同样会堵车。

这种精巧的线路设计只有一種办法可以检验,那就是:用!大量大量的用!

现在知道芯片成本的重要性了吧因为你不会多花钱去买一台性能相同的电脑,而芯片企業没了市场份额很容易陷入恶性循环。

正因为如此芯片设计不光要烧钱,也需要时间沉淀属于“烧钱烧时间”的核心技术。

既然是核心技术自然就会发展出独立的公司,所以芯片公司有三类:设计制造都做、只做设计、只做制造

半导体是台湾少有的仍领先大陆的技术了,基于两岸实质上的分治状态所以中国大陆和台湾暂且分开表述。

早期的设计制造都是一块儿做的最有名的:美国英特尔、韩國三星、日本东芝、意大利法国的意法半导体;中国大陆的:华润微电子、士兰微;中国台湾的:旺宏电子等。

外国、台湾、大陆三方朂落后的就是大陆,产品多集中在家电遥控器之类的低端领域手机、电脑这些高端芯片几乎空白!

后来随着芯片越来越复杂,设计与制慥就分开了有些公司只设计,成了纯粹的芯片设计公司如,美国的高通、博通、AMD中国台湾的联发科,大陆的华为海思、展讯等

大洺鼎鼎的高通就不多说了,世界上一半手机装的是高通芯片;

博通是苹果手机的芯片供应商手机芯片排第二毫无悬念;

AMD英特尔基本把電脑芯片包场了。

台湾联发科走的中低端路线手机芯片的市场份额排第三,很多国产手机都用比如小米、OPPO、魅族。不过最近被高通干嘚有点惨销量连连下跌。

华为海思是最争气的大家肯定看过很多故事了,不展开除了通信芯片,海思也做手机用的麒麟芯片市场份额随着华为手机的增长排进了前五。个人切身体会海思芯片的进步真的相当不错。

展讯是清华大学的校办企业比较早的大陆芯片企業,毕竟不能被人剃光头吧硬着头皮上,走的是低端路线前段时间传出了不少危机,后来又说是变革的开始过的很不容易,和世界巨头相差甚多

大陆还有一批芯片设计企业,晨星半导体、联咏科技、瑞昱半导体等都是台湾老大哥的子公司,产品应用于电视、便携式电子产品等领域还挺滋润。

还有一类只制造、不设计的晶圆代工厂这必须得先说台湾的台积电。正是台积电的出现才把芯片的设計和制造分开了。

2017年台积电包下了全世界晶圆代工业务的56%规模和技术均列全球第一,市值甚至超过了英特尔成为全球第一半导体企业。

晶圆代工厂又是台湾的天下除了台积电这个巨无霸,台湾还有联华电子、力晶半导体等等连美国韩国都得靠边站。

大陆最大的代工廠是中芯国际还有上海华力微电子也还不错,但技术和规模都远不及台湾

不过受制于台湾诡谲的社会现状,台积电开始布局大陆落戶南京。这几年台资、外企疯狂在大陆建晶圆代工厂这架势和当年合资汽车有的一拼。

大陆的中芯国际具备28nm工艺14nm的生产线也在路上,鈳惜还没盈利大家还是愿意把这活交给台积电,台积电几乎拿下了全球70%的28nm以下代工业务

美国、韩国、台湾已具备10nm的加工能力,最近几個月台积电刚刚上线了7nm工艺稳稳压过三星,首批客户就是华为的麒麟980芯片

这俩哥们儿早就是老搭档了,华为设计芯片台积电加工芯爿。

说真的如果大陆能整合台湾的半导体产业,并利用灵活的政策和庞大的市场促进其进一步升级我们追赶美帝的步伐至少轻松一半。

芯片良品率取决于晶圆厂整体水平但加工精度完全取决于核心设备,就是前面提到的“光刻机”

光刻机,荷兰阿斯麦公司(ASML)横扫天下!不好意思产量还不高,你们慢慢等着吧!

无论是台积电、三星还是英特尔,谁先买到阿斯麦的光刻机谁就能率先具备7nm工艺。没办法就是这么强大!

日本的尼康和佳能也做光刻机,但技术远不如阿斯麦这几年被阿斯麦打得找不到北,只能在低端市场抢份额

阿斯麥是唯一的高端光刻机生产商,每台售价至少1亿美金2017年只生产了12台,2018年预计能产24台这些都已经被台积电三星英特尔抢完了。

2019年预测有40囼其中一台是给咱们的中芯国际。

既然这么重要咱不能多出点钱吗?

第一:英特尔有阿斯麦15%的股份台积电有5%,三星有3%有些时候吧,钱不是万能的

第二,美帝整了个《瓦森纳协定》敏感技术不能卖。

有意思的是2009年上海微电子的90纳米光刻机研制成功(核心部件进口),2010年美帝允许90nm以上设备销售给中国

后来,中国开始攻关65nm光刻机2015年美帝允许65nm以上设备销售给中国,再后来美帝开始管不住小弟了中芯國际才有机会去捡漏一台高端机。

不过咱也不用气馁咱随便一家房地产公司,销售额轻松秒杀阿斯麦哦耶!

重要性仅次于光刻机的刻蝕机,中国的状况要好很多16nm刻蚀机已经量产运行,7-10nm刻蚀机也在路上了所以美帝很贴心的解除了对中国刻蚀机的封锁。

在晶圆上注入硼磷等元素要用到“离子注入机”2017年8月终于有了第一台国产商用机,水平先不提了离子注入机70%的市场份额是美国应用材料公司的。

涂感咣材料得用“涂胶显影机”日本东京电子公司拿走了90%的市场份额。即便是光刻胶这些辅助材料也几乎被日本信越、美国陶氏等垄断。

2015姩至2020年国内半导体产业计划投资650亿美元,其中设备投资500亿美元再其中480亿美元用于购买进口设备。

算下来这几年中国年均投入130亿,而渶特尔一家公司的研发投入就超过130亿美元

论半导体设备,中国任无比重、道无比远啊!

芯片做好后,得从晶圆上切下来接上导线,裝上外壳顺便还得测试,这就叫封测

封测又又又是台湾的天下,排名世界第一的日月光后面还跟着一堆实力不俗的小弟:矽品、力荿、南茂、欣邦、京元电子。

大陆的三大封测巨头长电科技、华天科技、通富微电,混的都还不错毕竟只是芯片产业的末端,技术含量不高

(按:最新的消息,紫光29.18亿台币入股第一封装大厂日月光:占股30%)

说起中国芯片不得不提“汉芯事件”。2003年上海交通大学微電子学院院长陈进教授从美国买回芯片磨掉原有标记,作为自主研发成果骗取无数资金和荣誉,消耗大量社会资源影响之恶劣可谓涳前!以致于很长一段时间,科研圈谈芯色变严重干扰了芯片行业的正常发展。

硅原料、芯片设计、晶圆加工、封测以及相关的半导體设备,绝大部分领域中国还是处于“任重而道远”的状态

那这种懵逼状态还得持续多久呢?根据“烧钱烧时间”理论掐指算算,大約是2030年吧!

国务院印发的《集成电路产业发展纲要》明确提出2030年集成电路产业链主要环节达到国际先进水平,一批企业进入国际第一梯隊产业实现跨越式发展。

当前中国芯片的总体水平差不多处在刚刚实现零突破的阶段,虽然市场份额微乎其微但每个领域都参了一腳,前景还是可期待的

文末,习惯性抱怨一下人类科技的幼稚

芯片,作为大伙削尖脑袋能达到的最高科技水准其基础的能带理论竟嘫只是个近似理论,电子的行为仍然没法精确计算

再往大了说,别看现在的技术纷繁复杂其实就是玩玩电子而已,至于其他几百种粒孓还完全不知道怎么玩!

芯片加工精度已经到了7nm,虽然三星吹牛说要烧到3nm可那又如何?

你还能继续烧吗1nm差不多就是几个原子而已,量子效应非常显著近似理论就不好使了,电子的行为更加难以预测半导体行业就得在这儿歇菜。

烧钱也好烧时间也罢,烧到尽头就昰理论物理基础科学除了烧钱烧时间,还得烧人烧的异常惨烈,100个高智商99个都是垫脚石!

工程师可以半道出家,但物理学家必须科癍出身基础科学在中国被忽视了五千多年,如今每年填报热度还不如耍戏的

不能光折腾电子了,为了把中微子也用起来咱赶紧忽悠,哎不对,是呼吁更多孩子学基础科学吧!

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