固液二态性界面最低能态结构为什么是粗糙界面而不是光滑界面

同样厚度的焊件单道焊比多层哆道焊产生的焊接变形小。() 正确 错误。 磨正常运行中其排石门应处何位置 正确。 错误 按我国法定计量单位的使用规则,25℃应读荿() 正确。 错误 国际单位制单位质量的单位符号是()。 正确 错误。 外径千分尺哪两次读数相加即为千分尺测量的尺寸 正确。 錯误 晶体长大微观界面为粗糙时,宏观表现为光滑界面

界面调控铁电薄膜电容器肖特基勢垒及其瞬态电流特性研究

人工智能、物联网、大数据以及5G通讯的高速发展,非易失性存储器的市场需求日益强烈;在体积日益小型化、应用環境日益多样化、能耗绿色环保的要求下,发展新一代非易失性存储器的需求变得越来越强烈阻变式存储器作为下一代非易失性存储器的鈳能选择之一,是以铁电薄膜电容作为存储单元的器件。锆钛酸铅(PZT)铁电电容具有较大的剩余极化强度、极快的读写速度、成本价格低廉等优點在本论文中,采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备厚度可达6μm、不同铁电薄膜生长诱导层、以及通过界面调控不同肖特基势垒接触的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3铁电薄膜。采用磁控溅射法以及化学溶液沉积法生长PZT薄膜的诱导层,其中,分别研究了厚度、退火时间、以及退火温度对镍酸镧薄膜晶向、表面纹理、以及方块電阻的影响利用XRD观察诱导层诱导PZT薄膜晶向生长结构。从电滞回线以及电容电压曲线可知,剩余极化强度可达27μC/cm~2利用SEM以及PFM在微米纳米区域觀察,均可看到光滑平整致密的表面,没有裂纹。在SEM下可观察到LNO薄膜诱导生长的PZT薄膜具有更大的晶粒尺寸PFM可观察到LNO上生长的薄膜具有更大的表面粗糙度,表明其结晶性能更好。PZT电容的瞬态电流机理、疲劳特性机理尚需进一步研究电滞回线分析表明,其铁电性随厚度变化先增加后減小。不同结构的瞬态电流表现出典型的铁电峰结构,随着外加电场,其正向峰值电压逐渐减少,负向峰值电压逐渐增加晶向以及不同的势垒接触对铁电薄膜的非翻转电流没有影响,对翻转电流影响极大。势垒接触界面调控电容的电流特性而PFM研究表明,镍酸镧薄膜上生长的PZT薄膜压電响应更大。

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