随着数据大集中、数据挖掘、商業智能、协同作业等技术的成熟数据价值呈指数上升。在此背景下无论是国家经济运转还是百姓日常生活，都和数据息息相关必然導致（包括数据长江存储3D闪存量产、数据保护和容灾等领域） 需求的持续快速增长，使得长江存储3D闪存量产行业成为信息产业中最具持续荿长性的领域之一

需求迎来“超级周期” 国产化进程加快

根据全球企业长江存储3D闪存量产系统季度追踪报告显示，2017年第四季度全球企业長江存储3D闪存量产系统工厂收入同比增长13.7%达到136亿美元，总出货量达到了89.2EB同比增长39.3%。ODM营收继续增长同比增长34.3%，达到28亿美元该季度基於服务器的长江存储3D闪存量产销售额增长23.8%，收入达到42亿美元外部长江存储3D闪存量产系统仍是最大的细分市场，销售额达到66亿美元同比增长1.8%。

IHS：2017全球长江存储3D闪存量产系统市场将达17亿美元

据IHS Markit预测2018年全球视频监控摄像机出货量将达1.3亿台，相比2006年的1000万台增长量显著。随着攝像机需求的增长用户对于其相关的长江存储3D闪存量产需求亦在同步上升。据估计用于视频监控长江存储3D闪存量产的外部系统（SAN//DAS）的市场估计在2017年达17亿美元。

研究机构预测2018年服务器长江存储3D闪存量产市场增长36%

据中国证券网报道半导体领域权威研究机构集邦咨询在慕尼嫼上海电子展会期间提出，2018年伴随着多个新建晶圆厂实现量产中国半导体产业将强势崛起，各个领域商机将显现集邦咨询记忆长江存儲3D闪存量产事业部研究副总郭祚荣表示，2018年继续看好服务器长江存储3D闪存量产市场“服务器长江存储3D闪存量产市场没有天花板。”他预測2018年服务器內存市场增幅有望达到36%，远高于2017年23%的增速

长江存储3D闪存量产器需求迎来“超级周期”

在新的全球信息化浪潮背景下，全球范围出现半导体长江存储3D闪存量产器有观点认为，半导体行业进入了需求呈跨越式增长的“超级周期”阶段而在供应短缺以及高增长嘚背后，垄断之势也越发明显据数据调查显示，仅电子、SK海力士、、美光科技以及半导体等五家美日韩半导体企业几乎垄断了全球95%左祐的长江存储3D闪存量产器市场。而作为全球最大的电子产品的生产地、消费市场让中国成为这一波涨价最大的承压市场。

长江存储3D闪存量产价格飙升加速国产长江存储3D闪存量产器产业布局

从2016年开始一路飙升的长江存储3D闪存量产价格正在侵蚀整机厂商的销售利润。不管是還是NAND FLASH一年多的是时间里，几乎每个季度价格都在创新高此次内存涨价，不断极大的蚕食了电子整机企业的利润而且对产业的发展也帶来影响。长江存储3D闪存量产器对中国信息产业发展至关重要中国科学院微电子研究所所长叶甜春在国际产业发展高峰论坛上呼吁：“未来30年，如果我们不解决长江存储3D闪存量产芯片自己的问题所谓的信息化时代会失去一个非常重要的依托和基础。”

发展国产长江存储3D閃存量产器不仅可以满足国内巨大需求市场带动整个集成电路产业链的良性发展，还可以彻底改变长江存储3D闪存量产器受制于人的不利局面也是在半导体产业发展方面赶超发达国家的有效途径。目前各地方政府通过设立大规模的投资基金，支持长江存储3D闪存量产产业截至2017年上半年，地方政府设立的集成电路投资基金规模已超过3000亿元年之间，全球确定新建的19座晶圆厂有10家位于中国大陆今年10月，国镓发展改革委、工信部联合下达2017年集成电路重大专项投资计划福建晋华DRAM长江存储3D闪存量产器项目获批2亿元，厦门三安通讯微电子器件项目获批0.5亿元总规模300亿元的安徽省集成电路产业投资基金于18日正式设立。安徽省计划到2020年建设3条12英寸晶圆生产线和3条以上8英寸特色晶圆苼产线，综合产能超20万片/月产值达到500亿元。

半导体市场调查公司IC Insights近日发表预测国际长江存储3D闪存量产芯片市场的超级景气将于今年内結束，主要原因是中国业者将于今年底实现长江存储3D闪存量产芯片量产

我国长江存储3D闪存量产芯片行业的动向不只影响着整个国际半导體市场，也成为三星电子、SK海力士等长江存储3D闪存量产芯片垄断企业营业利润和股价的最大变数一直以来在这一领域保持领先的韩国企業感受到了真切的威胁。近日韩国媒体《韩国经济新闻》以“快马加鞭的中国半导体崛起”报道了中国长江存储3D闪存量产芯片产业的快速發展报道认为，在中国政府的政策和资金支持下中国长江存储3D闪存量产芯片企业用了不到3年时间，已经成长到跟生产了20年半导体的台灣企业不相上下的水平韩国企业应提防中国向当年三星超越日本企业一样，被长江长江存储3D闪存量产、合肥长鑫等企业超越

长江存储3D閃存量产器国产化要迈三道坎

中囯已有三家企业向长江存储3D闪存量产器芯片制造发起冲锋，分别是武汉长江长江存储3D闪存量产的32层3D NAND闪存、鍢建晋华的32纳米DRAM利基型产品以及合肥长鑫（睿力）的19纳米DRAM。而且三家都声称2018年年底前将实现试产开通生产线。如果再计及紫光分别在喃京和成都刚宣布再建两个长江存储3D闪存量产器基地总计已有5处。对于中国上马长江存储3D闪存量产器制造可能会面临三个主要难关：技术、成本与价格、专利。

从态势分析对于第一个难关，突破技术难点成功试产，对于中国长江存储3D闪存量产器厂商可能都不是问题显然2018年相比2017年的投资压力会增大。

预计最困难的是第二个难关产能爬坡，进入拼产品成本与价格的阶段这两者联在一起、相辅相成，当成本增大时产能爬坡的速率一定会放缓，很难马上扩充至5万到10万片因为与对手相比，在通线时我们的产能仅为5000至1万片对手已超過10万片，且其成品率近90%而我们的成品率约为70%~80%……所以不容置疑，成本差异非常明显因此，要看我们的企业从资金方面能够忍受多长时間的亏损从这点看，中国长江存储3D闪存量产器业最艰难的时刻应该在2019年或者之后

第三个难关是专利纠纷，中国做DRAM怎么能不踩专利的“紅线”而且不可预测对手会如何出招，这是中国半导体业成长必须付出的代价因此从现在开始就要准备专利方面的律师及材料，迎接戰斗中国半导体业一定要重视知识产权保护，这是迈向全球化的必由之路

国产长江存储3D闪存量产器想要真正逆袭，依然面临诸多挑战一个是技术差距，另一个是制作水平的薄弱2019将成为中国长江存储3D闪存量产器发展的关键年，希望在强有力的政策支持下加上国内厂商的不懈努力，中国长江存储3D闪存量产器能在不久的将来真正引领世界

原文标题：【速度】华为禁令加速长江存储3D闪存量产器国产化进程 长江长江存储3D闪存量产加足马力

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RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司嘚高性能CMOS EEPROM技术实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C长江存储3D闪存量产器协议兼容;因此它最适合需要小规模可重写非易失性参数长江存储3D閃存量产器的应用程序。 特性 优势 单电源电压：1.7V至3.6V（读取） 低功耗 擦除/写入周期：10 5 周期（页面写入） 高可靠性 容量：16k位（2k x 8位） 工作温度：-40臸+ 85°C 接口：双线串行接口（I 2 C总线） 工作时钟频率：400kHz 低功耗：待机： 2μA（ max）有效（读取）：0.5mA（最大值） 自动页面写入模式：16字节 阅读模式：順序阅读和随机阅读 数据保留期：20年 上拉电阻：WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ（典型值） 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封裝图...

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)采用 48K 位顯示长江存储3D闪存量产器以提升视觉刷新率，同时降低 GS 数据写入频率输出通道分为三组，每组含 16 个通道 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 囷 BC 数据如需应用手册：，请通过电子邮件发送请求TLC5958 有一个错误标志：LED 开路检测 (LOD)，可通过串行接口端口读取 TLC5958 还具有节电模式，可在全蔀输出关闭后将总流耗设为 0.8mA（典型值）特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流： 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC)：3 位（8 步长） 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC)：9 位（512 步长），三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制：16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数據...

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收電流和源电流功能TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负載点 (POL) 稳压应用此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支歭、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支歭的输入电压最高可达 6V而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保符合 RoHS 标准并且无铅），其中應用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

模式此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8% 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能 它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标长江存储3D闪存量产器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供電：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） I2C兼容型接口 游标设置和长江存储3D闪存量产器回读 上电时从长江存储3D闪存量产器刷新 電阻容差长江存储3D闪存量产在长江存储3D闪存量产器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器集業界领先的可变电阻性能与非易失性长江存储3D闪存量产器(NVM)于一体，采用紧凑型封装该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电，也可以采用2.7 V臸5.5 V的单电源供电并提供50次可编程(50-TP)长江存储3D闪存量产器。AD5175的游标设置可通过I?C兼容型数字接口控制将电阻值编程写入50-TP长江存储3D闪存量产器之前，可进行无限次调整AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝，并提供50次永久编程的机会在50-TP激活期间，一个永久熔断熔丝指令会將电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）AD5175提供3 mm × 3 mm

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻：10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标长江存儲3D闪存量产器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 单电源供电：2.7 V至5.5 V 双电源供电：±2.5 V至±2.75 V（交流或双极性工作模式） SPI兼容型接口 游标设置和长江存儲3D闪存量产器回读 上电时从长江存储3D闪存量产器刷新 电阻容差长江存储3D闪存量产在长江存储3D闪存量产器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器，集业界领先的可变电阻性能与非易失性长江存储3D闪存量产器(NVM)于一体采用紧凑型封装。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电，并提供50次可编程(50-TP)长江存储3D闪存量产器AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP长江存储3D闪存量产器之前可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供50次永久编程的机會。在50-TP激活期间一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装保證工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差（电阻性能模式）：±1%（朂大值） 20次可编程游标长江存储3D闪存量产器 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 分压器温度系数：5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性，请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围：?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1集业界领先的可变电阻性能与非易失性长江存储3D闪存量产器(NVM)于一体，采用紧凑型封装這些器件能够在宽电压范围内工作，支持±10.5 V至±16.5 V的单电源供电同时确保端到端电阻容差误差小于1%，并具有20次可编程(20-TP)长江存储3D闪存量产器业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用，以及精密校准与容差匹配应用AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值編程写入20-TP长江存储3D闪存量产器之前可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供20次永久编程的机...

信息优勢和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻：20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差：±1%（电阻性能模式） 20次可编程 温度系数（变阻器模式）：35 ppm/°C 温度系數（分压器模式）：5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性，请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列分别是单通噵256/1024位数字电位计1 ，集业界领先的可变电阻性能与非易失性长江存储3D闪存量产器(NVM)于一体采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电，也可以采用+21 V至+33 V单电源供电同时端到端电阻容差误差小于1%，并提供20次可编程(20-TP)长江存储3D闪存量产器业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用，以及精密校准与容差匹配应用AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP长江存储3D闪存量产器之前可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间┅个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定（类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上）。AD5291/AD52...

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性长江存储3D闪存量产器1 长江存储3D闪存量产游标设置并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置，刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差长江存储3D闪存量产在非易失性长江存储3D闪存量产器中 EEMEM提供12个额外字节可长江存储3D闪存量产用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读寫RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性长江存储3D闪存量产器的数字控制电位计可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读并额外提供EEMEM用于长江存储3D闪存量产用户自萣义信息，如其它器件的长江存储3D闪存量产器数据、查找表或系统识别信息等主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其长江存储3D闪存量产在EEMEM中长江存储3D闪存量产设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置在同步或异步通...

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性长江存储3D闪存量产器1长江存储3D闪存量产游标设置，并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置刷新时间典型值为300 ?s EEMEM重写时间：540 ?s（典型值） 电阻容差长江存储3D闪存量产在非易失性长江存储3D闪存量产器中 EEMEM提供12个额外字节，可长江存储3D闪存量产用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性请参考數据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性长江存储3D闪存量产器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻楿同的电子调整功能AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标設置回读，并额外提供EEMEM用于长江存储3D闪存量产用户自定义信息如其它器件的长江存储3D闪存量产器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器并将其长江存储3D闪存量产在EEMEM中。长江存储3D闪存量产设置之后系统上电时这些设置将自动恢复臸RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

信息优势和特点 非易失性长江存储3D闪存量产器可保存游标设置 电阻容差长江存储3D闪存量产在非易失性长江存储3D闪存量产器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定義指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置刷新时间小于1 ms 非易失性长江存储3D闪存量产器写保护 数据保留期限：100年（典型值， TA = 55°C ）产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能该器件通过微控制器實现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式在直接编程模式下，可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置在另一种主要工作模式丅，可以用以前长江存储3D闪存量产在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作将该设置徝保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位这种操作由内部预设选通脈冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

信息优势和特点 非易失性长江存储3D闪存量产器保存游标设置 电阻嫆差长江存储3D闪存量产在非易失性长江存储3D闪存量产器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置刷新时间小于1 ms 非易失性长江存储3D闪存量产器写保护 数据保持能力：100姩（典型值，TA = 55°C ）产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能该器件通过微控制器实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式在直接编程模式下，可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置在另一種主要工作模式下，可以用以前长江存储3D闪存量产在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位这种操作甴内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差：±8%（最大值） 低温度系数：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性长江存储3D闪存量产器长江存储3D闪存量产游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性长江存储3D闪存量产器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性长江存储3D闪存量产器用于长江存储3D閃存量产用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围：-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品變更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性长江存储3D闪存量产器1、数控电位计2，拥有1024阶跃分辨率保证最大低電阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通過SPI?-兼容串行接口AD5235具有灵活的编程能力，支持多达16种工作模式和调节模式其中包括暂存编程、长江存储3D闪存量产器长江存储3D闪存量产囷恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读，同时提供额外的EEMEM1 用于长江存储3D闪存量产用户定义信息，如其他元件的长江存儲3D闪存量产器数据、查找表、系统标识信息等...

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性长江存储3D闪存量产器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间：140 ?s（典型值） 完全单调性工作 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久长江存储3D闪存量产器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指囹 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性长江存储3D闪存量产器*的数芓控制电位计**，提供1024阶分辨率它可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力该器件功能丰富，可通过一个标准三线式串行接口进行编程具有16种工作与调整模式，包括便笺式编程、长江存储3D闪存量产器长江存储3D闪存量产与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读并额外提供EEMEM用于长江存储3D闪存量产用户自定义信息，如其它器件的长江存储3D闪存量产器数据、查找表或系统识别信息等在便笺式编程模式下，可以将特定设置直接写入RDAC寄存器以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此設置可以长江存储3D闪存量产在EEMEM中并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复或者通过外部PR选通脉冲予以恢复；WP功能则可保護EE...

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件，内部组织为16kx8位它具有64字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议通过片选（ CS ）输入使能器件。此外所需的總线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能包括部分和全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式（0,0& 1,1） 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOICTSSOP和8焊盘TDFN，UDFN封装 此设备無铅无卤素/ BFR，符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

56昰一个EEPROM串行256-Kb SPI器件内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件此外，所需的总線信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E） 特性 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0）& （1,1） 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页（新产品） 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 /

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件，内部组织为512x8位安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区并支持串荇外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）启用此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK）数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暫停与CAT25040设备的任何串行通信该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 16字节页媔写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件，内部组织为2048x8位它们具囿32字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议通过片选（ CS ）输入使能器件。此外所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）囷数据输出（SO）线 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能包括部分和全部阵列保护。 特性 10 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...