【摘要】在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益.本文采用稳懋公司0.15 μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器特点电路,其频率范围4~10 GHz,增益约25 dB,噪声温度低于100 K,输入输出回波损耗大于10 dB.
【授予单位】中国科学院上海天文台,上海 200030;中国科学院研究生院,北京 100049;中国科学院上海天文台,上海 200030;
【收录信息】中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
【会议召开年】2011
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