二极管的符号怎么表示?

Cj---结(极间)电容, ;表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、

下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电
极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)---正向平均电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- ;发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR(AV)---反向平均电流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻
加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管
在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)
Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整
流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Is---稳流二极管稳定电流
n---电容变化指数;电容比
Q---优值(品质因素)
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT(AV)---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PG---门极平均功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PR---反向浪涌功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率
RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。
在某一正向电压下,电压增加微小量
△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
λp---发光峰值波长
△ ;λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VFM---最大正向压降(正向峰值电压)
VF---正向压降(正向直流电压)
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF(AV)---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---最大输出平均电压
VR---反向工作电压(反向直流电压)
VRM---反向峰值电压(最高测试电压)
Vth---阀电压(门限电压、死区电压)
VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)
VRWM---反向工作峰值电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压(稳流二极管)
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二极管的正极为图形符号三角形。三角形旁边的竖线为二极管的负极。电流可以从二极管的正极流向二极管的负极。理论上说,二极管本身就是一个,它的特性是单项导电性。正向导通,反向截止。二极管符号的箭头指明了导通方向。


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