本人本科大三收到瑞昱半导体(深圳)的offer想多了解一下这个公司求前辈指导
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2011年12月 挨踢职涯大版内专家分月排行榜第二2010年9月 挨踢职涯大版内专家分月排行榜第二2010年3月 挨踢职涯大版内专家分月排行榜第二
2010年8月 挨踢职涯大版内专家分月排行榜第三
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深圳深爱半导体股份有限公司
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深圳深爱半导体股份有限公司,位于珠江三角洲的经济中心、经济特区、国际化城市、中国改革开放的窗口，重要的边境口岸城市，美丽的鹏城深圳,注册地址在广东,深圳,深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路三号8号办公楼及活动楼2-3层,公司性质属于股份有限公司,注册资本为19900 万元,自成立,至今已经32年。 主要经营：电子技术,半导体,集成电路,三极管,,,13009,BULBR,BLD122D,BLD128D,L系列低压三极管,MOSFET系列,4N60,2N60,肖特基二极管产品/服务,面向全国提供优质的产品和良好的服务，如有业务联系请联系我公司孙**先生/小姐。 我公司以市场需求为主导，以具有竞争力的开发和生产能力为后盾，重质量、讲实干 、守信誉 、 专业制造、 品牌销售、 满意服务、服务完善为宗旨为广大客户提供优质的产品和服务。
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经营地址：
广东深圳深圳市深圳市龙岗区宝龙工业区宝龙7路3号
法人名称：
深圳深爱半导体股份有限公司
主要经营产品：
电子技术,半导体,集成电路,三极管,,,13009,BULBR,BLD122D,BLD128D,L系列低压三极管,MOSFET系列,4N60,2N60,肖特基二极管
经营范围：
生产、销售功率半导体器件（含电力电子器件）、集成电路及其有关的应用产品和整机产品；经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；
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注册资本：
(人民币)19900万人民币
企业类型：
股份有限公司
人数规模：
成立时间：
官方网站：
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哦。。。我也不太清楚。。这个公司要我面试过 不过我没去，你打个114问一下有没有这个公司。，，，有的话问一下他们公司的号码。
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深圳深爱半导体股份有限公司公开转让说明书
公告日期：
深圳深爱半导体股份有限公司
公开转让说明书
（申报稿）
二一五年六月
本公司及全体董事、监事、高级管理人员承诺公开转让说明书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。
本公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证公开转让说明书中财务会计资料真实、完整。
全国中小企业股份转让系统有限责任公司对本公司股票公开转让所作的任何决定或意见，均不表明其对本公司股票的价值或投资者的收益作出实质性判断或者保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。
根据《证券法》的规定，本公司经营与收益的变化，由本公司自行负责，由此变化引致的投资风险，由投资者自行承担。
重大事项提示
本公司在经营过程中，由于所处行业及自身特点的原因，特提醒投资者对公司以下重大事项予以关注：
一、经营风险
1、市场竞争风险
公司作为国内半导体分立器件行业的主要制造企业，最近两年及一期，公司营业收入分别为37,467.22万元、30,191.88万元和5,777.07万元。公司现有一条6英寸芯片生产线和两条5英寸芯片生产线，拥有一定的规模优势。
公司所处半导体分立器件行业属于技术较为成熟的行业，竞争较为激烈。
近年来，随着越来越多的国内生产企业开始进入半导体分立器件行业，部分同行生产企业通过增加生产线或进行技术改造，产能及质量得到较大提升，在一定程度上对公司现有市场占有率构成影响。其他部分集成电路生产厂商，如杭州士兰微等利用其设备、技术等优势，也相继进入半导体分立器件市场。同时，国际知名半导体公司对中国市场的加速开拓也可能对公司的经营带来不利影响。公司部分产品面临国内、国际同行企业的激烈竞争。如果在产品技术升级、质量控制、市场拓展等方面不能及时应对市场变化，公司面临的市场竞争风险将日益加剧。
2、产品应用领域较为集中的风险
目前，公司研发生产的功率晶体管主要应用于照明领域，在照明领域的销售占比较高，产品结构较为集中。半导体分立器件行业产品更新换代快、生产厂商众多、市场竞争较为激烈，如果公司产品不能及时应对下游客户和消费者的需求变化，将会对产品的销量、价格和毛利率产生不利影响。
3、下游行业市场波动风险
节能照明及电源是公司产品的重要应用方向，目前公司主导产品为节能照明配套器件，下游市场对于节能照明用功率晶体管的需求将直接影响公司产品的销售。国际市场方面，欧美等发达国家和地区属于节能照明产品采购的主要地区，但近年来欧美等发达国家经济增长乏力在一定程度上抑制了该地区的消费，也间接造成功率晶体管需求的减少。国内市场方面，由于功率晶体管具有
环保、节能等特点，且契合国家节能减排的发展方针，越来越多的企业进入半导体照明领域。一旦下游市场出现竞争加剧与产业升级，公司将可能面临不利局面，从而影响公司的盈利能力。
近年来，LED灯以其能耗低、亮度高、使用寿命长等特点带动LED照明市场快速发展，对节能照明市场带来一定冲击，这也是造成公司在报告期内业绩有所下滑的主要原因。但由于LED产品价格较高、质量标准不统一等限制，在短期内不可能完全取代节能照明产品，因此节能照明产品依然能保持一定的市场份额。公司利用市场机遇谋求转型升级，积极调整产品结构，一方面加大市场开拓力度，消化现有库存，另一方面根据市场需求研发和生产LED驱动IC等新产品，扩大LED产品市场份额。同时，公司将立足于绿色照明市场，大力开拓消费电子、汽车电子、UPS、机器人和伺服控制、新能源等市场，以分散、减小下游行业市场波动风险。
4、主要原材料价格波动及劳动力成本上升的风险
目前，公司产品的主要原材料包括单晶硅片、铜材引线框架、化学试剂等，均属资源类产品，原材料成本比例较高，其价格受市场供求关系的影响，存在较大幅度的波动。如果原材料价格发生波动，公司产品的成本和毛利率水平将受到直接影响，从而导致公司的盈利水平出现波动。
报告期内，国内企业职工最低工资标准呈上升趋势。目前，公司薪酬水平在深圳高新技术企业中属于中等水平，今后如果劳动力成本增长过大过快，将对公司盈利水平的持续增长带来不利影响。
二、行业风险
1、行业周期性波动风险
公司所在半导体分立器件行业受国内外宏观经济波动影响较大。一般来说，市场格局变动、电子整机市场状况、产品技术升级等因素将导致半导体行业产生周期性波动，从而间接影响公司的业务发展，出现相应的周期性波动。
2008年我国半导体分立器件销售额为937.80亿元，2013年已达到1,535.95亿元，年平均复合增长率为10.37%。近年来，我国半导体分立器件的销售额虽保持增长态势，但增幅下降较快。由于受经济周期性波动的影响，半导体分立器件行业呈现一定的周期性特点，对公司的盈利状况影响较大。同时，尽管我
国宏观经济发展长期向好的趋势不会发生改变，总体呈现较快的增长态势，但当前国内经济也存在发展不平衡、消费增长动力有所减弱等问题，不排除在未来出现周期性波动的可能性。因此，公司未来经营效益和盈利能力存在一定程度的波动风险。
2、行业利润水平下降的风险
根据产品周期理论，产品毛利率水平随着产品技术成熟而降低，具有周期性特点。随着我国半导体分立器件行业中传统功率晶体管产品的逐步成熟，该等产品最终将进入技术成熟期后的价格自然下跌过程，利润率将回归行业平均利润水平。
在半导体分立器件行业内部，利润率水平的变动呈现一定的结构性特征。
低端产品由于行业准入门槛低、竞争激烈等特点，将导致部分生产企业盈利水平低下、发生库存积压等问题；中高端产品如MOSFET、IGBT，技术及资金壁垒较高，生产企业相对较少，利润率水平能够在较长一段时期内保持稳定。公司如果不能及时调整产品结构或实现技术升级，可能面临现有产品利润水平下降的风险。
三、财务风险
1、应收账款及应收票据金额较大的风险
报告期内各期末，公司应收账款金额分别为10,346.21万元、10,639.46万元和10,671.49万元，前两年余额占当期营业收入的比例分别为27.61%和35.24%。公司应收账款虽然金额较大，但账龄较短，各年末账龄在一年以内的应收账款占比均在90%以上。
报告期内，公司应收票据余额分别为6,956.30万元、3,539.36万元和4,143.48万元，前两年余额占营业收入的比例分别为18.57%和11.72%，呈逐年降低趋势，主要原因是公司采用银行承兑汇票贴现方式回笼资金，导致应收票据余额大幅减少。
未来随着公司生产销售规模的扩大，受市场环境变化及国家宏观政策等因素的影响，公司如果不能有效控制应收款项规模，或因主要客户经营状况变化而导致应收款项无法及时回收，将对生产经营和资金周转产生不利影响。
2、存货减值风险
报告期内，公司存货账面价值分别为11,969.12万元、14,074.64万元和15,192.92万元，占公司流动资产的比例分别为32.26%、43.57%和46.04%，占公司总资产比例分别为18.89%、21.40%和22.86%，报告期内未发生存货大幅度减值的情况。报告期，针对存货中库存商品和自制半成品较多的现状，公司通过完善存货管理制度促使存货在流动资产、资产总额中所占比例保持平稳、略有增长。
由于公司所属半导体分立器件行业产品更新速度较快，如果市场形势发生重大变化，公司未能及时加强生产计划管理和库存管理，可能出现存货减值及滞压，从而对公司的财务状况造成不利影响。
3、收入下滑、净利润及净资产收益率下降风险
报告期内，公司营业收入分别为37,467.22万元、30,191.88万元和5,777.07万元，呈逐渐下滑趋势。报告期内公司净利润分别为2,681.40万元、-2,144.01万元和-651.77万元，净资产收益率分别为6.96%、-5.64%和-1.78%，公司盈利能力有所下降且处于亏损状态，新产品的市场和技术培育需要一定周期，难以在短期内实现扭亏为盈。因此，公司存在收入继续下滑、净利润及净资产收益率持续下降风险。
4、汇率波动风险
公司在产品出口、设备进口和原辅材料进口业务中涉及外汇交易，并主要以美元进行结算，报告期内，公司出口业务收入分别为4,470.37万元、4,655.15万元和863.37万元，占主营业务收入的比例分别为12.27%、15.76%和15.33%。近年来，人民币汇率波动较大，公司出口业务存在一定的汇率波动风险，如果人民币汇率发生较大变动，将在一定程度上影响公司的经营业绩。
四、技术风险
1、核心技术失密风险
公司自1988年成立以来，一直注重对研发的投入。截至本公开转让说明书签署之日，公司已获授权专利70项，其中发明专利12项，实用新型专利58项。
公司是专业从事半导体分立器件芯片及成品管研发制造的高科技企业，公司建立了深圳市级技术中心，注重自主开发与产学研合作开发并行的研发管理模式，与北京大学深圳系统芯片设计（SOC）重点实验室展开科研合作和共建研
发平台，建立“先进器件和工艺技术联合开发中心”。
公司所处半导体分立器件行业是典型的技术与知识密集型行业，相关知识产权和核心技术是赢得市场的关键。公司通过申请专利、与核心技术人员签订《保密协议》、制定严格的知识产权保护管理制度等方式保护知识产权、核心技术并控制失密风险。但公司在经营过程中长期积累形成的生产工艺、工序安排等难以完全通过申请专利来加以保护，一旦外泄可能在一定程度上削弱公司的技术优势及市场竞争优势。
2、技术人才流失风险
半导体分立器件行业对研发人员专业知识和经验的要求较高。公司各项核心技术是由以核心技术人员为主的研发团队经过多年的自主技术开发和生产实践取得，是公司核心竞争力的关键组成部分。目前，公司通过提高薪酬福利待遇、加强企业文化建设等措施来确保公司核心技术人员稳定。随着公司所处行业市场竞争的日益激烈，同行业其他生产企业如果采取更为主动的人才竞争策略，同时，随着公司募集资金建设项目的投入，公司将需要更多的高素质人才。如果公司不能有效控制技术人员流失的潜在风险，并积极培养技术研发新人，将面临技术创新与业务发展受阻的风险，并对公司的技术研发及可持续发展带来一定程度的负面影响。
五、实际控制人及控股股东控制的风险
赛格集团为公司控股股东，持有公司79%的股权，持股比例较高。深圳市国资委通过持有公司控股股东赛格集团46.52%的股权，通过远致投资间接持有赛格集团29.51%股份，合计持有赛格集团76.03%股份。赛格集团持有公司79%的股份，远致投资持有公司6%的股份。因此，深圳市国资委通过赛格集团和远致投资合计持有公司85%的股份，为公司的实际控制人。
虽然《公司章程》就控股股东、实际控制人的诚信义务、关联股东和关联董事的回避表决制度等做出了规定，并建立了独立董事的监督制约机制。同时，公司控股股东出具了避免同业竞争的承诺函，但仍存在控股股东利用其控制地位，公司正常持续运营的外部政策、法律环境，如果政策法规发生变化，可能对公司的生产经营、资本投资等方面带来一定影响。
声明......1
重大事项提示......2
义......11
第一节基本情况......14
一、公司基本情况......14
二、挂牌股份的基本情况......15
（一）挂牌股份的基本情况......15
（二）公司股份总额及分批进入全国中小企业股份转让系统转让时间和数量......15
三、公司股权基本情况......16
（一）公司股权结构图......16
（二）前十名股东及持有5%以上股份股东持有股份的情况......16
（三）股东之间关联关系......16
（四）控股股东、实际控制人及其他股东基本情况......16
（五）最近两年及一期公司控股股东及实际控制人变化情况......18
四、公司设立以来股本的形成及其变化和重大资产重组情况......18
（一）1988年深爱有限设立......18
（二）1995年第一次增资及股权转让（注册资本800万美元）......19
（三）2003年第二次增资（注册资本1,560万美元）......20
（四）2004年第二次股权转让......21
（五）2007年第三次增资（注册资本2,540万美元）......22
（六）2010年第三次股权转让及第四次增资（注册资本176,534,972.04元人民币）......22
（七）2010年整体变更设立股份公司......24
五、公司董事、监事、高级管理人员基本情况......25
（一）董事基本情况......25
（二）监事基本情况......27
（三）高级管理人员基本情况......28
六、公司最近两年及一期的主要会计数据和财务指标简表......29
七、本次挂牌的有关机构......30
（一）挂牌公司......30
（二）主办券商......31
（三）会计师事务所......31
（四）律师事务所......31
（五）资产评估机构......31
（六）证券登记结算机构......32
（七）证券交易场所......32
第二节公司业务......33
一、公司主要业务、主要产品或服务及用途......33
（一）主要业务情况......33
（二）主要产品及用途......33
二、公司组织结构、生产或服务流程及方式......35
（一）组织结构图......35
（二）主要产品工艺流程......35
三、与公司业务相关的关键资源要素......36
（一）产品或服务使用的主要技术......36
（二）主要无形资产情况......39
（三）业务许可资格或资质情况......43
（四）主要固定资产情况......43
（五）员工情况和核心技术人员......46
四、公司业务具体情况......48
（一）业务收入构成及主要产品或服务的规模、销售收入......48
（二）主要消费群体及前五名客户情况......48
（三）主要原材料、能源及前五名供应商情况......49
（四）重大业务合同及履行情况......50
五、公司的商业模式......54
（一）采购模式......55
（二）生产模式......56
（三）销售模式......57
六、所处行业基本情况......59
（一）行业概况......59
（二）市场规模及发展前景......63
（三）行业基本风险特征......69
（四）行业的竞争状况......71
七、公司行业地位、竞争优势及劣势......72
（一）公司行业地位......72
（二）竞争优势......73
（三）竞争劣势......75
第三节公司治理......77
一、公司股东大会、董事会、监事会制度建立健全及运行情况......77
（一）股东大会......77
（二）董事会......81
（三）监事会......87
二、公司董事会对公司治理机制建设及运行情况的评估结果......89
（一）股东权利保障......90
（二）投资者关系管理机制建设情况......90
（三）纠纷解决机制建设情况......91
（四）累积投票制建设情况......91
（五）独立董事制度建设情况......91
（六）关联股东和董事回避制度建设情况......91
（七）财务管理及风险控制机制建设情况......92
三、公司及控股股东、实际控制人最近两年及一期违法违规及受处罚情况......93
四、公司独立性情况......93
（一）业务独立性......93
（二）资产独立性......93
（三）人员独立性......94
（四）财务独立性......94
（五）机构独立性......94
五、同业竞争情况......94
（一）公司与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业的同业竞争情况......94
（二）关于避免同业竞争的措施......98
六、公司最近两年及一期关联方资金占用和对关联方的担保情况......99
（一）资金占用情况......99
（二）对外担保情况......99
（三）防止股东及其关联方占用或者转移公司资金、资产及其他资源的制度安排......99
七、董事、监事、高级管理人员有关情况说明......99
（一）董事、监事、高级管理人员持股情况......99
（二）相互之间存在亲属关系情况......100
（三）与申请挂牌公司签订重要协议或作出重要承诺情况......100
（四）在其他单位兼职及投资情况......100
（五）对外投资与申请挂牌公司存在利益冲突的情况......102
（六）最近两年及一期受到中国证监会行政处罚或者被采取证券市场禁入措施、受到全国股份转让系统公司公开谴责情况..............................................................................................103
（七）其它对申请挂牌公司持续经营有不利影响的情形......103
（八）公司董事、监事和高级管理人员的诚信状况......103
八、最近两年及一期董事、监事、高级管理人员的变动情况及其原因......103
（一）董事变动情况......103
（二）监事变动情况......104
（三）高级管理人员......104
第四节公司财务......105
一、最近两年及一期的审计意见、主要财务报表......105
二、主要会计政策、会计估计及其变更情况和对公司利润的影响......113
（一）主要会计政策、会计估计......113
（二）重大会计政策、会计估计变更及对公司利润的影响......138
（三）前期会计差错更正......138
三、公司最近两年及一期主要的财务指标......139
四、报告期利润形成的有关情况......142
（一）收入、成本具体确认方法......142
（二）按业务或地区列示的营业收入及成本的主要构成......142
（三）主营业务收入的变动趋势及原因......144
（四）主要费用及变动情况......144
（五）重大投资收益和非经常性损益......146
（六）公司主要税项及相关税收优惠政策......148
五、公司的主要资产情况......148
（一）货币资金......148
（二）应收票据......149
（三）应收账款......150
（四）预付款项......152
（五）其他应收款......152
（六）存货......155
（七）投资性房地产......157
（八）固定资产......158
（九）在建工程......159
（十）无形资产......161
（十一）开发支出......164
（十二）长期待摊费用......164
（十三）递延所得税资产......164
（十四）其他非流动资产......165
六、公司重大债务情况......166
（一）短期借款......166
（二）应付票据......166
（三）应付账款......166
（四）应付职工薪酬......167
（五）应交税费......168
（六）应付利息......169
（七）其他应付款......169
（八）一年内到期的非流动负债......170
（九）长期借款......170
（十）长期应付款......170
（十一）递延收益......170
七、股东权益情况......173
八、关联方关系及关联交易......174
（一）关联方的认定标准......174
（二）公司主要关联方......174
（三）关联交易......175
九、需提醒投资者关注的财务报表附注中的期后事项、或有事项及其他重要事项176
（一）期后事项......176
（二）或有事项......176
（三）其他重要事项......176
十、资产评估情况......176
十一、股利分配政策和最近两年及一期分配及实施情况......176
（一）股利分配的政策......176
（二）最近两年及一期股利分配情况......177
（三）公开转让后的股利分配政策......177
十二、控股子公司或联营企业的基本情况......177
十三、可能影响公司持续经营的风险因素......177
（一）经营风险......177
（二）行业风险......179
（三）财务风险......179
（四）技术风险......181
（五）实际控制人及控股股东控制的风险......181
第五节有关声明......183
一、公司全体董事、监事、高级管理人员声明......183
二、主办券商声明......184
三、承担审计业务的会计师事务所声明......185
四、公司律师声明......186
五、承担资产评估业务的评估机构声明......187
第六节附件......189
本公开转让说明书中，除非另有说明，下列简称具有如下含义：
公司、本公司、深
深圳深爱半导体股份有限公司
爱股份、股份公司
深爱有限、有限公
公司前身深圳深爱半导体有限公司
公司股票进入全国中小企业股份转让系统公开挂牌
转让的行为
安信证券股份有限公司全国中小企业股份转让系统
内核委员会
推荐挂牌项目内核委员会
股东大会（股东会）、董事会、监事会的统称
《公司法》
《中华人民共和国公司法》
《公司章程》
《深圳深爱半导体股份有限公司章程》
主办券商、安信证
安信证券股份有限公司
律师、友邦所
北京市友邦律师事务所
会计师、瑞华所
瑞华会计师事务所（特殊普通合伙）
中联资产评估集团有限公司
报告期、最近两年
2013年度、2014年度及月
全国股份转让系统
全国中小企业股份转让系统
全国股份转让系统
全国中小企业股份转让系统有限责任公司
中国证监会
中国证券监督管理委员会
深圳市赛格集团有限公司（1984年8月成立，原名
深圳市电子工业总公司，1985年11月更名为深圳电
子工业（集团）公司，1986年10月更名为深圳电子
集团公司，1988年2月更名为深圳赛格集团公司，
1997年7月更名为深圳市赛格集团有限公司）
深圳市循杰投资股份有限公司
深圳市远致投资有限公司
IBDT亚洲有限公司
赛格（香港）有限公司
深圳市投资管理公司
意法半导体
意法半导体有限公司，简称ST
潮州市创佳微电子有限公司
GreenValleyIndustriesLtd
深圳市国资委、
深圳市人民政府国有资产监督管理委员会、深圳市
深圳市国资局
国有资产监督管理局
东方资产管理
中国东方资产管理公司
长城资产管理
中国长城资产管理公司
深圳特建集团
深圳市特区建设发展集团有限公司
半导体器件
用半导体材料制成的固体电子器件
具有高电压、大电流、频率高、敏感等性能，不能
半导体分立器件
被集成在一个芯片中的半导体器件
也称为电力电子器件，用于对电流、电压、频率、
相位、相数等进行变换和控制，以实现整流
功率半导体器件
（AC/DC）、逆变（DC/AC）、斩波（DC/DC）、开
关、放大等各种功能的半导体器件
半导体元件产品的统称
在半导体片材上（单晶硅上）进行扩散、光刻、蚀
分立器件芯片
刻、清洗、钝化、金属化等多道工艺加工，制成的
能实现某种功能的半导体器件
利用某种材料将芯片保护起来，并与外界环境隔离
的方式和加工方法
晶体二极管的简称，是一个由p型半导体和n型半
导体烧结形成的p-n结界面，具有单向传导电流的半
晶体三极管或晶体管的简称，在半导体锗或硅的单
晶上制备两个能相互影响的pn结，组成一个pnp
（或npn）结构。中间的n区（或p区）叫基区，两
边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电
极引线，分别叫基极b、发射极e和集电极c，是能
起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件
一种固体半导体器件，可基于输入的电压，控制流
出的电流，可作为电流的开关，用于检波、整流、
放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能等，
可以泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包
括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应
管、可控硅等，不过国内习惯多指晶体三极管
由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体
双极型功率晶体管
三极管，根据工作电压的极性有两种基本结构：pnp
场效应晶体管（FieldEffectTransistor，FET），由多
数载流子参与导电，它属于电压控制型半导体器
件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗
低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、
安全工作区域宽等优点
金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效
晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect
Transistor，MOSFET），是一种可以广泛使用在类比
电路与数位电路的场效晶体管（field-effect
transistor），依照其“通道”的极性不同，可分为n-
type与p-type的MOSFET
DoubleDiffusedMOSFET，垂直双扩散金属-氧化物
DMOS功率晶体管指
半导体场效应晶体管
互补金属氧化物半导体场效应管
肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode），不是利用P
型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作
的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体
SBD/肖特基
结原理制作的，因此，也被称为金属-半导体（接
触）二极管或表面势垒二极管，是一种热载流子二
绝缘栅双极功率晶体管（InsulatedGateBipolar
Transistor），综合了电力晶体管（GiantTransistor-
GTR）和电力场效应管（PowerMOSFET）的优点，
具有良好的特性，应用领域很广泛
快恢复二极管（FastRecoveryDiode），一种具有开关
特性好、反向恢复时间短特点的二极管，主要应用
于开关电源、不间断电源、变频器等电子电路中
IntegrateCircuit的缩写，集成电路
功率集成电路，即：将高压功率器件与信号处理系
统及外围接口电路、保护电路、检测诊断电路等集
成在同一芯片上的集成电路
计量半导体硅片直径的常用单位，4英寸约相当于
美国国际数据集团（IDG）的全资子公司（全称为
International Data Corporation简称IDC），IDG是全世
界最大的信息技术出版、研究、会展与风险投资公
中华人民共和国国家标准
中国半导体行业协会
由ISO（国际标准化组织）制定的质量管理和质量保
证国际标准
由ISO（国际标准化组织）制定的环境管理和环境保
证国际标准
由国际电工技术委员会下国际电子零件认证制度所
核可的有害物质管理标准
欧盟环境保护认证，通过该认证，指产品中不含对
人体有害的4种重金属和2种阻燃剂
人民币元、人民币万元
本公开转让说明书中可能会存在合计数与所列数值汇总不一致的情况，主要是小数点四舍五入导致的。
第一节 基本情况
一、公司基本情况
称：深圳深爱半导体股份有限公司
本：19,900.00万元
法定代表人：孙盛典
有限公司成立日期：日
股份公司成立日期：日
所：深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路三号8号办公楼及活动
编：518116
http://www.sisemi.com.cn
信息披露负责人：王军立
组织机构代码证：
根据《上市公司行业分类指引》（2012修订），公司所处
行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业
（C39）”；根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-
2011），公司所处行业属于“电子器件制造（C396）”中
的“半导体分立器件制造业（C3962）”。
围：生产、销售功率半导体器件（含电力电子器件）、集成电
路及其有关的应用产品和整机产品；经营进出口业务（法
律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目
须取得许可后方可经营）。
务：半导体功率器件芯片及成品管的研发、生产和销售。
二、挂牌股份的基本情况
（一）挂牌股份的基本情况
1、股票代码：
2、股票简称：深深爱
3、股票种类：人民币普通股
4、每股面值：1.00元
5、股票总量：199,000,000.00股
6、转让方式：协议转让
7、挂牌日期：
（二）公司股份总额及分批进入全国中小企业股份转让系统转让时间和数量
1、股份总额：199,000,000.00股
2、公司股份分批进入全国中小企业股份转让系统转让时间和数量
《公司法》第一百四十一条规定，“发起人持有的本公司股份，自公司成立之日起一年内不得转让。”《公司章程》第二十五条规定，“发起人持有的本公司股份，自公司设立之日起三年内不得转让。”
《全国中小企业股份转让系统业务规则（试行）》第二章第八条规定，“挂牌公司控股股东及实际控制人在挂牌前直接或间接持有的股票分三批解除转让限制，每批解除转让限制的数量均为其挂牌前所持股票的三分之一，解除转让限制的时间分别为挂牌之日、挂牌期满一年和两年。挂牌前十二个月以内控股股东及实际控制人直接或间接持有的股票进行过转让的，该股票的管理按照前款规定执行，主办券商为开展做市业务取得的做市初始库存股票除外。因司法裁决、继承等原因导致有限售期的股票持有人发生变更的，后续持有人应继续执行股票限售规定。”公司控股股东深圳市赛格集团有限公司（以下简称“赛格集团”）遵守上述规定。
截至本公开转让说明书签署日，股份公司成立已满三年。深圳市循杰投资股份有限公司（以下简称“循杰投资”）、深圳市远致投资有限公司（以下简称“远致投资”）持有的公司股份无转让限制。
公司全体股东所持股份无冻结、质押或其他转让限制情况。
三、公司股权基本情况
（一）公司股权结构图
深圳市国资委
长城资产管理
东方资产管理
30.24% 84.44% 79.02%
（二）前十名股东及持有5%以上股份股东持有股份的情况
持股数量（万
股东名称或姓名
持股比例（%）
深圳市赛格集团有限公司
深圳市循杰投资股份有限公司
深圳市远致投资有限公司
公司股东持有的本公司股份均不存在质押或其他争议事项等情况。
（三）股东之间关联关系
公司各股东之间不存在关联关系。
（四）控股股东、实际控制人及其他股东基本情况
1、控股股东、实际控制人的认定
截至本公开转让说明书签署日，赛格集团持有公司股份15,721万股，占公司
总股本的79%，为公司的控股股东。
截至本公开转让说明书签署日，深圳市人民政府国有资产监督管理委员会（以下简称“深圳市国资委”）直接持有赛格集团46.52%股份，通过远致投资间接持有赛格集团29.51%股份，合计持有赛格集团76.03%股份。赛格集团持有公司79%的股份，远致投资持有公司6%的股份。因此，深圳市国资委通过赛格集团和远致投资合计持有公司85%的股份，为公司实际控制人。
2、股东基本情况
（1）深圳市赛格集团有限公司
赛格集团系本公司控股股东，成立于日，住所为深圳市福田区华强北路2号赛格广场61-62楼；注册资本135,542万元，实收资本135,542万元。经营范围为电子产品，家用电器，玩具，电子电信设备及器材、仪器仪表、汽摩配件、电脑及配件、办公自动化设备及用品、电子化工项目的生产研究（生产场地另办执照）；承接各种电子系统工程项目；开办电子通信类专业市场；人才培训；房地产开发（在合法取得土地使用权的地块上从事开发）；房地产经纪；货运代理；物流仓储；深圳市赛格广场高层观光及配套餐饮、商场、展览业务；网络和信息工程的技术开发及维护；经营进出口业务；赛格注册商标有偿使用许可。投资咨询；投资管理；代理记账；企业登记代理。目前其主要的业务为持有下属子公司股权。赛格集团的股东构成情况如下：
出资金额（万元）
出资比例（%）
深圳市人民政府国有资产监督管理委员会
深圳市远致投资有限公司
中国东方资产管理公司
中国长城资产管理公司
135,542.00
（2）深圳市循杰投资股份有限公司
日，深圳国资委作出《关于深圳深爱半导体有限公司实施股份制改造前期工作有关事宜的函》（深国资局函[2009]78号），同意深爱有限管理层、核心技术人员和业务骨干以现金设立投资公司向深爱有限以协议方式实施增资持股，持股人数控制在200人以内，持股比例为深爱股份公司总股本的15%。
日循杰投资成立，住所为深圳市福田区华强北赛格广场1402A；注册资本为1,000万元，实收资本为1,000万元。经营范围为投资兴办实业；投资管理咨询；企业管理策划。环保、安全的技术咨询及服务（不含限制项目）。碳排放核查、能源等体系认证及其服务；节能减排业务检测认证。
循杰投资的股东包括深爱股份的副董事长兼总经理寻培珏、董事兼副总经理王嘉全、副总经理张帅恒、副总经理兼董事会秘书王军立、副总经理邓文斌、总工程师厉策、监事刘波，以及深爱股份的业务骨干和技术骨干。
（3）深圳市远致投资有限公司
远致投资成立于日，注册资本为525,000万元，实收资本为525,000万元，经营范围为投资兴办实业（具体项目另行申报）；对投资及其相关的资产提供管理（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。
远致投资的股东及其出资情况如下：
出资金额（万元）
出资比例(%)
深圳市人民政府国有资产监督管理
525,000.00
525,000.00
（五）最近两年及一期公司控股股东及实际控制人变化情况
自深爱股份成立以来，控股股东是赛格集团，实际控制人是深圳市国资委。
最近两年及一期，公司的控股股东和实际控制人均未发生变化。
四、公司设立以来股本的形成及其变化和重大资产重组情况
（一）1988年深爱有限设立
日，经深圳市人民政府以深府外复【号文《关于合资经营“深圳深爱半导体有限公司”合同书的批复》批准，赛格集团与IBDT亚洲合资设立深爱有限，注册资本为539.84万美元，投资总额为1,349.60万美元。其中，赛格集团占72.95%；IBDT亚洲占27.05%。主要经营范围为生产、销售功率半导体器件，集成电路及其有关的应用产品和整机产品。
日，深圳市人民政府核发外经贸深外资字【1988】19号《中外合资经营企业批准证书》。
日，深爱有限获准登记，领取了工商企粤深字191560号《营业执照》。日，深爱有限法定代表人变更工商登记，领取了新的《营业执照》（注册号：工商外企合粤深字第100170号）。
深圳中华会计师事务所于日出具了验资报字（1989）第019号《验资报告》，验证截至日，合营各方第一期缴付出资17,778,946.66元人民币，较注册资本欠缴人民币2,221,053.34元。
深圳市文武会计师事务所于日出具了深文验资报字（1995）第026号《验资报告书》，查定IBDT亚洲第二期缴付出资1,176,619.54元人民币。
深圳市文武会计师事务所于日出具深文验资报字（1995）第028号《验资报告书》，查定赛格集团第二期缴付出资1,044,433.80元人民币。截至日，合营各方实际缴付的出资额计2,000万人民币，占注册资本的100%。
深爱有限成立时，其股权结构如下：
出资金额（万元）
出资比例（%）
IBDT亚洲有限公司
（二）1995年第一次增资及股权转让（注册资本800万美元）
根据赛格集团、IBDT亚洲与深圳市投资管理公司于1994年7月签订的注资协议书，深圳市投资管理公司向深爱有限投资100万美元（占增资后公司出资额的6.395%），再以100万美元的价格受让赛格集团持有深爱有限增资后的6.395%出资额。日，深爱有限董事会决议通过了上述增资转让事宜。
日，IBDT亚洲有限公司与赛格（香港）有限公司（以下简称“赛格香港”）签订了股权转让协议，根据该协议，IBDT亚洲有限公司将其在深爱有限的全部股权，以163.8万美元转让与赛格香港。
日，赛格集团与赛格香港签订股权转让协议，根据该协议，鉴于IBDT亚洲有限公司在深爱有限的实际投入为163.8万美元，赛格香港受让IBDT亚洲有限公司的全部股份后，其实际投入占各方总投入（1,563.67万美元）的比例仅为10.48%，双方同意赛格集团将其持有深爱有限14.7%的股权以230万美元转让与
1赛格（香港）有限公司成立于日，注册地是香港，系赛格集团的全资子公司，主要经营进出
赛格香港后，赛格香港持有深爱有限的股权比例共计25.18%。
日，赛格集团、赛格香港和深圳市投资管理公司重新签订了合资合同，约定将深爱有限的注册资本增至800万美元，投资总额变更为1,563.67万美元。
日，深爱有限新一届董事会对上述股权转让予以确认。
日，深圳市国有资产管理办公室出具《关于同意深圳赛格集团转让部分股份给赛格（香港）有限公司和深圳市投资管理公司的决定》，同意了上述的股权转让事宜。日，深圳市引进外资领导小组办公室业已批准了新的合资合同和公司章程。
深圳市永明会计师事务所于日出具了验资（号《验资报告》，对此次增资进行了审验。查定截至日，深爱有限实收资本为800万美元。
日，国家工商总局核准了上述事宜。深爱有限领取了企合粤深总字第100170号《营业执照》。
日，深爱有限领取了外经贸深合资证字[号中外合资经营企业批准证书。
上述变更完成后，深爱有限股东及出资情况如下：
出资金额（万美元）
出资比例（%）
赛格（香港）有限公司
深圳市投资管理公司
（三）2003年第二次增资（注册资本1,560万美元）
日，深爱有限股东赛格集团、赛格香港和深圳市投资管理公司签署合资合同之补充合同，约定以资本公积转增股本的方式将注册资本增至1,560万美元，公司投资总额增至2,980万美元，各方投资比例不变。
日，深爱有限召开董事会，审议批准了上述增资事宜。
日，深圳市对外贸易经济合作局出具《关于合资企业“深圳深爱半导体有限公司”增资、变更经营范围的批复》（深外经贸资复[
号），同意深爱有限注册资本由800万美元增至1,560万美元。
深圳鹏城会计师事务所于日出具深鹏所专审字[2003]27号专项审计报告，查定截止日公司资本公积为763.70万美元。
深圳市永明会计师事务所于日出具了深永验字（号《验资报告》，对此次增资进行了审验。验证截至日，深爱有限新增注册资本760万美元，变更后注册资本为1,560万美元。
日，深圳市工商行政管理局核发《营业执照》。
本次增资后，深爱有限股东及出资情况如下：
出资金额（万美元）
出资比例（%）
赛格（香港）有限公司
深圳市投资管理公司
（四）2004年第二次股权转让
根据深圳市国有资产管理办公室于日出具的《关于划转深圳深爱半导体有限公司12.79%股权问题的批复》（深国资办[号），深圳市投资管理公司将其持有的深爱有限12.79%股权划转给赛格集团，以日深爱有限审计后的净资产值作为划转依据，免于资产评估。
日，深爱有限合资双方股东赛格集团和赛格香港重新签订《深圳深爱半导体有限公司合资合同》。
日，深爱有限董事会同意深圳市投资管理公司将其持有的12.79%深爱有限股权划转给赛格集团。
日，深圳市对外贸易经济合作局出具《关于合资企业“深圳深爱半导体有限公司”股权变更的批复》（深外经贸资复[号），同意深圳市投资管理公司将其持有的12.79%深爱有限股权划转给赛格集团。
日，深圳市工商行政管理局核准了上述变更事宜。
本次股权变更后，股东及出资情况如下：
出资金额（万美元）
出资比例（%）
赛格（香港）有限公司
（五）2007年第三次增资（注册资本2,540万美元）
日，深爱有限董事会同意公司以盈余公积金转增注册资本至2,540万美元，投资总额增至3,960万美元。
日，深爱有限合资双方股东赛格集团和赛格香港就上述变更事项签订合资合同的补充合同。
日，深圳市贸易工业局出具《关于合资企业深爱半导体有限公司增资、修改合同的批复》（深贸工资复[号文件），同意上述增资事宜。
深圳巨源会计师事务所于日出具深巨验字（2007）第137号《验资报告》，对此次增资进行了审验。验证截至日，深爱有限已将盈余公积73,610,742.60元人民币折合美元980万元转增实收资本，变更后注册资本为2,540万美元，累计实收资本为2,540万美元。
日，深圳市工商行政管理局核准了上述变更事宜。
本次增资后，股东及出资情况如下：
出资金额（万美元）
出资比例（%）
赛格（香港）有限公司
（六）2010年第三次股权转让及第四次增资（注册资本176,534,972.04元人民币）
根据深圳国资局于日出具的《关于深圳深爱半导体有限公司实施股份制改造前期工作有关事宜的函》（深国资局函[2009]78号），赛格集团受让赛格香港持有的全部深爱有限股权，并以协议转让的方式引入远致投资为深爱有限的战略投资者（持股比例为6%），深爱有限管理层、核心技术人员和业务骨干以现金设立投资公司向深爱有限增资持股（持股比例为15%），上述股权转让和增资认股价格均按深爱有限日经评估的净资产值确定。日，深圳国资局作出《关于深国资局函【2009】78号延期的复函》（深国资局函【号），同意将深国资局函【2009】78号函的有效期延长至2010年7
2010年4月深圳市鹏城会计师事务所有限公司出具清产核资专项审计报告（深鹏所核字[号），截止日，深爱有限净资产清查值为24,672.16万元人民币。同月，中联资产评估有限公司出具资产评估报告（中联评报字[2010]第40号），截止日，深爱有限经评估的净资产值为29,169.86万元人民币。日，深圳国资局为上述评估报告依法进行备案（备案编号为：深国资局评备[号）。
（1）赛格集团受让赛格香港持有的25.18%股权
日，深爱有限召开第八届第七次董事会，董事会同意赛格香港将其持有深爱有限的全部股权协议转让与赛格集团。根据赛格集团与赛格香港签订的股权转让协议及其补充协议，以79,434,879.20元人民币的价格受让赛格香港持有深爱有限的25.18%的股权。日，深圳市科技工贸和信息化委员会作出《关于中外合资企业深圳深爱半导体有限公司投资者股权及企业性质变更的批复》（深科工贸信资字[号），同意上述转让事宜。
（2）远致投资受让赛格集团持有的7.0588%股权
日，赛格集团作出《关于转让深爱有限股权的股东决定》，同意以协议方式将其持有的深爱有限7.0588%股权转让与远致投资。根据赛格集团与远致投资签订的股权转让协议，以22,268,265.50元人民币对价将其持有深爱有限的7.0588%股权转让与远致投资。
（3）循杰投资向深爱有限增资
根据深国资局函[2009]78号、深国资局函[号文，深爱有限管理层、核心技术人员和业务骨干以现金设立投资公司向深爱有限以协议方式实施增资持股。日，深爱有限管理层、核心技术人员和业务骨干以货币出资设立了循杰投资，并于日召开2010年第二次临时股东大会，同意循杰投资以货币形式向深爱有限增资。日，深爱有限召开2010年第一次股东会，同意循杰投资以货币形式向深爱有限增资。根据赛格集团、远致投资与循杰投资签订的增资扩股协议，循杰投资以货币形式向深爱有限增资55,670,849.32元人民币，其中认缴注册资本26,480,245.81元人民币，计入资本公积29,190,603.51元人民币，占增资后的比例为15%。
上述转让及增资的价格均根据深圳国资局备案的资产评估报告，以深爱有限
截止日经评估的净资产值为基础，加上“重大期后事项”中披露的增值部分，再加上3%的溢价比例确定。
日，深圳联合产权交易所就上述股权转让协议出具了深产权鉴字（2010）第10123号、第10124号《产权交易鉴证书》，鉴证上述股权转让行为符合法定程序。
日，深圳市鹏城会计师事务所有限公司出具深鹏所验字（号《验资报告》，对此次增资进行了审验。验证截至日，深爱有限收到循杰投资缴纳的新增投资款55,670,849.32元，其中认缴注册资本26,480,245.81元人民币，计入资本公积29,190,603.51元人民币。深爱有限实收资本176,534,972.04元人民币。
日，深圳市市场监督管理局核发了《营业执照》（注册号：797）。
本次股权转让及增资完成后，深爱有限的股权结构如下：
出资金额（元）
出资比例（%）
139,462,623.21
26,480,245.81
10,592,063.02
176,534,972.04
（七）2010年整体变更设立股份公司
日，深圳市鹏城会计师事务所有限公司出具深鹏所审字[号《审计报告》，根据该审计报告，深爱有限截至日的账面净资产值为326,169,235.01元。
日，深爱有限按照公司章程召开了2010年第四次股东会，全体股东一致同意并作出将深爱有限整体变更为股份有限公司的决议。
日，赛格集团、远致投资和循杰投资作为发起人共同签署了《发起人协议》，协议约定发起人根据深爱有限经审计的净资产人民币326,169,235.01元，减去2010年第四次股东会决议已分配股利20,700,000.00元，按1：0.6515的比例折合为股份公司总股本199,000,000股，每股面值为人民币1元；其余部分人民币106,469,235.01元作为资本公积，由全体股东按出资比例共享。股份公司全部股份由发起人根据各自所持有限公司的股权比例所对应的净资产折股
日，深圳国资局出具《关于深圳深爱半导体有限公司股份制改造方案有关事项的批复》（深国资局[号），同意深爱有限以发起设立方式整体变更为股份有限公司。
日，深圳市鹏城会计师事务所有限公司出具深鹏所验字（号《验资报告》，对此次变更进行了审验。验证截至日，公司已收到全体股东缴纳的注册资本199,000,000元，其中，赛格集团出资157,210,000元，占注册资本的79%，循杰投资出资29,850,000元，占注册资本的15%；远致投资出资11,940,000元，占注册资本的6%。
日，深圳市市场监督管理局核发了新的《营业执照》，公司名称变更为深圳深爱半导体股份有限公司，注册资本为人民币19,900万元。
整体变更为股份公司后，公司的股权结构如下：
持股数量（万股）
持股比例(%)
自股份公司成立后，公司的股权未发生变化。
日，由于生产基地由八卦岭工业园搬迁至龙岗宝龙工业城，公司住所由“深圳市福田区八卦三路光纤小区二栋1-3层”变更至“深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路三号8号办公室及活动楼2-3层”。
关于公司历次验资，瑞华所于日出具瑞华核字[2号《验资复核报告》，确认公司历次出资足额到位。
五、公司董事、监事、高级管理人员基本情况
（一）董事基本情况
公司董事会由9名董事组成，其中独立董事3名。董事会设董事长1人，副董事长1人。第二届董事会董事任期为2013年12月至2016年12月。各董事简历如下：
孙盛典先生，1955年出生，中国国籍，无境外居留权，博士学历，高级经济
师、高级工程师。1982年2月至1987年2月任机械部干部司企事业领导干部管理处副科长、科长，1987年3月至1988年8月任机械委成套设备管理局人事处科长，1988年9月至1990年6月就读西安交通大学技术经济硕士，1990年7月至1993年8月任物资部成套设备管理局人事处副处长、处长，1993年8月至1994年4月国内贸易部行业管理司综合处处长，1994年4月至1996年8月任深圳中康玻璃公司副总经理，1996年8月至2006年8月深圳市赛格日立彩色显示器件有限公司副总经理、总经理和董事长，2001年6月至今任赛格集团副总经理、董事、党委委员、党委副书记、总经理和董事长。现任赛格集团董事长、党委书记，兼任深圳华控赛格股份有限公司副董事长，深圳赛意法微电子有限公司副董事长、中国电子商会副会长、广东电子商会副会长、深圳市电子商会副会长、深圳市电子行业协会会长。2010年12月起任公司董事长。
寻培珏先生，1959年出生，中国国籍，无境外居留权，博士学历，高级工程师。1991年7月至1993年7月任深圳市德达磁技术公司开发部经理，1993年8月至1998年12月任深圳资源磁电有限公司总经理，1999年2月至今任公司总经理助理、副总经理、总经理。2010年12月起任公司副董事长、总经理。
王嘉全先生，1955年出生，中国国籍，无境外居留权，高中学历。1985年3月至1993年5月任浙江绍兴871厂前工序车间工人、车间主任，1993年5月至今公司前后工序生产部部长、总工程师、副总经理。现任公司董事、副总经理，循杰投资董事。2010年12月起任公司董事、副总经理。
唐崇银先生，1960年出生，中国国籍，无境外居留权，博士学历。1983年7月至1993年9月任武汉大学政治与行政学院教师，1993年9月至1996年8月就读武汉大学法学院博士，1996年9月至今任赛格集团资产部部长助理、部长。现任赛格集团资产部部长，深圳市大明电子有限公司董事长，深圳赛格高技术投资股份有限公司董事，深圳赛格股份有限公司监事。2010年12月起任公司董事。
严冬霞女士，1976年出生，中国国籍，无境外居留权，大学本科学历，高级会计师。2000年6月至今任赛格集团财务部出纳、会计、会计主管、副部长和部长。现任赛格集团财务部部长，石家庄赛格广场投资有限公司董事，深圳市赛格新城市建设发展有限公司董事，深圳市赛格小额贷款有限公司董事，深圳市赛格广场投资发展有限公司董事，深圳市赛润达科技有限公司监事。2013年12月起任公司董事。
何欣纲先生，1974年出生，中国国籍，无境外居留权，硕士研究生学历，中级经济师。1999年4月至2006年9月任华为技术有限公司市场部高级经理，2006年10月至2008年10月任深圳市机场（集团）有限公司投资发展部主管，2008年11月至今任远致投资投资部经理、高级经理、副部长和部长。现任远致投资投资部部长，深圳市天之宝生物科技股份有限公司董事。2010年12月起任公司董事。
张波先生，1964年出生，中国国籍，无境外居留权，硕士研究生学历，教授。1988年5月至今任电子科技大学教师、教授和博士生导师。现任电子科技大学微电子与固体电子学院教授、博士生导师，兼任四川和芯微电子股份有限公司独立董事，深圳市汇顶科技股份有限公司独立董事，中国半导体行业协会理事。
2012年3月起任公司独立董事。
杨小强先生，1969年出生，中国国籍，无境外居留权，博士学历，教授。
1995年5月至今任中山大学法学院助教、讲师、副教授、教授。现任中山大学法学院教授，兼任广州普邦园林股份有限公司独立董事、珠海润都制药股份有限公司独立董事。2012年3月起任公司独立董事。
李斌先生，1972年出生，中国国籍，无境外居留权，大学本科学历，注册会计师，注册资产评估师，注册税务师。1991年9月至1997年5月任四川省陇县财政局科员，1997年5月至1999年12月任四川南充市资产评估事务总所副所长，1999年12月至2001年12月任深圳南方民和会计师事务所总审计师、高级经理，2002年12月至2005年1月任国海证券有限公司投资银行总部业务董事，2005年1月至2010年3月任深圳信益会计师事务所有限公司主任会计师，2009年7月至今任深圳市汇金财务有限公司总经理。现任深圳市汇金财务有限公司总经理、执行董事，深圳市汇亨股权投资合伙企业（有限合伙）执行合伙人委派代表，深圳市蓝淼资本管理有限公司董事，深圳劲创生物技术有限公司董事，深圳市纳芯威科技有限公司董事，深圳市金新农饲料股份有限公司独立董事。2012年3月起任公司独立董事。
（二）监事基本情况
公司监事会由3名监事组成，其中职工代表监事1名。监事会设主席1人。
第二届监事会监事任期为2013年12月至2016年12月。各监事简历如下：
张光柳先生，1964年出生，中国国籍，无境外居留权，研究生学历，高级会计师。1983年7月至1993年2月任江西省萍乡市百货公司党委委员、副总经理，1993年3月至1995年1月任深圳天虹商场有限公司振华商场副经理，1995年1月至1996年6月任深圳华盛实业股份有限公司董事、财务总监，1996年6月至1999年6月深圳市医药总公司董事、财务总监，1999年7月至2003年2月任深圳市建材集团公司董事、财务总监，2003年3月至今任赛格集团副总经理。
现任赛格集团副总经理、董事会秘书，深圳市赛格康乐企业发展有限公司董事长，深圳赛格股份有限公司董事。2010年12月起任公司监事会主席。
肖春林先生，1971年出生，中国国籍，无境外居留权，研究生学历，高级会计师。1996年7月至今任深圳市赛格集团有限公司审计部业务助理、物业事业部租赁部经理、办公室秘书、副主任、审计监察部副部长、部长、战略管理部部长。现任深圳市赛格集团有限公司战略管理部部长，深圳市赛格广场投资发展有限公司董事，深圳赛格高技术投资股份有限公司董事，深圳市赛格电子商务有限公司董事。2010年12月起任公司监事。
刘波，1979年出生，中国国籍，无境外居留权，本科学历，中级工程师。
2002年7月至今任公司制造一部扩散工艺主管、部长助理、副部长，制造二部部长。2015年5月至今任职工监事。
（三）高级管理人员基本情况
公司共有高级管理人员7名，任期为2013年12月至2016年12月。其基本情况如下：
寻培珏先生，现任公司总经理。简历参见本节之“一、董事、监事、高级管理人员与核心技术人员简历”之“（一）董事会成员”。
王嘉全先生，现任公司副总经理。简历参见本节之“一、董事、监事、高级管理人员与核心技术人员简历”之“（一）董事会成员”。
张帅恒先生，1964年出生，中国国籍，无境外居留权，硕士研究生学历，工程师。1981年8月至1994年5月任陕西彩色显像管总厂技术员、锥车间副主任，1994年6月至2013年6月任深圳市赛格三星股份有限公司车间主任、制造部部长、保障部部长、常务副总经理和总经理。2013年7月起任公司副总经理。
王军立先生，1975年出生，中国国籍，无境外居留权，硕士研究生学历，工
程师。1997年7月至今任公司设备动力部技术员、助理工程师、工程师、部长助理、副部长和部长，计划供应部部长、总经理助理、副总经理和董事会秘书。
2010年12月起任公司董事会秘书，2011年7月起任公司副总经理。现任公司副总经理、董事会秘书，循杰投资董事。
邓文斌先生，1965年出生，中国国籍，无境外居留权，大学本科学历，工程师。1997年10月至今任公司技术开发部副部长、部长、市场一部部长、总经理助理和副总经理。2011年7月起任公司副总经理。现任公司副总经理，循杰投资董事长。
厉策先生，1975年出生，中国国籍，无境外居留权，本科学历，工程师。
1997年7月至今任公司制造一部扩散工序工艺工程师、主管、部长助理、副部长、部长、副总工程师、制造三部部长和总工程师，公司职工监事。现任公司总工程师、制造三部部长。2015年4月起任公司总工程师。
赵园园，1978年出生，中国国籍，无境外居留权，本科学历，中级会计师。
2001年4月至2011年3月任翔德电子科技（深圳）有限公司财务部成本会计、副课长、副经理，2011年3月至今任公司成本会计、部长助理。2015年4月起任公司财务负责人。
六、公司最近两年及一期的主要会计数据和财务指标简表
2014年度/2014
2013年度/2013
年12月31日
年12月31日
主要会计数据
664,471,381.95
657,700,257.51
633,648,127.96
股东权益合计
362,675,925.10
369,193,658.52
390,633,729.99
57,770,650.56
301,918,762.18
374,672,195.91
-6,517,733.42
-21,440,071.47
26,813,962.93
扣除非经常性损益后的净
-8,392,651.61
-30,978,047.64
21,785,713.93
经营活动产生的现金流量
-19,555,876.77
-30,537,766.41
15,511,901.62
销售毛利率
销售净利率
2014年度/2014
2013年度/2013
年12月31日
年12月31日
净资产收益率
净资产收益率（扣除非经
常性损益）
基本每股收益（元）
稀释每股收益（元）
每股净资产（元）
资产负债率（母公司）
流动比率（倍）
速动比率（倍）
权益乘数（倍）
应收账款周转率
存货周转率
总资产周转率
现金获取能力
每股经营活动产生的现金
流量净额（元）
注：每股收益和净资产收益率根据中国证监会《公开发行证券的公司信息披露编报规则第9号―净资产收益率和每股收益的计算及披露》（2010年修订）计算填列。
七、本次挂牌的有关机构
（一）挂牌公司
挂牌公司：深圳深爱半导体股份有限公司
法定代表人：孙盛典
信息披露负责人：王军立
所：深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路三号8号办公楼及活动楼2-3
编：518116
（二）主办券商
主办券商：安信证券股份有限公司
法定代表人：牛冠兴
项目负责人：范文明
项目小组成员：王传文、周玲、徐露、谢国敏
所：深圳市福田区金田路4018号安联大厦35层、28层A02单元
邮政编码：518026
（三）会计师事务所
会计师事务所：瑞华会计师事务所（特殊普通合伙）
负责人：杨剑涛
经办注册会计师：范江群、邱志强
所：北京市海淀区西四环中路16号院2号楼4层
邮政编码：100080
（四）律师事务所
律师事务所：北京市友邦律师事务所
负责人：周卫平
经办律师：周卫平、刘霞
所：北京市朝阳区建国路93号万达广场10号楼307号
邮政编码：100222
（五）资产评估机构
称：中联资产评估集团有限公司
法定代表人：沈琦
经办资产评估师：雎剑安、莫少霞
所：北京市西城区复兴门内大街28号凯晨世贸中心东座F4层
邮政编码：100031
（六）证券登记结算机构
名称：中国证券登记结算有限责任公司北京分公司
住所：北京市西城区金融大街26号金阳大厦5层
电话：010-
传真：010-
（七）证券交易场所
名称：全国中小企业股份转让系统
法定代表人：杨晓嘉
住所：北京市西城区金融大街丁26号金阳大厦
邮编：100033
电话：010-
第二节 公司业务
一、公司主要业务、主要产品或服务及用途
（一）主要业务情况
公司主要从事半导体功率器件芯片及成品管的研发、生产和销售，集芯片设计制造、器件封装测试、销售与服务为一体，形成了完整的半导体分立器件产业链。公司主要产品包括双极型功率晶体管、MOSFET器件、肖特基二极管、IGBT器件、快恢复二极管、LED驱动芯片及模块、CMOS电路等共10多个系列，100余品种。公司产品广泛应用于绿色节能照明、消费类电子、LED照明、通讯、开关电源等领域。
截至目前，公司是国内为数不多的具有完整半导体芯片制造和产品封装生产线、自主进行半导体分立器件芯片和封装产品研发制造的高科技企业。公司是国家高新技术企业，建立了深圳市级技术中心和深圳功率半导体器件工程实验室，注重自主开发与产学研合作开发并行的研发管理模式，与北京大学深圳系统芯片设计（SOC）重点实验室展开科研合作和共建研发平台，建立“先进器件和工艺技术联合开发中心”。公司通过ISO质量体系、ISO1环境体系、QC080000有害物质过程管理体系等多项权威认证，公司各个体系运作规范，正常有效，得到认定机构的认可。
（二）主要产品及用途
公司主要产品包括半导体分立器件的芯片和成品管，具体分类如下：
1、芯片的分类
公司生产的半导体分立器件芯片主要包括二极管芯片、双极型功率晶体管芯片、场效应管芯片和其他芯片。
2、成品管的分类
公司生产的半导体分立器件成品管主要包括二极管、双极型功率晶体管、场效应管和其他分立器件。
3、公司的主要产品及用途
具体来说，公司的主要产品及用途如下：
产品/业务分类
主要用于节能照明设备电子电路，广泛
应用于节能灯、电子镇流器、开关电源
等电子电路。
主要用于节能照明设备电子电路，广泛
应用于节能灯、电子镇流器、开关电源
等电子电路。
主要用于节能照明设备电子电路，广泛
应用于节能灯、电子镇流器、开关电源
等电子电路。
主要用于出口型110V电源区用节能
灯、电子镇流器、开关电源等电子电
主要用于节能照明、开关电源、不间断
DMOS功率晶体管
电源、变频器等领域。
主要用于高速开关、整流电路、开关电
肖特基二极管系列
源、通讯设备、汽车电子等应用领域。
主要用于节能照明、开关电源、不间断
电源、变频器等领域。
LED驱动芯片及模
用于LED照明应用领域
二、公司组织结构、生产或服务流程及方式
（一）组织结构图
（二）主要产品工艺流程
1、双极型芯片制造工艺流程图
2、DMOS芯片制造工艺流程图
3、成品管封装工艺流程图
三、与公司业务相关的关键资源要素
（一）产品或服务使用的主要技术
公司主要从事半导体分立器件制造业务，具备芯片生产和成品管封装等全产业链服务能力，是国家高新技术企业，创新研发能力强，具备突出的技术优势，主要的技术如下：
1、掺氧多晶硅（SIPOS）、氮氧化硅（SIOxNy)钝化技术
半导体表面钝化对半导体器件和集成电路的发展有着极其重要的影响。热生
长二氧化硅的发现奠定了平面晶体管和集成电路的基础，但Si-SiO2结构的器件在靠近硅衬底界面的二氧化硅中有固定正电荷，难于制造高压平面晶体管和集成电路。掺氧半绝缘多晶硅(Semi-InsulatingPolycrystallineSilicon，简写SIPOS)表面钝化工艺即是为解决这些问题而研制的。由于SIPOS薄膜的电中性和半绝缘性，具备作为一种良好钝化膜的基础条件，可兼用于P型和N型硅的钝化。
SIPOS弥补了二氧化硅的不足，从根本上改变了二氧化硅的钝化效果。
公司在SIPOS工艺基础上开发了氮氧化硅(SiOxNy)钝化工艺，其膜层具有氮化硅和二氧化硅的优良特性，在微电子和光学中得到广泛应用。目前该钝化工艺已形成稳定的工艺规范，成功应用于公司芯片制造生产中，该工艺技术“复合型半导体硅器件钝化膜及钝化生成工艺”已获发明专利授权。
2、温度特性变化控制技术
节能照明产品由于自身的发热量很大，加上内部发热元器件的影响，功率晶体管管壳表面温度达到120-130℃，已接近硅半导体器件本征化的极限温度，在如此高的温度环境下，双极型功率晶体管由于载流子运动速率的增加，各项特性发生巨大变化。为适应市场需要，公司经过多年努力开发出系列具有温度特性变化率低且具有耐高温特点的产品，并得到市场广泛的认可。
3、开关时间（存储时间）控制技术
在节能照明线路中，广泛采用自振荡线路中，其振荡频率与功率晶体管的储存时间有部分关系，上下管储存时间的一致性非常重要，否则将影响线路的功率和对功率晶体管的温升造成不良影响。公司在国内首先提出存储时间控制的方法，并系统地应用于生产实践中，目前存储时间控制技术处于同行业的领先地位。
4、高二次击穿耐量、宽安全工作区（SOA,SafeOperatingArea）技术
在节能照明和开关电源工作过程中，经常有异常甚至恶劣的工作情况，这就要求功率晶体管具有高二次击穿耐量、宽安全工作区的特性，以抵抗在异常或余量小的恶劣工作条件，提高晶体管在浪涌时的可靠性。公司根据市场的需求，在材料、横向结构、纵向结构方面进行针对性设计，使产品具有以上特性，并得到市场广泛的认可。
5、终端设计和生产控制技术
功率半导体分立器件的阻断能力是衡量发展水平的重要标志，其依据应用击穿电压的范围可以从25V到6,000V。由于现代半导体工艺采用平面型终端结构，结深较浅，结边缘弯曲使得耐压降低、耐压稳定性差、器件的安全工作区较小，器件易破坏。为提高和稳定器件的耐压特性，除了体内各参数间的配合外，更重要的是对表面终止的PN结进行适当的处理，以改善器件边缘的电场分布，减弱表面电场集中，提高器件的耐压能力和稳定性。目前普遍应用的终端设计结构有场板、场限环、结终端扩展、横向变掺杂等结构。公司产品综合运用了上述技术，达到占用面积小、击穿耐压高的目标。其中公司自主研发的“复合终端结构MOSFET功率晶体管”成功通过深圳市新产品鉴定，获得科技成果证书。
6、LPCVDSI3N4铝下介质层制造技术
金属离子沾污对半导体加工工艺来说是致命的，但也不可避免，因为这些活跃的离子能在普通的膜层中活动，从而影响功率半导体器件的参数。公司采用LPCVDSI3N4铝下介质层制造技术，有效隔离金属离子，对器件的可靠性起到很好的保护作用。
7、提高MOSFET电流密度技术
通过优化MOSFET产品设计，使电流走向均匀，在不影响导通电阻的情况下降低阱区的面积，因此在相同的面积下能有效地提高沟道的宽长比，从而提高电流密度。
8、提高MOSFET抗雪崩击穿能量（EAS）技术
雪崩击穿能量（EAS）标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。公司通过降低导通电阻及降低体二级管的正向导通压降技术使器件的抗EAS能力明显提升。
9、降低米勒电容技术
MOSFET在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容，反向传输电容也常被称为米勒电容。米勒电容是影响开关上升和下降时间的重要参数，同时还影响关断延时时间。公司采用优化工艺，在不影响其它电参数的情况下，有效降低米勒电容，提高了MOSFET产品的性能。
公司拥有的核心技术主要是在多年的生产过程中自主研发和积累而来，具有自主知识产权，同其他单位和个人不存在纠纷。
（二）主要无形资产情况
截至报告期末，公司拥有的无形资产的账面原值、摊销及账面价值等情况请参见本公开转让说明书“第四节公司财务”之“六、（十）无形资产”。
公司产品所适用的申请注册商标使用商品类别为第9类，具体主要包括：大功率晶体管；集成电路；半导体器件；晶体管（电子）等。公司取得的第9类注册商标申请如下：
商品和服务分类
（第9类）大功率晶
体管，集成电路
（第9类）大功率晶
体管，集成电路
（第9类）半导体器
件，晶体管（电子）
（第9类）半导体器
由于公司所经营的业务涉及出口产品至印度，上表中第4项商标为公司于日委托印度律师在印度注册的商标。
截至报告期期末，公司拥有70项授权专利，其中发明专利12项，实用新型专利58项，具体情况如下：
复合型半导体硅器件钝化膜
及钝化生成工艺
半导体芯片金硅焊料的合金
防止VDMOS管二次击穿的
硅片清洗液及其清洗方法
双极晶体管的表面钝化结构
及其制造方法
重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方
垂直双扩散金属氧化物半导
体场效应管
VDMOS器件及其制作方法
垂直双扩散金属氧化物半导
体场效应器件及其制造方法
单晶片加工方法及单晶片
低电压三极管电子镇流荧光
腐蚀槽鼓泡装置及腐蚀槽
芯片承片台
基片装取片台以及包含这种
装取片台的基片镀膜设备
光刻版夹具
一种加热缸
无级调压装置
一种碳化硅舟专用夹具
扩散炉保温帽
温控腐蚀槽
匀胶机加湿器
防热散失挡板以及含有该挡
板的扩散炉
酸槽温度控制系统
扩散氢气互锁装置
匀胶机的排液装置
刻蚀机的装片装置
夹取高温盖的夹钳
夹取硅片的石英舟
用于冲水溢水的控制电路
离子源弧室
匀胶机的滴胶结构
靶材和内磁极
气动排水阀以及溢水装置
金属氧化物半导体场效应管
参数测试盒
悬臂石英炉
石英舟和夹具
抛光盘清洗装置
炉管清洗台
抛光腐蚀架
有害气体处理装置
显影机废液箱报警控制装置
及显影控制系统
清洗控制电路
TO220封装引线框架
防水引线框架
扩散炉的氢氧输入控制装置
半导体激光打标机
晶体管测试装置
晶体管特性测试探针台及测
扩散悬臂炉及其硅片承载装
热电偶保护组件
氮氧化硅炉气体互锁控制系
旋转密封装置及使用该旋转
密封装置的匀胶机
碳化硅舟的保护装置
芯片键合设备的芯片无法吸
起报警装置
芯片封装的新型SOP结构
一种芯片封装的新型SOP结
双岛SOP封装结构
注：上述“低电压三极管电子镇流荧光灯”实用新型专利系公司于叶文浩处受让取得，1-1-42
双方签署专利转让协议并于日经国家知识产权局备案。
3、土地使用权
截至报告期期末，公司拥有2项土地使用权。公司拥有的位于深圳龙岗宝龙工业城的土地使用权（宗地号为G、G）系公司前身深爱有限以出让方式取得，具体如下：
（1）根据深爱有限签署的深地合字（号《深圳市土地使用权出让合同书》，宗地号为G的土地使用权属于高新技术项目用地，面积105,269.67平方米，土地使用年限为50年，自日至日，土地用途为工业用地。该地只能用于集成电路生产项目，否则政府将依法收回土地；该用地按50元/平方米计收地价，如转让须按照转让时的市场地价标准补交差价。
（2）根据深爱有限签署的深地合字（号《深圳市土地使用权出让合同书》，宗地号为G的土地使用权的实际用途为高新技术项目配套宿舍用地，面积4,733.17平方米，土地使用年限为50年，自日至日，土地用途为工业用地。该地仅限于自用，不能做营利性用途，不得转让；如因特殊原因转让的，须与G号宗地捆绑处理，深圳市国土资源和房产管理局享有优先收回土地使用权的权利。
公司在上述土地建设厂房、工业配套及宿舍等房产并取得房地产证后，已将《土地使用证》上报相关部门收回。公司上述土地使用权系合法取得，该土地上的房产均用于公司的生产经营。
（三）业务许可资格或资质情况
公司主要从事半导体分立器件制造，该行业不存在特定的业务许可资格或资质。
（四）主要固定资产情况
公司主要固定资产包括房屋建筑物、机器设备及运输工具等，使用状况良好，不存在纠纷或潜在纠纷。
截至报告期期末，公司拥有的固定资产的账面原值、累计折旧及账面价值情况如下：
房屋及建筑物
199,612,757.35
66,772,346.11
132,840,411.24
38,564,782.12
26,946,954.99
11,617,827.13
2,881,196.09
1,834,958.56
1,046,237.53
电子设备及仪器
224,086,764.66
174,904,871.23
49,181,893.43
30,757,915.84
26,551,651.04
4,206,264.80
融资租入固定资产
23,300,000.00
1,065,368.57
22,234,631.43
519,203,416.06
298,076,150.50
221,127,265.56
1、公司拥有的房产情况
截至报告期期末，公司已取得房屋所有权证的房产情况如下：
房产权证号
（平方米）
深圳市福田区八
深房地字第
卦三路光纤小区其
一号厂房1栋
深圳市福田区赛
深房地字第
格工业区101栋
深圳市福田区赛
深房地字第
格工业区101栋
深圳市福田区赛
深房地字第
格工业区101栋
深圳市福田区赛
深房地字第
格工业区101栋
深圳市龙岗区宝工
深房地字第
龙工业城宝龙七业
路三号8号办公配
深圳市龙岗区宝
深房地字第
龙工业城宝龙七
路三号4号厂房
深圳市龙岗区宝
深房地字第
龙工业城宝龙七
路三号2号厂房
深圳市龙岗区宝
深房地字第
龙工业城宝龙七宿
路三号10号单身舍
房产权证号
（平方米）
深圳市龙岗区宝
深房地字第
龙工业城深爱芯
园单身宿舍
深爱宝龙工业厂房
深房地字第
区测试封装厂房及
10,500.58无
及化学品库
注①：房地产证字第号因开发商的原因，公司至今未能就该房产办理正式的房产证，公司现持有该房产的代用证。该房产之所以取得的是代用证，并非公司的过错，且公司足额缴纳购房款，为该房产的唯一权利人，产权关系明确。公司生产基地和办公场所均已搬迁至龙岗，不再使用该处房产，因此不会影响公司正常生产经营。
注②：截至转让说明书签署日，公司将房地产证字第、、、、、号房产设置抵押，具体请参见本节“四、公司业务具体情况”之“（四）重大业务合同及履行情况”。
2、主要机器设备
截至报告期期末，公司经营使用的主要生产设备情况如下：
芯片制造部
29,986,315.73
13,211,400.28
芯片制造部
扩散、合金
18,383,662.19
7,712,935.34
芯片制造部
正、背面金
32,464,424.25
7,674,381.26
芯片制造部
8,564,371.35
4,258,342.03
12,094,988.50
3,803,339.67
26,940,752.57
4,772,271.62
塑封机/模具
4,826,486.94
1,312,442.45
8,043,435.73
2,497,446.49
芯片制造部
离子注入机
14,471,885.22
3,167,495.15
芯片制造部
芯片和成品
14,597,576.82
4,024,315.25
测试、检验
部、质量部
芯片制造部
2,905,983.04
1,637,521.42
5,969,182.55
2,168,782.94
芯片制造部
4,425,438.01
1,912,716.34
4,005,807.64
2,106,270.14
7,629,337.63
1,106,608.01
2,681,656.35
1,292,556.42
芯片制造部
正、背面金
6,259,309.53
1,078,346.03
6,867,421.93
1,044,415.18
芯片制造部
4,565,551.96
852,483.72
芯片制造部
2,558,097.14
608,192.75
1,318,675.21
655,818.99
芯片制造部
2,789,124.16
982,272.37
706,928.97
481,004.36
芯片制造部
4,202,767.06
2,665,756.09
芯片制造部
1,401,132.88
356,387.69
1,525,503.32
442,824.26
芯片制造部
芯片表面抛
1,627,688.78
195,249.01
可靠性实验
306,681.15
232,120,186.61
72,115,494.49
（五）员工情况和核心技术人员
1、员工结构
截至报告期期末，公司员工总数为1,024人，构成情况如下：
硕士及以上学历
中专及以下学历
2、社保缴纳情况
本公司与在岗员工签订劳动用工合同，并根据劳动合同的约定履行用工单位的各项义务，充分保障员工的合法利益，并按国家有关法律法规和政策为公司员工提供必要的社会保障，包括基本养老保险、医疗保险、工伤保险、生育保险和失业保险等，另有少数员工因属于外籍人员、退休返聘人员、期末入职以及在户籍地参保等原因无需缴纳或未由公司缴纳。
3、核心技术人员情况
厉策先生，1975年出生，中国国籍，无境外居留权，本科学历，工程师。历任公司制造一部部长助理、部长，公司职工监事。现任公司总工程师、制造三部部长。2015年5月至起任公司总工程师。
刘波先生，1979年出生，中国国籍，无境外居留权，本科学历，中级工程师。历任深爱有限制造一部扩散工艺主管，深爱股份制造一部部长助理、副部长职务。现任公司制造二部部长。2015年5月起任公司监事。
截至本公开转让说明书签署日，上述核心技术人员通过循杰投资持有公司股份。
四、公司业务具体情况
（一）业务收入构成及主要产品或服务的规模、销售收入
报告期内，公司主营业务收入及其占比情况如下：
单位：万元
公司主要从事半导体功率器件芯片及成品管的研发、生产和销售，报告期内，公司主营业务收入主要来源于芯片和成品管产品的销售业务。该类业务的客户主要集中在LED照明、节能照明、消费类电子、电源等领域，公司按照客户对产品种类、参数、规格等方面的要求，按照合同约定生产和交付产品，经客户验收后确认收入。关于公司业务收入构成的具体情况，请参见本公开转让说明书“第四节公司财务”之“四、（二）按业务或地区列示的营业收入及成本的主要构成”。
（二）主要消费群体及前五名客户情况
公司的主要产品为半导体芯片和功率晶体管等产品，主要应用于LED照明、节能照明、通讯设备、电源等领域。报告期内，公司主要客户较为稳定，公司前五名客户销售收入及其占当期营业收入的比例情况具体如下：
占营业收入
镇江强凌电子有限公司
3,609,657.72
杭州意博高科电器有限公司
2,524,150.74
芯域半导体有限公司
1,999,640.86
广州友益电子科技有限公司
1,923,668.17
印度NTL电子有限公司
1,669,116.01
11,726,233.50
镇江强凌电子有限公司
24,343,833.81
芯域半导体有限公司
15,760,570.32
占营业收入
深圳市晶导电子有限公司
11,794,830.64
深圳市贵鸿达电子有限公司
8,989,677.60
印度NTL电子有限公司
8,774,718.03
69,663,630.40
镇江强凌电子有限公司
24,485,053.54
芯域半导体有限公司
19,074,897.37
深圳市晶导电子有限公司
18,552,330.82
深圳市盛元半导体有限公司
11,379,055.11
印度NTL电子有限公司
11,332,250.30
84,823,587.14
报告期内，公司目标客户群体较为分散，向单个客户的销售比例未超过50%，不存在对单一或者少数客户形成重大依赖的情形。
报告期内，公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员、主要关联方或持有公司5%以上股份股东在主要客户中均未占有权益，亦不存在其他关联关系。
（三）主要原材料、能源及前五名供应商情况
公司主要原材料为：单晶片、外延片、抛光片、引线框架、塑封料、化学试剂及配套试剂等，供应渠道主要通过市场采购。公司在物资采购方面制定了严格的管理办法和业务操作流程，与国内外众多供应商建立了稳定的采购供应关系，原材料供应渠道畅通。公司上游市场竞争充分，原材料价格基本稳定，能够满足公司生产方面的要求。
公司生产所用主要能源包括水、电、液氮，水电由当地市政部门供应，能够保证公司的生产用水和用电。
报告期各期内，公司前五名原材料供应商采购金额及其占当期采购总额的比例情况具体如下：
占采购总额
供应商名称
浙江金瑞泓科技股份有限公司
4,537,794.00
宁波华龙电子股份有限公司
3,630,517.16
上海新傲科技股份有限公司
3,004,724.00
上海华虹挚芯电子科技有限公
3,211,860.06
江阴市化学试剂厂有限公司
1,988,568.00
16,373,463.22
浙江金瑞泓科技股份有限公司
32,718,547.09
宁波华龙电子股份有限公司
15,962,400.96
上海新傲科技股份有限公司
13,062,835.90
江阴市化学试剂厂有限公司
8,230,219.32
有研半导体材料股份有限公司
7,240,133.86
77,214,137.13
宁波华龙电子股份有限公司
32,282,752.03
杭州海纳半导体有限公司
23,280,013.68
浙江金瑞泓科技股份有限公司
20,172,646.84
江阴化学试剂厂有限公司
7,941,383.76
有研半导体材料股份有限公司
7,331,926.50
91,008,722.80
注：有研半导体材料股份有限公司于日更名为有研新材料股份有限公司。其与有研亿金新材料有限公司受同一实际控制人控制，因而合并列示公司向两者的采购金额。
本公司向单个供应商的采购比例未超过50%，不存在对单一或者少数供应商形成重大依赖的情形。
报告期内，本公司董事、监事、高级管理人员、核心技术人员、主要关联方或持有公司5%以上股份股东在主要供应商中均未占有权益。
（四）重大业务合同及履行情况
报告期内，公司重大业务合同执行情况良好，未出现纠纷或其他无法执行情况。基于合同金额、签订时间、履行情况等因素，对公司持续经营有重大影响的销售合同列示如下：
1、销售合同
镇江强凌电子有限
以库存寄售的方式
销售成品管
供货总合同，具体
镇江强凌电子有限
产品品种由订单确
芯域半导体有限公
按照相关技术要求
深圳市晶导电子有
销售三极管芯片
深圳市贵鸿达电子
销售三极管芯片
深圳市贵鸿达电子
销售三极管芯片
印度NTL电子有
销售成品管
深圳市盛元半导体
销售三极管芯片
杭州意博高科电器
销售三极管
广州友益电子科技
注：上述无金额的销售合同系合同各方签署的框架协议。
2、采购合同
供应商名称
浙江金瑞泓科技股
采购外延片、单晶
份有限公司
硅片和抛光片
宁波华龙电子股份
上海新傲新科技股
采购外延片
份有限公司
上海华虹挚芯电子
采购驱动芯片
科技有限公司
江阴市化学试剂厂
采购有机化学试
剂、无机化学试剂
有研半导体材料股
采购抛光片
份有限公司
有研亿金新材料股
采购靶材、蒸发料
份有限公司
杭州海纳半导体有
采购单晶硅片
采购6英寸功率半
绿谷工业公司
导体生产线
采购全自动双头固
先进太平洋（香
晶机、全自动焊线
港）有限公司
机和测试分选系统
注：上述无金额的采购合同系合同各方签署的框架协议。
3、借款合同
借款利率或条
贷款方名称
中国银行股份
2013年圳中银罗
同期贷款基准
有限公司深圳
司借字第00081号
利率上浮10%
招商银行股份
2013年小罗字第
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮20%
时代广场支行
招商银行股份
2014年小罗字第
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮20%
时代广场支行
招商银行股份
2014年小罗字第
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮20%
时代广场支行
中国银行股份
2014年圳中银罗
同期贷款基准
有限公司深圳
司借字第00031号
利率上浮7%
平安银行股
平银深分战略二
汇票票面金额
份有限公司
的万分之五
平安银行股份
平银深分水贝贷字
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮25%
平安银行股份
平银深分水贝贷字
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮25%
平安银行股份
平银深分水贝贷字
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮25%
平安银行股份
平银深分水贝贷字
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮25%
平安银行股份
平银深分水贝贷字
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮25%
中国银行股份
2014年圳中银罗
同期贷款基准
有限公司深圳
司借字第00030号
利率上浮20%
中国银行股份
2014年圳中银罗
同期贷款基准
有限公司深圳
司借字第00040号
利率上浮20%
招商银行股份
2014年小罗字第
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮25%
时代广场支行
中国银行股份
2015年圳中银罗
同期贷款基准
有限公司深圳
司借字第00009号
利率上浮20%
平安银行股份
平银深分水贝贷字
同期贷款基准
有限公司深圳
利率上浮25%
招商银行股份
同业拆借贷款
2015年小罗字第
有限公司深圳
基准利率加
时代广场支行
160个基本点
4、授信合同
授信方名称
中国银行股份
2013年圳中银
有限公司深圳
罗额协字第
招商银行股份
2013年小罗字
有限公司深圳
时代广场支行
中国银行股份
2014年圳中银
有限公司深圳
罗额协字第
平银深分战略
平安银行股份
有限公司深圳
中国建设银行
股份有限公司
深圳市分行
招商银行股份
2014年小罗字
有限公司深圳
时代广场支行
5、担保合同
对应授信合同
以10号单身宿舍、8号办公楼
及2号厂房、4号厂房（房产证
2013年圳中
2013年圳中银
编号分别为深房地字第
银罗额抵字
罗额协字第 7,441.23是
第000001号
2014年圳中 以10号单身宿舍、8号办公 中银罗额协字
7,932.65否
银罗额抵字 楼、深爱芯园单身宿舍及2号厂
第0000194号
房（房产证编号分别为深房地字
2014年圳中 以4号厂房（房产证编号：深房
中银罗额协字
银罗额抵字 地字第号）抵押担
第0000194号
第0003B号保
2014年圳中 以光纤小区1号厂房1栋1、
中银罗额协字
银罗额抵字 2、3层（房产证编号：深房地
4,311.15否
第0000194号
字第号）抵押担保
2014年圳中 以6英寸半导体生产线（共274
中银罗额协字
银罗额抵字
3,670.65否
台设备）抵押担保
第0000194号
2014年圳中
中银罗额协字
银罗应质字 以应收账款担保
第0000194号
2014年罗质 通过开立保证金账户交付相应保
中银罗额协字
证金，为相关合同债务提供担保
第0000194号
6、融资租赁相关合同
远东国际租赁有限公司向
《所有权转
IFELC14D294612-
公司购买64套设备，合计
公司向远东国际租赁有限
公司租赁《所有权转让协
《售后回租
IFELC14D294612-
议》中的64套设备，租赁
期限共24个月，月租金为
103.39万元
循杰投资为公司在《售后
回租赁合同》项下支付租
IFELC14D294612-
金及其他款项提供保证担
保，保证期限为主债务履
行期届满之日起满两年
五、公司的商业模式
公司主要从事半导体分立器件研发、制造和销售，通过采购单晶片、外延片等原材料，利用自有生产设备、专利、非专利技术等关键生产要素，生产具有自主品牌、不同规格和参数的芯片和成品管，并采用直销方式销售给客户。公司客户主要包括国内外照明、电子等行业知名公司。经过二十余年的发展，公司在行
业内树立了“深爱”品牌，拥有较强的研发设计能力、生产制造能力和市场开拓能力，具有成熟的商业模式。
（一）采购模式
公司生产产品所需的主要原辅材料包括单晶片、外延片、抛光片、塑封料、引线框架、化学试剂及配套试剂等，上述材料均需从市场上采购。公司大部分原材料和辅助材料均从国内市场采购，仅少量单晶片、化学试剂需进口。为应对