冲击DDR2-800！DDR2内存模组超频全面研究::小熊在线-CPU内存频道
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冲击DDR2-800！DDR2内存模组超频全面研究
〖原创〗小熊在线――THOR 　北京 日14:01
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我们收集了9种DDR2 SDRAM内存模组进行测试，它们使用的芯片涵盖了目前提供DDR2 SDRAM芯片的几家品牌…… (15305 字)
让我们来关注2
去年下半年，习惯于以PC架构领导者姿态出现的启动了新一轮产品线变革，这次革新是近3年来最彻底的一次，范围覆盖了包含桌面、移动、工作站/服务器的整个
X86系统，而内容则是以系统总线串行化（全新的xpress）和内存系统的大幅度提速为核心的，这使DDR2正式登上系统内存的历史舞台承担重要角色。 DDR2及其优势分析作为DDR内存新一代技术革新的产物，DDR2内存具有更高速，更大带宽，更低电耗以及更好的散热性能等特点。它是DDR 的换代产品，在基本架构方面和DDR
SDRAM类似，最大变化在于引进了4bit Prefetch（数据预取架构）来改善内存运率。
DDR2 SDRAM/DDR SDRAM/SDR SDRAM内存时钟频率和存储单元频率的比较
具体实现的方式是用两倍于DDR
SDRAM内存的数据预取架构来增强存储单元并行运行能力，在提供相同传输速率的同时降低了存储单元的运行频率，和DDR400内存的200MHz存储单元运行频率相比，DDR2-533内存的存储单元仅运行在133MHz，由于存储单元的频率很难在往上提升，因此DDR400达到了大规模因应用的极限，而DDR2还可以提升存储单元频率来提高DRAM输出频率，最终改善整个内存模组能够提供的带宽。
SDRAM还应用前置CAS和附加延迟，在一个前置CAS作业中，一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该指令可以在DRAM一侧保持，并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。这样简化了控制器设计，因为它可以避免指令通道上的冲突。而且，采用一个简单的指令序列还可以提高指令和数据通道的效率。由于在读/写指令之间不存在气泡（bubble)或空隙周期，因此实际的也得到提高。
DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计，即内建终结电阻。终端暂存器(termination
register)就实现在该DRAM晶片之中，可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器，简化了设计，降低设计制造成本。DRAM控制器可以为每个讯号设定终端暂存器的开或关，这些讯号包括数据I/O、差分数据选通讯号和写数据屏蔽。利用ODT就不需要Vtt产生器或Rtt电阻，而且能降低多重反射，提高信号完整性并增加时序裕量。
FBGA封装的DDR2 SDRAM内存芯片
所有的DDR2 SDRAM内存均采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid
Array：细间距球栅阵列）封装，减少尺寸并提高高频作用下的信号稳定性，这种技术的一个变体是新型的sFBGA（堆迭式FBGA），它增加了各模组之间的空气流动空间因而提高了热性能和可靠性。典型的DDR2
SDRAM内存模组有240pin，仅为1.8V的工作电压远低于DDR SDRAM的2.5V/2.6V，这使DDR2有大幅低于DDR
SDRAM的功耗和发热量。
DDR2的优势
内存芯片封装
只采用FBGA
TSOP 与 BGA
高速，散热性能提高
在每一个芯片
在主板内存信号终止
在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。
更低的能耗与热耗
内存芯片规格
256Mb-4Gb*
128Mb - 1Gb
DDR SDRAM：
1Gb单颗芯片实现2GB DIMM模组 (非迭加型)
DDR2 SDRAM：
4Gb单颗芯片实现8GB DIMM模组 (非迭加型)
DDR2 SDRA同样支持芯片迭加实现更高容量的内存模组
速度 (MHz)
400, 533, 667
200, 266, 333, 400
速度限制提高到400MHz以上
高达 10.6GB/s (双通道)
高达 6.4GB/s (双通道)
更高的内存性能
DDR2 SDRAM与DDR SDRAM特性比较表
DDR2 SDRAM内存模组和DDR SDRAM内存模组类型相当，增加了MicroDIMM模组，而本文所要讨论的内存模组都是限定在标准的Unbuffered
DIMM范围内，极少会涉及到一点Registered
DIMM部分。JEDEC认证了DDR2-400、DDR2-533和DDR2-667三种DDR2 SDRAM规格，最快的DDR2-SDRAM是将要推出的DDR2-800。
Unbuffered DIMMs（ECC or
240-pin 1.8V
184-pin 2.5V
Registered ECC DIMMs
240-pin 1.8V
184-pin 2.5V
200-pin 1.8V
200-pin 2.5V
MicroDIMMs
244-pin 1.8V
Mini Registered DIMMs
214-pin 1.8V
172-pin 2.5V
DDR2 SDRAM与DDR SDRAM模组说明
DDR2 SDRAM的推行在技术上不存在问题，但在市场层面能够迅速被Intel定为主流标准还是相当巨大的事件，因为在桌面系统的架构分析，DDR400是能够完美支持FSB800规格的Pentium4处理器的，除了确立形象的少数FSB1066型号Pentium4，PC并没有急切引进DDR2的需求，事实上这种趋势的直接原因来自服务器平台/移动式电脑这一端：
高频率DDR SDRAM的相对高能耗特征降低电池寿命，影响服务器内存容量；过多热量导致出现可靠性问题，需要更多的主动降温措施。在内存负载方面，配置超过每通道DualRank DDR333/400
DIMM模组时可靠性降低，与迭加的2x512Mb相比，使用1GB DRAM芯片的大容量模组非常昂贵，与此同时DDR400芯片不能象DDR266/200芯片那样被迭加。
与DDR SDRAM的糟糕局限性不同，DDR2
SDRAM可以轻松实现Registered
ECC DDR2-400 2GB容量的模组并最高达到8GB，更能在应用堆迭式FBGA时进一步扩充，而同规格的DDR400产品就非常难以制成并且成本高昂，Intel最新一代Server芯片组E7520、E7320以及WorkstationE7525都转向支持Registered
ECC DDR2-400来配合800FSB的新一代XEON处理器，DDR SDRAM则仅被支持到能够量产的DDR333规格。
DDR2内存的不足
和DDR内存相比DDR2的缺点在其CAS Latency（内存CAS延迟时间）支持3、4、5设定，而比DDR的2、2.5、3来得慢。在这样的前提下最优化时序的DDR2
SDRAM内存模组比同样优化的同频率DDR SDRAM内存模组比较会在内存带宽上处于劣势，而这样的情况在目前PC主流应用（和800FSB
CPU配合）会比较普遍，因此Intel在桌面芯片组上选择了DDR2-533的设定将内存异步于CPU以改善性能。当DDR2被应用在DDR无法达到的高频率并和未来高FSB
CPU配合使用时，这种相对的劣势才能得以消除。
另外一个的缺点是暂时性的，作为新产品，DDR2
SDRAM目前的成产良品率还低于DDR400以下规格的DDR SDRAM。
桌面应用平台Intel从915/925 Express系列MCH开始支持DDR2，这些逻辑芯片的内存控制器可以良好在使用DDR2内存时支持内存/CPU同步以及以4：3的比例异步运作，同时3：2的异步模式也被支持。915
Express系列和925X Express支持CAS Latency 4的Unbuffered DDR2
533内存模组，925X Express还支持ECC Unbuffered类型；后续的925X
Express增强型号925XE Express支持1.9V下的CAS Latency 3型Unbuffered DDR2
533内存模组并将FSB最高支持到FSB1066，但却莫名其妙的砍掉了对ECC
Unbuffered模组的支持能力；仍旧让人失望的是925XE Express还仅提供4：3和3：2的内存/CPU异步模式，这意味着被JEDEC认证了的DDR2-667标准仍然是没办法正式施展拳脚。
最新的Intel MCH产品是945/955 Express系列，从现在的资料看，它们将能够搭配未来的双核心处理器，内存方面正式支持双通道DDR2-667，但具体的内存/CPU模式还没有细节放出，高端的桌面逻辑芯片955
Express将恢复对ECC Unbuffered模组的支持。
从Intel的Roadmap观察，DDR2 SDRAM是2005年的高性能平台的标准搭配，而DDR SDRAM并不会被淘汰，它将在主流和低端平台上继续存在；方面预计在2005年度仍会停留在DDR SDRAM上面。内存速度跑到了CPU需求的前面在近些年尚属首次，按照以往的经验都是当内存已经成为系统瓶颈时才慢吞吞的流行起来新标准，而眼前未雨绸缪的DDR2-667，甚至还有马上就被Elpdia（而必达）推出的DDR2-800，CPU部分看来需要一段时间才能追赶上来了，即使目前最快的FSB1066
Pentium4处理器，用双通道DDR2-533显然就可以轻松应付。在AMD还没有推出DDR2内存控制器的处理器之前，这种最快速的内存还仅能在Intel的系统上使用，不过从前景分析，DDR2
SDRAM成为主流只是时间问题，它成本不高，性能提升空间大并且几乎没有竞争者。DDR2 SDRAM的推广不但但让CPU/内存子系统受益，更强的内存带宽规格配合全新的PCI
Express总线能够让使用系统内存的图形加速产品更加实用化，就像刚刚推出的Geforce
6200TC，仅配置很小容量的本地内存就可以达到相当可观的3D加速性能。
本文测试内容我们收集了9种DDR2 SDRAM内存模组进行测试，它们使用的芯片涵盖了目前提供DDR2
SDRAM芯片的几家品牌，包括elixir（nanya）、hynix、Infineon、Micron和。测试的重点在于超频，内容将力求给读者带来这些DDR2内存的最优化运行性能比较，其中还涉及和DDR
SDRAM对比的部分。注：影响内存性能的因素
影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR
SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：CAS
Latency，内存CAS延迟时间。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge
Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active
Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点. DDR2-533内存模组介绍：ADATA/Apacer/KingMAX
ADATA Vitesta DDR2-533
成立于2001年的威刚科技（ADATA）经过短短三年的发展已经成为亚洲第一大内存模组制造商，在中国大陆市场以高低搭配的ADATA/VDATA两个产品品牌行销，其中的ADATA
Vitesta系列又被称作“红色威龙”系列，特征是配置鲜红色金属外壳并强化超频能力。本次威刚送测的产品是ADATA Vitesta DDR2-533内存模组。
ADATA Vitesta铝质外壳的颜色醒目。FBGA封装的DDR2
SDRAM即使在超过10%标准工作电压下都非常的低温，事实上它们并不需要额外的散热措施，增加了金属外壳的设计更多的是提升产品形象，当然它们也能给内存芯片提供一些抗物理冲击方面的保护。这是两根non-ECC unbuffered 240pin
DDR2 SDRAM内存模组，从侧面观察可以发现它们都是双Rank配置，但安装紧密的外壳阻止了我们尝试拆卸它的动作，具体的内存颗粒状况无从知晓。
产品标签上也不能带来更多的提示，这里仅有模组型号和基本的容量、速度/时序标注。
SPD信息中规中矩，模组容量、速度、厂商信息、产品型号、部分完整准确，只是缺少产品编号。DDR2-400下的模式时序为3-3-3-8，DDR2-533则为4-4-4-11，最后一列DDR2-533的5-4-4-11为另外一组可设定时序，我们测试的大多数DDR2
SDRAM内存模组都存在高频下两组SPD时序设定的情况。
Apacer DDR2-533 1024MB
老牌模组厂商宇瞻（Apacer）送来了本次测试容量最高的产品--单根容量高达1GB！这套内存我们在早先的文章中也曾单独介绍过，它们是non-ECC unbuffered 240pin
DDR2 SDRAM内存模组，双Rank规格，PCB中央预留有配置ECC模组时的额外8bit内存芯片位置。Apacer这款内存的SPD芯片安装位置较为特别，它位于PCB正面右下角贴近金手指处，和其他DDR2模组安装SPD芯片在PCB中央的习惯有所不同。
一如既往的Apacer风格产品标签，提供基本的容量、速度/时序标注，并有每根模组数字唯一的P/N产品编号。
Apacer DDR2-533 1024MB DDR2 SDRAM模组搭载了来自Samsung的内存芯片，芯片编号为K4T51083QB-GCD5，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。K4T51083QB-GCD5使用60-pin
FBGA封装，标称速度3.8纳秒，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。FBGA
封装DDR2 SDRAM芯片尺寸较大。
这款产品的SPD信息不够规范：模组容量、速度、厂商信息正确但缺少产品型号，产品编号和生产日期部分则是置于最大值。内存模组在DDR2-400下的模式时序为3-3-3-8，DDR2-533时是4-4-4-11，另外一组可设定的DDR2-533时序为5-4-4-11。
KingMAX DDR2-533 512MB
（KingMAX）也是在DIY玩家群中非常有影响力的内存模组品牌，他们在推广DDR2产品方面的动作非常早，在915/925
Express芯片组主板上市至少半年前，就能够看到KingMAX在国际各大电脑产品展会上展出DDR2
SDRAM内存模组了。
这是一对non-ECC unbuffered 240pin 512MB
DDR2 SDRAM内存模组，单Rank规格，8片内存芯片均贴装在PCB正面，双Rank规格的PCB背面芯片预留位空焊。除了微小的SPD芯片之外，PCB正面中央位置还有一枚醒目的红色芯片，它是KingMAX特有的产品防伪设计，BGA封装的芯片内包含了ID CODE（全球统一识别码），使得每一条内存均具有唯一性，目前还只有KingMAX一家厂商使用这种特殊方案，它和保存着模组标准信息的SPD芯片互不干扰。
产品标签内容丰富，标明了模组容量、速度和内存芯片的组织方式，还有模组型号和编号，但缺少了标准运行时序信息。
KingMAX KLBC28F-A8EP4 DDR2-533 512MB模组搭载了来自Elpdia的内存芯片，芯片编号为E5108AB-5C-E，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。E5108AB-5C-E芯片使用60-pin
FBGA封装，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。Elpdia的内存芯片封装尺寸和前面的Samsung芯片相仿。
SPD信息部分不算完整：模组容量、速度、产品型号正确，但缺少产品编号和生产日期，生产厂商部分也是置零。内存模组在DDR2-400下的模式时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，另外一组可设定的DDR2-533时序为5-4-4-12。
内存模组的一些说明
本页介绍的3款内存模组均来自专门的模组制造商，它们并不生产内存芯片，生产形式是从DRAM制造商采购内存芯片来组装生产成型的内存模组，我们在零售市场上接触的内存产品大多是它们提供。此类产品的特点是售后服务好但缺乏产品性能的长期均一性，因为模组厂商经常会根据供货状况选择不同品牌的内存芯片制成模组，因此即使是同一品牌的同规格内存模组，也有可能有较大的性能差异，尤其表现在超频性能上。
接下来的4款DDR2-533内存模组均是DRAM制造商自家生产的，理所当然，它们都使用各自出品的内存芯片，这类模组通常会第一时间交付芯片组/主板研发商做各类测试并加以调整，通常来讲有较好的兼容性，不过这些内存产品在零售市场上较难买到。
DDR2-533内存模组介绍：elixir/hynix/LeadRAM(Samsung)/Micron
elixir DDR2-533 256MB
易胜（elixir）是台湾省DRAM制造商南亚科技（nanya）在零售渠道上行销的品牌，近期出现在市场上零售，产品具有美观规范的双层包装。事实上elixir品牌的内存芯片早先也曾在部分上出现过，整合成内存模组的零售品牌是近期的事情。
elixir送测了两根non-ECC unbuffered 240pin 256MB
DDR2 SDRAM内存模组，单Rank规格。值得注意的是elixir仅用4片内存芯片就实现了64bit模组位宽和256MB容量，这种32Mx16组织方式的内存芯片在DDR
SDRAM产品上相对少见。这款内存的SPD芯片设计在PCB正面右侧边缘，和DDR
SDRAM内存模组的方案类似。
产品标签标明了模组容量、速度/时序和还有模组型号及编号。
内存芯片编号为N2TU51216AF -37B，512Mbit规格，32Mx16组织方式，整个模组的位宽是64bit。N2TU51216AF
-37B使用84-pin
FBGA封装，标称速度3.7纳秒，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。elixir的FBGA内存芯片封装尺寸较小。
DRAM制造商生产的原厂模组SPD信息部分向来较为规范，可以看到这款产品的模组容量、速度、生产厂商、产品型号、生产日期部分正确，仅缺少产品编号。内存模组在DDR2-400下的模式时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，另外一组可设定的DDR2-533时序为5-4-4-12。
hynix DDR2-533 512MB
hynix的DDR SDRAM内存芯片出货量非常大，它的DDR2
SDRAM也有了DDR2-800的型号规划了。这两根non-ECC unbuffered 240pin
DDR2 SDRAM内存模组由hynix韩国工厂生产，单Rank规格，PCB中央预留有配置ECC模组时的额外8bit内存芯片位置，模组的整体做工非常好。
带有橙色边条的产品标签正是hynix的风格，这张贴纸上注明了模组容量、速度/时序和还有模组型号及生产日期。
内存芯片编号为HY5PS12821 F-C4，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。HY5PS12821
F-C4使用60-pin
FBGA封装，标称速度3.75纳秒，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。hynix的FBGA内存芯片封装尺寸也比较大。
SPD信息部分规范明细，可以看到这款产品的模组容量、速度、生产厂商、产品型号、产品编号、生产日期部分，但生产日期部分出现了错误。内存模组在DDR2-400下的模式时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，另外一组可设定的DDR2-533时序为5-4-4-12。
LeadRAM DDR2-533 256MB
超胜科技是一家集研发、制造和销售存储元器件为一体专业厂商，公司总部设于香港，以研发、制造和销售拥有自主知识产权的LeadRAM（超胜）品牌的存储元器件为主要业务范畴。超胜内存号称全系列使用韩系大厂的A级芯片制造，100%通过测试并且在整个出货的产品内返修量小于千分之一，甚至还提出“超高频后很稳定，不超频呢？更稳定！”的口号。
送测的两根内存模组为non-ECC unbuffered 240pin 256MB
DDR2 SDRAM，DDR2-533标称速度。产品PCB两面均用表面经过处理的铝片覆盖，一方面保护内存芯片，另一方面又可以提升内存模组的外观视觉效果。
拆掉外壳观察，可以发现超胜DDR2-533白金条为单Rank规格，PCB正面贴装有8枚内存芯片，PCB颜色为清爽的绿色，做工精致。贴于模组正面左侧的贴纸显示这款内存其实就是三星电子（Samsung）原厂生产的模组，标签上注明了模组型号、容量、运行速度/标准延迟规格。
内存芯片编号为K4T56083QF-GCD5，256Mbit规格，32Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。K4T56083QF-GCD5使用60-pin
FBGA封装，标称速度3.8纳秒，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。
CPU-Z显示出的SPD信息证实了这确实是三星出品的原厂模组。模组信息全面，厂商、产品型号、产品编号有完整的的描述，只是生产日期再次出现了再次出现我们无法解释的错误，模组型号为M378T3253FG0-CD5，是在DDR2-533下默认延迟为4-4-4-11的256MB内存模组，DDR2-400下的默认延迟为3-3-3-8。
Micron DDR2-533 512MB Eng Sample
这是随Intel送测925X Express主板附带的镁光（Micron）原厂工程样品。DDR2-533标称速度,non-ECC
unbuffered 240pin 512MB模组，产品是较早的工程样品。其PCB双面贴装内存芯片，为双Rank规格内存；中央预留有配置ECC模组时的额外8bit内存芯片位置，整体做工异常精致。
贴于模组正面左侧的贴纸上注明了模组型号、容量、运行速度/标准延迟规格，这款工程样品在美国境内生产。
内存芯片编号为4BBIIZ9BQT，256Mbit规格，32Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。4BBIIZ9BQT使用92-pin
FBGA封装，标称速度3.75纳秒，可以在DDR2-533@CL4上运行，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。来自Micron的内存芯片是测试产品中封装尺寸最小的。
这款工程样品内存模组的SPD信息非常全面规范，厂商、产品型号、产品编号有完整的的描述，生产日期正常显示（非常早，04年3月制成）产品型号为MT16HTF6464AG-53E，在DDR2-533下默认延迟为4-4-4-12，DDR2-400下的默认延迟为3-3-3-9。此模组没有被镁光正式供货，大量生产的双Rank
512MB容量Micron内存模组的编号是MT16HTF6464AY-53E。
以上是全部DDR2-533内存模组的状况，接下来是来自模组制造商GEIL和DRAM制造商Infineon的DDR2-667规格产品。
DDR2-667内存模组介绍：GEIL & Infineon &
参测内存资料汇总
GEIL DDR2-667 512MB
GEIL是最早在国内市场上供货DDR2-667的内存模组制造商，这种内存被捆绑成一对的套装形势销售，它们还带有一个漂亮的树脂包装盒。
GEIL的内存模组上也带有金属外壳，为铝质本色，表面经过防氧化处理。GEIL没有使用弹片扣具，外壳直接贴装在内存颗粒上，这种固定方式也使我们无法观察到内存颗粒的状况。这是两根non-ECC
unbuffered 240pin 512MB DDR2 SDRAM模组，从侧面观察可以看到使用单Rank配置，产品正反面有多达4张贴纸标签，其中3张上都包含了有用信息。
这张防伪签上标注了模组型号、容量、运行速度/标准延迟以及产地，产品编号则印刷在另外一张带有条形码的贴纸上。
根据其他媒体得到的消息，这款模组配置了Elpdia生产的内存芯片，从状况分析应该是使用512Mbit规格，64Mx8组织方式的芯片，而Elpdia也确实有推出DDR2-667内存芯片。当然这些都是推断，并没有得到证实。
这款产品的SPD信息很全：模组容量、速度、厂商信息、产品型号、产品编号均正确，生产日期部分则是置于最大值。内存模组在DDR2-400下的模式时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-11，DDR2-667时序为5-4-4-15。需要指出的是其SPD内DDR2-667时序比其产品标签上的4-4-4-12要来的慢。
Infineon DDR2-667 256MB
来自Infineon的两根DDR2-667内存模组我们曾专文介绍过，它们是单Bank规格为non-ECC
unbuffered 240pin的256MB DDR2 SDRAM，PCB正面贴装有8枚内存芯片，中央位置留有ECC模组的第9枚芯片空位，保存着运行速度/时序信息的SPD芯片位于模组PCB正面中央位置。用料做工优秀，PCB颜色仍旧是清爽的翠绿。
贴于模组正面左侧的浅蓝色贴纸上注明了模组容量，运行速度/标准延迟规格。这款内存模组的产品标注部分相当详细，包括品牌、产品型号/编号、组织形式运行速度/时序；“Assembled
in Germany”显示出模组是在英飞凌德国的工厂组装的，产品质量应该有最好的保证。
内存芯片编号为HYB18T256 800AF3，256Mbit规格，32Mx8组织方式，整个模组的内存位宽是标准的64bit。HYB18T256 800AF3使用FBGA封装，60pin，标称3.0纳秒！可以在DDR2-667@CL4上运行，I/O和VDD工作电压1.8V±0.1V。Infineon的DDR2
SDRAM内存芯片封装尺寸较小，接近于Micron的产品，和大尺寸的Elpdia、hynix以及Samsung内存芯片外观区别明显。
这两根模组的SPD信息全面，厂商信息、产品型号、产品编号有完整的描述，生产日期部分显示正确。在DDR2-667模式下，送测模组的SPD规定延迟为4-4-4-15，这是一个不错的水准，JEDEC的DDR2-667时序规范只有5-5-5-15，而诸如Corsair、Crucial这样品牌的顶级超频型DDR2-667的默认时序也只到4-4-4-12/4-4-4-10的样子。英飞凌DDR2-667内存模组在DDR2-400（200MHz）下则可以达到和DDR内存模组类似的3-3-3-9的水平。
参测内存资料汇总
模组Rank数
内存芯片品牌型号
内存芯片组织方式
DDR2-400时序
DDR2-533时序
DDR2-667时序
ADATA Vitesta DDR2-533
M20SS2F3H414 -A1B0Z
Apacer DDR2-533 1024MB
K4T51083QB -GCD5
elixir DDR2-533 256MB
M2U25664TUH4A0F-37B
N2TU51216AF-37B
GEIL DDR2-667 512MB
GX21GB5300DC
hynix DDR2-533 512MB
HYMP564U648C4
HY5PS12821 F-C4
Infineon DDR2-667 256MB
64T3200HU3A
HYB18T256 800AF3
KingMAX DDR2-533 512MB
KLBC28F-A8EP4
E5108AB-5C-E
LeadRAM DDR2-533 256MB
M3 78T3253FG0-CD5
K4T56083QF -GCD5
Micron DDR2-533 512MB
MT16HTF6464AG-53E
4BBIIZ9BQT
我们在收集产品时特意叮嘱厂商方面限定512MB容量型号便于比较性能，但并未普及的DDR2产品在送测时还是遇到了没法解决的状况，如上表所示，部分厂商暂时也没有符合我们规定的模组样品，最后测试只好用这些容量参差不齐的内存模组来进行了。 幸运的是，几家能够供货DDR2 SDRAM内存芯片的厂商，elixir/hynix/Infineon/Micron/Samsung的产品我们都有涉猎，并且都找到了来自原厂的模组，这对于整理其芯片性能和超频极限数据是难得的机会，后面的测试也正是偏重于超频的。我们希望能给读者带来较为细致的可参考资料。
测试设定和超频技巧
型号及状况
Intel Pentium4 Extreme
Edition 3.4GHz ES
AVC 79U700102
DDR SDRAM Module:
ADATA Vitesta DDR-566 256MB *2
DDR2 SDRAM Module:
ADATA Vitesta DDR2-533 512MB *2
Apacer DDR2-533 1024MB *2
elixir DDR2-533 256MB *2
GEIL DDR2-667 512MB *2
hynix DDR2-533 512MB *2
Infineon DDR2-667 256MB *2
KingMAX DDR2-533 512MB *2
LeadRAM DDR2-533 256MB *2
Micron DDR2-533 512MB *2 ES
ASUS P5AD2-E Premium
ASUS P5GDC-V e
Galaxy Geforce 6800 GT
WestDigital caviar 1600BB
Delta DPS-550 BB
WindowsXP Professional 英文版 with ServicePack2
Software Installation Utility 6.2.1.1001
ForceWare 66.93WHQL
CPU对内存测试成绩的影响
测试选用Pentium4 Extreme
Edition 3.4GHz处理器，这是一枚工程样品，可以在12x至17x倍频调节，它最高稳定超频频率在3.69GHz附近，12设定下将能够达到307MHz，4：3比例异步运行的内存将以DDR2-819模式下运作！
Pentium4 EE的特征是0.13微米制程，Gallatin核心，带有512KB L2
cache+2048KB L3 cache；内部拥有更长流水线的Pentium4 E/5xx/6xx系列处理器则是0.09微米制程，Prescott核心并带有1024KB/2048KB
L2 cache。更大容量的L2让0.09微米 Prescott核心在同频率下的内存带宽测试数据更高，因此我们后面的测试数据看起来会比使用Prescott核心处理器的测试数据来得低。我们提醒读者需要考察同配置下各种模组的对比成绩，但是拿这些数字和其他不同配置测试对比绝对值将不具有参考意义。
关于两款主板超频方面的说明
ASUS P5AD2-E Premium
测试的DDR2超频部分使用ASUS P5AD2-E Premium搭建，它基于Intel
925XE Express+ICH6R芯片组，BIOS中的超频选项强大全面。配合可以在12x至17x倍频调节的Pentium4
EE 3.4GHz工程样品，我们将在12倍频设定下挑战DDR2-800甚至更高。
Intel 915/925 Express系列MCH在搭配DDR2内存模组时，可以支持内存/CPU运行比率为3：2、4：3和1：1，经过多次测试证明3：2的比例稳定性较差，内存能够达到的极限频率/时序都较有限，而4：3和1：1的比例下情况要好得多，这后两种比例之间的稳定性和超频极限也几乎相当，因此在超频时我们将使用4：3和1：1的内存/CPU运行比率。
具体的超频设定为：
> CPU外频在266MHz以下时，内存设定为DDR2-400至DDR2-533与CPU保持1：1的同步，此设定下采集各个模组的DDR2-400/533两个速度下的最优化时序设定；
> CPU外频在266MHz时，内存设定为DDR2-711与CPU保持4：3的异步，此设定下采集各个模组的DDR2-711速度下的最优化时序设定；
> CPU外频在266MHz以上时，内存设定与CPU保持4：3的异步，将时序设定为5-5-5-15的最劣值，采集各个模组的能达到最高频率；
> 每个测试分别使用1.8V/2.0V两个内存模组工作电压分别采集数据。
所有的超频测试均以系统通过3200万位《SuperPI》测试为成功基准。其他部分的主板设定没有特殊之处，925XE
Express可以很好的支持超过320MHz的CPU外频并运作良好，我们关闭了ASUS特有的显卡超频功能“PEG
LINK”，并且关闭了自动提高内存时序的加速选项。最后需要说明的是此测试采集数据状态下CPU的运行频率是3.46GHz，即266MHzx13模式。
ASUS P5GDC-V
Express+ICH6R芯片组的主板ASUS P5GDC-V Deluxe被用来引入测试DDR2
SDRAM和DDR SDRAM之间的性能对比，因为它能够支持DDR2 SDRAM和DDR SDRAM两种内存模组。这一部分测试我们曾经尝试用ADATA
Vitesta DDR566内存模组实现双通道DDR533模式与CPU同步，但却发现这款加入了对零售型P4处理器倍频调节的主板在应付工程样板Pentium4
EE 3.4GHz处理器时倍频调节失效，仅能以17倍频状态运行的它无法超频到266MHz外频，因此测试方案作了修改。
对比测试用最分别优化时序的DDR2-400和DDR-400配合P4
EE 3.4GHz（200MHzx17）在1：1同步下采集数据，额外再用最优化时序的DDR2-533配合P4
EE 3.4GHz（200MHzx17）在4：3异步下采集数据。其中ADATA Vitesta
DDR566 256MB内存模组可以DDR-400运行的最优化时序为2-2-2-5，对比的DDR2内存模组是elixir DDR2-533 256MB，它同为256MB容量并且同样是单Rank配置。由于915G
Express并不支持DDR SDRAM的内存4：3或其他大于1比值的方式和CPU异步运行，所以我们也无法比较同是高速异步下的DDR2
SDRAM和DDR SDRAM性能。
其他部分的主板设定没有特殊之处，照例关闭了ASUS特有的显卡超频功能“PEG
LINK”，关闭自动提高内存时序的加速选项。
所有测试中内存均使用双通道配置，两根模组安装在靠近CPU插座的一组同色双通道DIMM槽内。
版本及细节设定
version1.26
version2.6
version1.1.0
oftware Sandra
Professional
version1.1
3Dmark2001
SE build330
Quake3 Arena
　version1.11、关闭声音、使用自带DEMO001以Fastest画质模式测试
除了标准的内存带宽测试之外，我们还使用了两款3D游戏进行测试，在《Quake3
Arena》和《3Dmark2001》中，全部调整为最能考察CPU内存子系统性能的低低色深设置。
模组双通道配置
时序最高频率
ADATA Vitesta DDR2-533 512MB
Apacer DDR2-533 1024MB
elixir DDR2-533 256MB
GEIL DDR2-667 512MB
hynix DDR2-533 512MB
Infineon DDR2-667 256MB
KingMAX DDR2-533 512MB
LeadRAM DDR2-533 256MB
Micron DDR2-533 512MB
经过漫长的测试，所有的超频极限明细已经列在上表中了。
> DDR2-400模式下最优时序3-3-2-3由hynix和Infineon的模组取得；
> DDR2-533模式下的最优时序3-3-2-4有3款模组可以达到，它们是elixir、hynix和Infineon；
> DDR2-711模式下的最优时序4-4-2-4为Infineon模组一支独秀；
> 5-5-5-15最劣时序下的极限频率由LeadRAM（Samsung）模组领先，CPU能达到的最高外频307还阻碍了这款模组的超频发挥，DDR2-819下这款模组可以轻松通过测试，相信它还有进一步提高频率的能力；除此之外，Infineon模组也能够超过DDR2-800设定，在2.0V作用下，它能够在DDR2-802下完成稳定性测试。
> 几乎所有的DDR2 SDRAM内存模组都对工作电压不太敏感，很多产品的1.8V/2.0V下的最优表现是一样的。
综合考量，Infineon DDR2-667 256MB内存模组是在超频方面表现最优的产品，时序优化和极限频率都可以顾及到；而两款使用Samsung芯片的模组都表现出了较强的极限频率超频能力，相反在时序优化方面较为平庸。其他成绩不错的产品还有Micron模组，它的风格接近Infineon
DDR2-667，时序优化和极限频率都可圈可点，但这仅是在配置DDR2-533的芯片下达到的。
从超频成绩汇总观察，Rank数和内存容量并没有在超频方面体现出更大的影响，虽然最好成绩都是单Rank低容量内存模组创造的，但即使是双Rank
1024MB容量的模组，在超频方面也没有落后太多。这在DDR SDRAM时代是无法想象的，双Rank高容量内存模组的超频能力会下降很多，优秀电气特性的DDR2
SDRAM内存芯片以及Intel更为成熟的MCH逻辑芯片设计让高容量内存的高频工作稳定性得到提高。
另一方面，更为优化的时序参数不一定代表更好的实际性能表现，它们的应用能力还要接下来进行详细测试。
LeadRAM（Samsung）DDR2-533 256MB模组达到DDR2-819设定下的截图
DDR2和DDR的性能对比
在单纯内存带宽测试项目中，最优化时序的DDR
SDRAM系统比同样频率的最优化DDR2 SDRAM系统成绩高，更低的CAS
Latency和Row－precharge
Delay让DDR SDRAM系统分数高出约3%~8%；当改变DDR2 SDRAM模组频率设定到4：3和CPU异步之后，DDR2
SDRAM系统成绩反超。
《PCmark04》和《SuperPI》测试也表现出同样的分数梯度，4：3内存异步于CPU运行会比同步的DDR
SDRAM系统快，而让高速的DDR2 SDRAM去降低频率与DDR SDRAM拼时序优化实在是“扬短避长”的错误行为。
3D游戏测试是内存带宽测试的应用程序表象。和前面的成绩相比，应用程序方面的数值差距就显得非常微小了，显然在能够提供给800FSB足够内存带宽的情况下，即使在最为敏感的应用程序测试中，整个系统的性能变化还是相当小的。
这一部分的测试表明，DDR2-533可以在异步设定下比同步的DDR-400提供给系统更好的性能，但提升幅度并不大。用先进高速的DDR2
SDRAM搭配800FSB的CPU多少有点暴殄天物。
接下来的是DDR2 SDRAM内存模组搭配FSB1066 CPU的测试成绩，分别是1：1同步和4：3异步设定，均取各模组的最优化时序。
DDR2-533和DDR2-711性能：Cachemem/Sandra2005
Cachemem/Sandra2005
《Cachemem》测试中，内存模组时序较劣的DDR2-711系统凭借高频率还是得到更高的分数，尤其是读性能上领先优势明显。两个速度设定下的测试里，ADATA、hynix、Infineon和Micron模组的成绩较好。
《Sandra2005》的bufffered内存带宽测试里，内存时序让分数呈现出了显著的差异，而不同模组、不同内存芯片同样也有不同的测试性能。这里表现优秀的是hynix、Infineon和Micron的模组。同时DDR2-711系统依旧比DDR2-533系统普遍要快。
《Sandra2005》的unbufffered内存带宽测试延续了上一步测试的趋势，但这里增强了DDR2-711系统依旧比DDR2-533系统快的幅度。成绩突出的内存模组是Infineon和Micron的产品。
DDR2-533和DDR2-711性能：PCmark2004/SuperPI
《PCmark04》的Memory测试成绩里各种模组区别较小。这个测试里终于出现了劣时序DDR2-711系统成绩低于优时序DDR2-533系统成绩的情况，KingMAX内存模组是唯一的例子。本组测试成绩较好的是hynix、Infineon和Micron的模组，但领先优势不大。
《SuperPI》838万位计算计时测试相当敏感，DDR2-711系统普遍比DDR2-533系统快，测试性能较好的模组是elixir、GEIL、Infineon和Micron。
DDR2-533和DDR2-711性能：3Dmark2001/QuakeIII &
即使是640*480*16bit环境设定并使用高速3D加速卡Geforce
6800 GT消除显示部分瓶颈来测试《3Dmark2001》,这款软件仍然对时序优化以及更高频率的内存速度不够敏感，在没有CPU前端总线提升的前提下，《3Dmark2001》不大能表现出内存部分的细微优化努力。
比较而言，同样受CPU/内存子系统影响较大的经典OpneGL游戏《QuakeIII》就“配合”一些，这个测试中，DDR2-711系统占有一点优势，成绩突出的模组仍旧是常胜的面孔：Infineon和Micron。
优秀的内存模组是？
在我们测试的9种内存模组中，值得推荐的是Infineon
DDR2-667和Micron DDR2-533两种，它们超频特性均衡，并且在实际的系统测试中拿到高成绩，稍次一档的是hynix的DDR2-533模组，它在DDR2-533设定下有非常好的性能，但DDR2-711稍弱，并且极限频率较低。
读者需要记住的是这些较好内存模组配置的内存芯片，按照以往的经验，相同内存芯片在不同模组上的超频特征以及应用性能是有规律可循的，这样我们就可以在容易买到的品牌内存模组上通过挑选内存芯片的方式找到性能较好的产品，毕竟DRAM制造商的原厂模组大多数情况下很难买到。
DDR2 SDRAM内存模组超频建议
选择组建Intel 915/925 Express系列产品组建超频系统的玩家并不多，但我们仍然要滦┕赜诔捣矫娴慕ㄒ椤
DDR2-819看其来非常诱人，但事实是这差不多是仅能在评测室里实现的数字，因为玩家必须面对的是Prescott核心处理器最低可设定倍频数是14，而不是Gallatin核心的12，当达到DDR2-800时的CPU外频是300MHz，CPU频率已经高达4.2GHz！DDR2-820则对应超过4.3GHz的Pentium4，这不但需要极好的运气，也需要极好的散热设备，已经不是普通超频玩家的讨论范畴内。
我们的建议是读者不妨多关注DDR2内存模组在DDR2-533至DDR2-711这一线上的性能，266MHz附近的CPU外频还是相当实用，而不论用DDR2-533还是DDR2-711与之搭配并优化内存时序，都将得到不错的效果。
代替DDR，DDR2内存前途宽广
部分超频玩家习惯于挑剔DDR2内存的高延迟，他们嘲笑DDR2
SDRAM内存不能像Samsung TCCD/Winbond BH-5这类DDR SDRAM内存一样设定CL=2来挑战最优化的内存性能。但是事情很明显，内存延迟并不是内存性能的全部，DDR2的发展方向是高频率，而电气特性决定了其必定会有较高的延迟附加在产品上，就像当年DDR
SDRAM和SDRAM之间比较一样。当我们考虑到大幅度提升频率带来的带宽猛增，较高的延迟造成的负面影响完全可以忽略；也许用同样的高延迟代价，DDR
SDRAM内存也能够达到DDR700之类的速度，但那真的是这种老式芯片的物理极限了，业界选择先进4位预读取架构的DDR2
SDRAM将存储单元的频率回归到低频率的起点上来获得至少100%幅度的可提升运行品率上限是非常明智的！--DDR2-800马上就将供货，我们的测试也显示现在的DDR2-533也有能力运行在DDR2-800的水平上，纸面上的带宽翻倍终究是近一年来非常让人兴奋的事件。
DDR2内存在市场上暂时受冷落的原因是CPU对内存带宽的需求已经被甩在了后面，即使是现在最快的前端总线FSB1066，双通道DDR2-533也能够很好的满足它，更高速的内存缺乏应用层面的推动力，测试结果也显示，无论是DDR2-533对于DDR-400或者是DDR2-711对于DDR2-533，没有跟上步伐的CPU前端总线让内存得以发挥性能的余地不大。更糟糕的是Intel已经发现按现在Pentium4处理器的架构，再单单提高FSB对于系统的性能提升帮助也较为有限，因此造成的情况是高规格的DDR2内存被束之高阁，英雄无用武之地。形成鲜明对比的是显卡上配备的DDR2内存衍生物GDDR3内存，高速图形处理器对高速内存的需求日益迫切，DDR速度已经超过了1200MHz，并且产品需求还在不断扩大。
但是从另一方面观察，Intel发力将DDR2内存全面引入并替掉DDR内存的工作已经全面展开，毕竟从长远看，新技术有前途的多，而DDR2并不存在有实力的竞争规格，早一部全盘替换在DDR2
SDRAM内存芯片的成品率不断提高的前提下也并非坏事，因为就算是在DDR
SDRAM的速度规格上应用，DDR2内置终结电阻、低发热低功耗的优势仍然能够让DDR
SDRAM毫无还手之力，我们没有理由拒绝使用更环保更有前途的产品，除非它太贵--价格正是DDR2
SDRAM目前唯一的弱点。
也许DDR2 SDRAM和DDR SDRAM之间的价差需要整个2005年的时间来缩短至10%以内，甚至时间更长，2006年AMD也将推出内置DDR2内存控制器的处理器，届时DDR
SDRAM将处于目前SDRAM的位置，DDR2 SDRAM会如日中天。
注：本文完成过程中得到了网友“爱老虎油”的大力协助，他无偿的提供了两根hynix
DDR2-533 512MB内存模组供笔者测试，在文章最后向他表示衷心感谢！
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