CAT28C64BH13I-12T Datasheet(PDF) - Catalyst Semiconductor
Electronic Components Datasheet Search
Selected language &
CAT28C64BH13I-12T Datasheet (PDF) -
Catalyst Semiconductor
Part No.&CAT28C64BH13I-12T
Download &
Click to view
File Size &
415.26 Kbytes
Page & 13 Pages
Maker &CATALYST&[Catalyst Semiconductor]
Homepage &http://www.
" style="width:725height:324margin:0;">
Description&
CAT28C64BH13I-12T Datasheet (HTML) - Catalyst Semiconductor&
Related Electronics Part Number
Part NumberComponents DescriptionHtml ViewManufacturer
&&&&&Catalyst Semiconductor&&&&&Catalyst Semiconductor&&&&&Catalyst Semiconductor&&&&&Intersil Corporation&&&&&Texas Instruments&&&&&Catalyst Semiconductor&&&&&Catalyst Semiconductor&&&&&Catalyst Semiconductor&&&&&Catalyst Semiconductor&&&&&Texas Instruments
Datasheet Page
Does ALLDATASHEET help your business so far?& &
& &| && &| && &|&&& &| & & &| & & &| && &| &All Rights Reserved& 2003 - 2016& & Mirror SitesEnglish :
Japanese :
Portuguese :IC型号CAT28C64BJ-20,【本站由电子图书馆服务版权所有2003】,CAT28C64BJ-20 PDF资料,CAT28C64BJ-20经销商-51电子网
服务热线：400-608-2298
> CAT28C64BJ-20
本站由电子图书馆服务版权所有2003本站由电子图书馆服务版权所有2003本站由电子图书馆服务版权所有2003本站由电子图书馆服务版权所有2003本站由电子图书馆服务版权所有2003CAT28C64B64K位CMOS并行EEPROM特点s快速读取访问时间：s商用，工业和汽车- 一百二分之九十〇 /为150nss低功耗CMOS功耗：温度范围s自动页写操作：- 活动：最多25 mA的电流。- 待机： 100uA最大。s简单的写操作：-
1至32中的5ms的字节- 页面加载定时器s写检测结束：- 片上的地址和数据锁存- 自定时写周期自动清零s快速写周期时间：- 触发位–数据轮询s100,000编程/擦除周期s百年数据保留- 5ms的最大值。sCMOS和TTL兼容的I / Os硬件和软件写保护描述该CAT28C64B是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只并行EEPROM大小为8K ×8位。它需要简单的界面，在系统编程。片上地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和VCC上电/掉电写保护消除附加的定时和保护硬件。数据轮询和切换状态位信号的开始和自定时写周期的结束。此外，该CAT28C64B功能的硬件和软件写保护。该CAT28C64B使用催化剂制造的先进的CMOS浮栅技术。它被设计忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据保留100年。该器件可用JEDEC-批准的28引脚DIP ， TSOP ， SOIC或32引脚PLCC封装。框图A5–A12ADDR 。 BUFFER&门锁对开关写保护ROW解码器8,192 x 8EEPROMARRAY32字节的页注册VCC高压发电机CEOEWE控制逻辑I / O缓冲器定时器数据轮询和切换位COLUMN解码器I/O0–I/O7A0–A4ADDR 。 BUFFER&门锁(C)2009 SCILLC 。版权所有。特性如有变更，恕不另行通知1文档。编号MD- 1011 ，我牧师CAT28C64B引脚配置DIP封装（P ， L）NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2VSS12345678910111213142827262524232221201918171615VCCWENCA8A9A11OEA10CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3SOIC封装（J ， W） （K ， X）NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2VSS12345678910111213142827262524232221201918171615VCCWENCA8A9A11OEA10CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3PLCC封装（N ，G ）A7A12NCNCVCCWENCTSOP封装（采用8mm x 13.4毫米） （ H13 ）A6A5A4A3A2A1A0NCI/O04 3 2 1 32 31 30529628727826925顶视图102411231222132114 15 16 17 18 19 20I/O1I/O2VSSNCI/O3I/O4I/O5A8A9A11NCOEA10CEI/O7I/O6OEA11A9A8NCWEVCCNCA12A7A6A5A4A312345678910111213142827262524232221201918171615A10CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3GNDI/O2I/O1I/O0A0A1A2引脚功能引脚名称A0–A12I / O0-I / O7CEOE功能地址输入数据输入/输出芯片使能OUTPUT ENABLE引脚名称WEVCCVSSNC功能写使能5 V电源地无连接文档。编号MD- 1011 ，我牧师2(C)2009 SCILLC 。版权所有。特性如有变更，恕不另行通知CAT28C64B绝对最大额定值*高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C任何引脚的电压对于地面(2)........... -2.0V到+ VCC+ 2.0VVCC相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V封装功耗能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃输出短路电流(3)........................百毫安可靠性的特点符号NEND(1)TDR(1)VZAP(1)ILTH(1)(4)参数耐力数据保留ESD敏感性闭锁分钟。1051002000100马克斯。* COMMENT注意，超出上述绝对最大的“上市“，可能对器件造成永久性损坏。这些仅仅是极限参数，功能和操作该设备在这些或之外的任何其他条件的在本规范钙的业务部门所列出的那些化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大评级长时间会影响器件的perfor-曼斯和可靠性。单位周期/字节岁月伏mA测试方法MIL - STD-883标准，测试方法1033MIL - STD-883标准，测试方法1008MIL - STD-883标准，测试方法3015JEDEC标准17模式选择模式读字节写（我们控制）字节写（ CE控制）待机和写禁止读取和写入禁止HXCELLLXHWEHOELHHXHI / ODOUTDINDIN高-Z高-Z动力活跃活跃活跃待机活跃电容TA= 25 ° C，F = 1.0兆赫，VCC= 5V符号CI/O(1)CIN(1)TEST输入/输出电容输入电容马克斯。106单位pFpF条件VI / O= 0VVIN= 0V注意：（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流电压输出引脚为VCC+ 0.5V ，这可能会过冲至VCC+ 2.0V为小于20毫微秒周期。（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到VCC+1V.(C)2009 SCILLC 。版权所有。特性如有变更，恕不另行通知3文档。编号MD- 1011 ，我牧师CAT28C64B直流工作特性VCC= 5V±10%,除非另有规定ED 。范围符号ICCICCC(1)ISBISBC(2)ILIILOVIH(2)VIL(1)VOHVOLVWI参数VCC电流（工作， TTL ）VCC电流（工作， CMOS ）VCC电流（待机， TTL ）VCC电流（待机， CMOS ）输入漏电流输出漏电流高电平输入电压低电平输入电压高电平输出电压低电平输出电压写禁止电压3.5–10–102–0.32.40.4分钟。典型值。马克斯。302511001010VCC+0.30.8单位mAmAmAuAuAuAVVVVVIOH= –400uAIOL= 2.1毫安测试条件CE=OE= VIL,F = 1 / T的RC分钟，所有的I / O公开赛CE=OE= VILC,F = 1 / T的RC分钟，所有的I / O公开赛CE= VIH，所有的I / O公开赛CE= VIHC,所有的I / O公开赛VIN= GND到VCCVOUT= GND到VCC,CE= VIH注意：(1) VILC= -0.3V到+ 0.3V 。(2) VIHC= VCC-0.3V到VCC+0.3V.文档。编号MD- 1011 ，我牧师4(C)2009 SCILLC 。版权所有。特性如有变更，恕不另行通知CAT28C64B交流的特点，读周期VCC= 5V±10%,除非另有规定ED 。28C64B-90符号参数tRCtCEtAAtOEtLZ(1)tOLZ(1)tHZ(1)(2)tOHZ(1)(2)tOH(1)读周期时间CE存取时间地址访问时间OE存取时间CE低到有源输出OE低到有源输出CE高输出高阻态OE高输出高阻态从地址变更输出保持00050500分钟。909090500050500马克斯。28C64B-12分钟。12012012060005050马克斯。28C64B-15分钟。15015015070马克斯。单位nsnsnsnsnsnsnsnsns图1.交流测试输入/输出波形（ 3 ）VCC - 0.3V输入脉冲电平0.0 V0.8 V2.0 V参考点图2.交流测试负载电路（例如）1.3V1N9143.3K设备下TESTOUTCL = 100 pF的CL INCLUDES夹具电容注意：（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。（ 3 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， & 10纳秒。(C)2009 SCILLC 。版权所有。特性如有变更，恕不另行通知5文档。编号MD- 1011 ，我牧师
查看更多PDF信息
电话：1/6/
联系人：朱先生谭小姐
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦2楼B238室
CAT28C64BJ-20
<div class="show1" title="
<div class="show1" title="8
一级代理 全新原装现货 特价！@
联系人：朱小姐
地址：办公地址：深圳市福田区振兴路109号华康大厦2栋215《本公司为一般纳税人，可开17%增值税票》
CAT28C64BJ-20
<div class="show1" title="
联系人：销售部
地址：广东省深圳市福田区新亚洲电子市场一期二楼2B108
CAT28C64BJ-20
绝对实货库存!欢迎查询!
电话：0、035161、
联系人：欧阳先生
地址：深圳市福田区福华路29号26A(深圳市华美锐科技有限公司)
CAT28C64BJ-20
CATALYST SEMICONDUCTOR
原装正品！价格优势！
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区101栋602B
CAT28C64BJ-20
<div class="show1" title="
公司现货低价出售
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区雷圳大厦2208
CAT28C64BJ-20
<div class="show1" title="
进口原装特价热卖中，可开17%票！
电话：5/71/05
联系人：文先生/朱先生
地址：深圳市福田区振兴西路101号华匀大厦一栋525室
CAT28C64BJ-20
<div class="show1" title="
全新原装正品
联系人：销售部
地址：广东省深圳市福田区新亚洲电子市场一期二楼2B108
CAT28C64BJ-20
<div class="show1" title="
实货库存!欢迎查询!
电话：021-72569
联系人：陈小姐 付先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
CAT28C64BJ-20
全新原装，欢迎订购！
联系人：吴先生/陈生
地址：广东省汕头市潮南区陈店粤东电子城A74
CAT28C64BJ-20
查询更多供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司CAT28C64BNI-90T (CATALYST [64K位CMOS并行EEPROM]) PDF技术资料下载
CAT28C64BNI-90T 供应信息 IC Datasheet 数据表 (1/13 页)
按型号查询：
CAT28C64BNI-90T
64K位CMOS并行EEPROM
[64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM]
&&CAT28C64BNI-90TPDF文件：
描述：&&64K位CMOS并行EEPROM[64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM]文件大小：&&415 KPDF页数：
&&13 页联系供应商：&& 品牌Logo:
&&&&CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
CAT28C64BNI-90T&&
CATMELALYST&
原厂原封装&
CAT28C64BNI-90T&&
CAT28C64BNI-90T&&
CATMELALY【ST】&
CAT28C64BNI-90T&&
CAT28C64BNI-90T&
64K位CMOS并行EEPROM [64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM]
CAT28C64B64K位CMOS并行EEPROM特点I快速读取访问时间：H根FRALOEELEADFREETMI商用，工业和汽车- 一百二分之九十〇 /为150nsI低功耗CMOS功耗：温度范围I自动页写操作：- 活动：最多25 mA的电流。- 待机： 100uA最大。I简单的写操作：-
1至32中的5ms的字节- 页面加载定时器I写检测结束：- 片上的地址和数据锁存- 自定时写周期自动清零I快速写周期时间：- 触发位–数据轮询I100,000编程/擦除周期I百年数据保留- 5ms的最大值。ICMOS和TTL兼容的I / OI硬件和软件写保护描述该CAT28C64B是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只并行EEPROM大小为8K ×8位。它需要简单的界面，在系统编程。片上地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和VCC上电/掉电写保护消除附加的定时和保护硬件。数据轮询和切换状态位信号的开始和自定时写周期的结束。此外，该CAT28C64B功能的硬件和软件写保护。该CAT28C64B使用催化剂制造的先进的CMOS浮栅技术。它被设计忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据保留100年。该器件可用JEDEC-批准的28引脚DIP ， TSOP ， SOIC或32引脚PLCC封装。框图A5–A12ADDR 。 BUFFER&门锁对开关写保护ROW解码器8,192 x 8EEPROMARRAY32字节的页注册VCC高压发电机CEOEWE控制逻辑I / O缓冲器定时器数据轮询和切换位COLUMN解码器I/O0–I/O7A0–A4ADDR 。 BUFFER&门锁(C)2005 Catalyst半导体公司特性如有变更，恕不另行通知1文档。 1011号，第?FAT28C64B-15PU现货库存、热门库存，AT28C64B-15PU资料详细参数、AT28C64B-15PUPDF下载,64K （ 8K ×8）并行EEPROM与页写入和软件数据保护 -
您现在的位置： >
> AT28C64B-15PU
特点o快速读取访问时间 - 150纳秒o自动页写操作o- 内部地址和数据锁存为64字节快速写周期时间- 页写周期时间： 10 ms最大（标准）2 ms最大（选项 - 参考AT28HC64BF数据表）- 1到64字节页写操作低功耗- 40毫安工作电流- 100 μA CMOS待机电流硬件和软件数据保护数据轮询和切换位写检测结束高可靠性的CMOS技术- 耐力： 100,000次- 数据保存：10年单5V±10%供应CMOS和TTL兼容输入和输出JEDEC批准字节宽引脚工业温度范围绿色（无铅/无卤化物）的包装选项ooooooooo64K （ 8K ×8 ）并行与EEPROM页写和软件数据保护AT28C64B1.描述该AT28C64B是一个高性能的电可擦除和可编程只读只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位， 8,192字。与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造访问时间为150 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是取消选择，在CMOS待机电流小于100微安。该AT28C64B是一样的读或写周期中的静态RAM ，而不访问需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1?64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时一直检测到的，对于一个读或写一个新的访问就可以开始。爱特梅尔AT28C64B有额外的功能，以确保高品质和manufacturabil-性。该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的64字节的EEPROM器件识别和跟踪。0270K–PEEPR–10/06
2.引脚配置引脚名称A0 - A12CEOEWEI / O0 - I / O7NCDC功能地址芯片使能OUTPUT ENABLE写使能数据输入/输出无连接不连接2.232引脚PLCC顶视图A7A12NCDCVCCWENC注意：PLCC封装引脚1和17是不连接。2.128引脚PDIP ， 28引脚SOIC顶视图2.3OEA11A9A8NCWEVCCNCA12A7A6A5A4A328引脚TSOP顶视图12345678910111213142827262524232221201918171615A10CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3GNDI/O2I/O1I/O0A0A1A2NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GND12345678910111213142827262524232221201918171615VCCWENCA8A9A11OEA10CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O32AT28C64B0270K–PEEPR–10/06I/O1I/O2GNDDCI/O3I/O4I/O514151617181920A6A5A4A3A2A1A0NCI/O056789101112134321323130292827262524232221A8A9A11NCOEA10CEI/O7I/O6
AT28C64B3.框图VCCGNDOEWECEY译码地址输入X解码器鉴定数据输入/输出I / O0 - I / O7OE ， CE和WE逻辑数据锁存器输入/输出缓冲器Y型GATING细胞矩阵4，设备操作4.1读AT28C64B的访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行控制给出了防止总线争用他们的系统设计灵活性。4.2字节写在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高启动写周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经启动，它会自动时间本身来完成。一旦编程操作已启动以及在t的持续时间WC，一个读操作将有效是一个轮询操作。4.3页写该AT28C64B的页写操作允许数据的1?64个字节将被写入到在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作相同的方式为一个字节写入;第一个字节被写入后，它然后可以后跟1?63个附加字节。每个连续的字节必须在150微秒加载（TBLC）以前的字节。如果TBLC超出限制时， AT28C64B将停止接受数据，并开始了内部编程操作。页写操作过程中的所有字节必须驻留在由A6的状态至A12输入所定义相同的页面。对于我们每前高后低过渡页写操作期间，A6至A12必须是相同的。在A0到A5输入指定的页面中哪些字节都被写入。该字节可按任意顺序装入，并且可以在相同的负载周期内改变。只是这是个字节写作指定将被写入;其他字节的页面中不必要的循环呢不会发生。30270K–PEEPR–10/06
4.4数据轮询该AT28C64B设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或页写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致的补写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是有效的所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以随时开始在写入周期。4.5切换位除了数据投票时， AT28C64B提供了另一种方法，用于确定的端一个写周期。在写入操作期间，连续尝试从设备读取数据会结果，在I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止瓶酒岭大战，以及有效的数据将被读取。触发位读数可能写入过程中随时开始周期。4.6数据保护如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入电源。爱特梅尔(R)已经将硬件和软件功能，将保护防止意外的内存写入。4.6.1硬件数据保护硬件功能防止意外写入AT28C64B在以下几个方面：（一）VCC感 - 如果VCC低于3.8 V（典型值） ，写功能受到抑制; （二）VCCPOWER- ON延迟 - 一旦VCC已达到3.8 V时，该装置会自动超时5毫秒（典型值）之前允许写入; （三）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一人多高，还是我们高禁止写周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE脉冲输入将不会启动写周期。软件数据保护软件控制的数据保护功能已经在AT28C64B得到落实。当启用后，该软件数据保护（ SDP ） ，将防止意外写入。在SDP功能可以启用或由用户禁用;在AT28C64B从爱特梅尔随SDP显示体健。SDP通过发出一系列的三个写命令的用户使能在其中的三个具体数据字节写入三个具体地址（请参阅“软件数据保护Algo-rithms “上写的3字节的命令序列，并且等待吨后WC时，整个AT28C64B将受到保护，免受意外写操作。但是应当指出的是，即使SDP后使能时，用户仍可以通过前述的执行字节或页写入AT28C64B要写入的数据通过用于启用SDP中的相同的3字节的命令序列。一旦设定， SDP仍然有效，除非在发出禁止命令序列。电源跃迁系统蒸发散不要禁用SDP ， SDP和保护在上电和掉电的AT28C64B条件。所有的命令序列必须符合页写时序规范。该在启用和禁用命令序列的数据是不实际写入到器件;它们的地址可能仍然写在任一个字节或页写操作的用户数据。SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列将启动内部写定时器。将没有数据被写入到该设备。然而，对于持续时间吨的化WC读操作将是有效的轮询操作。4.6.24.7设备Identi科幻阳离子可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过A9提高至12V ± 0.5V ，并使用地址位置1FC0H到1FFFH ，附加字节可被写入到或从相同的方式作为常规存储器阵列的读出。4AT28C64B0270K–PEEPR–10/06
AT28C64B5.直流和交流工作范围AT28C64B-15工作温度（外壳）VCC电源-40°C - 85°C5V±10%6.操作模式模式读写待机/写禁止写禁止写禁止输出禁用芯片擦除注意事项：1. X可以是VIL或VIH.2.3. VH= 12.0V±0.5V.CEVILVILVIHXXXVILOEVILVIHXXVILVIHVH(3)WEVIHVILXVIHXXVIL高Z高ZI / ODOUTDIN高Z7.绝对最大额定值*高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C所有输入电压（包括NC引脚）相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V所有输出电压相对于地面.............................- 0.6V至VCC+ 0.6V在OE和A9电压相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V*注意：强调超越“绝对下上市最大额定值“，可能会造成永久性损坏年龄到设备。这是一个值仅为该器件在这些或任何功能操作超出所指示的其他条件本规范的业务部门所不暗示。暴露在绝对最大额定值长时间条件可能会影响器件的可靠性8.直流特性符号ILIILOISB1ISB2ICCVILVIHVOLVOH参数输入负载电流输出漏电流VCC待机电流CMOSVCC待机电流TTLVCC工作电流输入低电压输入高电压输出低电压输出高电压IOL= 2.1毫安IOH= -400 uA2.42.00.40条件VIN= 0V至VCC+ 1VVI / O= 0V至VCCCE = VCC- 0.3V至VCC+ 1VCE = 2.0V至VCC+ 1VF = 5 MHz的;我OUT= 0毫安民最大10101002400.8单位uAuAuAmAmAVVVV50270K–PEEPR–10/06
地址:上海市徐汇区中山南二路1007号 （中煌大厦）1602室
电话:086-021-15517
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区华强北新亚洲二期国利大厦1220房
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区振兴西路101号华匀大厦B座525
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区振中路新亚洲电子商城二期N3B062柜台(即3楼B区扶手电梯侧)
AT28C64B-15PU&&
地址:（营业部：福田区红荔路上步工业区501栋4楼418室 注：业务来往请联系营业部）深圳市宝安区9区白金公寓大厦1218/香港九龙深水埗基隆街220号5楼528/本公司只做原装货，只接受原装订单。
电话:086-2
AT28C64B-15PU&&
15+授权代理&
地址:华强北街道中航路国利大厦1919
AT28C64B-15PU&&
专营ATMEL&
地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和华强大厦A座1537室 (本公司只售原厂原装正品，可开17%增值税票，珠三角地区可代收货款！）
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和华强大厦A座1537室（本公司只做原装，珠三角地区可代收货款，可开17%增值税发票！）
AT28C64B-15PU&&
地址:（营业部福田区红荔路上步工业区501栋4楼418室 注：业务来往请联系营业部）深圳市宝安区9区白金公寓大厦1218/香港九龙深水埗基隆街220号5楼528/本公司只做原装货，只接受原装订单。
电话:086-6
AT28C64B-15PU&&
15+ 授权代理&
地址:深圳福田区福明路雷圳大厦15楼1505室(上海宾馆正对面），公司只做原装正品，假一罚十，信誉保证。公司可开17%税票，公司为答谢新老客户，购物有大礼，详情请登陆我们网站
电话:086-1/82
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区华强北路上步102栋西座620室（本公司为一般纳税人，可开17%的增值税发票）
AT28C64B-15PU&&
地址:上海市闸北区海宁路1399号金城大厦1513室
电话:086-021-63486
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座707-709
电话:3（一般纳税人）
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦2栋5楼
电话:086-0 975782
AT28C64B-15PU&&
地址:福田区中航路新亚洲国利大厦1919室
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区赛格科技园2懂10楼
电话:７５５-８３９７１３９６
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区中航路都会电子城B座23E室。可开17%增值税票。
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区振华路海外装饰大厦B座
AT28C64B-15PU&&
地址:广东省深圳市福田区华强北街道振华路122号海外装饰大厦A座2楼211室
电话:086-9
AT28C64B-15PU&&
地址:中关村大街28-1号中海园电子市场BI-058A,BI-058B-1
电话:086-010-
AT28C64B-15PU&&
地址:广东办事处：深圳市福田区中航路国利大厦A座1008室
AT28C64B-15PU&&
ATMEL专营&
地址:上海市嘉定区沪宜公路3128号嘉尚国际大厦2318/上海市张掖路335号上海电子商城5F/江西赣州办事处()
电话:086-021-
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市福田区振兴西路华匀大厦503室
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳福田区上步工业区201栋5楼512
电话:086-3/
AT28C64B-15PU&&
JEDECSOIC&
地址:深圳市福田区佳和华强大厦A座8楼B-831/深纺大厦B座2006
只做进口原装，感谢您的来电，我们将竭诚为您服务，期待与您的合作
电话:086-6
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市南山区科技园中航工业大厦室
门市：深圳市福田区华强北鼎诚国际大厦1916室
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市南山区科技园中航工业大厦室
门市：深圳市福田区华强北鼎诚国际大厦1916室
AT28C64B-15PU&&
地址:福田区华强北路上步工业区101栋508
电话:2 67515
AT28C64B-15PU&&
地址:深圳市华强北上步工业区201栋西座四楼A28室
电话:086-3/
AT28C64B-15PU&&
地址:福田区中航路新亚洲国利大厦1919室
AT28C64B-15PU&&
（询价技巧：选中型号前面的多选框，可以同时向多家询价。） &CAT28C64BN-12 Datasheet, PDF - Alldatasheet
Electronic Components Datasheet Search
Selected language &
CAT28C64BN-12 Datasheet, PDF
&&CAT28C64BN-12(3) recommended result.
Match, Like
&CAT28C64BN-12(1)
Start with
Manufacturer
Does ALLDATASHEET help your business
so far?& &
All Rights Reserved(C)
2003 - 2016 & &
Mirror Sites
&&|&& Chinese
Japanese : &&|&&
&&|&& Spanish : &&|&&
French : &&|&&
Italian : &&|&&
Portuguese : &&|&&
Polish : Alldatasheet.pl