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大功率场效应管的价格比大功率三极管的价格贵上几倍&&
在声音方面是否好上几倍？
在同一电路，同一电流，声音有何区别？
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电路应该不能同样吧
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如果拥有金耳朵，只能花更多钱财折腾。
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大功率场效应管的价格比大功率三极管的价格贵上几倍&&
在声音方面是否好上几倍？
在同一电路，同一电流，声音有何区别？
不是所有场管都那么贵,有些型号是人为炒贵的,至于声音则见仁见智了,谁用谁知道.
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关键是要用对地方，搭配完美方可扬长避短
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只有用过才会知道有区别不？
别人说的只能做为参考！
葡萄是酸是甜尝一口就明白了！
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瞎烧、便宜烧……
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首先管子本身设计结构、工艺上就有区别，还有运用不同的管子，相应的电路肯定有所不同，声音不一样是肯定的！！！
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萝卜青菜&&各有所爱
二者电路肯定不一样
场效应的卖点在于&&偶次谐波
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我把场管直接换三极管过听不出什么来。
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场效应管的功放机比晶体管的机子卖得贵吧，两者的声音到底如何，没人说下？
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本帖最后由 mygod2008 于
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自从用了场管后，就不太喜欢三极管了，主要感觉场管的中高频耐听、自然，柔和不吵耳，哪怕声音开的很大也不会出现那种声音尖硬刺耳的感觉，场管的低频相对三极管是弱项，没有三极管来的猛。比较好的做法是两者配合，比如场管推三极管或三极管推场管，这样配合取各自的长处，比较平衡。个人感觉，仅供参考！
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& & 同意，场管较软 三极管较硬， 这个得看搭配了，经验+技术
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其实还是验证了一句老话，“实践出真知”，与“谁用谁知道”
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场管功放比较接近胆味.个人感觉.
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看你喜欢什么类型的音乐,如果是hi歌这类的就选晶体管,要是喜欢口水或者民歌之类的就选场管啦,不管你信不信,反正我是信了
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如题!购得一些八脚贴片场效管,分别是:N沟道AO4410&&和&&P沟道FDS4465 都知道场效管的DS极导通电阻是毫欧级别!属电压控制型.非常适合作开关使用...但是却遇到了如下问题.望知道的解答一下,问题所在!谢谢
首先用P沟道的FDS4465来做实验! 电源是手机电池,约4.1V的电压:
S极接VCC正极, G级接GND负极 此时FDS4465饱合导通,万用表测S极和D极都是4.1V左右!已经完全通了!把G极改接在VCC,此时场管截止!S极为4.1V,D极0V!说明试验成功! 下一步改为A4410 N沟道 ，电路如下图：[attachment=1158994] [attachment=1159104]
同一个4.1V的电池.AO4410的D极接VCC, G极接GND,此时万用表测,D极为4.1V,S极为0V,说明场管截止,然后,G极改接到VCC,此时再测场管AO4410D极为4.1V,S极2.8V!!不对呀,应该饱合了为4.1V啊.确定线路没有接错!再换一个新的AO4410也是这样的电压!,串入LED灯,再测,S极为2.1V了.如下图: [attachment=1158324]
测D漏极为电池电压4.13V,G极接VCC[attachment=1158322] 按理说,G极是直接VCC了,应该完全导通了.但是测S极却是才2.1V.实在不解,已经换了三个新的AO4410了.还是这样![attachment=1158323]
把DS两极用镊子短接,灯一下子就亮了很多! 而且,把这个场管拆下来用数字表二极管档测,黑表笔接S极,红笔接G极,然后红笔接D级,万用表蜂鸣器叫了起来,阻值也是000.再把红黑对调,也是完全通的000.真的不明白了!.上电路,却两边电压不一样!也试过,在G级串入一个数K的电阻,也不行.求答 我想做一个电子开关，用场效应管主要是它的压降几本为0，比三极管的0.7V好多了。电路如下图：N-MOS管是G高电平导通，所以就想到它了，现在看来好像不能这样接。因为我的按键是一端接在VCC，按下开关，同时MOS管导通，负载得电。如果换成用P-MOS管，那么这个电路要怎么走线，或者增加哪些元件？[attachment=1159311] 请问,是场管的问题,还是我的线路有误?求答!本人QQ: 先谢谢了!!!!
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NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。你把电路反一下看看，LED挂在D端，然后测电流。
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p沟的是g级高导通n沟的是g级低导通
刚好说反了 吧？
需要2个三极管来驱动，才能保证可靠通道和快速开关。
我是菜鸟，也过来学习下[attachment=1158437]
使用mos管的时候，要尽量拉大栅极对源极和漏极的电压差。如果有条件，栅极电压差最好高于5V导通和截止才比较可靠。电压差在3V以内大部分管子都会进入线性放大区。
N管用处跟P管相反的……
控制场效应管的电压是指栅极与硅衬底之间的电压。单个封装的管子总是将衬底与源极相连。故控制电压应施加于源极于栅极之间……楼主去下本书看吧……《电子线路》线性部分，谢嘉荃版
楼上那些没看过书的就别误人子弟了。这个是我这学期的专业选修课。
P沟道N沟道的栅压阈值可能不一样。另外，你难道没有在漏极串一个电阻？假如相同的情况，你把栅极点压再提高一些就可以解决了。
引用第2楼xiaorourou于 16:02发表的 Re:疑问未解?~~~~~~~~?场效应管AO4410做开关使用的问题!~~~~~~懂场效管的快来帮忙! .. :p沟的是g级高导通n沟的是g级低导通
不对吧,我实际试验是,N沟道G栅极为高电平时,才导通.把G级接地,马上就截止了!P沟道则是G栅极接地DS极导通,接VCC,马上就截止了.这是亲自测出来的.
两种管子的电源也应该对调一下才正常。N沟道源极接负极，漏极接正极。P沟道源极接正极，漏极接负极。
一般场效应管源极与漏极之间应该还并了一只反向的二极管，你测试一下看有没有
请把两种管子的电源反过来对应测试，才是正确的。假如两支管子的特性是一致的，结果应该完全一样。我感觉你是接反了，能不能把两侧试验的图简单画一下看看？
楼主注意一下，N沟道 控制极的电压Vgs。就是说G和S的电压才是控制电压。看你的描述，S极是接了负载。你的本意应该是VgS=VCC=4.2V，但你的电路把S极电位抬高了，Vgs可能只有1.4V
负载一定要接在漏极，源极直接接地，改变栅极的电压才是正确的。由于栅源极的电容比较大，当栅极接正偏压，源漏极会导通。断开偏压以后，仍然维持导通，直到栅极接地才会恢复截止。
引用第10楼醉渔家于 18:06发表的&&:P沟道N沟道的栅压阈值可能不一样。另外，你难道没有在漏极串一个电阻？假如相同的情况，你把栅极点压再提高一些就可以解决了。
已经把栅级直接接到VCC了，已经是电源最高电压，漏极有串接电阻，请仔细看图，红线下面就是电阻
首先用P沟道的FDS4465来做实验!电源是手机电池,约4.2V的电压: S极接VCC正极, G级接GND负极 此时FDS4465饱合导通,万用表测S极和D极都是4.2V左右!已经完全通了!把G极改接在VCC,此时场管截止!S极为4.2V,D极0V!说明试验成功!请仔细检查你的说法有无问题
下一步改为A4410 N沟道&&同一个4.2V的电池.AO4410的D极接VCC, G极接GND,此时万用表测,D极为4.2V,S极为0V,说明场管截止,然后,G极改接到VCC,此时再测场管AO4410D极为4.2V,S极2.8V!!不对呀,应该饱合了为4.2V啊.确定线路没有接错!再换一个新的AO4410也是这样的电压!,串入LED灯,再测,S极为2.1V了这段描述也有问题
你的万用表以哪一点为零点呢？正确的做法应该是始终以源极为零点，然后测试各点的电压，整个过程中不应该出现源极电压高于零的现象
引用第20楼醉渔家于 19:59发表的&&:你的万用表以哪一点为零点呢？正确的做法应该是始终以源极为零点，然后测试各点的电压，整个过程中不应该出现源极电压高于零的现象
请看原理图。我的意思是：栅级和漏极都接在VCC上面，此时漏极和源极应该是通的才对，我实际用万用表测试的时候，先给G极充一下电，然后再测S和D，就是一直通的，对换表笔也是如此，可以理解为直通了0电阻，而接到电路上的时候，G和D是一起接在VCC上面的，按理说，S极也应为接近VCC电压才是，
引用第20楼醉渔家于 19:59发表的&&:你的万用表以哪一点为零点呢？正确的做法应该是始终以源极为零点，然后测试各点的电压，整个过程中不应该出现源极电压高于零的现象
你的意思是：LED和电阻应该串在VCC和漏极之间，S极接地。对吗？
引用第13楼醉渔家于 18:24发表的&&:一般场效应管源极与漏极之间应该还并了一只反向的二极管，你测试一下看有没有 那个测出来的“二极管”不是专门制作的二极管，只是硅衬底和漏极之间寄生的。
楼主用P-MOS吧，N-MOS的放弃吧。原因是：N-MOS是gate端高电平导通，没问题，高电平可以导通&&&&&&&&&&&&&&但是导通以后呢？输出也是4.2V，你的Gate也是4.2V，所以相当于Gate=0V。所以就又不通了，而后达到一个平衡大于2点几V。这时是在线性区，要是带负载的话，MOS发热很大的。用P-MOS就不牵扯这个问题。是在要用N-MOS的话，要么外加一个高电压，要么外加驱动电路，很复杂。
[quote]引用第24楼boy-11-21 20:26发表的&&:楼主用P-MOS吧，N-MOS的放弃吧。原因是：N-MOS是gate端高电平导通，没问题，高电平可以导通
引用第24楼boy-11-21 20:26发表的&&:楼主用P-MOS吧，N-MOS的放弃吧。原因是：N-MOS是gate端高电平导通，没问题，高电平可以导通&&&&&&&&&&&&&&但是导通以后呢？输出也是4.2V，你的Gate也是4.2V，所以相当于Gate=0V。所以就又不通了，而后达到一个平衡大于2点几V。这时是在线性区，要是带负载的话，MOS发热很大的。用P-MOS就不牵扯这个问题。是在要用N-MOS的话，要么外加一个高电压，要么外加驱动电路，很复杂。.......
难到要G栅极电压大于电源电压，也就是原来S极是4.2V的话，要想当开关用，G极必需高于4.2V。可是电路中，电源最高就是4.2V，去哪接一个更大电压来？，不现实啊。我主要是需要这样一个电路：[attachment=1159195]如图：平时开关断开，N场管G极低电平，场管截止，负载无供电，开关按下，高电平加到芯片的同时，场管栅极也为高电平，导通。后级负载得电，开始工作！思路本意就是：平时不使用是不消耗电量的！如果换成P管的话，是G低电平导通，这个要怎样实现呢。不想用三极管，压降太大了，求答？？先谢了。我的QQ是 你的是多少
简单明了。楼主在nmos的g极外加个相对于源极有5伏以上的电压就没问题了。这也是为什么很多电器在仅用mos管当开关时用pmos多，然后根据控制电平前面加一个三极管（适合高电平导通），或者是前面加两个三极管（适合底电平导通）。
引用第27楼doityouself于 21:09发表的&&:简单明了。楼主在nmos的g极外加个相对于源极有5伏以上的电压就没问题了。这也是为什么很多电器在仅用mos管当开关时用pmos多，然后根据控制电平前面加一个三极管（适合高电平导通），或者是前面加两个三极管（适合底电平导通）。
我的电路如下图，如果换成P管，电路要怎么个接法，或者增加哪些元件。[attachment=1159282]按下开关的同时，负载也接通。注意，开关一端是接在VCC的，是高电平
8个脚的场效应管，还是第一次听说
有些控制电路会用12V做电源，然后线性降压5V给单片机等，就可以应付n mos了
这个是 高电平驱动pmos管三极管用普通npn就可以了 不必太在意型号。&&按钮按下前，g极通过10k电阻连在Vcc上得到高电平，pmos截止。按钮按下，npn三极管导通，把g极电位拉低，pmos导通。 如果需要低电平导通，在npn三极管前面在加一个npn三极管就可以了。 按钮开关可以是实体，也可以是驱动ic输出的电平。 有了三极管转换，pmos就可以可靠的截止或者导通。 你可以百度搜索&&液晶面板上屏电路&& 得到类似很多这样的电路。[attachment=1159924]
三极管一般用npn的都可以 什么**系列的npn都可以我写的3904是因为现在这个管子用得多，也就1、2毛钱一个。 楼主可以随便找个npn试一试。随便找个板子上面肯定有很多贴片三极管，应该都可以。放大倍数大的管子反而太灵敏。电阻也可以自己搭配，10k的可以在10k到20k之间任意；1k的可以在100欧到1k之间任意，4.7k的可以在2k到10k之间任意。反正要求不高。很简单的电路，如果反应过于灵敏，可以在按钮与三极管基极串一个二极管，4148之类的或者任意400*系列的，要求不高。可能还要在基极和地之间并一个0.01uf&&104之类的瓷片电容。反正可以慢慢试。有效果就行。
楼上的电路不错，但是接通的时候，10K和1K电阻会分压哦，按下按键的时候G级还是会有大概0.8V的电压哦，这个电压不知道会不会使PMOS截止，不过只要调整下电阻比例还是不错的电路
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