mos ram分为两种为

君,已阅读到文档的结尾了呢~~
扫扫二维码,随身浏览文档
手机或平板扫扫即可继续访问
主要内容存储器分类与组成随机存取存储器 (RAM) 只读存储器 (...
举报该文档为侵权文档。
举报该文档含有违规或不良信息。
反馈该文档无法正常浏览。
举报该文档为重复文档。
推荐理由:
将文档分享至:
分享完整地址
文档地址:
粘贴到BBS或博客
flash地址:
支持嵌入FLASH地址的网站使用
html代码:
&embed src='/DocinViewer-4.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
450px*300px480px*400px650px*490px
支持嵌入HTML代码的网站使用
您的内容已经提交成功
您所提交的内容需要审核后才能发布,请您等待!
3秒自动关闭窗口以下试题来自:
填空题目前PC中主存储器使用的RAM多采用MOS型半导体集成电路芯片制成,根据其保存数据的机理可分为 【18】 和SRAM两大类。 参考答案DRAN
为您推荐的考试题库
你可能感兴趣的试题
1.填空题 参考答案速度2.填空题 参考答案计算机技术3.填空题 参考答案34MB4.填空题 参考答案对等式网络5.填空题 参考答案操作数
热门相关试卷
最新相关试卷&按照存放信息原理的不同,随机存储器又可分为静态和动态两种。静态ram是以双稳态元件作为基本的存储单元来保存信息的,因此,其保存的信息在不断电的情况下,是不会被破坏的;而动态ram是靠的充、放电原理来存放信息的,由于保存在上的电荷,会随着时间而泄露,因而会使得这种器件中存放的信息丢失,必须定时进行刷新。
一般一个存储器系统由以下几部分组成。1.基本存储单元一个基本存储单元可以存放一位信息,其内部具有两个稳定的且相互对立的状态,并能够在外部对其状态进行识别和改变。不同类型的基本存储单元,决定了由其所组成的存储器件的类型不同。静态ram的基本存储单元是由两个增强型的nm0s器交叉耦合而成的,每个基本的存储单元由六个mos管构成,所以,静态存储又称为六管静态存储电路。图为六管静态存储单元的原理示意图。其中t1、t2为控制管,t3、t4为管。这个电路具有两个相对的稳态状态,若tl管截止则a=“l”(高),它使t2管开启,于是b=“0”(低电平),而b=“0”又进一步保证了t1管的截止。所以,这种状态在没有外触发的条件下是稳定不变的。同样,t1管导通即a=“0”(低电平),t2管截止即b=“1”(高电平)的状态也是稳定的。因此,可以用这个电路的两个相对稳定的状态来分别表示逻辑“1”和逻辑“0”。当把触发器作为存储电路时,就要使其能够接收外界来的触发控制信号,用以读出或改变该存储单元的状态,这样就形成了如下右图所示的六管基本存储电路。其中t5、t6为门控管。
(a)&& 六管静态存储单元的原理示意图&&&&&&&&&&&& (b)&&& 六管基本存储电路&图& 六管静态存储单元(我们常看到的还有把t3&t1的gate连到一起,把t2&t4的gate连到一起)&当x译码输出线为高电平时,t5、t6管导通,a、b端就分别与位线d0及 相连;若相应的y译码输出也是高电平,则t7、t8管(它们是一列公用的,不属于某一个存储单元)也是导通的,于是d0及& (这是存储单元内部的位线)就与输入/输出电路的i/o线及 线相通。写入操作:写入信号自i/o线及 线输入,如要写入“1”,则i/o线为高电平而 线为低电平,它们通过t7、t8管和t5、t6管分别与a端和b端相连,使a=“1”,b=“0”,即强迫t2管导通,tl管截止,相当于把输入电荷存储于tl和t2管的栅级。当输入信号及地址选择信号消失之后,t5、t6、t7、t8都截止。由于存储单元有及负载管,可以不断地向栅极补充电荷,依靠两个反相器的交叉控制,只要不掉电,就能保持写入的信息“1”,而不用再生(刷新)。若要写入“0”,则 线为低电乎而i/o线为高电平,使tl管导通,t 2管截止即a=“0”,b=“1”。读操作:只要某一单元被选中,相应的t5、t6、t7、t8均导通,a点与b点分别通过t5、t6管与d0及 相通,d0及 又进一步通过t7、t8管与i/o及 线相通,即将单元的状态传送到i/o及 线上。由此可见,这种存储电路的读出过程是非破坏性的,即信息在读出之后,原存储电路的状态不变。
2,地址译码器。由于存储器系统是由许多存储单元构成的,为了加以区分,我们必须首先为这些存储单元编号,即分配给这些存储单元不同的地址。地址译码器的作用就是用来接受cpu送来的地址信号并对它进行译码,选择与此地址码相对应的存储单元,以便对该单元进行读/写操作。一般的操作是:输入地址码(address)信号通过地址码(address buffer)进入译码器(decoder )。如下图:&其中,a和b的信号是相反的,并且在ld触发前保持不变,这样就可以保证在选择地址时信号不会消失。
&如果一个ram有n个地址译码输入端,则该存储器的记忆容量是2expn比特。我们可以用2expn1根字线和2exp(n-n1)根位线相互垂直交叉排列。在字线和位线的各个交叉点上接有存储单元。读出的过程是,首先由行译码器选择其中一根字线,接在这一字线上的所有存储单元与各自得位线相连,各个位线上得到与存储单元所记忆的数据相对应的微小信号,这一微小信号经读出放大器 进行放大(sense amplifier )。然后,由列译码器选择其中一个读出放大器 ,将放大的信号通过多路缓冲器 (multiplexer)送给输出电路。
为了扩充存储器系统的容量,常常需要将几片ram芯片的数据线并联使用或与双向的数据线相连。
本网站试开通微、小企业商家广告业务;维修点推荐项目。收费实惠有效果!欢迎在QQ或邮箱联系!
试试再找找您想看的资料
资料搜索:
查看相关资料 & & &
   同意评论声明
   发表
尊重网上道德,遵守中华人民共和国的各项有关法律法规
承担一切因您的行为而直接或间接导致的民事或刑事法律责任
本站管理人员有权保留或删除其管辖留言中的任意内容
本站有权在网站内转载或引用您的评论
参与本评论即表明您已经阅读并接受上述条款
copyright & &广电电器(中国梧州) -all right reserved& 若您有什么意见或建议请mail: & &
地址: 电话:(86)774-2826670&

我要回帖

更多关于 我国垃圾分为哪四大类 的文章

 

随机推荐