您所在位置： &
 &  & 
缺陷结构对单负材料光子晶体透射谱的影响.pdf53页
本文档一共被下载：
次 ,您可免费全文在线阅读后下载本文档
文档加载中...广告还剩秒
需要金币：200 &&
你可能关注的文档：
··········
··········
西南交通大学
硕士学位论文
缺陷结构对单负材料光子晶体透射谱的影响
姓名：杜启明
申请学位级别：硕士
专业：理论物理
指导教师：曾勇
西南交通大学硕士研究生学位论文
由于光子晶体特殊光学性质使得对光子晶体的研究，无论是在理论上，还是实验和
应用上都获吸引了人们广泛的关注。光子晶体结构可以很好的控制光路的传播路径，
而且还能现今的半导体材料科学和精密加工工艺很好地结合，极有可能成为未来光电
产业的基础材料。光子晶体的制作过程中会不可避免的掺入杂志。由于在光子晶体中
掺杂引入缺陷将会破坏光子晶体原来的周期性结构或者周期单元中材料结构的物理
特性，引起光子晶体的带隙结构发生变化。由于缺陷的引入，原来完好的光子晶体带
隙结构中将产生非常强的光子局域，形成缺陷模。
运用传输矩阵法研究光在有缺陷结构的单负一维光子晶体的传输特性。首先讨论
了带有缺陷结构的单负一维光子晶体的透射谱、反射谱以及光场，分析缺陷结构对单
负材料一维光子晶体的缺陷模的影响。经过数值模拟发现，缺陷结构的光学厚度会影
响缺陷模的中心频率和空间分布，缺陷层周围的介质材料参数也会影响缺陷的光学特
性。因此，改变缺陷层的数目和在光子晶体中的位置可以使缺陷模的位置发生移动并
有可能导致缺陷模分裂。
为了能够实现对光波的传输过程的动态调节，尝试选
正在加载中，请稍后...您所在位置： &
 &  & 
光子晶体缺陷模特性与应用的研究.pdf44页
本文档一共被下载：
次 ,您可免费全文在线阅读后下载本文档
文档加载中...广告还剩秒
需要金币：200 &&
你可能关注的文档：
··········
··········
硕士孝位论文
⑨MASTER’STtlESIS
光子晶体具有和固体电子晶体相似的特性，表现出光禁带特性以及光局域特
性，处于光禁带中的光不能在光子晶体中传播。在光子晶体中引入点缺陷、线缺陷，
可形成光子微腔和一维光波导，进一步利用这些缺陷以及它们的组合可形成多种新
型光子器件。对光子晶体缺陷模的研究对新型光子器件的设计，制造有重要指导意
本文运用时域有限差分法 FDTD 和采用完全匹配层 PML 边界条件，首先对二
维圆介质柱光子晶体的带隙以及点缺陷和线缺陷的传输特性进行了分析计算，发现
随着点缺陷半径的增大，缺陷峰的位置向低频方向移动；随着晶格常数增大，线缺
陷波导的通带的中心波长逐渐向长波长方向移动。
迸一步在二维正方格圆柱光子晶体结构的原型基础上，引入线缺陷，同时还首
次引入椭圆点缺陷构成组合缺陷，讨论了椭圆点缺陷围绕其中心位置平移和旋转时
缺陷模的变化。发现当椭圆点缺陷平移时，共振峰对应的中心波长在2．509～2．673ttm
之间呈近似周期性的波动；而当点缺陷介质柱旋转，且角度在300～600间偏移时，
共振峰中心波长保持不变，当角度在其他范围之问时，共振模呈现单双交替变化现
象，中心波长相应发生改变。
最后构建了一种沿波传播方向晶格常数渐变的新型光子晶体结构，同时引入组
合缺陷。恰当地选择微腔，缺陷模可以实现可控变化，并有相近的峰值，而且缺陷
峰线宽约为10nm左右。并利用这种缺陷态结构设计了六信道波分解复用器。
关键词：光子晶体；缺陷模；时域有限差分法
正在加载中，请稍后...复式晶格光子晶体光纤特性分析--《全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议论文集》2007年
复式晶格光子晶体光纤特性分析
【摘要】：提出了一种新型复式晶格光子晶体光纤,通过向传统正方形格子空气孔光子晶体光纤中引入半径相同但折射率为负的介质柱,构成两种正负折射率介质柱嵌套的周期性排列结构。用平面波法和时域有限差分法分析这种光纤的光子特性,仿真结果表明:与传统正方形格子空气孔光子晶体光纤相比,这种光纤可以实现光子带隙效应导光。当R1/Λ=0.35,衬底折射率nb=1.48,空气孔折射率na=1.0,介质柱折射率nc=-1.0时,取晶格常数Λ范围为1.5~3.0μm,传输波长范围为880nm～2300nm。在晶格常数Λ为2.0μm时分析中心缺陷孔径分别为2.0μm,4.0μm时的色散曲线,随着中心缺陷孔径与晶格常数比值的增大,色散曲线的斜率绝对值稍微变大。
【作者单位】：
【关键词】：
【基金】：
【分类号】：TN818【正文快照】：
1引言光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCFs)[1]是一种纵向带有线缺陷而横向为周期性结构的二维光子晶体,纤芯则是破坏周期性结构的线缺陷。二维光子晶体重要特征是存在光子带隙(Photonic Band Gap,PBG),可以使特定波长范围内的光波被局限在PBG-PCFs纤芯中沿纵向传播。
欢迎：、、)
支持CAJ、PDF文件格式，仅支持PDF格式
【共引文献】
中国硕士学位论文全文数据库
郭璇;[D];燕山大学;2006年
【相似文献】
中国期刊全文数据库
;[J];中兴通讯技术;2003年03期
田贺斌,杨天新,王颖,孙伟成,李世忱;[J];量子电子学报;2003年05期
赵玲慧,魏志义;[J];物理;2004年05期
王智,任国斌,娄淑琴,简水生;[J];中国激光;2004年05期
马仪超;陈鹤鸣;;[J];光电子技术;2007年04期
池灏,蒋铭,赵焕东,曾庆济;[J];半导体光电;2003年05期
;[J];中国光学与应用光学文摘;2003年06期
鞠晓丹,刘兆伦,倪正华,高艳东,李曙光,侯蓝田,刘晓东;[J];光通信技术;2004年07期
娄淑琴,王智,任国斌,简水生;[J];光学学报;2004年10期
;[J];中国光学与应用光学文摘;2007年01期
中国重要会议论文全文数据库
刘小龙;张霞;黄永清;郑龙;王亚苗;任晓敏;;[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（下册）[C];2009年
仲琦;张舒怡;钱小石;徐飞;陆延青;;[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（下册）[C];2009年
杨荣昌;周国生;薛文瑞;宋丽军;;[A];全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议（OFCIO’2003）论文集[C];2003年
魏博;杨远洪;段玮倩;;[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（下册）[C];2009年
倪屹;王青;张磊;彭江得;;[A];全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议（OFCIO’2003）论文集[C];2003年
孙桂林;陈子伦;奚小明;侯静;姜宗福;;[A];第九届全国光电技术学术交流会论文集（上册）[C];2010年
石飞飞;李美成;赵宇;赵连城;;[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（上册）[C];2009年
崔亮;李小英;赵宁波;;[A];第十四届全国量子光学学术报告会报告摘要集[C];2010年
唐仁杰;;[A];第三届中国光通信技术与市场研讨会论文集[C];2003年
马仪超;陈鹤鸣;;[A];全国第十三次光纤通信暨第十四届集成光学学术会议论文集[C];2007年
中国重要报纸全文数据库
陈传武;[N];中国化工报;2010年
杨念明 通讯员
罗璇;[N];湖北日报;2010年
郑欣荣 通讯员
肖辉;[N];长江日报;2011年
记者陈欣然 通讯员孟兆熙;[N];天津教育报;2009年
记者 刘宇雄;[N];广东科技报;2009年
光纤通信技术和网络国家重点实验室、烽火通信科技股份有限公司 陈伟 李诗愈 王彦亮 王冬香 罗文勇 黄文俊;[N];通信产业报;2010年
;[N];中国教育报;2008年
凃燕;[N];人民邮电;2010年
汪伟 通讯员
孟兆熙;[N];天津日报;2009年
中国博士学位论文全文数据库
郭铁英;[D];北京交通大学;2010年
李宏雷;[D];北京交通大学;2010年
闫贺;[D];清华大学;2009年
史青;[D];南开大学;2010年
刘博文;[D];天津大学;2009年
刘华刚;[D];天津大学;2010年
胡明列;[D];天津大学;2004年
杨四刚;[D];清华大学;2007年
方宏;[D];北京交通大学;2008年
张方迪;[D];北京邮电大学;2008年
中国硕士学位论文全文数据库
姜凌红;[D];燕山大学;2010年
罗思行;[D];北京邮电大学;2010年
张聪;[D];山西师范大学;2010年
崔艳玲;[D];燕山大学;2010年
杨倩倩;[D];燕山大学;2010年
李立肖;[D];燕山大学;2010年
张国亮;[D];北京交通大学;2010年
李好学;[D];北京交通大学;2010年
陈琰;[D];重庆大学;2010年
陈琰;[D];重庆大学;2010年
&快捷付款方式
&订购知网充值卡
400-819-9993
《中国学术期刊（光盘版）》电子杂志社有限公司
同方知网数字出版技术股份有限公司
地址：北京清华大学 84-48信箱 知识超市公司
出版物经营许可证 新出发京批字第直0595号
订购热线：400-819-82499
服务热线：010--
在线咨询：
传真：010-
京公网安备75号光子晶体中的缺陷模特性研究--《电子科技大学》2011年博士论文
光子晶体中的缺陷模特性研究
【摘要】：光子晶体作为一种人工结构材料,未来将在光通信中发挥极其重要的作用。关于光子晶体的研究,可以分为实验和理论两个方面,而不论是实验还是理论,对于光子晶体禁带和光子晶体缺陷模性质的讨论都是光子晶体研究的两个最主要的内容。其中,含有缺陷的光子晶体所产生的缺陷模因为其应用极其广泛而得到了更多的关注。就好像在半导体中掺入杂质以改善和控制半导体的导电性能一样,在光子晶体中可以以同样的引入缺陷的方式来改善和控制光子晶体的光传输性能。虽然最终的目的是在实验上实现缺陷的有效引入,但是完成这个梦想的先决条件却是要有可靠的理论作支持。因此,本论文主要从理论上对含有缺陷的光子晶体所激发缺陷模随晶体结构参数变化而发生改变的一些规律进行了讨论。因为一维光子晶体的制作和理论分析都相对简单,而且很多的结论对于更高维的光子晶体同样是有效的,或者对于更高维的光子晶体分析奠定了一定的基础,所以在本文中主要讨论了一维光子晶体中缺陷模的特性。
论文主要内容有:
1由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体中能带和缺陷模特性研究。负折射率材料是近年来的研究热点,不仅因为其本身就有很多的光学优点(例如形成完美透镜),而且在光子晶体中引入负折射率材料后也会出现很多新的和有用的特性(例如全向带隙)。关于含负折射率材料光子晶体的讨论已经有很多了,但是关于由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体的研究几乎没有。在本论文中,分析了由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体能带和缺陷模特性,并将所得结果与已有的结论相对比,发现在这种新的结构中出现了一个新的特殊带隙,这个带隙同时具有零平均折射率能隙和零有效相位能隙的特点。而出现在这种新带隙中的缺陷模则对应有非常细的透射峰,缺陷模对应波长随缺陷层厚度变化而发生改变的规律与正常材料晶体中缺陷模变化规律也完全不同。
2缺陷模在光学传感方面的应用特点研究。不论是禁带边缘还是缺陷模位置都会随着晶体结构参数的改变而发生变化,可以利用这种变化的规律有意识的通过观察缺陷模的变化反推出晶体结构参数改变的情况,这就是传感器原理。在本论文中,通过分析缺陷模随缺陷层厚度和折射率改变而发生变化的规律,发现含有缺陷层的一维三层光子晶体所激发缺陷模比同样的完整光子晶体禁带边缘对于晶体结构参数的改变有着更高的灵敏度。随后通过分析由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体中缺陷模随缺陷层厚度和折射率改变而发生变化的规律发现,相对于一维三层光子晶体中的缺陷模,由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体中缺陷模又有更高的灵敏度。
3对含有两个非线性缺陷层光子晶体所具有的双稳态效应的分析。非线性光学相比于线性光学有很大的差异,例如,非线性材料的折射率可能和光的强度相关(光学克尔效应),由此导致含非线性材料光子晶体中入射光强和出射光强一般呈非线性关系(光学双稳效应)。在对于双稳效应的讨论中,更低的双稳阈值一直是研究的热点。本论文中,首先分析了含单个非线性缺陷层光子晶体所对应的双稳阈值和晶体结构参数之间的关联情况,其次分析了含有两个非线性缺陷层光子晶体所对应双稳效应与晶体结构参数之间的关系。其分析结果表明,相对于只含一个非线性缺陷层的情况,总的说来含两个非线性缺陷层光子晶体所对应的双稳态确实有着更低的双稳阈值。另外,含有两个非线性缺陷层的光子晶体本身具有非常丰富的双稳效应随结构参数改变而发生变化的现象,本论文也针对这些不同的双稳现象进行了详细分析。
4一维光子晶体中慢波结构的分析。慢波结构是近年来的研究热点,因为其在光存储,光开关等方面有着潜在的巨大应用价值。通常利用二维光子晶体中的耦合模波导来实现慢波结构,事实上,在一维光子晶体中引入周期性排列的缺陷层就可以实现波速的减慢。本论文就对一维光子晶体慢波结构进行了分析,主要讨论了缺陷模导带和对应的导带群速度随缺陷层结构参数改变而发生变化的规律,以及在慢波结构中引入新的缺陷层时所对应的缺陷模导带和导带群速度的变化情况。
【关键词】：
【学位授予单位】：电子科技大学【学位级别】：博士【学位授予年份】：2011【分类号】：O77【目录】：
ABSTRACT7-13
第一章 绪论13-24
1.1 光子晶体概念13-15
1.2 光子晶体发展现状15-16
1.3 光子晶体发展前景16-18
1.4 光子晶体中的缺陷模18-20
1.5 左手材料和非线性材料在光子晶体中的应用20-22
1.6 慢波结构22
1.7 本文的主要内容及结构安排22-24
第二章 用传输矩阵法讨论光子晶体的传输特性24-39
2.1 光子晶体能带24-28
2.1.1 光子晶体能带的概念24-25
2.1.2 一维光子晶体中的禁带25-27
2.1.3 光子晶体能带的获得27-28
2.2 光子晶体缺陷模28-30
2.2.1 光子晶体缺陷概念28-29
2.2.2 光子晶体缺陷模29-30
2.3 光子晶体中常用理论计算方法30-31
2.4 传输矩阵法31-34
2.4.1 传输矩阵的推导31-33
2.4.2 一维光子晶体中的传输矩阵33-34
2.5 用传输矩阵模拟一维光子晶体传输特性34-38
2.5.1 完整一维光子晶体的传输特性35-36
2.5.2 含有缺陷层的光子晶体传输特性36-38
2.6 本章小结38-39
第三章 含负折射率材料光子晶体中的缺陷模特性39-71
3.1 负折射率材料简介39-46
3.1.1 负折射率材料的概念39-41
3.1.2 负折射率材料的物理特性41-43
3.1.3 负折射率材料的电容率和磁导率表达式43-44
3.1.4 包含负折射率材料的光子晶体44-46
3.2 由单负材料和负折射率材料构成的一维光子晶体传输特性46-48
3.2.1 具有负折射率材料光子晶体中所用的传输矩阵法46-47
3.2.2 用传输矩阵法计算由单负材料和负折射率材料构成的光子晶体传输特性47-48
3.3 由单负材料和双负材料构成的光子晶体中的缺陷模性质48-54
3.3.1 在单负材料和双负材料构成的光子晶体中引入正常材料缺陷层49-53
3.3.2 在单负材料和双负材料构成的光子晶体中引入负折射率材料缺陷层53-54
3.4 正常材料光子晶体中两个正常材料缺陷层所激发缺陷模的耦合54-59
3.4.1 单个缺陷层所激发缺陷模的情况54-56
3.4.2 两个缺陷层所激发缺陷模耦合的情况56-59
3.5 正常材料晶体中两个负折射率材料缺陷层所激发的缺陷模的耦合59-63
3.5.1 单个负折射率材料缺陷层所激发缺陷模的情况59-61
3.5.2 两个负折射率材料缺陷层所激发缺陷模耦合的情况61-63
3.6 正常材料晶体中两个单负材料缺陷层所激发的缺陷模的耦合63-64
3.7 缺陷模作为光学传感具有很高的灵敏度64-69
3.7.1 一维三层光子晶体中缺陷模的反应灵敏度65-67
3.7.2 单负材料和负折射率材料构成的光子晶体中缺陷模光学性质67-69
3.8 本章小结69-71
第四章 含非线性材料光子晶体中的缺陷模特性71-104
4.1 非线性光学材料简介71-73
4.2 含有非线性材料光子晶体所用的非线性传输矩阵73-75
4.3 光学双稳态75-77
4.4 含有一个非线性缺陷层的正常材料光子晶体双稳特性77-85
4.4.1 不同厚度缺陷层所对应的不同双稳效应78-81
4.4.2 不同位置缺陷层所对应的不同双稳效应81-83
4.4.3 位于不同带隙的缺陷模对应有不同的双稳特性83-85
4.5 含两个非线性缺陷层的光子晶体双稳特性分析85-102
4.5.1 不同耦合模对应的晶体双稳特性分析85-90
4.5.2 缺陷层厚度对于晶体双稳特性的影响90-93
4.5.3 缺陷层位置对于晶体双稳特性的影响93-95
4.5.4 入射波长对于晶体双稳特性的影响95-100
4.5.5 缺陷层间距对于晶体双稳特性的影响100-102
4.6 本章小结102-104
第五章 一维光子晶体中的慢波结构104-116
5.1 分析慢波结构时常用的传输矩阵法105-106
5.2 一维光子晶体中的慢波结构性质分析106-113
5.2.1 一维慢波结构中的缺陷模导带107-109
5.2.2 一维慢波结构中缺陷模导带具有的群速度109-113
5.3 具有缺陷的慢波结构性质分析113-115
5.3.1 具有缺陷的慢波结构中的缺陷模导带性质113-114
5.3.2 具有缺陷的慢波结构中的缺陷模导带群速度分析114-115
5.4 本章小结115-116
第六章 总结和展望116-119
6.1 全文总结116-117
6.2 工作展望117-119
致谢119-120
参考文献120-129
攻博期间取得的研究成果129-130
欢迎：、、)
支持CAJ、PDF文件格式
【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库
李炳祥;[D];赣南师范学院;2012年
王瑾;[D];中北大学;2014年
【参考文献】
中国期刊全文数据库
方斌,李东升,赵岳,杨德仁;[J];光电子技术与信息;2004年05期
李夏;薛唯;蒋玉蓉;喻志农;;[J];光学技术;2006年06期
李侠;谢康;姜海明;;[J];Chinese Optics L2008年02期
刘桂强;廖昱博;刘忠民;;[J];光学学报;2008年12期
陈明,李淳飞,徐迈,王维彪,夏玉学,马少杰;[J];光子学报;2005年01期
中国博士学位论文全文数据库
翦知渐;[D];湖南大学;2007年
陈溢杭;[D];中山大学;2006年
中国硕士学位论文全文数据库
梅洛勤;[D];中国人民解放军国防科学技术大学;2002年
【共引文献】
中国期刊全文数据库
武继江;石邦任;孔梅;;[J];长春理工大学学报;2006年02期
刘长友;介万奇;;[J];材料导报;2007年01期
刘长友;孙晓燕;王涛;查钢强;介万奇;;[J];材料导报;2012年02期
许棠;张春平;郝召锋;祁胜文;;[J];电子元件与材料;2006年10期
付剑;宋昭远;刘晓东;刘东平;孙丽;;[J];电子技术;2008年02期
张会云,张玉萍,苏希玉,郑义,姚建铨;[J];光电子·激光;2005年01期
贾敏;周明东;李照鑫;;[J];物理与工程;2009年01期
许棠;张春平;祁胜文;梁兴;杨光;;[J];功能材料;2006年12期
孙肖芬;郑建邦;廖威;姜冰一;郝娟;;[J];功能材料;2011年S5期
罗朝明;孙军强;刘靖;;[J];光学与光电技术;2006年04期
中国重要会议论文全文数据库
李侠;谢康;姜海明;;[A];全国光电子与量子电子学技术大会论文集[C];2011年
鲁拥华;王沛;姚培军;马中团;明海;谢建平;;[A];大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集[C];2004年
王利;王风丽;王占山;吴永刚;陈玲燕;;[A];大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库
张勇;[D];哈尔滨工程大学;2009年
郝召锋;[D];南开大学;2010年
邓超生;[D];中南大学;2011年
徐权;[D];电子科技大学;2011年
赵顺才;[D];南昌大学;2011年
贾宝申;[D];哈尔滨工业大学;2011年
陆闻杰;[D];上海交通大学;2011年
李文超;[D];河北工业大学;2011年
杨娟;[D];西安电子科技大学;2005年
尉伟;[D];中国科学技术大学;2007年
中国硕士学位论文全文数据库
王娜;[D];东华大学;2011年
李雪松;[D];中国地质大学（北京）;2011年
李德桥;[D];中北大学;2011年
刘少倩;[D];江西科技师范学院;2011年
孙鉴;[D];东北石油大学;2011年
李真;[D];山东大学;2011年
姚建波;[D];长春理工大学;2011年
刘宏博;[D];长春理工大学;2011年
李丛昱;[D];长春理工大学;2011年
张红星;[D];西南交通大学;2011年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库
陈凯,盛秋琴,韩军,王晶;[J];光电子技术;2003年01期
刘永军;连佳;胡立发;鲁兴海;宣丽;;[J];光谱学与光谱分析;2010年08期
闫江周;吴一辉;宣明;郝鹏;;[J];光谱学与光谱分析;2011年02期
李夏;薛唯;蒋玉蓉;喻志农;;[J];光学技术;2006年06期
宋佳明;陈光德;耶红刚;竹有章;伍叶龙;;[J];光子学报;2009年12期
章海锋;郑建平;肖正泉;;[J];光子学报;2010年09期
刘启能;;[J];光子学报;2012年04期
肖功利;杨宏艳;;[J];半导体学报;2011年04期
李娇;温廷敦;许丽萍;;[J];发光学报;2012年03期
王瑾;温廷敦;许丽萍;樊彩霞;;[J];发光学报;2013年08期
中国博士学位论文全文数据库
谢应茂;[D];南昌大学;2007年
邓立儿;[D];北京交通大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库
温清凌;[D];赣南师范学院;2010年
游巧琴;[D];赣南师范学院;2011年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库
郑著宏，关郑平，陈连春，范希武，姜锦秀;[J];发光学报;1994年04期
顾国昌,李宏强,陈洪涛,陈鸿,吴翔;[J];光学学报;2000年06期
朱志宏;叶卫民;季家镕;袁晓东;曾淳;;[J];光学学报;2007年03期
刘胜利;李乙钢;高艳丽;丁镭;王华;陈胜平;吕可诚;;[J];光学学报;2007年09期
张文富;方强;程益华;刘继红;夏贵进;;[J];光学学报;2007年09期
陈慰宗,卜涛,付灵利,郑新亮,李绍雄,周景会;[J];光子学报;2002年09期
陈慰宗,郑新亮,卜涛,付灵丽;[J];光子学报;2003年01期
冯尚申,沈林放,何赛灵;[J];光子学报;2003年02期
王清月;胡明列;宋有建;刘庆文;刘博文;张弛;李毅;柴路;;[J];中国激光;2007年12期
快素兰,章俞之,胡行方;[J];无机材料学报;2001年02期
中国重要会议论文全文数据库
吴飞鹏;;[A];加入WTO后中国辐射固化行业的发展——全国辐射固化研讨会2002论文集[C];2002年
【相似文献】
中国期刊全文数据库
易小菊;[J];湖南大学学报(自然科学版);2003年S1期
宁学峰,王旭东,闫珂柱;[J];量子光学学报;2005年01期
;[J];激光与光电子学进展;2008年12期
杜春光,焦志伟,李师群;[J];量子电子学报;2000年05期
焦志伟,丁兆香;[J];抚顺石油学院学报;2000年04期
欧阳征标,李景镇,朱骏,张登国,孙一翎;[J];发光学报;2002年05期
邓开发,夏守之,是度芳;[J];激光杂志;2004年03期
;[J];光机电信息;2011年08期
王旭东,闫珂柱,刘芳;[J];光电子.激光;2003年10期
赵丽,余家国,程蓓,赵修建;[J];稀有金属材料与工程;2004年04期
中国重要会议论文全文数据库
何赛灵;;[A];面向21世纪的科技进步与社会经济发展（上册）[C];1999年
宋恺;丁涛;佟振合;;[A];中国化学会第28届学术年会第12分会场摘要集[C];2012年
梁文耀;;[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年
张登国;;[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年
王科;郑婉华;张冶金;任刚;杜晓宇;邢名欣;陈良惠;;[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
豆义波;韩景宾;卫敏;段雪;;[A];中国化学会第28届学术年会第8分会场摘要集[C];2012年
张慧慧;申华军;周静涛;刘新宇;;[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（下册）[C];2009年
宁鼎;;[A];中国电子学会第十三届电子元件学术年会论文集[C];2004年
许震宇;;[A];首届全国航空航天领域中的力学问题学术研讨会论文集（上册）[C];2004年
周济;;[A];中国电子学会第十三届电子元件学术年会论文集[C];2004年
中国重要报纸全文数据库
贾正根;[N];中国电子报;2001年
吴铭;[N];中国石油报;2003年
陈丹;[N];科技日报;2003年
张孟军;[N];科技日报;2004年
杨健;[N];人民日报;2003年
谌达军 通讯员
王佳;[N];长江日报;2008年
任海军;[N];新华每日电讯;2010年
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室副主任 周济;[N];中国电子报;2003年
;[N];绍兴日报;2010年
;[N];科技日报;2002年
中国博士学位论文全文数据库
任琳;[D];吉林大学;2010年
吴语茂;[D];中国科学技术大学;2010年
罗丹;[D];天津大学;2010年
李胜;[D];电子科技大学;2010年
林密;[D];电子科技大学;2010年
陈海滨;[D];浙江大学;2009年
侯金;[D];华中科技大学;2011年
万勇;[D];青岛大学;2010年
亓丽梅;[D];电子科技大学;2009年
费宏明;[D];山西大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库
张勇勇;[D];天津大学;2010年
王雷雷;[D];电子科技大学;2011年
江慧;[D];大连理工大学;2010年
刘洋;[D];上海交通大学;2010年
赵优美;[D];山东建筑大学;2010年
张芬;[D];电子科技大学;2010年
孙静;[D];江苏大学;2010年
吉亚萍;[D];天津师范大学;2010年
方博;[D];上海交通大学;2010年
杨春云;[D];南昌大学;2010年
&快捷付款方式
&订购知网充值卡
400-819-9993
《中国学术期刊（光盘版）》电子杂志社有限公司
同方知网数字出版技术股份有限公司
地址：北京清华大学 84-48信箱 知识超市公司
出版物经营许可证 新出发京批字第直0595号
订购热线：400-819-82499
服务热线：010--
在线咨询：
传真：010-
京公网安备75号上传用户：lzociullpi资料价格：5财富值&&『』文档下载 ：『』&&『』学位专业：&关 键 词 ：&&&权力声明：若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请点击。摘要:（摘要内容经过系统自动伪原创处理以避免复制，下载原文正常，内容请直接查看目录。）因为光子晶体特别光学性质使得对光子晶体的研讨，不管是在实际上，照样试验和运用上都获吸引了人们普遍的存眷。光子晶体构造可以很好的掌握光路的流传途径，并且还能当今的半导体资料迷信和周详加工工艺很好地联合，极有能够成为将来光电家当的基本资料。光子晶体的制造进程中会弗成防止的掺入杂志。因为在光子晶体中搀杂引入缺点将会损坏光子晶体本来的周期性构造或许周期单位中资料构造的物理特征，惹起光子晶体的带隙构造产生变更。因为缺点的引入，本来无缺的光子晶体带隙构造中将发生异常强的光子局域，构成缺点模。应用传输矩阵法研讨光在出缺陷构造的单负一维光子晶体的传输特征。起首评论辩论了带出缺陷构造的单负一维光子晶体的透射谱、反射谱和光场，剖析缺点构造对单负资料一维光子晶体的缺点模的影响。经由数值模仿发明，缺点构造的光学厚度会影响缺点模的中间频率和空间散布，缺点层四周的介质资料参数也会影响缺点的光学特征。是以，转变缺点层的数量和在光子晶体中的地位可使缺点模的地位产生挪动并有能够招致缺点模决裂。为了可以或许完成对光波的传输进程的静态调理，测验考试选择搀杂介电常数或磁导率可以随外场转变的资料作为光子晶体中的缺点层，如许便可以经由过程转变外加电场或许磁场完成对缺点模的调理，光波传输的静态调理。假如在两种单负资料构成的一维光子晶体中掺入了周期分列的单负资料缺点层，该构造的带隙构造内一直有两个缺点模，这两个缺点模的地位会跟着缺点层数量的变更或许缺点层厚度的变更而挪动。Abstract:Because the photonic crystal special optical properties makes the study of photonic crystal, whether in fact, still in the experiment and the use of the same to attract the attention of the people. Photonic crystal structure can be a very good grasp optical spreading way, and also today's semiconductor materials science and careful processing technology is combined, can become the future optoelectronic possessions of the basic data. Photonic crystal manufacturing process will be put into the prevention of the incorporation of the magazine. Because in the photonic crystal doped into disadvantages will damage photonic crystal original periodic structure may cycle unit in the data structure of the physical characteristics and cause of photonic crystals with gap structure changes. Because of the shortcomings of the introduction, the original photonic crystal band gap structure will be the occurrence of abnormal strong photon localization, constitute the shortcomings of the model. Application of transfer matrix method to study the transmission characteristics of single negative one-dimensional photonic crystal with defect structure. First of all, the transmission spectrum, the reflection spectrum and the light field of the single negative one-dimensional photonic crystal with defect structure are discussed, and the influence of the defect structure on the defect mode of one dimensional photonic crystal with single negative data is analyzed. By numerical simulation of the invention, the shortcomings of the optical thickness of the structure will affect the shortcomings of the middle frequency and spatial distribution, the shortcomings of the material parameters around the layer will also affect the optical characteristics of the shortcomings. Is to transition faults layer number and in the photonic crystal position can make the position of defect mode move and can cause the defect mode break. In order to perhaps to complete the light transmission process in the static conditioning and test selection mixed permittivity or permeability with field change as the shortcomings of the photonic crystal layer, such can through the process of change applied electric field or magnetic field to complete on the defect mode of conditioning, lightwave transmission static conditioning. If in two kinds of one-dimensional photonic crystals with single negative materials constitute the incorporation of a periodic breakdown of single negative material defect layer, the structure within the band gap structure has two disadvantages of mode, the position of the two defect modes will follow changes to the shortcomings of the number of layers may defect layer thickness change and move.目录:摘要6-7Abstract7-8目录9-11第1章 绪论11-19&&&&1.1 引言11-12&&&&1.2 光子晶体的概念12-13&&&&1.3 光子晶体的结构与特性13-16&&&&&&&&1.3.1 光子晶体的结构13-15&&&&&&&&1.3.2 单负材料光子晶体的结构特性15-16&&&&1.4 单负材料光子晶体的研究背景16-17&&&&1.5 本论文的的安排及主要工作17-19第2章 光子晶体的理论基础19-24&&&&2.1 平面波展开法19&&&&2.2 有限时域差分法19-21&&&&2.3 传输矩阵法21-23&&&&2.4 结论23-24第3章 含负材料光子晶体的能带24-41&&&&3.1 引言24-25&&&&3.2 常规介质材料光子晶体的带隙结构25-28&&&&3.3 含负材料光子晶体的能带28-33&&&&&&&&3.3.1 正负材料光子晶体的带隙结构29-32&&&&&&&&3.3.2 单负材料光子晶体的带隙结构32-33&&&&3.4 传输矩阵法研究有缺陷结构的单负材料光子晶体的带隙结构33-41&&&&&&&&3.4.1 理论分析33-35&&&&&&&&3.4.2 数值模拟研究35-39&&&&&&&&3.4.3 结论39-41第4章 缺陷结构对单负材料光子晶体带隙的影响41-51&&&&4.1 光子晶体的缺陷结构41-43&&&&4.2 含负折射率半波缺陷结构光子晶体的缺陷模43-44&&&&4.3 两端对称型缺陷结构光子晶体的缺陷模44-46&&&&4.4 缺陷结构参数对含单负材料的一维光子晶体中的缺陷模的影响46-51总结与展望51-52致谢52-53参考文献53-57论文所使用的程序57-58分享到：相关文献|
