b内存533升到667手机频繁自动重启重启是内存电压的事吗

电脑故障排除基本知识----内存/cpu
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&&&&& 内存、CPU
256MB DDR333 DDR266SL-86SPE-LCPUCeleron 2.4GHzDDR266DDR333
CPUSL-86SPE-LBIOSDRAM FrequencyAuto266MHz333MHz400MHzCPU100MHzCPUAuto266MHzCeleron 2.4GHz100MHzDDR400DDR266CPU200MHzP4CPU333MHzCPU166MHzCPU
CPUSempron2400+NF7256MB DDR400256MB DDR333DDR400DDR400
DDR400Sempron 2400333MHzCPUDDR333DDR400BIOSCPUCPU120nForce2DDR400BIOStCLtRCD
D2.4GHz256MB DDR400865p80GBFX5200 64MB333MHz
DDR400400MHzDDRCPU FSBD2.4GHz CPUDDR333BIOSDDR 400
P4PE-Xi845PECeleron 2.0GHzKingston 256MB DDR266256MB DDR400
NK7U ProDDR400DDR333
NK7U PronFoce2 Ultra400DDR400DDR333DDR333
i865PE256MB DDR400512MB DDR400CPU-Z256MB512MB256MB512MB1324
Intel 865PESiS4
i915Pi925XDDRDDR2DDR2DDR2DDR
DDR2JEDECDDRDDRDDR24bit PrefetchDDR2DDR SDRAMDDRDDR24DDR2CorsairOCZ533MHz DDR2DDR21.8VDDR2.5VDDR2240PinDDR184PinDDR2533MHz4.3GB/s667MHz5.3GB/s800MHz6.4GB/s
2.4GHzIntel845HY256MBHY 256MB
9533MHzCPUDDR400
FSB533MHzCPUDDR400D330JDDR400DDR400FSB800CPU256MB512MB
FSB533MHzCPUDDR400DDR400DDR400DDR333256MB512MB
Intel 865perl,CPUP4C 2.8GHz,512MB(),Intel active monitorCPU45CPU6870zone154zone260,zone1zone2?3?
Top Tech CPUzone1zone2CPUCPU30CPU70CPUCPU
845PEP4 1.7GHz CPU40GBHY 256MB DDR333Windows XPCPU100%
IntelAMDAMDIntelCPU
AIntelCPUAMDCPUAMDCPUOpteronDieI/OIntelIntelCPUAMDBIOSSocket939CPUIntelCPU
CPUP4E 3.0GHz
CPUP4E 3.0GHzPrescott110WPrescott
865PEP42.4GHz CPU256MB2120GB 8MB SATA1
CPUCPUBIOSCPU Thermal-ThrottlingCPUCPUCPUCPUCPUDelay Prior to ThermalP4CPUCPUP4CPUCPU
发表评论:
TA的最新馆藏[转]&[转]&[转]&[转]&&主题:内存条的频率究竟是多少?有图有真相
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这是我的X201中的内存条参数截图
我不明白10600的内存,频率怎么是667MHz?
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&浏览:2117&&回帖:7 &&
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原文由 pcxu 在 23:26发表
不知道是谁最先想出来这种迷惑人的说法的,动不动就峰值传输率之类的.
我是当年做PCI接口是才发现的这个问题. 这种说法也没错,充分利用内存,不停读写,指的是这种状态下的数据传输
泡网分: 24.478
帖子: 3001
注册: 2006年11月
原文由 numeric 在 11:56发表
10700是指你DDR3 1333单条内存的理论带宽为:;667是指你内存的实际频率为667MHz,但由于DDR的读写是并行的,所以相对于老的SDRAM读写串行方式来说,实际效率相当于老的667的两倍。 前面的对,后面的不对,sdram也是并行的,不过是每个sclk时钟周期一次数据有效,ddr是2次,上升沿和下降沿,可以分别获取数,所以1333是 667*2
泡网分: 45.325
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原机总线是1066,换上1333的内存,显示速度为1333,是什么道理?
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注册: 2001年07月
不知道是谁最先想出来这种迷惑人的说法的,动不动就峰值传输率之类的.
我是当年做PCI接口是才发现的这个问题.
泡网分: 1.837
注册: 2011年09月
嗯,补充一下,刚说的DDR并行读写是伪并行,只能说是读或写需要的时间只有SDRAM的一半,所以实际效率就是后者的2倍了。
泡网分: 25.906
帖子: 1232
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DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术,DDR,英文原意为“DoubleDataRate”,顾名思义,就是双数据传输模式。之所以称其为“双”,也就意味着有“单”,我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”,这种内存的特性是在一个内存时钟周期中,在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写),而DDR则引用了一种新的设计,其在一个内存时钟周期中,在方波上升沿时进行一次操作,在方波的下降沿时也做一次操作,之所以在一个时钟周期中,DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务,所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比,性能要超出一倍,可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR内存不向后兼容SDRAM
DDR内存采用184线结构,DDR内存不向后兼容SDRAM,要求专为DDR设计的主板与系统。
DDR-II内存将是现有DDR-I内存的换代产品,它们的工作时钟预计将为400MHz或更高(包括现代在内的多家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产品)。从JEDEC组织者阐述的DDR-II标准来看,针对PC等市场的DDR-II内存将拥有400-、533、667MHz等不同的时钟频率。
高端的DDR-II内存将拥有800-、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR-II内存将采用0.13微米的生产工艺,内存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。 DDR-II将采用和DDR-I内存一样的指令,但是新技术将使DDR-II内存拥有4到8路脉冲的宽度。DDR-II将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和中断指令。DDR-II标准还提供了4位、8位512MB内存1KB的寻址设置,以及16位512MB内存2KB的寻址设置。
DDR-II内存标准还包括了4位预取数(pre-fetch of 4 bits)性能,DDR-I技术的预取数位只有2位。
DDR3的市场导入时间预计为2006年下半,最高数据传输速度标准较达到1600Mbps。不过,就具体的设计来看,DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲,DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时,其内核工作频率已经达到200MHz,因此再向上提升较为困难,这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面,也是由于速度提高的缘故,内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构,而且业界也要求内存要具有更低的能耗,所以,DDR3要满足的需求就是:
更高的外部数据传输率
更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足上述要求,DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计:
8bit预取设计,DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz
采用点对点的拓朴架构,减轻地址/命令与控制总线的负担
采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。
下面我们通过DDR3与DDR2的对比,来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新成员。
DDR3与DDR2的不同之处
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)
DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL,Burst Length)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
5、新增功能——重置(Reset)
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能,如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有的操作,并切换至最少量活动的状态,以节约电力。在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
6、新增功能——ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(ODCE,On-Die Calibration Engine)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
7、参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF,在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA,另一个是为数据总线服务的VREFDQ,它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
8、根据温度自动自刷新(SRT,Self-Refresh Temperature)
为了保证所保存的数据不丢失,DRAM必须定时进行刷新,DDR3也不例外。不过,为了最大的节省电力,DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计(ASR,Automatic Self-Refresh)。当开始ASR之后,将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率,因为刷新频率高的话,消电就大,温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下,尽量减少刷新频率,降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计,并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能,因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围(SRT,Self-Refresh Temperature)。通过模式寄存器,可以选择两个温度范围,一个是普通的的温度范围(例如0℃至85℃),另一个是扩展温度范围,比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围,DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。
9、局部自刷新(RASR,Partial Array Self-Refresh)
这是DDR3的一个可选项,通过这一功能,DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank,而不是全部刷新,从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存(Mobile DRAM)的设计很相似。
10、点对点连接(P2P,Point-to-Point)
这是为了提高系统性能而进行了重要改动,也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器将只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P,Point-to-Point)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(P22P,Point-to-two-Point)的关系(双物理Bank的模组),从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始,引脚设计还没有最终确定。
除了以上10点之外,DDR3还在功耗管理,多用途寄存器方面有新的设计,但由于仍入于讨论阶段,且并不是太重要的功能,在此就不详细介绍了。下面我们来总结一下DDR3与DDR2之间的对比:
DDR2与DDR3规格对比,业界认为DDR3-800将被限定于高端应用市场,这有点像当今DDR2-400的待遇,预计DDR3在台式机上将以1066MHz的速度起步。
泡网分: 1.837
注册: 2011年09月
10700是指你DDR3 1333单条内存的理论带宽为:;667是指你内存的实际频率为667MHz,但由于DDR的读写是并行的,所以相对于老的SDRAM读写串行方式来说,实际效率相当于老的667的两倍。
&版权所有:&&桂ICP备号&增值电信业务经营许可证高手帮忙看一下升级这个电脑内存条,电脑会快点吗?_百度知道查看: 1025|回复: 6
靠,兄弟们想加内存的赶紧啊~~~
品牌、规格 本月报价 现代512M& &DDR2 533 135元 金士顿512M&&DDR2 533 135 宇瞻512M DDR2&&667 135 现代512M DDR2&&667 140现代1G DDR2&&667 245宇瞻1G DDR2 667 245 金士顿1G DDR2 667 245
& &&&刚上网看了 一下,5月份的内存市场,笔记本内存受到台式机的内存的极大影响,同样进入了疯狂的降价阶段,1G的
的DDR2 667内存在一月份大降130以上,最新的报价只有245,而512的只有135,靠,变得也太快了吧,两个月之前,
我把内存升到2G,花了我800多大洋,现在也就要花个500就行了,
,亏死了,达到前面那个价位的有金士顿,
现代,KINGMAX,宇瞻等,笔记本用户可选的产品还是比较丰富的,现在512,是时候加个内存了,毕竟VISTA终究会取代XP,
个人认为价格不会再降,毕竟1G的667 的条子成本价格在200左右,再加上运费和利润的等中间环节,如今的245已经相当
诱人了,就目前看来,我认为短期内还是有可能疯长的 ,所以近期购买算的上是好的时机了。。。。
公布一下几种条子的价格。。。
早知道再等等了,害我多花了300多~~~~~
回复 #1 国产007 的帖子
没有办法,今年上半年存储市场一直在降价,
支持你& & 我现在也这么看待这个问题&&是时候了
上期电脑报上了已经登了,不过我觉得内存的价格只会降不会升,看各位的目的了,想尝试VISTA的可以考虑下,平时用的还行的话就再等等吧!
~~~~~~~~~~~~~~~
目前1G DDR2 667的存储芯片价格在150元以内~~
据预测,1G DDR2 667内存的最低价可能在180左右~~
想加成1G的,再==吧!
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