原标题：新一代存储技术终亮相中芯国际联合开发的ReRAM将垄断下一个时代？
在人工智能、云计算和大数据等前沿技术的驱动下不论是普通消费者还是企业级客户，对于存储的需求是愈加强烈而传统存储技术相对滞后的发展速度显然已经很难满足现实的需求，市场急需新一代存储技术的出现
近日，专紸于ReRAM技术的Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片正式出样而更为先进的28nm工艺的ReRAM芯片也将在今年上半年問世。这意味着在存储领域即将迎来一场变革
随着电子产品的愈加智能化，为了更快速的处理通信协议、身份认证、消息生成和数据累計等任务应用程序的底层代码也是越写越长，从以前的几千字节发展到现如今的几兆字节这也就自然而然地导致当前的存储手段已无法满足新一代技术对存储容量和存储性能的要求。
反观当前的闪存技术信息的存储是基于电荷密度，丢失几个电子会导致严重的可靠性問题一旦芯片尺寸低于25nm，闪存技术的耐久性、维持性和可靠性就会出现严重的不确定性每当有新的单片机和晶片系统需要被设计时，設计人员在做结构设计时必须考虑到存储器容量、架构和集成等相关问题但这种努力并非是一劳永逸，另一批系统架构师仍旧需要重新研究嵌入式存储模块与逻辑处理单元集成的方式
根据分析公司Web-FeetResearch的预测，到2018年消费类电子产品的存储器市场将达到
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