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【用　途】
光耦合电路
【性能 参数】
10V/16typmA,光敏:最大工作=150V。
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& ：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
& 隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
& 光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
&&集电极-发射极电压：集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(&DCTR=&DIC/&DIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。
& 电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%(如4N35)，而pc817则为80%～160%，台湾亿光(如EL817)可达50%～600%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
& 使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
& 在开关电源的隔离中，以及设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，除了必须遵循普通光耦的选取原则外，还必须遵循下列原则：&&
&& 1、推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整
　 2、光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR5.0mA)，才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR>200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。
　 3、若用放大器电路去驱动光电耦合器，必须精心设计，保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。
以下是光电耦合器的一些参数：
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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器特点oTIL11X系列： TIL111 ， TIL117oMCT2X系列： MCT2 ， MCT2Eo输入和输出之间的高隔离电压维索= 5000 Vrms的o爬电距离&7.6毫米o紧凑型双列直插式封装o工作温度可达+ 110℃o无铅并符合RoHS标准。oUL认证（ E214129号）oVDE认证（ 132249号）oSEMKO认证oNEMKO认可oDEMKO批准oFIMKO批准oCSA认证oCQC批准TIL11X系列MCT2X系列描述该TIL11X系列和MCT2X系列中各器件由一个红外发光二极管的光耦合到的光电晶体管探测器。它们封装在一个6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。概要应用电源稳压器数字逻辑输入微处理器的输入电器系统工业控制1.阳极2.阴极3.未连接4.发射器5.集热器6.基地EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： DPC- 00000481第3版日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器绝对最大额定值（TA=25°C)参数正向电流峰值正向电流（ T = 10微秒）输入反向电压功耗降额因子（高于100 ℃）集电极耗散功率降额因子（高于100 ℃）产量集电极 - 发射极电压集电极 - 基极电压发射极 - 集电极电压总功耗隔离电压*2工作温度储存温度焊接温度*3符号IFIFMVRPDTIL11X系列MCT2X系列等级60161003.81509.0808072005000-55~+110-55~+125260单位mAAVmW毫瓦/°C的mW毫瓦/°C的VVVmWVRMS°C°C°CPCV首席执行官VCBOVECOP合计VISOTOPRT英镑TSOL笔记* 1交流电进行1分钟， RH = 40? 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6被短接在一起。* 2 10秒。EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： DPC- 00000482第3版日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器电气特性（TA= 25° ，除非另有规定）输入参数TIL111符号分钟。--正向电压TIL117MCT2MCT2E反向电流IRVF----TYP 。 *1.22-1.321.11.23-马克斯。1.41.4--1.510uAV单位TIL11X系列MCT2X系列条件IF= 16毫安TA=0-70℃, IF= 16毫安TA= -55℃, IF= 16毫安TA=110℃, IF= 16毫安IF= 20mA下VR= 6V产量参数集电极 - 基暗电流集电极 - 发射极暗当前集电极 - 发射极击穿电压集电极 - 基击穿电压发射极 - 集电极击穿电压发射极 - 基击穿电压所有I首席执行官TIL117BV首席执行官BVCBOBVECOBVEBO-8080770.2----50----nAVVVV符号ICBO分钟。--TYP 。 *-1马克斯。2050单位nAnA条件VCB= 10VVCE= 10V ，我F= 0毫安VCE= 30V ，我F= 0毫安，TA=70℃IC= 1毫安IC= 0.01毫安IE= 0.1毫安IE= 0.1毫安传输特性参数集电极电流（光电晶体管操作）集电极电流（光电二极管操作）电流传输比符号分钟。2TIL111IC（ ON）7TIL117MCT2MCT2ECTR5020------%uAIF= 16毫安，VCB= 0.4VIF= 10毫安，VCE= 10VIF= 10毫安，VCE= 10VTYP 。 *-马克斯。-单位mA条件IF= 16毫安，VCE= 0.4VEVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： DPC- 00000483第3版日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器传输特性参数集电极 - 发射极饱和电压绝缘电阻输入输出电容开启时间打开-O FF时间上升时间下降时间开启时间打开-O FF时间上升时间下降时间TIL117TIL117TIL117TIL111TIL117TIL111MCT2MCT2EMCT2MCT2EMCT2MCT2EMCT2MCT2E所有VCE （ SAT ）TIL117RIOCIOTonT关闭trtfTonT关闭trtf符号分钟。--1011---------TYP 。 *----109683333马克斯。0.4V0.4-2121210101010us1010usΩpF单位TIL11X系列MCT2X系列条件IF= 16毫安，我C= 2毫安IF= 10毫安，我C- 0.5毫安VIO= 500V直流VIO= 0中，f = 1MHz的VCC= 10V,IC= 2毫安，RL= 100ΩVCC= 10V,IF= 10毫安，RL= 100Ω*在T典型值a= 25°CEVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： DPC- 00000484第3版日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器典型性能曲线TIL11X系列MCT2X系列EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： DPC- 00000485第3版日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器特点oTIL11X系列： TIL111 ， TIL117oMCT2X系列： MCT2 ， MCT2Eo输入和输出之间的高隔离电压维索= 5000 Vrms的o爬电距离&7.6毫米o紧凑型双列直插式封装o工作温度可达+ 110℃o无铅并符合RoHS标准。oUL认证（ E214129号）oVDE认证（ 132249号）oSEMKO认证（ No.716108 / 716109号）oNEMKO认可（编号P ）oDEMKO批准（编号313924 ）oFIMKO批准（编号FI 22807 ）oCSA认证（ No.1969132 ）TIL11X系列MCT2X系列描述该TIL11X系列和MCT2X系列中各器件由一个红外发光二极管的光耦合到的光电晶体管探测器。它们封装在一个6引脚DIP封装，可在宽引线间距和SMD选项。概要应用电源稳压器数字逻辑输入微处理器的输入电器系统工业控制1.阳极2.阴极3.未连接4.发射器5.集热器6.基地EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： PDS - ELST -117第2版1日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器绝对最大额定值（TA=25°C)参数正向电流峰值正向电流（ T = 10微秒）输入反向电压功耗降额因子（高于100 ℃）集电极耗散功率降额因子（高于100 ℃）产量集电极 - 发射极电压集电极 - 基极电压发射极 - 集电极电压总功耗隔离电压*2工作温度储存温度焊接温度*3符号IFIFMVRPDTIL11X系列MCT2X系列等级5016703.8150单位mAAVmW毫瓦/°C的mW毫瓦/°C的VVVmWVRMS°C°C°CPC9.0V首席执行官VCBOVECOP合计VISOTOPRT英镑TSOL808072005000-55~+110-55~+125260笔记* 1交流电进行1分钟， RH = 40? 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6被短接在一起。* 2 10秒。EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： PDS - ELST -117第2版2日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器电气特性（TA= 25° ，除非另有规定）输入参数TIL111符号分钟。--正向电压TIL117MCT2MCT2E反向电流IRVF----TYP 。 *1.22-1.321.11.23-马克斯。1.41.4--1.510uAV单位TIL11X系列MCT2X系列条件IF= 16毫安TA=0-70℃, IF= 16毫安TA= -55℃, IF= 16毫安TA=110℃, IF= 16毫安IF= 20mA下VR= 6V产量参数集电极 - 基暗电流所有I首席执行官TIL117集电极 - 发射极击穿电压集电极 - 基击穿电压发射极 - 集电极击穿电压发射极 - 基击穿电压BV首席执行官BVCBOBVECOBVEBO-8080770.2----50----uAVVVV符号ICBO分钟。--TYP 。 *-1马克斯。2050单位nAnA条件VCB= 10VVCE= 10V ，我F= 0毫安VCE= 30V ，我F= 0毫安，TA=70℃IC= 1毫安IC= 0.01毫安IE= 0.1毫安IE= 0.1毫安集电极 - 发射极暗当前传输特性参数集电极电流（光电晶体管操作）集电极电流（光电二极管操作）电流传输比符号分钟。2TIL111IC（ ON）7TIL117MCT2MCT2ECTR20--50----%IF= 10毫安，VCE= 10VuAIF= 16毫安，VCB= 0.4VIF= 10毫安，VCE= 10VTYP 。 *-马克斯。-单位mA条件IF= 16毫安，VCE= 0.4VEVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： PDS - ELST -117第2版3日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器传输特性参数集电极 - 发射极饱和电压绝缘电阻输入输出电容开启时间打开-O FF时间上升时间下降时间开启时间打开-O FF时间上升时间下降时间TIL117TIL117TIL117TIL111TIL117TIL111MCT2MCT2EMCT2MCT2EMCT2MCT2EMCT2MCT2E所有VCE （ SAT ）TIL117RIOCIOTonT关闭trtfTonT关闭trtf-1011------------1096833330.4-2121210101010us1010usΩpF符号分钟。-TYP 。 *-马克斯。0.4V单位TIL11X系列MCT2X系列条件IF= 16毫安，我C= 2毫安IF= 10毫安，我C- 0.5毫安VIO= 500V直流VIO= 0中，f = 1MHz的VCC= 10V,IC= 2毫安，RL= 100ΩVCC= 10V,IF= 10毫安，RL= 100Ω*在T典型值a= 25°C典型性能曲线EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： PDS - ELST -117第2版4日6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR光电耦合器TIL11X系列MCT2X系列EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。文件编号： PDS - ELST -117第2版5日
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