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模拟电子技术基础期末试题.doc70页
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1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻
;反向电阻
3、二极管的最主要特性是
单向导电性
。PN结外加正向电压时,扩散电流
漂移电流,耗尽层
4、二极管最主要的电特性是
单向导电性
,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为
电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场
具有单向导电
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为
0.7 伏;其门坎电压Vth约为
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由
运动形成。
9、P型半导体的多子为
、N型半导体的多子为
、本征半导体的载流子为
电子―空穴对
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为
半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是
单向导电性
,它的两个主要参数是反映正向特性的
最大整流电流
和反映反向特性的
反向击穿电压
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,
输出随频率连续变化的稳态响应
15、N型半导体中的多数载流子是
,少数载流子是
16、按一个周期内一只
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电路如下图所示,设Rs=2kΩ,β=100。试求:(1)Q点;(2)电压增益和;(3)输入电阻Ri;(4)输出电阻Ro1和Ro2。
悬赏:0&答案豆
提问人:匿名网友
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电路如下图所示,设Rs=2kΩ,β=100。试求:(1)Q点;(2)电压增益和;(3)输入电阻Ri;(4)输出电阻Ro1和Ro2。&&
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1在LC正弦波振荡电路中,不用通用型集成运算放大器作放大电路的原因是其上限截止频率太低,难以产生高频振荡信号。
)2当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。
)3一般情况下,电压比较器的集成运算放大器工作在开环状态,或者引入了正反馈。
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在题图所示的反相比例运算电路中,设R1=10kΩ,RF=500kΩ。试求闭环电压放大倍数Auf和平衡电阻R2。若ui=10mV,则uo
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提问人:匿名网友
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在题图所示的反相比例运算电路中,设R1=10kΩ,RF=500kΩ。试求闭环电压放大倍数Auf和平衡电阻R2。若ui=10mV,则uo为多少?
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1在LC正弦波振荡电路中,不用通用型集成运算放大器作放大电路的原因是其上限截止频率太低,难以产生高频振荡信号。
)2当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。
)3一般情况下,电压比较器的集成运算放大器工作在开环状态,或者引入了正反馈。
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