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优质商品推荐MOS管厂家_高低压mos管批发价格_最新三极管型号生产哪家好广州飞虹
广州飞虹半导体有限公司成立于广州越秀区，诚信经营20多年，主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等领域，为国内的电器厂家提供了优质的配套服务，为了实现公司销售、生产、研发的战略目标，于2002年1月创办了半导体封装工厂…广州飞虹友益电子科技有限公司，注册资本3600万元人民币，专业生产半导体分立器件，公司位于广州保税区，占地面积20亩，厂房3层共13000平方米，企业员工300多人。是中国大功率MOS管重点封装基地之一。
半导体产品的应用领域
The application field of semiconductorv
节能灯照明、LED照明
适配器、开关电源、充电器等
逆变电源、光伏逆变
汽车电子、电动车
控制器、转换器、充电器、智能钥匙等
电视机、饮水机、雾化器、咖啡机、豆浆机等
以及步进电机等
家用、KTV、专业舞台音响及调音台等
Product Centerv
FHP75N100为低压大电流功率场效应管，广泛应用于电源逆变器和同步整流电路。
TO-220 / FHP75N100
FHD80N07为低压大电流功率MOS场效应管，广泛应用于电动车控制器和同步整流电路中。
TO-252 / FHD80N07
FHD50N06为低压大电流功率场效应管，广泛应用于电源逆变器和同步整流电路。
TO-263 / FHD50N06
FHP/D9540为P沟道功率金属氧化物场效应管，广泛应用于便携式设备和电池供电的系统。
TO-251 / FHP9540
5N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
TO-263 / 5N60
4N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
TO-220F / 4N60
2N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
TO-220 / 2N60
1N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器。
TO-92 / 1N60
78L05为三端正稳压电路，能提供固定输出电压，应用范围广，内含短路限流、过热、保护电路。
TO-92 / FH 78L05
可调范围大，热稳定性好，转换快速。
TO-92 / FH TL431
LM317是可调三端正电压稳压器，提供超过1.5A的电流输出，输出电压可调范围1.3V至37V。
TO-220 / FH LM317
78XX系列是TO-220封装的正电三端稳压器，内置有电流限制，过热保护和过载保护。
TO-220 / FH 78系列
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半导体产品应用经验30年
从成立初期半导体产品应用于玩具、小家电开始，逐渐发展到各个领域；秉承“优质服务”的理念，为用户量身定制
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产品可量身定制、种类多样
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多年为一流品牌代工OEM
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专注大功率MOS管制造15年
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国际品质、国内价格
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正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题……
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肖特基二极管相信对于专业人士一定不会陌生，肖特基二极管在我们日常生活中大量使用，肖特基二极管是以发明人肖特基博士命名……
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浅谈功率半导体的技术与未来产业发展
　　功率半导体作为一种重要的元器件，在强电与弱点之间的转换控制中起着十分重要的作用，自诞生以来一直备受工程师的喜爱和关注。经过了很长一段时间的发展，功率半导体在相关电源电路中的应用已经不可替代。尤其是在当前太阳能着力发展的时代，功率半导体更是大踏步向前，虽然目前有着氮化镓与碳化硅等更好的材料，但由于价格以及相关因素的缘故，功率半导体器件在相当长一段时期内会起着重要的作用，下面我们就功率半导体的技术以及未来的技术发展趋势进行分析，希望能给大家提供必要的帮助。
　　一、功率半导体的重要性
　　功率半导体器件是进行电能（功率）处理的半导体产品，是弱电控制与强电运行间的桥梁。
　　在可预见的将来，电能将一直是人类消耗的最大能源。从手机、电视、洗衣机、到高速列车，均离不开电能。无论是水电、核电、火电还是风电，甚至各种电池提供的化学电能，大部分均无法直接使用，75%以上的电能应用需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。
　　每个电子产品均离不开功率半导体技术。功率半导体的目的是使电能更高效、更节能、更环保并给使用者提供更多方便。如通过变频来调速，使变频空调在节能50-70%的同时，更环保、更安静、让人更舒适。人们希望便携式电子产品一次充电后有更长的使用时间，在电池没有革命性进步以前，需要更高性能的功率半导体器件进行高效的电源管理。正是由于功率半导体能将&粗电&变为&精电&，因此它是节能减排的基础技术和核心技术。
　　随着绿色环保在国际间的确立与推进，功率半导体的应用范围已从传统的工业控制和4C产业（计算机、通信、消费类电子产品和汽车），扩展到新能源（风电、太阳能）、轨道交通、智能电网等新领域。据国际市场调研机构HISISuppliResearch报告，2011年全球功率半导体市场在2010年大增37.8%以后，继续增长6.7%，达到331亿美元。中国是全球功率半导体的最大市场，占据了超过全球50%以上的份额。
　　与微处理器、存储器等数字集成半导体相比，功率半导体的产品寿命周期相对较长，可为几年甚至十几年；同时功率半导体不追求特征尺寸的快速缩小，不要求最先进的生产工艺，其生产线成本远低于Moore定律制约下的超大规模集成电路。因此，功率半导体非常适合我国的产业现状以及我国能源紧张和构建和谐社会的国情。
　　二、功率半导体的定义与分类
　　功率半导体（PowerSemiconductor，PowerManagementSemiconductor）器件可定义为进行功率处理的半导体器件。典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。
　　功率半导体器件包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路，前两者也称为功率（分立）器件。国内常常将功率（分立）器件称为电力电子器件，这是因为早期的功率半导体器件如大功率二极管、晶闸管等主要应用于工业和电力系统领域。
　　图1给出了功率半导体器件的分类。功率半导体器件包括功率（分立）器件（PowerDiscreteDevices）和功率集成电路。功率（分立）器件由功率二极管（PowerRecfiers和PowerDiodes）、功率晶体管（PowerTransistors）和晶闸管类器件（Thyristors）组成，其中常见的功率晶体管包括以VDMOS（VercalDouble-DiffusionMOSFET）为代表的功率MOS器件（PowerMOSFETs）、绝缘栅双极晶体管IGBT（InsulatedGateBipolarTransistors）和功率双极晶体管（PowerBipolarTransistors或PowerBJT：PowerBipolarJunconTransistors）。功率晶体管和晶闸管又可统称为功率开关器件（PowerSwitches）。
　　功率集成电路（PIC：PowerIC）在国际上又常被称为智能功率集成电路（SPIC：SmartPowerIC，国内又有人称之为灵巧功率集成电路）或高压集成电路（HVIC：HighVoltageIC），在本文中，我们将电源管理集成电路（PowerManagemenC）也纳入PIC的范畴。
　　二十世纪八十年代之前的功率半导体器件主要是功率二极管、可控硅整流器（SCR）和功率BJT。除功率BJT中部分功率不大的晶体管可工作至微波波段外，其余的功率半导体器件都是低频器件，一般工作在几十至几百赫兹，少数可达几千赫兹。然而功率电路在更高频率下工作时将凸显许多优点，如高效、节能、减小设备体积与重量、节约原材料等。因此在二十世纪八十年代发生了&20kHz革命&，即功率半导体电路中的工作频率提高到20kHz以上。这时传统的功率半导体器件如SCR和GTR（巨型晶体管或称为电力晶体管）等因速度慢、功耗大而不再适用，以功率MOS和IGBT为代表的新一代功率半导体器件因此应运而生。新一代功率半导体器件除具有高频（相对于传统功率器件而言）工作的特点外还都是电压控制器件，因而使驱动电路简单，逐渐成为功率半导体器件的主流和发展方向，在国际上被称为现代功率半导体器件（ModernPowerSemiconductorDevices）。
　　现代功率半导体器件的制造技术与超大规模集成电路一样都是以微细加工和MOS工艺为基础，因而为功率半导体的集成化、智能化和单片系统化提供了可能，进而促进了将功率半导体器件与过压、过流、过温等传感与保护电路及其驱动和控制电路等集成于同一芯片的单片功率集成电路的迅速发展。
　　目前市场主流的功率半导体器件是硅基器件，包括部分SOI（SOI：SilicononInsulator）基高压集成电路，随着以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体材料制备、制造工艺与器件物理的迅速发展，SiC和硅基GaN电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展领域。
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1)&&low power semiconductor laser
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Effects of low power semiconductor laser extravascular
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低功率半导体激光血管外照射对血脂、血液流变学指标的影响
2)&&high power diode laser
大功率半导体激光器
Research and Design on the Control System for High Power Diode L
大功率半导体激光器控制系统的研制
Laser transformation hardening was carried out on U74 rail steel by a self-developed high power diode laser.
使用自制的大功率半导体激光器对U74轨钢进行了相变硬化。
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首先从半导体激光器列阵的发光特性出发,利用楔形光纤排对大功率半导体激光器列阵光束进行耦合,最后得到一只含有19个纤芯,每个纤芯为200μm,数值孔径为0。
3)&&High power semiconductor laser
大功率半导体激光器
The incident power ratio of front and back cavity facet coatings was deduced,and the importance in optimized designing of electric field intensity(EFI) distribution of back cavity facet coatings for 808?nm high power semiconductor laser was explained.
从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上,选择适合制备808 nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料。
In order to solve the heat radiation of high power semiconductor lasers,the internal thermal distribution of the lasers and the influence of the laser diodes sintered by different solders(In,SnPb,AuSn)on the thermal resistance of the lasers were analyzed by ANSYS finite element software and the steady thermal simulation method.
为了解决大功率半导体激光器的散热问题,利用有限元软件ANSYS,采用稳态热模拟方法,分析了半导体激光器内部的温度分布情况,对比分析了In、SnPb、AuSn几种不同焊料烧结激光器管芯对激光器热阻的影响。
The high efficiency and high power semiconductor laser with multi-active regions, which are cascaded by reverse biased tunnel junction(s) can resolve the problems in theory and ov.
大功率半导体激光器在光通讯、医疗、军事、印刷和光泵浦等领域有着广泛的应用，然而当通过增加注入电流提高传统半导体激光器的光束出功率时，要受到电热烧毁和光腔面灾变性损坏(COD)的限制。
4)&&high power semiconductor laser
高功率半导体激光器
It closely relates with the quality and reliability of the high power semiconductor laser.
为实现对高功率半导体激光器快速、有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析。
Application of high power semiconductor laser were summarized in some fields such as laser communication, laser guidance, laser radar, laser fuse, laser range-finding, laser night vision and illumination, laser simulating weapon and military fiber peg-top, etc.
简要阐述了高功率半导体激光器在激光通信、激光制导、激光雷达、激光引信、激光测距、激光夜视与照明、激光模拟武器以及军用光纤陀螺等领域的应用。
5)&&High power semiconductor lasers
大功率半导体激光器
The recent progress of high power semiconductor lasers are reviewed with focusing on reliability,power conversion efficiency,wavelength stabilization and extended wavelength range.
大功率半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛的应用。
6)&&high-power semiconductor laser
大功率半导体激光器
This paper gives a theoretical hypothesis witch explains the laser ablation of fiber end face by high-power semiconductor laser,and basic on the hypothesis we gained that coupling efficiency of the system is changing with time,such as ηt=η0t-aβmSk=η0t-aβρ.
本文提出大功率半导体激光器(LD)对光纤耦合界面的烧蚀的理论假设,得出系统耦合效率随时间的变化关系为ηt=η0t-αβmsk=η0t-αβρ。
Based on the law of refraction in vector form,the laser beam propagation in an aspheric and asymmetrical laser beam collimation system from high-power semiconductor laser has been researched for spatial laser beam long-distance propagation.
为实现空间激光束的远距离传输,利用矢量折射定理研究了大功率半导体激光器发散光束经非球面、非轴对称准直系统的光传输特性。
补充资料：半导体激光泵浦的激光晶体
半导体激光泵浦的激光晶体
laser crystal
　　半导体激光泵浦的激光晶体LD PumPed lasercrystal适用于半导体二极管作泵浦源的激光晶体。传统的固体激光器一般用闪光灯泵浦，由于闪光灯的发光区域宽，只有一部分能量被吸收后转换成激光，大部分转换成热量，使工作物质温度上升，恶化了输出激光束的质量。半导体激光器输出的激光谱线窄(一般为几纳米)，选择合适的半导体激光器，使其激光光谱与某种固体激光材料的吸收光谱匹配，即可达到高效泵浦，大大减轻固体工作物质的热负荷。
因为半导体激光器光泵区域小，需用的晶体尺寸也小，因此要求基质晶体内可掺入的激活离子浓度要高，且不产生浓度碎灭。此外，要求与光泵的半导体激光波长相匹配的晶体的吸收带要宽，吸收系数要大;要有低的阑值功率;Q开关运转时，荧光寿命要长。当泵浦光源从闪光灯改变为半导体激光二极管时，对被泵浦的激光晶体产生了不同的要求。用闪光灯泵浦时，对材料的热性能和机械性能有严格要求，而半导体泵浦则更注重材料的光谱性能。
在已使用的激光晶体中，掺钱石榴石(Nd:YAG)晶体的阑值功率低，光学质量高，是应用于半导体激光光泵的固体激光器的主要材料。由于Nd3+离子在基质晶体中受分凝系数的限制，Nd3+离子浓度不能太高，所以一些氟化物和钨、钥酸盐晶体等掺杂浓度高，激光效率高，荧光寿命长，有可能成为半导体激光泵浦的后选晶体。
用半导体泵浦可制成效率高、功率和频率稳定、激光束质量好、寿命长的全固化激光器，并经各种频率转换技术，可发展成各种波长、各种模式、各种运转方式的激光器，这种激光器将在很大范围内取代已有的各类固体、液体和气体激光器。
(沈鸿元)　　
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