在立创商城中的二极管电路型号的元器件好用吗?

原标题:立创商城:元器件科普の二极管电路的作用、原理、特性及用途

二极管电路可能是电子工程师最常听到和最常用到的元器件之一了本文将详细介绍关于二极管電路的基础知识,供大家参阅

相对于被动器件(如:电阻、电容、电感),二极管电路(英文:Diode)是半导体领域一个相当重要的基础器件今天我们就走进精彩的二极管电路半导体世界吧!

二极管电路是一种具有两个电极(一般用A、K极表示)的半导体器件,它最具特性的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为正向偏压)反向时阻断 (称为反向偏压)。大部分二极管电路所具备的电流方向性我们通常稱之为“整流(Rectifying)”功能许多的使用是应用其整流功能的。二极管电路的这种单向导通的特性简单可口述为“正向导电,反向不导电”可用下图(1) 来形象表示:

而下图(2)是市面上我们所常见的二极管电路外观:

现今最普遍的二极管电路大多是使用半导体材料如硅或锗,它是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场当不存在外加电压时,因为p-n结两边載流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加強形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因,

而当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因如下图4所示)。

二极管电路具有单向导电性其典型伏安特性曲线见下图(5)。当二极管电路两端加上正向偏压时当电压值较小时,电流极小;对于硅二极管电路当电压超过/bulletin/details_)成立于2011年,致力于为客户提供一站式电子元器件线上采购服务成交量全国领先。自建6000多平米现代化元器件仓库现货库存超50000种。本文由立创商城原創转载请注明出处,未经允许不得用作商业用途

二极管电路可能是电子工程师最瑺听到和最常用到的元器件之一了本文将详细介绍关于二极管电路的基础知识,供大家参阅

相对于被动器件(如:电阻、电容、电感),二极管电路(英文:Diode)是领域一个相当重要的基础器件今天我们就走进精彩的二极管电路半导体世界吧! 

二极管电路是一种具有两個电极(一般用A、K极表示)的半导体器件,它最具特性的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为正向偏压)反向时阻断 (称为反向偏压)。大部分二极管电路所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能许多的使用是应用其整流功能的。二极管电路的这种單向导通的特性简单可口述为“正向导电,反向不导电”可用下图(1) 来形象表示:

而下图(2)是市面上我们所常见的二极管电路外观:

現今最普遍的二极管电路大多是使用半导体材料如硅或锗,它是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就昰不导电的原因,

而当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因如下图4所示)。

二极管电路具有单向导电性其典型伏安特性曲线见下图(5)。当二极管电路两端加上正向偏压时当电压值较小时,電流极小;对于硅二极管电路当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大通常称此为二极管电路的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管電路处于完全导通状态通常称此电压为的导通电压,用符号VF表示

对于锗二极管电路,开启电压为0.2V导通电压VF约为0.3V。在二极管电路加有反向电压当电压值较小时,电流极小其电流值为反向饱和电流IS。

特别的当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场強度达到临界值产生载流子的倍增过程产生大量电子空穴对,电流开始急剧增大产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管电路的擊穿现象对应的称此电压为二极管电路的反向击穿电压,用符号VBR表示不同型号的二极管电路的击穿电压VBR值差别很大,从几十伏到几千伏

二极管电路种类有很多,按照所用的半导体材料可分为锗二极管电路(Ge管)和硅二极管电路(Si管)。根据其不同用途可分为检波②极管电路、整流二极管电路(如1N4001、M7等等)、稳压二极管电路、开关二极管电路(如1N4148)、肖特基二极管电路、发光二极管电路、光电二极管电路、激光二极管电路、变容二极管电路等等。按照管芯结构又可分为点接触型二极管电路、面接触型二极管电路及平面型二极管电蕗。点接触型二极管电路是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起形成┅个“PN结”。由于是点接触只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路如收音机的检波等,这类典型的二极管电路型号如:IN60面接触型二极管电路的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安)主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管电路是一种特制的硅二极管电路它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠多用于开关、脉冲及高频電路中。

1. 额定正向工作电流

额定正向工作电流指二极管电路长期连续工作时允许通过的最大正向电流值因为电流通过二极管电路会使管芯发热,温度上升温度超过容许限度,就会使管芯过热而损坏所以二极管电路使用中不要超过规定的工作电流值。硅管容许温度约为140oC锗管约为90oC。常用的IN4001的额定正向工作电流为1A

2.二极管电路的正向电压降 

它是指二极管电路导通时,二极管电路两端产生的正向电压降此徝越小越好。

3. 最高反向工作电压

加在二极管电路两端的反向工作电压高到一定值时管子将会击穿,失去单向导电能力为了保证使用安铨,规定了最高反向工作电值例如,lN4001二极管电路反向耐压为50VlN4007的反向耐压为1000V

是指二极管电路在规定的温度和最高反向电压作用下,流过②极管电路的反向电流反向电流越小,管子的单方向导电性能越好反向电流与温度密切相关,大约温度每升高10oC反向电流增大一倍。唎如2APl型锗二极管电路, 在25℃时反向电流为250 μA,温度升高到35℃反向电流将上升到500 μA,在75℃时它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性还会使管子过热而损坏。硅二极管电路比锗二极管电路在高温下具有较好的稳定性

从正向电压变成反向电压时,电流一般不能瞬時截止要延迟一点点时间,这个时间就是反向恢复时间它直接影响二极管电路的开关速度。

耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM昰指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。二极管电路的耗散功率与允许的节温有关硅二极管电路允许的最大节溫是150℃,而锗允许最大节温85℃半导体工作温度是有限的,当实际的功率增大是其节温也将变大,当节温达到150℃是此时的功率就是最夶的耗散功率。当然耗散功率与封装大小也有一定的关系,通常封装大点的器件其最大耗散功率也相对大点,最常见的就是大功率器件拥有大体积大面积的散热金属面。

 一个具体型号的二极管电路其耗散功率与测试条件有关比如测试环境温度和散热条件。耗散功率與环境温度有关温度越大,耗散功率越小通常情况下,测试出来的最大耗散功率是在25℃下随着环境温度的升高,其最大的耗散功率將减少因为该条件下的导热温差变小,比如说在25℃下某二极管电路耗散功率能达到1W,在75℃情况下耗散功率可能变成0.4W。允许最大耗散功率与散热条件有关散热条件越好,耗散功率越高在同一环境温度下,耗散功率为1W加了散热片之后,耗散功率可能变为1.7W

关于散热條件,表征散热措施的一个参数是热阻热阻反映阻止热量传递能力的综合参量。热阻跟电子学里的电阻类似都是反映“阻止能力”大尛的参考量。热阻越小传热能力越强;反之,热阻越大传热能力越小。从类比的角度来看热量相当于电流,温差相当于电压热阻楿当于电阻。其中热阻Rja:的热源结到周围冷却空气的总热阻,其单位是℃/W表示在1W下,导热两端的温差

   在设计过程中,人们更关注器件工作时的温度以确保在安全的工作范围。以1N4448HWS为例在环境温度为25℃情况下,实际功率为100mW时其温度为25+625*0.1=87.5℃,其能正常工作;当实际功率為200mW时其温度为25+625*0.2=150℃,这时候已经达到节温的最大温度了比较危险,应当避免

整流二极管电路主要用于整流电路,即把交流电变换成脉動的直流电整流二极管电路都是面结型,因此结电容较大使其工作频率较低,一般为3kHZ以下

二极管电路在正向电压作用下电阻很小,處于导通状态相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大处于截止状态,如同一只断开的开关利用二极管电路的单向开關特性,可以组成输入保护电路如下图所示:

二极管电路正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V锗管为0.3V)。利用这一特性在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内如下图所示,为了限制集成运放的差模输入电压保护其输入级,可加二極管电路限幅电路

在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用,应用如下图所示:

检波二极管电路的主要作用是把高频信号Φ的低频信号检出它们的结构为点接触型。其结电容较小工作频率较高,一般都采用锗材料制成, 应用如下图所示:

阻尼二极管电路多鼡在高频电压电路中能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流,一般用在电视机电路中如下图所示, 常用的阻尼二极管电路有D2499、2CN2、BSBS44等。

常用用于各种电子设备等显示器上LED指示灯、 LED数码管、LED显示屏等等

这种管子是利用二极管电路的反向击穿特性制成的,在电路中其两端的电压保持基本不变起到稳定电压的作用, 如下图所示。常用的稳压管有2CW55、2CW56等

触发二极管电路又称双向触发二极管电路(DIAC)属三层结構,具有对称性的二端半导体器件常用来触发双向可控硅;在电路中作过压保护、触发电路(如下图所示) 等用途。

本文摘自《立创快报》点击: 免费订阅。

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一、DHT11基础储备

DHT11 数字温湿度传感器昰一款含有已校准数字信号输出的温湿度复合传感器内部由一个 8 位单片机控制一个电阻式感湿元件和一个 NTC

测温元件。DHT11 虽然也是采用单总線协议但是该协议与 DS18B20 的单总线协议稍微有些不同之处。

相比于 DS18B20 只能测量温度DHT11 既能检测温度又能检测湿度,不过 DHT11 的精度和测量范围都要低于

相对湿度—指空气中水汽压与饱和水汽压的百分比)误差在±5%RH。DHT11 电路很简单只需要将 Dout 引脚连接单片机的一个 I/O

即可,不过该引脚需要仩拉一个 5K 的电阻DHT11 的供电电压为 3~5.5V

DHT11 采用单总线协议与单片机通信,单片机发送一次复位信号后DHT11 从低功耗模式转换到高速模式,等待主机复位结束后DHT11

发送响应信号,并拉高总线准备传输数据一次完整的数据为 40bit,按照高位在前低位在后的顺序传输

数据格式为:8bit 湿度整数数據+8bit 湿度小数数据+8bit 温度整数数据+8bit 温度小数数据+8bit 校验和,一共 5

字节(40bit)数据由于 DHT11 分辨率只能精确到个位,所以小数部分是数据全为 0校验和为前 4

個字节数据相加,校验的目的是为了保证数据传输的准确性

DHT11 只有在接收到开始信号后才触发一次温湿度采集,如果没有接收到主机发送複位信号DHT11

不主动进行温湿度采集。当数据采集完毕且无开始信号后DHT11 自动切换到低速模式。

注意:由于 DHT11 时序要求非常严格所以在操作時序的时候,为了防止中断干扰总线时序先关闭总中断,操作完毕后再打开总中断

1、 主机发送复位信号

DHT11 的初始化过程同样分为复位信號和响应信号。

首先主机拉低总线至少 18ms然后再拉高总线,延时 20~40us取中间值 30us,此时复位信号发送完毕

DHT11 检测到复位信号后,触发一次采样并拉低总线 80us 表示响应信号,告诉主机数据已经准备好了;然后 DHT11 拉高总线

80us之后开始传输数据。如果检测到响应信号为高电平则 DHT11 初始化失敗,请检查线路是否连接正常

当复位信号发送完毕后,如果检测到总线被拉低就每隔 1us 计数一次,直至总线拉高计算低电平时间;当总線被拉高后重新计数检测 80us

的高电平。如果检测到响应信号之后的80us 高电平就准备开始接收数据。实际上 DHT11 的响应时间并不是标准的 80us往往存茬误差,当响应时间处于

20~100us 之间时就可以认定响应成功

DHT11 在拉高总线 80us 后开始传输数据。每 1bit 数据都以 50us 低电平时隙开始告诉主机开始传输一位數据了。DHT11

以高电平的长短定义数据位是 0 还是 1当 50us 低电平时隙过后拉高总线,高电平持续 26~28us 表示数据“0”;持续 70us

当 最后 1bit 数据传送完毕后DHT11 拉低总線 50us,表示数据传输完毕随后总线由上拉电阻拉高进入空闲状态。

4、区分数据0/1的巧法

还是像检测响应时间那样计算高电平持续时间那就太麻烦了!!!

数据“0”的高电平持续 26~28us数据“1”的高电平持续70us,每一位数据前都有 50us 的起始时隙如果我们取一个中间值 40us

来区分数据“0”和数据“1”的时隙。

当数据位之前的 50us 低电平时隙过后总线肯定会拉高,此时延时 40us 后检测总线状态如果为高,说明此时处于 70us

的时隙则数据为“1”;如果为低,说明此时处于下一位数据 50us 的开始时隙那么上一位数据肯定是“0”。

由于误差的原因数据“0”时隙并不是准确 26~28us,可能比这短也可能比这长。

当数据“0”时隙大于 26~28us 时

如果延时太短,无法判断当前处于数据“0”的时隙还是数据“1”的时隙;

则会错过下一位数據前的开始时隙,导致检测不到后面的数据

类别:数字温湿度传感器

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