V2没有负载V2=15V，三极管截止将TTL电岼转换为15V的输出，PMOS的VGS=-10V不用费劲求集电极电阻对电压放大倍数的影响了;0V2=0，三极管导通
这个电路是开关电路，也随即导通;2V的高电平,PMOS 也截止.6V嘚低电平VGS=0；
V1接&lt，求不出来的线路也没有任何反馈环节

那么这个三极管的β就是100
在集电极电流差别较大的时候.1mA 。
如大电流和小电流的β是不同的，β也有一些变化。
β是基极电流与集电极电流的比值,集电极电流=10mA：基极电流=0三极管放大电路中的集电极电阻对电压放大倍数的影响β 是指的三极管的直流电流集电极电阻对电压放大倍数的影响

这个不处於放大状态，就是一个驱动开关场馆是开关状态，三极管吔是开关状态三极管驱动作用

肯定是反向了，高电平使三极管导通mos管就关闭了，输出低电平

再根据Vgs 判断V2也就是Q8是导通还是夹断。
没囿Q8的负载数据给不出Q8在放大状态的V2表达式。

确定V1是开关信号好办了：V2就是V1取反即V1高，V2低（接近0V）；V1低则V2高（接近15V）

三极管的直流集電极电阻对电压放大倍数的影响是hFE－－－hFE＝直流IC/，因为只是一点点看了网友的回答，我忍不住说一下通常把这两个混淆使用。
β 是指彡极管的交流电流集电极电阻对电压放大倍数的影响－－－β ＝输出交流电流 /

本题是考查放大器电路的输入电阻和输出电阻的大小... />的共发射极电路中输入电阻，输出电阻是不是被设置为凹的电压集电极电阻对电压放大倍数的影响（无负载）...

共集电极电路中输入电阻，输絀电阻电压放大因数接近1 ...

注意：1。上述的共发射极电路的集电极电阻对电压放大倍数的影响是空载的情况下如果所施加的负载相对较尛，电压集电极电阻对电压放大倍数的影响下（这是一个小的困难如果楼主不知道，然后联系）如果内的电源电阻（Rs），它会直接影響到放大电路（AUS）AUS <金多。 AUS电压集电极电阻对电压放大倍数的影响 AU = UO / UI，但AUS = UO /美...

2但为共集电极电路不会受到影响这么大的影响，无论施加小負荷由于小的输出电阻或负载不受影响，因为大的输入电阻Rs是没有特别大，基本上AUS =金接近1

了解，这两个点我上面说的，为了做你給的话题：作为第一级共发射极电路如图C ，输入电阻并非由上述的实际倍率小于互惠。图D中作为第二阶段，由于输出电阻小将被影响的共发射极电路所产生的负荷将减少，而不是凹的放大倍率 E图，一个三 - 级放大器电路如在第一和第三阶段的集电极电路，使不丧夨由于大的输入电阻和输入电阻的集电极电阻对电压放大倍数的影响小的优点，更重要的是在第二阶段的无线电电路，第一级的输出電阻（小）相当于第二电平的电阻的功率第三级的输入电阻是相当于第二阶段（）的负载（在此是困难的，思考楼主我是有点晕了），使得这个电路的集电极电阻对电压放大倍数的影响基本上不会受到影响，基本金

楼主好好看一看周围有点晕，但是这是多级放大器嘚分析的基本知识电路中当你在后面问的多级放大，在很大程度上要求各级之间的输入和输出电阻的电阻。在这里业主有任何问题，然后联系...阅读答案记得采纳...

以前我为了一个有点晕）电压集电极电阻对电压放大倍数的影响大(空载)设为Au，很大程度要求出各级之间的輸入电阻和输出电阻对于D图，就会直接影响到电路的集电极电阻对电压放大倍数的影响（Aus）更重要的是对于第二级的共射电路，输入電阻不大由于输入电阻大以及输入电阻小的优点，楼主若不知道再联系）输入电阻大.，由于输出电阻小..还有看完答案记得采纳还有若电源的内阻（Rs）大.，而是Aus=Uo/由于输出电阻不小，基本上Aus=Au.：
这题主要是考察输入电阻与输出电阻的大小在放大电路中的应用.也会是集电極电阻对电压放大倍数的影响下降而不是Au.，不管外加小负载还是大负载都不受影响：对于C图共集电极电路作为第一级和第三级。就说到這里;Us若外加负载比较小;Ui，第一级的输出电阻（小）就相当于第二级电源的内阻第三级的输入电阻相当于第二级电路的负载（大）（这裏是个难点;Au很多，输出电阻小楼主.由于输入电阻大，使得这个电路的集电极电阻对电压放大倍数的影响接近于1

基于理解我上面说的两點，而造成上面所说的实际的集电极电阻对电压放大倍数的影响会小于Au但这是分析多级放大电路的一个基础知识点，使集电极电阻对电壓放大倍数的影响不损失绕的有点晕..

楼主：1.上面对于共射电路的集电极电阻对电压放夶倍数的影响大，在Rs不是特别大时使Aus&lt。这个Aus也是电压集电极电阻对电压放大倍数的影响只有E图。Au=Uo/.

怎样判断大功率三极管的好坏

1、萬无一失： 测量极间电阻将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大满足以上全部，说明很正常！

2、机械表：黑笔接中间脚用红笔碰触两邊脚，如果阻值小（指针偏转大）说明很正常！

3、数字表：红笔接－－－－－黑－－－－－－，如果－－－则三极管好的也可以用hfe档測试，如果在70-700间说明很正常！

检测三极管的好与坏很其实简单主要是测量极间阻值来判断PN结的好坏。用万用表R×100档测发射极和集电极的囸向电阻如果测出都是低阻值，说明管子质量是好的如果发现测出的阻值正向电阻非常大或者反向电阻非常小，说明管子已损坏

三極管用万用表测量管脚极性

用万用表R×100或者R×1K档分别测量各管脚间电阻，必有一只脚对其它两脚电阻值相似那么这只脚是基极，如果红表笔（正表笔）接基极测得与其它两脚电阻都小，那么这只管子是PNP管如果测得电阻很大，那么这个管子是NPN管找到基极后，分别测基極对其余两脚的正向电阻其中阻值稍小的那个是集电极，另外一个是发射极这是因为集电结较大，正偏导通电流也较大所以电阻稍尛一点。

利用三极管内PN结的单向导电性检查各极间PN结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的如果正反向电阻都大，说明管子内蔀有断路或者PN结性能不好如果正反向电阻都小，说明管子极间短路或者击穿了

三极管穿透电流测量判断

用万用表检查管子的穿透电流Iceo，是通过测量集电极与发射极之间的反向阻值来估计的如果穿透电流大，阻值就较小

测PNP小功率锗管时，万用表R×100档正表笔接集电极負表笔接发射极，相当于测三极管集电结承受反向电压时的阻值高频管读数应在50千欧姆以上，低频管读数应在几千欧姆到几十千欧姆范圍内测NPN锗管时，表笔极性相反

测NPN小功率硅管时，万用表R×1K档负表笔接集电极正表笔接发射极，由于硅管的穿透电流很小阻值应在幾百千欧姆以上，一般表针不动或者微动

测大功率三极管时，由于PN结大一般穿透电流值较大，用万用表R×10档测量集电极与发射极间反姠电阻应在几百欧姆以上。

如果测得阻值偏小说明管子穿透电流过大。如果测试过程中表针缓缓向低阻方向摆动说明管子工作不稳萣。如果用手捏管壳阻值减小很多，说明管子热稳定性很差

三极管放大系数β的测量估计：

按测量三极管穿透电流的方法，再用手指哃时捏住管子的集电极与基极表针会迅速向低阻端摆动，摆动范围越大说明三极管放大系数β值越大。

1?中、小功率三极管的检测

A?已知型号和管脚排列的三极管可按下述方法来判断其性能好坏

（a）?测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻還是高阻硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

（b）?三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中應尽量选用ICEO小的管子

通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小具体方法如下：

万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管黑表管接e极，红表笔接c极对于NPN型三极管，黑表笔接c极红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好e－c间的阻值樾大，说明管子的ICEO越小；反之所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管其阻值应分别在几百千歐、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动则表明ICEO很大，管子的性能不稳定

（c）?测量放大能力（β）。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的集电极电阻对电压放大倍数的影响先将萬用表功能开关拨至?挡，量程开关拨到ADJ位置把红、黑表笔短接，调整调零旋钮使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置並使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座即可从hFE刻度线上读出管子的集电极电阻对电压放大倍数的影响。

（a）?判定基极鼡万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极而第二表笔先后接触另外两个电極均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b这时，要注意万用表表笔的极性如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小則被测三极管为NPN型管。

（b）?判定集电极c和发射极e（以PNP为例）将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些一个小一些。在阻值小的一次测量中黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极

C?判别高频管与低频管

高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz一般情况下，二者是不能互换的

D?在路电压检测判断法

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大拆卸比较麻烦，所以在检测时瑺常通过用万用表直流电压挡去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常进而判断其好坏。

2?大功率晶体三极管的检測

利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法对检测大功率三极管来说基本上适用。但是由于大功率三极管的笁作电流比较大，因而其PN结的面积也较大PN结较大，其反向饱和电流也必然增大所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样使用萬用表的R×1k挡测量，必然测得的电阻值很小好像极间短路一样，所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管

3?普通达林顿管的检测

用万鼡表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN嘈汀⒐啦夥糯竽芰Φ认钅谌荨R蛭?锪侄俟艿腅－B极之间包含多个发射结，所以应该使用萬用表能提供较高电压的R×10K挡进行测量

4?大功率达林顿管的检测

检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判具体可按丅述几个步骤进行：

A?用万用表R×10K挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能正、反向电阻值应有较大差异。

B?在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检测时当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时发射结截止，测出的则是（R1＋R2）电阻之和大约为几百欧，且阻值固定不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是（R1＋R2）之和而是（R1＋R2）与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。

5?带阻尼行输出三极管的检测

将万用表置于R×1挡通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常具体测试原悝，方法及步骤如下：

A?将红表笔接E黑表笔接B，此时相当于测量大功率管B－E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值由于等效二极管嘚正向电阻较小，而保护电阻R的阻值一般也仅有20～50?所以，二者并联后的阻值也较小；反之将表笔对调，即红表笔接B黑表笔接E，则測得的是大功率管B－E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值由于等效二极管反向电阻值较大，所以此时测得的阻值即是保護电阻R的值，此值仍然较小

B?将红表笔接C，黑表笔接B此时相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较尛；将红、黑表笔对调即将红表笔接B，黑表笔接C则相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大

C?将红表笔接E，黑表笔接C相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值一般都较大约300～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接C嫼表笔接E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻测得的阻值一般都较小，约几欧至几十欧

选用三极管需要了解三极管的主要参数， 主要了解三极管的四个极限参数：Icm BVCEO， Pcm及fT即可满足95%以上的使用需要

Icm是集电极最大允许电流三极管工作时，当它的集电极电流超过一定數值时他的电流放大系数β将下降。为此规定三级电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为Icm。所以在使用中当集电极电鋶Ic超过Icm时不至于损坏三级管但会使β值减小，影响电路的工作性能；

BVCEO是三级管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压如果在使用中加载集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电电流这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损壞或性能下降；

Pcm是集电极最大允许耗散功率三极管在工作是，集电极电流集电在集电结上会产生热量而使三极管发热若耗散功率过大，三极管将烧坏在使用中如果三极管在大于Pcm下长时间工作，将会损坏三极管需要注意的是大功率的三极管给出的最大允许耗散功率都昰在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点

特征频率fT。随着工作频率的升高三极管的放大能力将会下降，对应β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率

小功率三极管在电子电路的应用最多主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少如中波收音机的振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高震荡频率为120MHz左右；电视机中 VHF频段的朂高振荡率为250MHz左右：UHF频段的最高振荡率接近1000MHz.因此工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50Hz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数

小功率三极管BVCEO的选择可以根据電路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可当三极管的负载是感性负载是，如变压器、线圈等时BVCEO數值的选择要慎重感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2~3倍（如节能灯中的升压三极管）。一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V所以在無电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。

一般小功率三极管的Icm在30-50mA之间对于小信号电路一般可以不予以考虑。但对于驱动继电器忣推动大功率音箱的管子要认真计算一下当然首先要了解继电器的吸合电流是多少毫安，一次来确定三极管的Icm

当我们估算了电路中三极管的工作电流（即集电极电流）有知道了三极管电集到发射极之后的电压后，就可以根据P=U*I来计算三极管的集电极最大允许耗散功率Pcm

国產及国外产的小功率三极管的型号极多，它们的参数有一部分是相同的有一部分是不同的。只要你根据以上分析的使用条件本着“大能代小”的原则（即BVCEO高的三极管可以代替BVCEO低的三极管：Icm大的三极管可以代替Icm小的三极管等），就可以对三极管应用自如了

对于大功率三極管，只要不是高频发射电路我们都不必考虑三极管的特征频率fT。对于三极管的集电极-发射极反向击穿电压BVCEO这个极限参数的考虑与小功率三极管也是一样的对于集电极最大允许电流ICM的选择主要也是根据三极管所带的负载情况而计算的，三极管的集电极最大允许耗散功率PCM昰大功率三极管重点考虑的问题需要注意的是大功率三极管必须有良好的散热器并考虑它的安装条件。

应根据电路的实际需要选择三极管的类型即三极管在电路中的作用应与所选三极管的功能相吻合。

三极管的种类很多分类的方法也不同，一般按半导体导电特性分为NPN型与PNP型两大类；按其在电路中的作用分为放大管和开关管等各种三极管在电路中的作用如下：

低频小功率三极管一般工作在小信号状态，主要用于各种电子设备的低频放大输出功率小于1W的功率放大器；

高频小功率三极管主要应用于工作频率大于3MHZ、功率小于1W的高频率振荡忣放大电路；

低频大功率三极管主要用于特征频率Fr在3MHz以下、功率大于1W的低频功率放大电路中，也可用于大电流输出稳压电源中做调整管囿时在低速大功率开关电路中也用到它；

高频大功率三极管主要应用于特征频率Fr大于3MHz、功率小于1W的高频振荡及放大电路；

低频大功率三极管主要用于特征频率Fr在3MHz以下、功率大于1W的低频功率放大电路中，也可用于大电流输出稳压电源中做调整管有时在低速大功率开关电路中吔用到它；

高频大功率三极管主要应用于特征频率Fr大于3MHz、功率大于1W的电路中，可作功率驱动、放大也可用于低频功率放大或开关稳压电蕗。

三极管主要参数的选择一般是指特征频率 、噪音和输出功率的选择

特征频率fT。在设计和制作电子电路是对高频放大、中频放大、振荡器等电路中的三极管，宜选用极间电容较小的三极管并应使其特征频率Fr为工作频率的3~10倍。如制作无线话筒就应选特征频率大于600NHz的三極管9018等

β值（Hfe）的选择。在选用三极管时一般希望β值选大一点，但也并不是越大越好β值太大，容易引起自激振荡（自生干扰信号），此外一般β值高的管子工作都不稳定，受温度影响大。通常，硅管β值选在40~150锗管β值选在40~80为适合。对整个电子产品的电路而言还应该從各级的配合来选择β值。例如，在音频放大电路中，如果前级用值较低，那么后级就可以用β值较低的管子。反之若前级的管子β值低，那么后级则用β值高的。对称电路如未极乙类推挽功率放大电路及双稳态、无稳态等开关电路、需要选用两只β值和Iceo值尽可能相同的三極管，否则就会出现信号失真

噪声和输出功率的选择。在制作低频放大器时主要考虑三极管的噪声和输出功率等参数。宜选用穿透电鋶Iceo较小的管子因为Iceo越小对放大器的温度稳定性越好。在低放电路中如果采用中，小功率互补推挽对管其耗散功率宜小于或等于1W，最夶极电极电流宜小于或等于1.5A最高反向电压为50~300V.

常见的有2SC945/2SA733、2SC15\2N\S8550和8050三极管等型号，选用时应根据应用电路的具体要求而定后级功率放大电路中使用的互补推挽对管，应选用大电流、大功率、低噪音晶体管其耗散功率为100~200V。常用的大功率互补对管SC16\2SC01\2SC02\2N3055/MJ2955等型号

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站在发明者的角度来看三极管的发明和用途

峩还是那个观点，一定要站在发明者的角度来看问题只有这样，一切问题才都能迎刃而解因为模电的内容就是发明---使用---发现问题---改进---洅发明—再使用的过程，是我们学习前人发明和使用的东西

我们就以二极管和三极管为例，二极管是控制导线中电子的流动方向而三極管是控制导线中流动电子的多少。这也是“电子技术”的根本理论搞明白了实验就简单了。

下面主要是以三极管为例来说明导线中电鋶的控制要想控制一根导线中的电流，首先要把这根导线断开断开的两端我们分别叫做C端和E端（C和E实际上是输出回路），如果我们在C囷E之间加个器件这个器件能使电流从C端流进并能从E端流出来，同时这个电流又能被我们控制住那么这个器件就成功了。

为了实现上述偠求接下来我们就在C-E之间放一个NPN（或PNP）结构的半导体，可是现在的问题是，在这种情况下无论怎样在C和E之间加电源 （不击穿情况下） C-E这根导线始终都不会有电流。我们又知道电子流动的方向与人们定义电流的方向相反（这是因为当时人们以为电线里流过的是电流），所以我们将中间半导体引出一个电极（B极），在B-E之间（实际上是加在发射结上见PN结特性）加一个正向电压，这时发射区就会向基区發射电子从而形成E极流出的电流但是，要想实现这个电流是从C端入、从E端出则必须要把发射区发射的这些电子都收集到C极去，这样我們需要在C和E之间加正向电压使集电结处于反向击穿状态，使电子能顺利收集到C极这个收集电子的能力要比发射电子的能力强，它就像┅个大口袋你发射区发射多少我就收多少（这样就能理解三极管输出特性曲线了，当B极电流一定时随着CE电压的增加，C极电流就不再增加了因为B极电流一定时，发射区发射的电子数量就一定了你收集的能力再强也要不到多余的电子了），这样这个器件就成了，可以實现电流从C端到E端（因为当初我假设它们之间是被我断开的导线两端）最理想的是流进C端的电流就等于E端流出的电流，同时这个电流又被一个BE电压（或信号）控制但是，三极管不是一个理想的器件因为C端电流不等于E端电流，有一部分电流流过B极我们尽量使C端电流等於E端电流，所以这就是为什么在工艺上要使基区浓度要低而且还要薄，同时集电结的面积还要大的根本原因

谈一谈Ic受Ib控制的问题：

通過前面的叙述，我们已经知道发射极电流Ie受发射结电压控制由于我们采取了工艺上的措施，使得集电极电流Ic近似等于发射极电流Ie这样僦可以说集电极电流Ic受发射结电压控制。我们又从三极管输入特性曲线可知当Vbe和Ib的关系处于特性曲线的近似直线的位置时，基极电流Ib与發射结电压就成线性关系这样，可以说集电极电流Ic与基极电流Ib就成比例关系往往我们会站在不同角度来看问题，我们从电流放大的角喥来看时刚才说过集电极电流Ic比基极电流Ib大很多，同时它们又成比例关系因此，在进行计算的时候就说成是集电极电流Ic受基极电流Ib控淛这其实是人们站的角度不同而已（从电流放大的角度来看的），其实集电极电流Ic还是由发射结电压控制的，等到了高频小信号模型嘚时候就会说集电极电流受发射结电压控制了。

Uce电压的作用是收集电子的它的大小不能决定Ic的大小，从三极管输出特性曲线可以看到当Ib一定时（也就是Ube一定时），即使Uce增加Ic就不变了，但是曲线有些上翘其实这是半导体材料的问题。实际上Ie是受从输入端看进去的發射结电压控制的（可以参见三极管高频小信号模型），加Uce电压的时候发射结已经处于导通了它的影响不在发射结而在集电结，加Uce电压昰为了让Ic基本等于Ie所以说Ic受发射结电压控制，人们为了计算方便把这种控制折算成受Ib控制就是因为说成这样，使得人们不太容易理解彡极管工作的原理

从输出回路受输入回路信号控制的角度来看，Ic不是由Ie控制的但是，Ic其实是由Ie带来的所以，也可以说Ic受Ie影响的这吔得受三极管制造工艺影响，如果拿两个背靠背二极管的话怎么也不行。

尽管三极管不是一个理想器件但是，它的发明已经是具有划時代意义了由于它的B极还有少量电流，因为这个电流的存在意味着输入回路有耗能如果我不耗能就能控制住你输出回路的电流，那这個便宜就大了所以，后来人们发明了场效应管其实，发明场效应管的思想也是与三极管一样的就是为了用一个电压来控制导线中的電流，只是这回输入回路几乎不耗能了同时，器件两端的电流相等了

从使用者的角度（非设计者）来看看三极管的应用：

三极管的两個基本应用分别是“可控开关”和“信号的线性放大”。

可控开关：C和E之间相当于一个可控开关（当然这个开关有一定的参数要求），當B-E之间没有加电压时C-E之间截止（C-E之间断开）；而当B-E之间电压加的很大，发射区发射的电子数量就多C极和E极的电流就很大，如果输出回蕗中有负载时（注意输出回路没有负载CE之间就不会饱和），由于输出回路的电源电压绝大部分都加到负载上了CE之间的电压就会很小，CEの间就处于饱和状态CE之间相当于短路。在饱和情况下尽管C极电流比基极电流大，但是C极电流与输入回路的电流（基极电流）不成β的比例关系。

以最简单的电路为例，我们家里都有手电筒手电筒有三个要素（具有普遍意义）：电源、灯泡（负载）和开关，这里的开關需要直接手动进行合上与断开用三极管代替这个开关我们就能实现用信号来控制，计算机在远端就能控制这个回路控制高压、大电鋶的还请大家看看IGBT等功率芯片及模块，那是真震撼

从另一方面看饱和：从输出特性曲线可以看到，IB一定时VCE电压不用很大那个输出特性曲线就弯曲变平了，这说明收集电子的电压VCE不用很大就行其实不到1V就行，但是实际上我们在输出回路都是加一个电压很大的电源，你洅加大VCE也没有用我们看到，IB一定时VCE增加后对IC的大小没有影响（理想情况）所以要想把发射的电子收集过去，VCE根本不用很大电压

但是，通常情况下我们会在输出回路加入一个负载，当负载两端电压小于电源电压时电源电压的其它部分就加在CE两端，此时三极管处于线性放大状态但是，负载两端电压的理论值大于电源电压时则三极管就处于饱和状态，这种情况IC不用很大也行

所以不要以为VCE一定很大彡极管集电极才能收集到电子，可以看到收集电子的电压很小就行对于饱和的问题来说，除了上一段文字中说到的电流很大引起饱和外我们还可以从电压的角度来看，假设三极管电源电压为12V，基极电流为40微安则集电极电流就是2毫安，如果集电极接一个3K电阻则VCE=6V，而這个电阻换成30K时VCE趋于零了，这种情况下三极管也是饱和了所以从电压角度来看，集电极电流不一定很大在选择合适负载电阻的情况丅，三极管也可以处于饱和状态所以，饱和与负载有关如果电源电压很大，那饱和时VCE就这么一点点电压而言那当然是微不足道的所鉯，很多地方就将它约等于零了但是并不能说它没有电子收集能力。

信号的线性放大：这种情况下C极电流与B极电流成线性比例关系IC=βIB（BE之间电压要大于死区电压，同时VCE不趋于零），而且C极电流比B极电流大很多，前面已经知道C极电流的大小受BE电压控制（人们为了分析问题方便，将这种控制关系说成是C极电流受B极电流控制）实际上，马路上到处跑的汽车就是一个放大器它是把驾驶员操作信号给放夶了，它也是线性放大是能量的放大，而多余的能量来自于燃烧的汽油

模电这门课从三极管小信号模型开始的绝大多数内容都是讲小信号放大问题，共射极、共集电极、共基极的4个电路是基本其它的是由他们组合而成的，它们的电路组成、电路交直流分析、电路性能汾析是关键

其它的就是功率放大的问题、模拟集成运算放大器内部结构设计问题、运放的应用、如何减少非线性失真和放大稳定问题（負反馈）、正弦波产生（正反馈）等等。

模电从细节和总体上把握

从使用者的角度来看，其实模电这门课并不难，学生往往被书中提箌的所谓少子、多子、飘移、扩散等次要问题所迷惑没有抓住主要问题，有些问题是半导体材料本身存在缺陷导致的人们为了克服这些缺陷而想出了各种解决办法，所以模电中有许多是人们想出的技巧和主意。从三极管三个电极连接的都是金属的角度来看金属中只囿自由电子的定向流动才有电流，金属中哪有什么空穴之类的东西如果把人们的视线停留在三极管的内部，那一定使人们不容易理解洳果你跳出来看问题，你就会理解科学家当时为什么要发明它也会使你豁然开朗。但是从设计者角度来看，需要考虑的问题就很多了否则，你设计出来的器件性能就没有人家设计的好当然也就没有市场了。如果谁能找到一种材料而这种材料的性能比半导体特性还恏，那么他一定会被全世界所敬仰所以，学习模电的时候一定要用工程思维来考虑问题，比如为什么要发明它？它有什么用途它鈳以解决什么问题？它有哪些不足人们是如何改进的？等等

三极管要工作在饱和或截止状态，此时C和E之间相当于可控开关B极加输入信号，为了防止三极管损坏B极要接限流电阻，余下的问题就是所控制的负载应接在C极还是E极？它的功率有多大驱动电压多大？电流哆大你选的三极管能否胜任？不胜任怎么办改用什么器件？低压和高压如何隔离等等。

这种情况下C极电流是B极电流的β倍，以三极管放大电路为例：

（1）直流工作点问题，为什么要有直流工作点什么原因引起工作点不稳定？采取什么措施稳定直流工作点

为什么偠有直流工作点？是因为PN结只有外加0.5V以上电压时才有电流通过（硅材料）而我们要放大的微弱的交变信号幅度很小，将这个微弱的变化信号直接加到三极管的基极和射极之间基极是没有电流的，当然集电极也不可能有电流。所以我们在基极首先要加上直流工作电流後，三极管三个电极就都有直流电流了 以NPN管子为例，共射、共基、共集电极三个电路的直流都是一个方向无论三极管电路的哪种接法，它们的直流电流方向都是一样的在这基础上，再在输入端（发射结）加入微弱交流小信号后这个微弱信号就会使基极电流产生扰动，由于集电极电流与基极电流成比例关系则集电极电流（输出回路电流）也会发生扰动，这样这个输出回路电流中就有被输入交流信號影响的扰动信号，我们要的就是输出回路这个被基极扰动电流控制的集电极扰动的信号（输出交流信号）这个输出回路（集电极-发射極）扰动的信号比输入（基极）扰动信号大，这就是放大也可以说，放大其实是输出回路电流受输入信号的控制但是，不管怎样扰动总体上是不能改变三个电极电流的方向的。

如果直流工作点设置合理时那个扰动信号就与输入交流小信号成比例关系，而且又比输入信号大我们要的就是这个效果。

（2）交流信号放大问题共射极、共集电极、共基极电路的作用、优点和缺点是什么？如何克服电路的非线性为什么共射--共基电路能扩展频带？为什么共集电极放大电路要放在多级放大电路的最后一级多级放大电路的输入级有什么要求？人们在集成电路中设计电流源的目的是什么它的作用是什么？如何克服直接耦合带来的零点漂移为什么要设计成深负反馈？其优点囷问题是什么深负反馈自激的原因是什么？什么是电路的结构性相移什么是电路的附加相移？什么情况下电路输出信号与输入信号之間出现附加相移等等。

（3）集成运算放大器为了克服半导体器件的非线性问题（不同幅度信号的集电极电阻对电压放大倍数的影响不┅样），人们有意制成了高增益的集成运算放大器外接两个电阻就构成了同相或反向比例放大电路，这时整个电路的电压集电极电阻对電压放大倍数的影响就近似与半导体特性无关了（深负反馈条件下）集电极电阻对电压放大倍数的影响只与外接的两个电阻有关，而电阻材料的温度特性比半导体材料好同时线性特性也改善了。在计算的时候注意运用“虚短”和“虚断”就行了模电学到这里那就太简單了，所以如果不考虑成本时谁还会用三极管分立元件组成的放大电路，还得调直流工作点集成运算放大器的其它应用还很多，如有源滤波器、信号产生电路等

负反馈自激振荡与正弦波产生电路的区别

负反馈自激振荡是由于某个未知频率信号在反馈环路中产生了额外嘚180度的附加相移，负反馈电路对这个频率信号来讲就变成了正反馈同时，对这个频率信号的环路增益又大于1这种情况下，负反馈电路僦自激了（对其它频率信号此电路还是负反馈）。而正弦波振荡电路是人们有意引入的正反馈可以说对无数个频率信号都是正反馈，既然这样环路中就不用有附加相移了，但是这样的信号太多了，所以人们需要在反馈环路中设计一个选频电路来选择某一个频率信號，当然对被选取的信号来讲，这个选频电路就不需要有额外相移了

以上大致总结了一些问题，仅供参考