静态24v led 灯 货车1v-24v汽车测试笔怎样做

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一款使高线性度数模转换器成为可能的DAC 1ppm模数转换精密仪器的设计电路图
一款使高线性度数模转换器成为可能的DAC 1ppm模数转换精密仪器的设计电路图
& & & 为了提高仪器仪表系统的精度,数模转换器的性能已经突破16位,而以前必须采用笨重、昂贵、慢速的Kelvin-Varley分压器才能达到这一性能水平。 & & & 然而,随着时间的推移,市场和技术不断发展,关于精密数模转换器的定义也已发生变化。半导体处理技 术、DAC设计和校准技术的发展使高线性度数模转换器成为可能。这种转换器不仅稳定性好、建立时间短,而且能提供优于1ppm的20位性能。这类小型IC 保证性能规格,无需校准且简单易用。 & & &&1ppm DAC的应用范围覆盖从医疗MRI系统中的梯度线圈控制到质谱测定、测试和测量应用中的精密源和定位。
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普通日光灯管规格尺寸
普通日光灯管规格尺寸
普通日光灯管规格尺寸 日光灯分为传统的的日光灯管和LED日光灯。常用的日光灯规格有T8、T5、T4灯管。&T&,代表“Tube”,表示管状的,在T后面所给跟的数字代表该日光灯的长度。LED日光灯管规格有φ26MM*600MM、φ26MM*900MM、φ26MM*1200MM和φ26MM*1500MM四种。 日光灯管规格-尺寸一 日光灯管的尺寸是根据灯管规格而定的。传统日光灯管规格分别为T8、T5、T4,除了T是代表“Tube”管状的意思之外,后面的数字就是日光灯管的直径大小。单位为英寸。例如T8就是有8个“T”,一个“T”就是1/8英寸。在日光灯管规格中,T5灯管的直径就是(5/8)&25.4=16mm ;T4灯管的直径就是(4/8)&25.4=12.7mm;T3.5灯管的直径就是(3.5/8)&25.4=11.1mm;T2灯管的直径就是(2/8)&25.4=6.4mm。 日光灯管规格-尺寸二 而LED日光灯管的尺寸也是根据灯管规格的大小而定的,比如φ26MM*600MM,那么他的尺寸就是:长度为600mm,直径为26mm。通常情况下,LED日光灯管因为发出的光更为柔和,更能被人们接受使用。一般日光灯管规格是多少?在日光灯管规格中,T12灯管的直径就是(12/8)&25.4=38.1 mm;T10灯管的直径就是(10/8)&25.4=31.8mm;T8灯管的直径就是(8/8)&25.4=25.4mm;T5灯管的直径就是(5/8)&25.4=16 mm;T4灯管的直径就是(4/8)&25.4=12.7 mm。不同型号的日光灯管规格有所不同,大家在购买时,可要注意。 日光灯管规格-功率
. 常用的传统日光灯管功率是根据不同尺寸而定的。一般长620mm的日光灯管功率为20w。长926mm的日光灯管功率为30w。长1230mm的日光灯管功率为40w。而LED日光灯灯管如果为600mm,那么它的功率就为9W。如灯光长度为果为900mm,那么它的功率就为14W。以此类推。
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PCB板曝光技巧和基础知识
PCB板曝光技巧和基础知识
印制电路板,又称印刷电路板,是电子元器件电气连接的提供者。它的发展已有100多年的历史了;它的设计主要是版图设计;采用电路板的主要优点是大大减少布线和装配的差错,提高了自动化水平和生产劳动率。
曝光 曝光即在紫外光照射下,光引发剂吸收了光能分解成游离基,游离基再引发光聚合单体&进行聚合交联反应,反应后形成不溶于稀碱溶液的体型大分子结构。曝光一般在自动双面曝光&机内进行,现在曝光机根据光源的冷却方式不同,可分风冷和水冷式两种 ◎影响曝光成像质量的因素&影响曝光成像质量的因素除干膜光致抗蚀剂的性能外,光源的选择、曝光时间(曝光量)&的控制、照相底版的质量等都是影响曝光成像质量的重要因素。
1)光源的选择 任何一种干膜都有其自身特有的光谱吸收曲线,而任何一种光源也都有其自身的发射光&谱曲线。如果某种干膜的光谱吸收主峰能与某种光源的光谱发射主峰相重叠或大部分重叠,则&两者匹配良好,曝光效果最佳。 国产干膜的光谱吸收曲线表明,光谱吸收区为310—440nm(毫微米)。从几种光源的光谱&能量分布可看出,镐灯、高压汞灯、碘镓灯在310—440nm波长范围均有较大的相对辐射强度,&是干膜曝光较理想的光源。氙灯不适应于干膜的曝光。 光源种类选定后,还应考虑选用功率大的光源。因为光强度大,分辨率高,而且曝光时间&短,照相底版受热变形的程度也小。 此外灯具设计也很重要,要尽量做到使入射光均匀性好,平行度高,以避免或减少曝光后 & & & & 2)曝光时间(曝光量)的控制 在曝光过程中,干膜的光聚合反应并非“一引而发”或“一曝即成”,而是大体经过三个阶段。 干膜中由于存在氧或其它有害杂质的阻碍,因而需要经过一个诱导的过程,在该过程内引&发剂分解产生的游离基被氧和杂质所消耗,单体的聚合甚微。但当诱导期一过,单体的光聚合&反应很快进行,胶膜的粘度迅速增加,接近于突变的程度,这就是光敏单体急骤消耗的阶段,这&个阶段在曝光过程中所占的时间比例是很小的。当光敏单体大部分消耗完时,就进入了单体耗&尽区,此时光聚合反应已经完成。 正确控制曝光时间是得到优良的干膜抗蚀图像非常重要的因素。当曝光不足时,由于单体&聚合的不彻底,在显影过程中,胶膜溶涨变软,线条不清晰,色泽暗淡,甚至脱胶,在电镀前处理&或电镀过程中,膜起翘、渗镀、甚至脱落。当曝光过头时,会造成难于显影,胶膜发脆、留下残胶&等弊病。更为严重的是不正确的曝光将产生图像线宽的偏差,过量的曝光会使图形电镀的线条&变细,使印制蚀刻的线条变粗,反之,曝光不足使图形电镀的线条变粗,使印制蚀刻的线条变细。
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