手机充电时发热正常吗多少Ms正常

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-06-21 20:59 标签： 手机充电发烫正常吗
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微软Lumia640充电速度评测
来源：作者：玄隐责编：玄隐
讯&近期IT之家收到了微软中国天猫旗舰店（）的新机Lumia640及Lumia640 XL，昨天我们进行了。那么微软Lumia640的2500mAh电池充电速度如何呢？本篇文章为大家揭晓答案。今天下午将Lumia640电量彻底耗尽后，进行测试记录。首先使用的是官方标配充电器，上面还刻有Microsoft Logo。16：11开始充电，很快出现充电标志，但是电量太少还不能开机，几分钟后就开机了。16：14正常开机，速度还是很快的。下面是正常充电情况下，Lumia640的充电过程：记录关键点：充到10%的电量时，时间为16：28。（过去15分钟）记录关键点：充到20%的电量时，时间为16：49。（过去38分钟）记录关键点：充到30%的电量时，时间为17：05。（过去54分钟）；充到50%的电量时，时间为17：45。（过去1小时34分钟）记录关键点：充到70%的电量时，时间为18：24。（过去2小时13分钟）记录关键点：充到90%的电量时，时间为19：04。（过去2小时53分钟）记录关键点：充到99%的电量时，时间为19：24。（过去3小时13分钟），从90%到99%这段还是很快的。记录关键点：充到100%的电量时，时间为19：48。（过去3小时37分钟）；但是我们知道此时的100%还是虚的，需要继续充电，到威兔弹出充电已满提示时，时间是20：03。（过去时间3小时52分钟）从上述测试中，我们可以看出微软Lumia640充满电所需时间为3小时52分钟左右，因此Lumia640的充电速度并不快。但我们不建议大家将手机完全耗完电后再充电，因为现在的手机电池不需要所谓的深度放电，最好维持在20%电量以上，或手机提示需要充电时，尽快充电。特别是每天晚上记得充电，这样在使用Lumia640时，不会受到影响。微软官方购买入口：&|&&|&&
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　　虽然目前市面上的手机品牌众多，但其充电回路大致相同，都采用基于PMOS的充电电路。使用PMOS时易于以较低电压控制其开关，而手机主板上电压多为3V左右，因此能轻松实现开关控制。另外，MOS管是电压型控制器件，相对三
　　虽然目前市面上的手机品牌众多，但其充电回路大致相同，都采用基于PMOS的充电电路。使用PMOS时易于以较低电压控制其开关，而手机主板上电压多为3V左右，因此能轻松实现开关控制。另外，MOS管是电压型控制器件，相对三极管而言，功耗也小很多。 　　常见的手机充电电路可分为如下三种： 　　1、 PMOS+肖特基二极管：MTK和展讯平台采用此种方式。PMOS控制充电的开关和充电电流的大小，肖特基二极管防止电池通过PMOS的内部寄生二极管倒灌电流，且正向导通时其正向压降相对普通二极管要小。 　　推荐产品：BF9024SPD-M（8Pin）、BF9024SPD-MS（6Pin）：主要参数请参考表一。 　　 　　表一.BF9024SPD系列主要参数 　　 　　图一。 PMOS+二极管 　　 　　图二。 分离PMOS和二极管 　　BF9024SPD-M（8Pin）、BF9024SPD-MS（6Pin）是针对此应用的功率器件，如图一。为减少长时间充电时MOS发热，比亚迪微电子在封装上将其底部散热片外露，以便更好散热。不要小瞧此散热片，它不仅能提高充电时散热效率，有助于提高产品可靠性，而且能使电池充电更充分。因为MOS内阻是正温度系数，即温度越高时，其内阻越大，在50℃时，温度每上升10℃，其内阻会上升约5%，有此散热片可加速器件散热，使其内阻上升控制在3%以下，在充电时可使电池充电电压比同类产品高出约50mV。 　　我们记录了BF9024SPD-M在MTK6223平台上应用时，电池电压从2.8V充至稳定的4.185V时的2000多个数据，从约60mA的预充电电流到恒流充电的550mA电流，再到充满时约50mA的脉冲电流的整个过程中，监控的电池电压最终稳定在4.185~4.195之间，请参考图三；当用USB端口充电时，满充时电池电压稳定在4.188V，请参考图四。整个充电过程中，电池满充电压一致性非常好，且整个充电曲线一致性也非常好。 　　 　　图三。 BF9024SPD-M应用于MTK6223平台充电曲线&适配器充电 　　 　　图四。 BF9024SPD-M应用于MTK6223平台充电曲线&USB端口充电
　　由于BF9024SPD-M与BF9024SPD-MS底部散热片与PMOS的漏极（D极）、肖特基二极管的负极（K极）相连，在设计时不能作为GND或与其它信号线相连。请在PCB Layout时，注意其底部不要有接地PAD或其它信号走线，对应Layout，请参考下图五、六。 　　此两产品已被展讯平台认证，您可参考展讯的原始参考设计BOM。 　　 　　图五。 BF9024SPD-M Layout参考 　　 　　图六。 BF9024SPD-MS Layout参考 　　在低成本应用中，可使用分离的MOS管和肖特基二极管来代替集成器件，如图二。BF92301P的小封装能满足您此类设计需求，其主要参数请参考表二。 　　2、 PMOS+ PMOS：TI和部分MTK平台、双电池平台中采用这种方式。此种应用是PMOS+肖特基二极管应用的改良。在PMOS+肖特基二极管应用的充电回路中，肖特基二极管因持续导通会占用0.4V以上的压降，而将肖特基二极管换为PMOS管后，因MOS的导通内阻非常小，压降可大幅降低，从而保证USB端口或外接5V基准电压在经充电回路损耗后仍能有足够高于单节锂电充电所需电压。 　　推荐产品：BF9024DPD-MS，主要参数，请参考表二。 　　随着手机主板越来越小，手机功能越来越多，人们希望手机或数码产品一次充电后能使用更长的时间。在此需求下，衍生出了双电池的应用。双PMOS在双电池的应用中能很好的利用其极低的导通压降和电流单流向易控性来实现。 　　3、 PNP管+PMOS：Qualcomm平台几乎都是采用这种方式。PNP管用于控制充电的开关和充电电流的大小，PMOS则作为开关元件实现充电回路的连通和切断。 　　推荐产品：BF92301P，主要参数，请参考表二。 　　 　　表二。 BF92301P和BF9024DPD-MS主要参数
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